JP3825576B2 - チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

チップ抵抗器の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3825576B2
JP3825576B2 JP06797099A JP6797099A JP3825576B2 JP 3825576 B2 JP3825576 B2 JP 3825576B2 JP 06797099 A JP06797099 A JP 06797099A JP 6797099 A JP6797099 A JP 6797099A JP 3825576 B2 JP3825576 B2 JP 3825576B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
thin film
insulating substrate
film
chip resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP06797099A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000269010A (ja
Inventor
照雄 島田
弘光 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kamaya Electric Co Ltd
Original Assignee
Kamaya Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kamaya Electric Co Ltd filed Critical Kamaya Electric Co Ltd
Priority to JP06797099A priority Critical patent/JP3825576B2/ja
Publication of JP2000269010A publication Critical patent/JP2000269010A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3825576B2 publication Critical patent/JP3825576B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に電子回路部品として用いられるチップ抵抗器の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器のダウンサイジング化に伴い、回路基板の実装密度を向上するため、チップ抵抗器にも小型化・高精度化が要求されている。しかし、係る小型化・高精度化の要請に対し、従来のチップ抵抗器では、特に端面電極薄膜の形成において問題がある。
【0003】
ここで、従来のチップ抵抗器の製造方法では、まず、複数の分割溝が施された絶縁基板に、その各分割溝に沿って表電極と裏電極とが施される。次に、各表電極間に抵抗膜が施され、その各抵抗膜の上に一次ガラスが施される。次に、一次ガラスの上からレーザー等により各抵抗膜の抵抗値のトリミングが行われ、その後各一次ガラス上に保護膜が形成される。
【0004】
この時点で一旦絶縁基板は短冊状に分割され、分割された短冊状絶縁基板をその端面が略面一となるように積み重ね、Ni−Cr合金からなる端面電極薄膜をスパッタリング、イオンプレーティング又は蒸着等の薄膜形成手法により一括形成する。
【0005】
この端面電極薄膜の形成時の処理を図8(a)によって説明する。図8(a)において、複数の短冊状絶縁基板100は、収容ケース103内に、端面102が略面一になるように積み重ねられて収容されている。また、各短冊状絶縁基板100には、表電極と裏電極と抵抗膜と一次ガラスと保護膜とを有する複数のチップ抵抗器部分101が既に施されている。
【0006】
そして、各短冊状絶縁基板100は、収容ケース103内に収容された状態で、その端面102に一括してNi−Cr合金がスパッタリング等され、端面電極薄膜が形成される。
【0007】
その後、短冊状絶縁基板100は、チップ単位(チップ抵抗器部分101毎)に分割され、その各端部にメッキが施されてチップ抵抗器が完成に至る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、チップ抵抗器が小型化されると、その保護膜は、表電極よりも突出する傾向にあり、更に、組成物の粘性等の理由により山形に形成される傾向にある。
【0009】
この山形に形成された保護膜を有する短冊状絶縁基板の上に、別の短冊状絶縁基板を図8(a)の如く積み重ねると、当該保護膜の存在により、当該別の短冊状基板は傾いて積み重ねられる場合がある(図8(b))。
【0010】
この傾いた状態の短冊状絶縁基板の端面に端面電極薄膜をスパッタリング等で形成しようとすると、その厚さが部分的に不均一になり易いという問題がある。
【0011】
また、積み重ねられた各絶縁基板間に隙間が生じるため、当該隙間にスパッタが侵入して余分に回り込み、チップ抵抗器の表裏面に形成された左右の電極幅がバランス良く形成されなかったり、また、スパッターの回り込みが過剰な場合はメッキ層形成時における当該メッキの成長により両端の電極が短絡するという問題もあった。
【0012】
一方、チップ抵抗器の小型化に伴い、その端面の面積も小さくなるため、そこに形成される端面電極薄膜と絶縁基板またはメッキ層との接合力を十分に確保する必要がある。しかし、端面電極薄膜の材料として通常用いられるNi−Cr合金の薄膜では、当該接合力が必ずしも十分なものとは言えない。
【0013】
従って、本発明の目的は、良好な端面電極薄膜を形成し得るチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【0014】
特に、端面電極薄膜の膜厚を均一化し、かつ、その電極材料の保護膜上への回り込みを防止し得るチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【0015】
また、特に、絶縁基板又はメッキ層との接合が強固な端面電極薄膜を形成し得るチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【0016】
更に、本発明の目的は、絶縁基板又はメッキ層との接合が強固な端面電極薄膜を有するチップ抵抗器を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、分割溝が縦横に施された絶縁基板の表裏面に縦の分割溝を跨いで第1の表電極と裏電極とを設け、複数の一対でなる第1の表電極間に抵抗膜を設け、前記抵抗膜を保護膜で被覆し、弾力性を有する導電性樹脂材料からなる第2の表電極を、保護膜で被覆されていない露出した前記第1の表電極上に少なくとも接するように、且つ、縦の分割溝に沿って連続するように、該第2の表電極の表面の高さが前記保護膜の表面と少なくとも同等か、より高くなるような厚さで形成し、前記絶縁基板を縦の分割溝に沿って短冊状に分割して短冊状絶縁基板を形成し、該第2の表電極が施された複数の前記短冊状絶縁基板を傾かないように且つ隙間無く、その各端面が略面一になるように積み重ね、その後、該短冊状絶縁基板の端面に対して端面電極薄膜を形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法が提供される。
【0018】
この手段では、前記保護膜以上に表面高さが高い前記第2の表電極を設けることにより、前記短冊状絶縁基板を積み重ねた場合に、上の前記短冊状絶縁基板は下の前記短冊状絶縁基板の前記第2の表電極上に載置されることとなる。そして、前記第2の表電極は、導電性樹脂材料からなり、ある程度の弾力性を有するため、前記保護膜の形状に起因する前記短冊状絶縁基板の傾きが防止され、また、相互間に隙間無く積み重ねることが可能となる。
【0019】
このため、本発明のチップ抵抗器の方法では、端面電極薄膜の膜厚を均一化し、かつ、電極材料の保護膜上への回り込みを防止し得るという効果を奏する。
【0020】
本発明において、前記第2の表電極を構成する導電性樹脂材料としては、銀、金等の金属の球状物、樹皮状物又はフレーク状物をエポキシ変成フェノール系又はエポキシ系等の樹脂に混合分散した材料を挙げることができる。係る材料は、特に、既設の表電極との密着性が良好で、また、ガラスを含有するグレーズよりも弾力性及び抵抗率が低いという点でも優れたものだからである。
【0021】
前記端面電極薄膜を形成する方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、或いは、蒸着等を挙げることができる。
【0022】
た、アルミナ基板と、当該アルミナ基板の両端面に設けられた端面電極薄膜と、当該端面電極薄膜を覆うNiメッキ層と、を含むチップ抵抗器において、前記端面電極薄膜が、前記アルミナ基板の端面に設けられたCr又はTiからなる第1の薄膜と、当該第1の薄膜上に設けられたNiからなる第2の薄膜と、からなることを特徴とするチップ抵抗器が製造できる。
【0023】
この手段では、前記端面電極薄膜を2層構造とし、かつ、アルミナ基板側にCr又はTiからなる第1の薄膜を、Niメッキ層側にNiからなる第2の薄膜を設けたものである。ここで、Cr又はTiは絶縁基板として用いられるアルミナ基板と相性がよく、また、Ni同士は当然相性がよい。更に、Cr又はTiと、Niとも相性がよい。
【0024】
この結果、このチップ抵抗器は、端面電極薄膜とアルミナ基板又はNiメッキ層との接合が強固になるという効果を奏する。
【0025】
なお、このチップ抵抗器を製造するためには、始めにCr又はTiからなる第1の薄膜を形成し、その後、Niからなる第2の薄膜を形成することにより製造できる。
【0026】
に、アルミナ基板と、当該アルミナ基板の両端面に設けられた端面電極薄膜と、当該端面電極薄膜を覆うCuメッキ層と、を含むチップ抵抗器において、前記端面電極薄膜が、前記アルミナ基板の端面に設けられたCr又はTiからなる第1の薄膜と、当該第1の薄膜上に設けられたCuからなる第2の薄膜と、からなることを特徴とするチップ抵抗器が製造できる。
【0027】
この手段では、前記端面電極薄膜を2層構造とし、かつ、アルミナ基板側にCr又はTiからなる第1の薄膜を、Cuメッキ層側にCuからなる第2の薄膜を設けたものである。ここで、Cr又はTiは絶縁基板として用いられるアルミナ基板と相性がよく、また、Cu同士は当然相性がよい。更に、Cr又はTiと、Cuとも相性がよい。
【0028】
この結果、このチップ抵抗器は、端面電極薄膜とアルミナ基板及びCuメッキ層との接合が強固になるという効果を奏する。更に、Cuは抵抗率が低いため、抵抗値の低いチップ抵抗器を提供する場合に有益である。
【0029】
なお、このチップ抵抗器を製造するためには、始めにCr又はTiからなる第1の薄膜を形成し、その後、Cuからなる第2の薄膜を形成することにより製造できる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
<第1の実施形態>
図1乃至図5は、本発明に係るチップ抵抗器の製造方法の各工程を示す図であり、各図の(a)は、平面図を示し、各図の(b)は、その横断方向の一部断面図である。
【0031】
この製造方法では、まず、分割溝1a及び1bが縦横に施された絶縁基板1の表裏面に、分割溝1aに沿って第1の表電極2と、裏電極3とを設ける(図1)。図1の例では、第1の表電極2及び裏電極3を、分割溝1aに跨り、かつ、分割溝1bとは離隔するように設けているが、裏電極3については分割溝1bも跨いだ、いわゆるべた印刷としてもよい。
【0032】
絶縁基板1の材料としては、例えば、アルミナを挙げることができる。第1の表電極2及び裏電極3の材料としては、例えば、Ag系、Au系、Pt系、Ag・Pt系、Cu系若しくはAg・Pd系のメタルグレーズを挙げることができ、その設け方としては、係る材料を絶縁基板1に印刷し、その後焼成する方法を挙げることができる。
【0033】
次の工程としては、一対の第1の表電極2間に抵抗膜4を設け、この抵抗膜4を覆うように第1の保護膜5を被覆し、第1の保護膜5の上から抵抗膜4の抵抗値修正のためのトリミングを行い、その後、第2の保護膜6を第1の保護膜5の上に設ける(図2)。第2の保護膜6は、トリミングにより生じた溝及び第1の保護膜5を覆うように設けられ、図2の例ではべた印刷によりこれを設けているが、第1の表電極2の如く分割溝1bから離隔するように設けてもよい。
【0034】
なお、第1及び第2の保護膜5及び6は、後に第2の表電極7を設けるため、第1の表電極2の分割溝1a付近の部分を一部残して設ける。
【0035】
抵抗膜4の材料としては、提供するチップ抵抗器の抵抗値範囲を広範に確保するために、例えば、RuO2系、Ag系、Ag・Pd系若しくはCu・Ni系のメタルグレーズを挙げることができ、その設け方としては、係る材料を絶縁基板1に塗布又は印刷し、その後焼成する方法が挙げられる。
【0036】
第1の保護膜5の材料としては、例えば、硼珪酸鉛系ガラスグレーズを挙げることができる。抵抗膜4の抵抗値のトリミングは、上述した通りこの第1の保護膜5を抵抗膜4に被覆した後、第1の保護膜5と共にレザートリミング等を施すことにより行われる。
【0037】
第2の保護膜6の材料としては、例えば、エポキシ系又はエポキシ変成フェノール系樹脂を挙げることができ、その設け方としては、これらの材料から成る塗料を第1の保護膜5上に塗布又は印刷し、加熱硬化する方法を挙げることができる。
【0038】
なお、この実施形態では、保護膜として、第1の保護膜5と第2の保護膜6との二層構造を採用したが、必ずしもその必要は無く、第1の保護膜5のみとしたり、第1の保護膜5を設けずに、トリミングした抵抗膜4上に直接第2の保護膜6のみを設けてもよい。
【0039】
次の工程としては、第1の表電極2上に、第2の表電極7を設ける(図3)。第2の表電極7は、第2の保護膜6に被覆されていない、露出した第1の表電極2の部分に少なくとも接するように設け、かつ、その表面の高さが第2の保護膜6の表面と少なくとも同等か、より高くなるような厚さでもって設ける。なお、図面上第2の表電極7は、絶縁基板1に対して、かなり厚く見えるが、これは構造を容易に把握できるように誇張して表現したものであり、第2の表電極7の膜厚としては、通常、およそ5μmから10μmの範囲となる。また、図3においては、第2の表電極7は第2の保護膜6の側面に面して設けているが、その一部が第2の保護膜6上に重なっても良い。
【0040】
第2の表電極7は、導電性樹脂材料からなるものであって、その設け方としては、当該材料を塗布又は印刷した後、加熱硬化する方法を挙げることができる。
【0041】
次の工程としては、端面電極薄膜を形成するために、絶縁基板1を、その縦方向の分割溝1aに沿って1次分割し、短冊状絶縁基板10とする(図4)。
【0042】
そして、この短冊状絶縁基板10を、例えば、図8(a)の如く収容ケース103等を用いて端面10’が略面一となるように積み重ねる。なお、その頂上には、各短冊状絶縁基板10が隙間無く積み重ねられるように、所定重量の重り等を載せる等、適度な荷重を加えるようにしてもよい。
【0043】
積み重ねた際、短冊状絶縁基板10は、そのすぐ下段の短冊状絶縁基板10に設けられた第2の表電極7上に載置されることとなる(図5)。第2の表電極7は、その表面が第2の保護膜6の表面以上の高さとなるような厚さをもって設けられているからである。そして、第2の表電極7は、導電性樹脂材料からなるため、一定の弾力性を有する。
【0044】
このため、短冊状絶縁基板10は、傾くことなく、かつ、その端面10’において短冊状絶縁基板10間の隙間がなく、安定して積み重ねられる。
【0045】
この後、積み重ねられた短冊状絶縁基板10の端面10’には、端面電極を構成するための薄膜がスパッタリング等によって一括形成され(図5)、更にその後、短冊状絶縁基板10’を分割溝1bに沿って2次分割し、個々のチップ抵抗器とし、更にメッキ層を施す等して最終的なチップ抵抗器が完成に至る。
【0046】
図6は、上述した製造方法を経て製造されたチップ抵抗器Aの断面構造図である。チップ抵抗器Aは、絶縁基板1と、その両端表裏面に設けられた第1の表電極2及び裏電極3と、第1の表電極2間に設けられた抵抗膜4と、抵抗膜4の上に被覆された第1の保護膜5及び第2の保護膜6と、第1の表電極2上に設けられた第2の表電極7と、絶縁基板1の両端面に設けられた端面電極薄膜8と、その更に両端に設けられたメッキ層9と、からなる。
【0047】
チップ抵抗器Aは、第2の表電極7を設けたので、第2の保護膜6の表面よりもメッキ層9の上面の方が高い位置にある。従って、チップ抵抗器Aを回路基板に実装する場合には、必ずしも裏電極3側の面を回路基板上のランド取りつける必要は無く、第1の表電極2側の面をランドに取りつけることもでき、表裏面の区別の必要が無いため実装時の手間が省ける。この際、第2の表電極7の第2の保護膜6の表面からの高さが、裏電極3の絶縁基板1の裏面からの高さと等しくなるように、第2の表電極7の厚さを設定すると、チップ抵抗器Aの形状は、表裏面においてほとんど対称の形状となり、より一層実装時に手間が省けることとなる。
<第2の実施形態>
図7は、チップ抵抗器Bの断面構造図である。
【0048】
チップ抵抗器Bは、アルミナ基板20と、その両端表裏面に設けられた表電極21及び裏電極22と、表電極21間に設けられた抵抗膜23と、保護膜24と、アルミナ基板20の両端面に設けられた端面電極薄膜25と、各々の端面電極薄膜25を覆うように設けられた第1のメッキ層26と、第2のメッキ層27と、からなる。
【0049】
チップ抵抗器Bの端面電極薄膜25は、第1の薄膜層25aと第2の薄膜層25bとからなる。また、第2のメッキ層27は、はんだメッキ層である。
【0050】
そして、第1の薄膜層25aの材料としては、Cr又はTiのいずれかを採用する。一方、第2の薄膜層25bの材料は、第1のメッキ層26の材料により異なる。すなわち、第1のメッキ層26の材料がNiの場合、第2の薄膜層25bの材料は、Niを採用する。また、第1のメッキ層26の材料がCuの場合、第2の薄膜層25bの材料は、Cuを採用する。
【0051】
なお、第1のメッキ層26としてCuを選択した場合、第2のメッキ層27をはんだメッキのみで構成せずに、第1のメッキ層26をNiメッキ層で覆った後、更にはんだメッキ層を施すようにして2層構造としてもよい。
【0052】
端面電極薄膜25を設ける方法としては、アルミナ基板20に、表電極21、裏電極22、抵抗膜23及び保護膜24を設けた上で、アルミナ基板20の両端面にまず、第1の薄膜層25aを形成し、その後、第2の薄膜層25bを形成する。薄膜の形成方法としては、例えば、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング等を挙げることができる。
【0053】
係る構成から成るチップ抵抗器Bでは、第1の薄膜層25aがCr又はTiからなりアルミナと材料的に相性がよいため、アルミナ基板20に強固に接合される。
【0054】
また、第2の薄膜層25bは、その材料(Ni又はCu)がメッキ層26の材料(Ni又はCu)と同じ材料であるため、両者が強固に接合される。
【0055】
更に、Cr又はTiと、Ni又はCuとは材料的に相性がよいため、第1の薄膜層25aと第2の薄膜層25bとも相互に強固に接合される。
【0056】
従って、チップ抵抗器Bの小型化に伴い、端面電極を形成すべきアルミナ基板20の両端面の面積が小さい場合でも、端面電極薄膜25は、アルミナ基板20及び第1のメッキ層26に対して十分な接合力を維持する。
【0057】
また、Cuは抵抗率が小さいため、低い抵抗値を備えたチップ抵抗器を得たい場合には、第2の薄膜層25b及び第1のメッキ層26の材料としてCuを採用するとより一層好適である。
【0058】
なお、チップ抵抗器Bにおいては、アルミナ基板20と、所定材料から成る第1のメッキ層26と、所定材料からなる第1の薄膜層25a及び第2の薄膜層25bから構成される端面電極薄膜25と、が必須の構成であり、他の構成については特に限定はされないものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)絶縁基板1に第1の表電極2及び裏電極3を設けた工程を示す平面図である。
(b)図1(a)の横断方向の一部断面図である。
【図2】 (a)絶縁基板1に抵抗膜4、第1の保護膜5及び第2の保護膜6を設けた工程を示す平面図である。
(b)図2(a)の横断方向の一部断面図である。
【図3】 (a)第1の表電極2上に第2の表電極7を設けた工程を示す図である。
(b)図3(a)の横断方向の一部断面図である。
【図4】 絶縁基板1を1次分割し、短冊状絶縁基板10を得た工程を示す図である。
【図5】 短冊状絶縁基板10を積み重ねた場合における、その一部断面図である。
【図6】 チップ抵抗器Aの断面構造図である。
【図7】 チップ抵抗器Bの断面構造図である。
【図8】 (a)短冊状絶縁基板100に端面電極薄膜を設けるために、収容ケース103内に、端面102が略面一になるように積み重ねた態様を示す図である。
(b)積み重ねられた短冊状絶縁基板100の一部断面図である。
【符号の説明】
A チップ抵抗器
B チップ抵抗器
1 絶縁基板
1a 分割溝
1b 分割溝
第1の表電極
3 裏電極
4 抵抗膜
5 第1の保護膜
6 第2の保護膜
7 第2の表電極
8 端面電極薄膜
9 メッキ層
10 短冊状絶縁基板
20 アルミナ基板
21 表電極
22 裏電極
23 抵抗膜
24 保護膜
25 端面電極薄膜
25a 第1の薄膜層
25b 第2の薄膜層
26 第1のメッキ層
27 第2のメッキ

Claims (1)

  1. 分割溝が縦横に施された絶縁基板の表裏面に縦の分割溝を跨いで第1の表電極と裏電極とを設け、複数の一対でなる第1の表電極間に抵抗膜を設け、前記抵抗膜を保護膜で被覆し、弾力性を有する導電性樹脂材料からなる第2の表電極を、保護膜で被覆されていない露出した前記第1の表電極上に少なくとも接するように、且つ、縦の分割溝に沿って連続するように、該第2の表電極の表面の高さが前記保護膜の表面と少なくとも同等か、より高くなるような厚さで形成し、前記絶縁基板を縦の分割溝に沿って短冊状に分割して短冊状絶縁基板を形成し、該第2の表電極が施された複数の前記短冊状絶縁基板を傾かないように且つ隙間無く、その各端面が略面一になるように積み重ね、その後、該短冊状絶縁基板の端面に対して端面電極薄膜を形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
JP06797099A 1999-03-15 1999-03-15 チップ抵抗器の製造方法 Expired - Lifetime JP3825576B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06797099A JP3825576B2 (ja) 1999-03-15 1999-03-15 チップ抵抗器の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06797099A JP3825576B2 (ja) 1999-03-15 1999-03-15 チップ抵抗器の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000269010A JP2000269010A (ja) 2000-09-29
JP3825576B2 true JP3825576B2 (ja) 2006-09-27

Family

ID=13360362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06797099A Expired - Lifetime JP3825576B2 (ja) 1999-03-15 1999-03-15 チップ抵抗器の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3825576B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4504577B2 (ja) * 2001-02-06 2010-07-14 釜屋電機株式会社 チップ形抵抗器の製造方法
JP2006024767A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Koa Corp チップ抵抗器の製造方法
JP5115968B2 (ja) * 2007-12-26 2013-01-09 コーア株式会社 チップ抵抗器の製造方法およびチップ抵抗器
JP2010161135A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Rohm Co Ltd チップ抵抗器およびその製造方法
CN108666057B (zh) * 2018-04-03 2024-04-30 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式电阻器及其制备方法
US20220301747A1 (en) * 2021-03-19 2022-09-22 Holy Stone Enterprise Co., Ltd. High-Power Resistor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000269010A (ja) 2000-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4722318B2 (ja) チップ抵抗器
JP4204029B2 (ja) チップ抵抗器
US7352273B2 (en) Chip resistor
JP3825576B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP4384787B2 (ja) チップ抵抗器
JP2003045703A (ja) チップ抵抗器及びその製造方法
JP4707890B2 (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP3118509B2 (ja) チップ抵抗器
JP3012875B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP2526131B2 (ja) チップ抵抗器及びその製造方法
JP3167968B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP3134067B2 (ja) 低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法
JP2006186064A (ja) チップ抵抗器
JP3110677B2 (ja) チップ抵抗器
JP2939425B2 (ja) 表面実装型抵抗器とその製造方法
JP3159963B2 (ja) チップ抵抗器
JP3953325B2 (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JP3323156B2 (ja) チップ抵抗器
JP2003151425A (ja) チップ型電流ヒューズ及びその製造方法
JP2003272901A (ja) 厚膜抵抗器およびその製造方法
JP2003037001A (ja) チップ抵抗器およびその製造方法
JPH11307304A (ja) チップ抵抗器及びその製造方法
JP3172673B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP3323140B2 (ja) チップ抵抗器
JP3435419B2 (ja) チップ抵抗器

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040217

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040601

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040701

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040730

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040922

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20041001

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20041022

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060508

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090707

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100707

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110707

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120707

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130707

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term