JP2009283923A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形−し、
   前記単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を順次形成し、
   前記絶縁層上に支持基板を密着させて貼り合わせ、
   前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に前記絶縁層、前記第１の電極、前記第１の不純物半導体層、及び前記単結晶半導体基板の一部である第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、
   前記第１の単結晶半導体層上に結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
   前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により前記第１の半導体層に比較して低い結晶性を有する第２の半導体層を形成し、
   熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の単結晶半導体層を形成し、
   前記第２の単結晶半導体層上に、前記第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、
   前記第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
2. 単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、
   前記単結晶半導体基板の一表面上に第１の不純物半導体層、第１の電極、及び絶縁層を順次形成し、
   前記絶縁層上に支持基板を密着させて貼り合わせ、
   前記脆化層において前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に前記絶縁層、前記第１の電極、前記第１の不純物半導体層、及び前記単結晶半導体基板の一部である第１の単結晶半導体層を有する積層体を形成し、
   前記第１の単結晶半導体層上に結晶性を有する第１の半導体層を形成し、
   前記第１の半導体層上に、前記第１の半導体層とは異なる条件により非晶質である第２の半導体層を形成し、
   熱処理により前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を単結晶化して、第２の単結晶半導体層を形成し、
   前記第２の単結晶半導体層上に、前記第１の不純物半導体層とは逆の導電型の第２の不純物半導体層を形成し、
   前記第２の不純物半導体層上に第２の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の半導体層に比較して水素濃度が高くなるように前記第２の半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の半導体層の厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように前記第１の半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記イオンとして、水素を含む原料ガスにより生成されるイオンを用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層の厚さの合計が８００ｎｍ以上となるように前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記第１の不純物半導体層をｐ型不純物半導体層とし、
   前記第２の不純物半導体層をｎ型不純物半導体層とすることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
   前記第１の半導体層の形成は、シラン系ガスに対する水素ガスの流量比を５０倍以上とするプラズマ化学気相成長法により行われることを特徴とする光電変換装置の作製方法。