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  1. 単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第１不純物半導体層、第１電極を形成し、
    前記第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１単結晶半導体層を形成し、
    前記第１単結晶半導体層の分離面上に第１非晶質半導体層を形成し、
    前記第１非晶質半導体層上に、前記第１不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第２非晶質半導体層を形成し、
    熱処理を行い、前記第１非晶質半導体層と前記第２非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層と第２不純物半導体層を形成し、
    前記第２不純物半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  2. 単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第１不純物半導体層、第１電極を形成し、
    前記第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第１単結晶半導体層を形成し、
    前記第１単結晶半導体層の分離面上に第１非晶質半導体層を形成し、
    前記第１非晶質半導体層上に、前記第１不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第２非晶質半導体層を形成し、
    熱処理を行い、前記第１非晶質半導体層と前記第２非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層と第２不純物半導体層を形成し、
    前記第２不純物半導体層上に、前記第２不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第３不純物半導体層を形成し、
    前記第３不純物半導体層上に、第３非晶質半導体層を形成し、
    前記第３非晶質半導体層上に、前記第３不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第４不純物半導体層を形成し、
    前記第４不純物半導体層上に、第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第１電極上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を間に挟んで前記第１電極と前記支持基板とを重ね合わせて貼り合わせることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記脆化層の形成は、水素を含む原料ガスにより生成されるイオン又はクラスターイオンを用い、
    前記イオン又はクラスターイオンは、生成されたイオンを質量分離しないで電圧で加速して、前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  5. 請求項４において、
    前記イオン又はクラスターイオンは、照射するイオンの総量に対してＨ３ ＋イオンの割合が多いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記第１単結晶半導体層と前記第２単結晶半導体層とを合わせた厚さは、８００ｎｍ以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記単結晶半導体基板としてｐ型の単結晶半導体基板を用いることにより、ｐ型の前記第１単結晶半導体層を形成し、
    前記第１非晶質半導体層として真性半導体を用いることにより、真性の前記第２単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  8. 請求項７において、
    前記第１不純物半導体層をｐ型とし、
    前記第２不純物半導体層をｎ型とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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