JP2009152567A5 - - Google Patents
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- 単結晶半導体基板の一表面から1000nm未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第1不純物半導体層、第1電極を形成し、
前記第1電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第1単結晶半導体層を形成し、
前記第1単結晶半導体層の分離面上に第1非晶質半導体層を形成し、
前記第1非晶質半導体層上に、前記第1不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第2非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記第1非晶質半導体層と前記第2非晶質半導体層を固相成長させて第2単結晶半導体層と第2不純物半導体層を形成し、
前記第2不純物半導体層上に第2電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 単結晶半導体基板の一表面から1000nm未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ前記一表面上に第1不純物半導体層、第1電極を形成し、
前記第1電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、前記脆化層又は前記脆化層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に第1単結晶半導体層を形成し、
前記第1単結晶半導体層の分離面上に第1非晶質半導体層を形成し、
前記第1非晶質半導体層上に、前記第1不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第2非晶質半導体層を形成し、
熱処理を行い、前記第1非晶質半導体層と前記第2非晶質半導体層を固相成長させて第2単結晶半導体層と第2不純物半導体層を形成し、
前記第2不純物半導体層上に、前記第2不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第3不純物半導体層を形成し、
前記第3不純物半導体層上に、第3非晶質半導体層を形成し、
前記第3非晶質半導体層上に、前記第3不純物半導体層とは逆の一導電型を含む第4不純物半導体層を形成し、
前記第4不純物半導体層上に、第2電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第1電極上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を間に挟んで前記第1電極と前記支持基板とを重ね合わせて貼り合わせることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記脆化層の形成は、水素を含む原料ガスにより生成されるイオン又はクラスターイオンを用い、
前記イオン又はクラスターイオンは、生成されたイオンを質量分離しないで電圧で加速して、前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項4において、
前記イオン又はクラスターイオンは、照射するイオンの総量に対してH3 +イオンの割合が多いことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1単結晶半導体層と前記第2単結晶半導体層とを合わせた厚さは、800nm以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板としてp型の単結晶半導体基板を用いることにより、p型の前記第1単結晶半導体層を形成し、
前記第1非晶質半導体層として真性半導体を用いることにより、真性の前記第2単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項7において、
前記第1不純物半導体層をp型とし、
前記第2不純物半導体層をn型とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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