JP2009010351A5 - - Google Patents

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  1. 絶縁表面を有する支持基板上に形成された単結晶半導体層に接して酸化窒化シリコン層を形成する工程を含み、
    前記酸化窒化シリコン層はシリコンの水素化物気体又はフッ化物気体と窒素酸化物気体を供給し、マイクロ波プラズマ化学的気相成長法で形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記酸化窒化シリコン層は、シリコン、酸素、窒素及び水素の合計含有量を１００％とした場合に、酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素及び／又はＯＨ基が０．１〜１０原子％の範囲で含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 請求項１又は２において、
    前記単結晶半導体層は、
    単結晶半導体基板に接してハロゲンを含有する絶縁層を形成し、
    前記ハロゲンを含有する絶縁層上に緩和層を形成し、
    前記緩和層を介して、前記単結晶半導体基板に水素又はハロゲンイオンを注入して分離層を形成し、
    前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを、接合層を介して密接させ、
    前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを剥離することによって形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. 請求項１又は２において、
    前記単結晶半導体層は、
    単結晶半導体基板に接してハロゲンを含有する絶縁層を形成し、
    前記ハロゲンを含有する絶縁層上に緩和層を形成し、
    前記緩和層上にバリア層を形成し、
    前記緩和層及び前記バリア層を介して、前記単結晶半導体基板に水素又はハロゲンイオンを注入して分離層を形成し、
    前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを、接合層を介して密接させ、
    前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを剥離することによって形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記シリコンの水素化物気体がＳｉＨ４であり、前記窒素酸化物気体がＮ２Ｏであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
    前記酸化窒化シリコン層に接してゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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