JP2012151506A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012151506A5 JP2012151506A5 JP2012089512A JP2012089512A JP2012151506A5 JP 2012151506 A5 JP2012151506 A5 JP 2012151506A5 JP 2012089512 A JP2012089512 A JP 2012089512A JP 2012089512 A JP2012089512 A JP 2012089512A JP 2012151506 A5 JP2012151506 A5 JP 2012151506A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- silicon
- photoelectric conversion
- type semiconductor
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Description
本発明は、基板上に形成された透明導電膜上に、第1のp型半導体層、i型非晶質シリコン系光電変換層、第1のn型半導体層、第2のp型半導体層、i型微結晶シリコン系光電変換層および第2のn型半導体層を、同一のプラズマCVD成膜室内で、順次形成して二重pin構造積層体を形成し、第1のp型半導体層、i型非晶質シリコン系光電変換層および第1のn型半導体層は、プラズマCVD成膜室における成膜圧力が200Pa以上3000Pa以下および電極単位面積当たりの電力密度が0.01W/cm 2 以上0.3W/cm 2 以下で形成されることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法である。
本発明にかかるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法において、第1のn型半導体層は結晶質シリコン系半導体を含むことができる。また、第1のp型半導体層の厚さを2nm以上50nm以下とし、i型非晶質シリコン系光電変換層の厚さを0.1μm以上0.5μm以下とし、第1のn型半導体層の厚さを2nm以上50nm以下とすることができる。また、第2のp型半導体層の厚さを2nm以上50nm以下とし、i型微結晶シリコン系光電変換層の厚さを0.5μm以上20μm以下とし、第2のn型半導体層の厚さを2nm以上50nm以下とすることができる。
また、本発明にかかるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法において、第2のp型半導体層を、基板の下地温度が250℃以下であり、プラズマCVD成膜室内に導入する原料ガスが、シラン系ガスと水素ガスを含有する希釈ガスとを含み、シラン系ガスに対する希釈ガスの流量が100倍以上の条件で形成することができる。また、第1のp型半導体層および第2のp型半導体層の導電型決定不純物原子を、ボロン原子またはアルミニウム原子とすることができる。また、第1のn型半導体層の導電型決定不純物原子濃度を3×10 19 cm -3 以下とし、第2のp型半導体層の導電型決定不純物原子濃度を5×10 19 cm -3 以下とすることができる。
また、本発明にかかるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法において、i型微結晶シリコン系光電変換層を、基板の下地温度が250℃以下であり、プラズマCVD成膜室に導入する原料ガスがシラン系ガスと希釈ガスとを含み、シラン系ガスに対する希釈ガスの流量が30倍以上100倍以下の条件で形成し、ラマン分光法により測定される480nm -1 におけるピークに対する520nm -1 におけるピークのピーク強度比I 520 /I 480 を5以上10以下とすることができる。また、第2のn型半導体層を、基板の下地温度が250℃以下であり、プラズマCVD成膜室に導入する原料ガス中のシリコン原子に対するリン原子の含有率が0.1原子%以上5原子%以下の条件で形成することができる。
また、本発明にかかるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法において、二重pin構造積層体を形成した後に、二重pin構造積層体を含むシリコン系薄膜光電変換装置をプラズマCVD成膜室から搬出し、プラズマCVD成膜室のカソード上および/または室内面上の残留膜を除去することができる。ここで、残留膜の除去は、水素ガスと、不活性ガスと、フッ素系のクリーニングガスとからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをプラズマ化したガスプラズマによって行うことができる。
また、本発明にかかるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法においては、上記の製造方法により形成された二重pin構造積層体の第2のn型半導体層上に、さらに、p型半導体層、i型結晶質シリコン系光電変換層およびn型半導体層から構成される結晶質pin構造積層体を少なくとも1つ積層することができる。
Claims (12)
- 基板上に形成された透明導電膜上に、第1のp型半導体層、i型非晶質シリコン系光電変換層、第1のn型半導体層、第2のp型半導体層、i型微結晶シリコン系光電変換層および第2のn型半導体層を、同一のプラズマCVD成膜室内で、順次形成して二重pin構造積層体を形成し、
前記第1のp型半導体層、前記i型非晶質シリコン系光電変換層および前記第1のn型半導体層は、前記プラズマCVD成膜室における成膜圧力が200Pa以上3000Pa以下および電極単位面積当たりの電力密度が0.01W/cm 2 以上0.3W/cm 2 以下で形成されることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。 - 前記第1のn型半導体層は結晶質シリコン系半導体を含むことを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のp型半導体層の厚さは2nm以上50nm以下であり、前記i型非晶質シリコン系光電変換層の厚さは0.1μm以上0.5μm以下であり、前記第1のn型半導体層の厚さは2nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記第2のp型半導体層の厚さは2nm以上50nm以下であり、前記i型微結晶シリコン系光電変換層の厚さは0.5μm以上20μm以下であり、前記第2のn型半導体層の厚さは2nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記第2のp型半導体層は、前記基板の下地温度が250℃以下であり、前記プラズマCVD成膜室内に導入する原料ガスが、シラン系ガスと水素ガスを含有する希釈ガスとを含み、前記シラン系ガスに対する前記希釈ガスの流量が100倍以上の条件で形成されることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のp型半導体層および前記第2のp型半導体層の導電型決定不純物原子は、ボロン原子またはアルミニウム原子であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記第1のn型半導体層の導電型決定不純物原子濃度が3×10 19 cm -3 以下であり、前記第2のp型半導体層の導電型決定不純物原子濃度が5×10 19 cm -3 以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記i型微結晶シリコン系光電変換層は、前記基板の下地温度が250℃以下であり、前記プラズマCVD成膜室に導入する原料ガスがシラン系ガスと希釈ガスとを含み、シラン系ガスに対する希釈ガスの流量が30倍以上100倍以下の条件で形成され、ラマン分光法により測定される480nm -1 におけるピークに対する520nm -1 におけるピークのピーク強度比I 520 /I 480 が5以上10以下であることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記第2のn型半導体層は、前記基板の下地温度が250℃以下であり、前記プラズマCVD成膜室に導入する原料ガス中のシリコン原子に対するリン原子の含有率が0.1原子%以上5原子%以下の条件で形成されることを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記二重pin構造積層体を形成した後に、前記二重pin構造積層体を含むシリコン系薄膜光電変換装置を前記プラズマCVD成膜室から搬出し、前記プラズマCVD成膜室のカソード上および/または室内面上の残留膜を除去することを特徴とする請求項1に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 前記残留膜の除去は、水素ガスと、不活性ガスと、フッ素系のクリーニングガスとからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスをプラズマ化したガスプラズマによって行われることを特徴とする請求項10に記載のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
- 請求項1に記載の製造方法により形成された二重pin構造積層体の第2のn型半導体層上に、さらに、p型半導体層、i型結晶質シリコン系光電変換層およびn型半導体層から構成される結晶質pin構造積層体を少なくとも1つ積層することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012089512A JP2012151506A (ja) | 2005-10-03 | 2012-04-10 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005290191 | 2005-10-03 | ||
JP2005290191 | 2005-10-03 | ||
JP2012089512A JP2012151506A (ja) | 2005-10-03 | 2012-04-10 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007538747A Division JP5259189B2 (ja) | 2005-10-03 | 2006-09-29 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012151506A JP2012151506A (ja) | 2012-08-09 |
JP2012151506A5 true JP2012151506A5 (ja) | 2013-05-30 |
Family
ID=37906224
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007538747A Expired - Fee Related JP5259189B2 (ja) | 2005-10-03 | 2006-09-29 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP2012089512A Pending JP2012151506A (ja) | 2005-10-03 | 2012-04-10 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007538747A Expired - Fee Related JP5259189B2 (ja) | 2005-10-03 | 2006-09-29 | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100147379A1 (ja) |
EP (1) | EP1933388A1 (ja) |
JP (2) | JP5259189B2 (ja) |
KR (1) | KR101057208B1 (ja) |
CN (2) | CN101771098B (ja) |
TW (1) | TW200721520A (ja) |
WO (1) | WO2007040183A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100216278A1 (en) * | 2007-10-29 | 2010-08-26 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method for making multi-cystalline film of solar cell |
JP4531833B2 (ja) | 2007-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
JP5148536B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-02-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置の運用方法及び基板処理装置 |
CN102187471B (zh) * | 2008-10-14 | 2013-07-31 | 株式会社钟化 | 混合硅系薄膜太阳能电池及其制造方法 |
KR101531700B1 (ko) * | 2008-12-01 | 2015-06-25 | 주성엔지니어링(주) | 박막형 태양전지의 제조방법 |
JP2010129971A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Sharp Corp | シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
DE102008063737A1 (de) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Abscheidung von mikrokristallinem Silizium auf einem Substrat |
KR101086074B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2011-11-23 | 한국생산기술연구원 | 실리콘 나노 와이어 제조 방법, 실리콘 나노 와이어를 포함하는 태양전지 및 태양전지의 제조 방법 |
TW201041158A (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-16 | Chin-Yao Tsai | Thin film solar cell and manufacturing method thereof |
KR101106480B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2012-01-20 | 한국철강 주식회사 | 광기전력 장치의 제조 방법 |
CN101894871B (zh) * | 2009-11-18 | 2012-09-05 | 湖南共创光伏科技有限公司 | 高转化率硅晶及薄膜复合型单结pin太阳能电池及其制造方法 |
CN102108494B (zh) * | 2009-12-23 | 2013-01-16 | 财团法人工业技术研究院 | 微晶硅薄膜的沉积方法及等离子体辅助沉积的监控装置 |
JP4775869B1 (ja) * | 2010-05-27 | 2011-09-21 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
WO2012043070A1 (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の製造方法、固体撮像素子、撮像装置 |
US8513046B2 (en) * | 2010-10-07 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
KR101824756B1 (ko) | 2010-10-29 | 2018-02-01 | 린텍 가부시키가이샤 | 투명 도전성 필름, 전자 디바이스 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
WO2012066941A1 (ja) * | 2010-11-16 | 2012-05-24 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102479863A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 高光电转换效率的三层型太阳能电池 |
CN102479873A (zh) * | 2010-11-24 | 2012-05-30 | 吉富新能源科技(上海)有限公司 | 高光电转换效率的压合型太阳能电池及其制造方法 |
KR20120064364A (ko) * | 2010-12-09 | 2012-06-19 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지의 제조 방법 |
JP5792101B2 (ja) | 2012-03-15 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 積層半導体膜の成膜方法 |
WO2014002353A1 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US20140004648A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | International Business Machines Corporation | Transparent conductive electrode for three dimensional photovoltaic device |
WO2014050304A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 三洋電機株式会社 | 光電変換素子とその製造方法 |
EP2740817A1 (en) * | 2012-12-05 | 2014-06-11 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Microcrystalline silicon thin film PECVD using hydrogen and silanes mixtures |
KR102195003B1 (ko) | 2014-06-18 | 2020-12-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 다이오드, 가변 저항 메모리 장치 및 가변 저항 메모리 장치의 제조 방법 |
US20150372160A1 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-24 | Nanyang Technological University | P-type dopant and method for p-type doping of a semiconductor |
CN109913858B (zh) * | 2019-03-13 | 2021-03-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 化学气相沉积非晶硅镀膜均匀性的改善方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960001611B1 (ko) * | 1991-03-06 | 1996-02-02 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 | 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법 |
JP3146112B2 (ja) * | 1993-12-24 | 2001-03-12 | シャープ株式会社 | プラズマcvd装置 |
US6239463B1 (en) * | 1997-08-28 | 2001-05-29 | Siliconix Incorporated | Low resistance power MOSFET or other device containing silicon-germanium layer |
EP2251913A3 (en) * | 1997-11-10 | 2012-02-22 | Kaneka Corporation | Method of Manufacturing Silicon-Based Thin Film Photoelectric Converter and Plasma CVD Apparatus Used for Such Method |
US6262465B1 (en) * | 1998-09-25 | 2001-07-17 | Picometrix, Inc. | Highly-doped P-type contact for high-speed, front-side illuminated photodiode |
JP4358343B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2009-11-04 | 株式会社カネカ | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 |
JP3589581B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2004-11-17 | 株式会社カネカ | タンデム型の薄膜光電変換装置の製造方法 |
US6200825B1 (en) * | 1999-02-26 | 2001-03-13 | Kaneka Corporation | Method of manufacturing silicon based thin film photoelectric conversion device |
JP2001267611A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
US6436488B1 (en) * | 2000-06-12 | 2002-08-20 | Agilent Technologies, Inc. | Chemical vapor deposition method for amorphous silicon and resulting film |
JP3576094B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2004-10-13 | シャープ株式会社 | 薄膜製造方法 |
US6815736B2 (en) * | 2001-02-09 | 2004-11-09 | Midwest Research Institute | Isoelectronic co-doping |
US6552371B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-04-22 | Teraburst Networks Inc. | Telecommunications switch array with thyristor addressing |
JP2002280584A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ハイブリッド型薄膜光電変換装置とその製造方法 |
JP4560245B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
JP2003068659A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-07 | Sharp Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板、半導体装置 |
CA2396325C (en) * | 2001-09-06 | 2010-03-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Zn1-xmgxsyse1-y pin photodiode and zn1-xmgxsyse1-y avalanche-photodiode |
US6734462B1 (en) * | 2001-12-07 | 2004-05-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Silicon carbide power devices having increased voltage blocking capabilities |
JP3960792B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | プラズマcvd装置、非晶質シリコン系薄膜の製造方法 |
US6794734B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-09-21 | Mia-Com | Heterojunction P-I-N diode and method of making the same |
JP2004006537A (ja) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法並びに太陽電池 |
JP2004128110A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JP2004165394A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Canon Inc | 積層型光起電力素子 |
JP2004289091A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Canon Inc | 光起電力素子 |
US6841806B1 (en) * | 2003-06-24 | 2005-01-11 | The University Of Connecticut | Heterojunction thyristor-based amplifier |
JP4068043B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2008-03-26 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置 |
JP2005123466A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Sharp Corp | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法およびその方法により製造されたシリコン系薄膜光電変換装置 |
-
2006
- 2006-09-29 EP EP06810890A patent/EP1933388A1/en not_active Withdrawn
- 2006-09-29 KR KR1020087010677A patent/KR101057208B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-09-29 CN CN2010101095091A patent/CN101771098B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-29 WO PCT/JP2006/319510 patent/WO2007040183A1/ja active Application Filing
- 2006-09-29 US US12/088,482 patent/US20100147379A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-29 CN CN2006800369804A patent/CN101283455B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-29 JP JP2007538747A patent/JP5259189B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-03 TW TW095136792A patent/TW200721520A/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-04-10 JP JP2012089512A patent/JP2012151506A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2012151506A5 (ja) | ||
JP2009152566A5 (ja) | ||
JP2009283923A5 (ja) | ||
JP2008177539A5 (ja) | ||
WO2011126660A3 (en) | Method of forming a negatively charged passivation layer over a diffused p-type region | |
WO2011133965A3 (en) | Passivation methods and apparatus for achieving ultra-low surface recombination velocities for high-efficiency solar cells | |
WO2011071937A3 (en) | Method of cleaning and forming a negatively charged passivation layer over a doped region | |
JP2009283916A5 (ja) | ||
JP2009295970A5 (ja) | ||
JP4902779B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
JP2012049517A5 (ja) | ||
JP2011135053A5 (ja) | ||
Shin et al. | Radio frequency plasma deposited boron doped high conductivity p-type nano crystalline silicon oxide thin film for solar cell window layer | |
Bhopal et al. | High-ĸ dielectric oxide as an interfacial layer with enhanced photo-generation for Gr/Si solar cells | |
Lyubchyk et al. | Nanocrystalline thin film silicon solar cells: A deeper look into p/i interface formation | |
Du et al. | Concurrently preparing front emitter and rear passivating contact via continuous PECVD deposition plus one‐step annealing for high‐efficiency tunnel oxide passivating contact solar cells | |
EP2549544A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing same | |
TW201145539A (en) | Methods of forming a thin-film solar energy device | |
Kim et al. | Crystallization behavior of microcrystalline silicon germanium | |
JP2013125884A5 (ja) | ||
Huang et al. | Fabrication and electrical properties of polycrystalline Si films on glass substrates | |
TWI511309B (zh) | 具有雙層電池結構之串聯式薄膜矽太陽能電池 | |
WO2013125251A1 (ja) | 薄膜太陽電池 | |
JP2010192869A (ja) | 誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 | |
Tian | Development of advanced thin films by PECVD for photovoltaic applications |