JP2009239138A - 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを提供すること。
【解決手段】 半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。また、半導体装置の製造方法は、上記半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記半導体素子をピックアップして基板に搭載する工程と、を有する。
【選択図】 図１
【解決手段】 半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。また、半導体装置の製造方法は、上記半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記半導体素子をピックアップして基板に搭載する工程と、を有する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体用ウエハに粘着シート（ダイシングシート）を貼着し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング、個片化した半導体素子のピックアップを行い、次いで、半導体素子を金属リードフレーム、テープ基板および有機硬質基板等にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される工程を経る。
この半導体装置の軽薄短小化の技術革新は目覚しいものがあり、様々なパッケージ構造が提唱され、製品化されている。近年では、従来のリードフレーム接合に代わり、半導体チップと回路基板とを、半導体チップの回路面に直接形成された突起電極を介して接合するエリア実装方式が主流になりつつある。
エリア実装方式の代表的なものとして、フリップチップ実装がある。フリップチップ実装においては、接合部分の補強や信頼性向上等を目的として、半導体チップと回路基板の間隙を樹脂で封止することが一般的である。
樹脂封止方法としては、一般にキャピラリーアンダーフィル方式が挙げられる。この方法は、チップの一辺または複数面に液状封止樹脂組成物を塗布し毛細管現象を利用して樹脂組成物を回路基板とチップの間隙に流れ込ませることによって行われる（特許文献１参照）。
しかし、キャビラリーアンダーフィル方式では、フラックスを用いて半導体チップと回路基板を接合させる工程および、フラックス洗浄工程が必要になるため、工程が長くなりかつ洗浄廃液の処理問題等環境管理を厳しくしなければならない。また、樹脂での封止に毛細管現象を利用するため封止時間が長くなり、生産性に問題があった。
また、近年、半導体パッケージの薄型化の要求に伴い、半導体チップも薄く研削されることが通常に行なわれている。この目的のため、加工されたウエハの素子機能面にバックグラインドテープを圧着し、ウエハの裏面を研削したのち、該テープを剥がし、ダイシングテープに圧着し、ダイシングにより個片化し接合するという、煩雑な工程を経ており、より簡素な方法が求められている。また、研削された薄型ウエハは搬送やハンドリングの際に破損するという問題があった。
本発明の目的は、フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを提供することにある。
また、本発明の目的は、上記半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有する半導体装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、上記半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有する半導体装置を提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（１０）に記載の本発明により達成される。
（１）バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体用フィルム。
（２）フリップチップ型の半導体素子の機能面と、前記半導体用フィルムの前記接着剤層とを接着させて用いるものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（３）前記半導体用フィルムの前記接着剤層を常温から１０℃／分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ前記最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１０，０００Ｐａ・ｓ以下である上記（２）に記載の半導体用フィルム。
（４）前記半導体用フィルムの前記接着剤層は、半導体素子の表面が認識可能な程度の透明性を有するものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（５）前記フラックス活性を有する化合物は、フラックス活性を有する硬化剤である上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（６）前記フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の少なくとも一方を有する化合物である上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（７）前記樹脂組成物が、さらに硬化剤を含むものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（８）前記樹脂組成物が、さらにフィルム形成性樹脂を含むものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（９）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記半導体ウエハの機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを前記半導体用フィルムが接着された状態で個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体用フィルムが接着された半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記接着剤層を有する半導体素子をピックアップする工程と、前記接着剤層が基板と接着するように半導体素子を基板に搭載する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（１０）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
（１）バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体用フィルム。
（２）フリップチップ型の半導体素子の機能面と、前記半導体用フィルムの前記接着剤層とを接着させて用いるものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（３）前記半導体用フィルムの前記接着剤層を常温から１０℃／分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ前記最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１０，０００Ｐａ・ｓ以下である上記（２）に記載の半導体用フィルム。
（４）前記半導体用フィルムの前記接着剤層は、半導体素子の表面が認識可能な程度の透明性を有するものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（５）前記フラックス活性を有する化合物は、フラックス活性を有する硬化剤である上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（６）前記フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の少なくとも一方を有する化合物である上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（７）前記樹脂組成物が、さらに硬化剤を含むものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（８）前記樹脂組成物が、さらにフィルム形成性樹脂を含むものである上記（１）に記載の半導体用フィルム。
（９）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記半導体ウエハの機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを前記半導体用フィルムが接着された状態で個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体用フィルムが接着された半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記接着剤層を有する半導体素子をピックアップする工程と、前記接着剤層が基板と接着するように半導体素子を基板に搭載する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（１０）上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることが可能な半導体用フィルムを得ることができる。
また、本発明によれば、上記半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有する半導体装置を提供することにある。
また、本発明によれば、上記半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有する半導体装置を提供することにある。
以下、本発明の半導体用フィルムおよび半導体装置について詳細に説明する。
本発明の半導体用フィルムは、バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。
また、半導体装置の製造方法は、上記に記載の半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記半導体ウエハの機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを前記半導体用フィルムが接着された状態で個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体用フィルムが接着された半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記接着剤層を有する半導体素子をピックアップする工程と、前記接着剤層が基板と接着するように半導体素子を基板に搭載する工程と、を有する。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有することを特徴とする。
また、半導体装置の製造方法は、上記に記載の半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記半導体ウエハの機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを前記半導体用フィルムが接着された状態で個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体用フィルムが接着された半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記接着剤層を有する半導体素子をピックアップする工程と、前記接着剤層が基板と接着するように半導体素子を基板に搭載する工程と、を有する。
また、本発明の半導体装置は、上記に記載の半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有することを特徴とする。
まず、半導体用フィルムについて説明する。
半導体用フィルム１０は、図１に示すようにバックグラインドテープ１と、接着剤層２とで構成されている。図示しないが、バックグラインドテープ１と接着剤層２との間には、離型フィルムが設けられていても良い。これにより、バックグラインドテープ１と接着剤層２との間の剥離が容易となり、半導体用ウエハをダイシング後の半導体素子のピックアップ性を向上することができる。
半導体用フィルム１０は、図１に示すようにバックグラインドテープ１と、接着剤層２とで構成されている。図示しないが、バックグラインドテープ１と接着剤層２との間には、離型フィルムが設けられていても良い。これにより、バックグラインドテープ１と接着剤層２との間の剥離が容易となり、半導体用ウエハをダイシング後の半導体素子のピックアップ性を向上することができる。
半導体用フィルム１０の接着剤層２は、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている。
前記架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も本発明の架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
前記架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も本発明の架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
前記エポキシ樹脂としては、室温で固形のエポキシ樹脂および室温で液状のエポキシ樹脂のいずれを用いても良い。また、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂とを併用しても良い。これにより、接着剤層２の溶融挙動の設計自由度を、さらに高めることができる。
前記室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、前記室温で固形のエポキシ樹脂は、室温で固形の３官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とを含むことが好ましい。これにより、耐湿信頼性を向上することができる。
前記室温で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ核水添型エポキシ樹脂、４−ｔ−ブチルカテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
前記架橋反応可能な樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の２５重量％以上、７５重量％以下であることが好ましく、特に４５重量％以上、７０重量％以下であることが好ましい。含有量が前記範囲内であると、良好な硬化性が得られると共に、良好な溶融挙動の設計が可能となる。
前記フラックス活性を有する化合物は、加熱等によって金属酸化膜を取り除く効果を有しているものであれば特に限定されない。例えば活性ロジン、カルボキル基を有する有機化合物等の有機酸、アミン、フェノール、アルコール、アジン等の自らフラックス活性を持っていたり、フラックス活性を助長したりする作用を有する化合物でも良い。
このフラックス活性を有する化合物として、より具体的には分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を少なくとも１つ以上有する化合物が挙げられ、これは液状であっても固体であっても構わない。
このフラックス活性を有する化合物として、より具体的には分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を少なくとも１つ以上有する化合物が挙げられ、これは液状であっても固体であっても構わない。
前記カルボキシル基を含有する化合物としては、例えば脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。フェノール性水酸基を有するフラックス化合物としては、例えばフェノール類が挙げられる。
前記脂肪族酸無水物としては、例えば無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
前記脂環式酸無水物としては、例えばメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
前記芳香族酸無水物としては、例えば無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
前記脂肪族カルボン酸としては、例えば下記式（１）で示される化合物等が挙げられる。
前記式（１）で示される化合物は、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび接着剤層２の硬化後の弾性率やガラス転移温度のバランスから、前記式（１）中のｎは、特に限定されないが、３以上、１０以下であることが好ましく、特に４以上、８以下であることが好ましい。ｎを前記下限値以上とすることにより、硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができる。また、ｎを前記上限値以下とすることにより、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。
前記式（１）で示される化合物として、例えばｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）3−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）4−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）5−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）8−ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ2）10−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
前記芳香族カルボン酸としては、例えば安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；ジフェノール酸等が挙げられる。
前記フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。
また、このようなフラックス活性を有する化合物は、エポキシ樹脂のような架橋反応可能な樹脂との反応で３次元的に取り込まれるようなフラックス活性を有する硬化剤であることが好ましい。これにより、フラックス活性後の洗浄工程を省略することに加えて、信頼性をより向上できる。
このフラックス活性を有する硬化剤としては、例えば１分子中にエポキシ樹脂等の架橋反応可能な樹脂に付加することができる少なくとも２個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜に対してフラックス作用を示す、芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも１個有する化合物が挙げられる。具体的には、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられる。
これらのフラックス活性を有する化合物は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
このフラックス活性を有する硬化剤としては、例えば１分子中にエポキシ樹脂等の架橋反応可能な樹脂に付加することができる少なくとも２個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜に対してフラックス作用を示す、芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも１個有する化合物が挙げられる。具体的には、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられる。
これらのフラックス活性を有する化合物は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記フラックス活性を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１重量％以上、３０重量％以下であることが好ましく、特に５重量％以上、２５重量％以下であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックス活性の効果が不十分となる場合があり、前記上限値を超えると架橋反応可能な樹脂と未反応のフラックス活性を有する化合物が残留する場合があり、マイグレーションの原因となる場合がある。また、含有量が前記範囲内であると、銅箔表面の酸化膜を還元し強度の大きい良好な接合が得られる。
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、硬化剤を含んでも良い。
前記硬化剤としては、例えばフェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる場合、このエポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られるという点で、フェノール類が好適に用いられる。
前記硬化剤としては、例えばフェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる場合、このエポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られるという点で、フェノール類が好適に用いられる。
前記フェノール類としては、特に限定されるものではないが、接着剤層２の硬化後の物性を考えた場合、２官能以上が好ましい。例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられるが、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性および硬化後の物性を考えた場合、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類を好適に用いることができる。
前記硬化剤としてフェノールノボラック類が用いられる場合、その含有量は、特に限定されないが、前記架橋反応可能な樹脂を確実に硬化させる観点では、前記樹脂組成物全体の５重量％以上が好ましく、特に１０重量％以上が好ましい。また、エポキシ樹脂と未反応のフェノールノボラック類が残留していると、マイグレーションの原因となる。したがって、残渣として残らないようにするためには、前記含有量は前記樹脂組成物全体の３０重量％以下が好ましく、特に２５重量％以下が好ましい。
架橋反応可能な樹脂がエポキシ樹脂である場合、フェノールノボラック樹脂の含有量は、エポキシ樹脂に対する当量比で規定してもよい。エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック類の当量比は、特に限定されないが、０．５以上、１．２以下が好ましく、特に０．６以上、１．１以下が好ましく、最も０．７以上、０．９８以下が好ましい。前記エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の当量比を前記下限値以上とすることで、硬化後の耐熱性、耐湿性を確保することができ、この当量比を上限値以下とすることで、硬化後のエポキシ樹脂と未反応の残留フェノールノボラック樹脂の量を低減することができ、耐マイグレーション性が良好となる。
他の硬化剤としては、例えばイミダゾール化合物、リン化合物等を挙げることができる。
前記イミダゾール化合物としては、特に限定されないが、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することが好ましい。これにより、接着剤層２の硬化と、フラックス機能との両立を図ることが容易となる。すなわち、イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田バンプの酸化膜が除去され、半田バンプと電極が金属接合する前に接着テープが硬化してしまい、接続が不安定になったり、接着テープの保存性が低下したりする場合を抑制することができる。
融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、例えば２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、例えば接着剤層２の接着温度に応じて適宜設定することができる。
前記イミダゾール化合物としては、特に限定されないが、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することが好ましい。これにより、接着剤層２の硬化と、フラックス機能との両立を図ることが容易となる。すなわち、イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田バンプの酸化膜が除去され、半田バンプと電極が金属接合する前に接着テープが硬化してしまい、接続が不安定になったり、接着テープの保存性が低下したりする場合を抑制することができる。
融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、例えば２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、例えば接着剤層２の接着温度に応じて適宜設定することができる。
前記硬化剤としてイミダゾール化合物が使用される場合、その含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．００５重量％以上、１０重量％以下が好ましく、特に０．０１重量％以上、５重量％以下が好ましい。イミダゾール化合物の含有量を前記下限値以上とすることにより、架橋反応可能な樹脂の硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、接着剤層２の硬化性を向上させることができる。また、イミダゾール化合物の配合比を前記上限値以下とすることにより、半田が溶融する温度において樹脂の溶融粘度が高すぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、接着剤層２の保存性をさらに向上させることができる。
前記リン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン；テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子性化合物；テトラ置換ホスホニウムとプロトン供与体とトリアルコキシシラン化合物との分子性化合物等が挙げられる。これらの中でも、接着剤層２の速硬化性、半導体素子のアルミパッドへの腐食性、さらには接着剤層２の保存性により優れる、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子性化合物、およびテトラ置換ホスホニウムとプロトン供与体とトリアルコキシシラン化合物との分子性化合物が特に好ましい。
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、前記架橋反応可能な樹脂と異なるフィルム形成性樹脂を含んでも良い。
前記フィルム形成性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体等のスチレン系共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記フィルム形成性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体等のスチレン系共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
フィルム形成性樹脂として、フェノキシ樹脂が用いられる場合、その数平均分子量が５，０００以上、１５，０００以下であるフェノキシ樹脂が好ましい。このようなフェノキシ樹脂を用いることにより、硬化前の接着テープの流動性を抑制し、層間厚みを均一にすることができる。フェノキシ樹脂の骨格は、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプ、ビフェニル骨格タイプなどが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、飽和吸水率が１％以下であるフェノキシ樹脂が、接合時やはんだ実装時の高温下においても発泡や剥離などの発生を抑えることができるため、好ましい。
また、上記フィルム形成性樹脂として、接着性や他の樹脂との相溶性を向上させる目的で、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基を有する樹脂を用いてもよく、このような樹脂として、例えばアクリルゴムを用いることができる。
フィルム形成性樹脂として、アクリルゴムが用いられる場合、フィルム状の接着テープを作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着テープの弾性率を低下させ、被接着物と接着テープ間の残留応力を低減することができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
フィルム形成性樹脂として、アクリルゴムが用いられる場合、フィルム状の接着テープを作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着テープの弾性率を低下させ、被接着物と接着テープ間の残留応力を低減することができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
アクリルゴムは、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、またはニトリル基等を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、半導体素子の裏面、および半導体素子上のコート材等の被着体への密着性をより向上することができる。このような（メタ）アクリル酸エステル共重合体に用いるモノマーとしては、例えば、グリシジル基を有するグリシジル（メタ）クリレート、水酸基を有する（メタ）クリレート、カルボキシル基を有する（メタ）クリレート、ニトリル基を有する（メタ）アクリロニトリル等が挙げられる。
これらの中でも、特に、グリシジル基またはカルボキシル基を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体を用いることが好ましい。これにより、接着フィルムの硬化がさらに促進され、さらに、被着体に対する接着性を向上することができる。
カルボキシル基を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体を用いる場合、カルボキシル基を有するモノマー単位の、共重合体中の含有量は、より被着体に対する接着性を向上させる観点では、例えば（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体の０．５重量％以上、好ましくは１重量％以上である。また、カルボキシル基を有するモノマー単位の含有量は、接着剤層２の保存性をより一層向上させる観点では、例えば（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体の１０重量％以下、好ましくは５重量％以下である。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、特に限定されないが、１，０００以上、１００万以下が好ましく、特に３，０００以上、９０万以下が好ましい。上記範囲とすることにより、接着剤層２の成膜性をさらに向上させることができるとともに接着時の流動性を確保することが可能となる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定することができ、測定条件例としては、例えば、東ソー（株）製、高速ＧＰＣ ＳＣ−８０２０装置で、カラムはＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭＨＸＬ−Ｌ、温度４０℃、溶媒テトラヒドロフランを用いることができる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、接着フィルムの粘着が強くなりすぎることを抑制して作業性をさらに向上させる観点では、例えば０℃以上、好ましくは５℃以上である。また、（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、低温での接着性をさらに向上させる観点では、例えば３０℃以下、好ましくは２０℃以下である。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、例えば、熱機械特性分析装置(セイコーインスツル（株）製、ＴＭＡ／ＳＳ６１００)を用いて、一定荷重（１０ｍＮ）で−６５℃から昇温速度５℃／分で温度を上昇させながら引っ張った際の変極点より測定することができる。
フィルム形成性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５重量％以上、５０重量％以下とすることが好ましい。フィルム形成性樹脂が上記範囲内で配合される場合、成膜性の低下が抑制されるとともに、接着剤層２が硬化した後の弾性率の増加が抑制されるため、被接着物との密着性をさらに向上させることができる。また、上記範囲内とすることにより、接着剤層２の溶融粘度の増加が抑制される。
また、耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、さらに無機充填剤を含有することが好ましい。このような無機充填剤としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等の粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これらの無機充填剤は単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。
無機充填剤を樹脂組成物に含めることにより、樹脂組成物を硬化させた後の耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また接着剤層２の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填剤の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、特に異方性のない接着剤層２として好適な樹脂組成物を提供することができる。
また、無機充填剤の平均粒径は、特に限定されないが、０．５μｍ以下が好ましく、特に０．０１μ以上、０．５μｍ以下が好ましく、最も０．０１μｍ以上、０．３μｍ以下が好ましい。この平均粒子径が小さくなりすぎると無機充填剤が凝集しやすくなった結果、強度が低下する場合があり、一方で大きくなりすぎると接着剤層２の透明度が低下し、半導体素子表面の位置合わせマークの認識が難しくなり、半導体素子と基板の位置合わせが困難となる場合がある。
ここで、無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０重量％以上、６０重量％以下が好ましく、特に２０重量％以上、５０重量％以下が好ましい。無機充填剤の含有量が前記下限値未満であると耐熱性、耐湿性、強度等を向上させる効果が低下する場合があり、一方で前記上限値を超えると透明性が低下したり、接着剤層２のタック性が低下したりする場合がある。
また、前記樹脂組成物は、シランカップリング剤をさらに含んでも良い。シランカップリング剤を含む構成とすることにより、接着剤層２の被接着物への密着性をさらに高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．０１重量％以上、５重量％以下とすることが好ましい。
前記樹脂組成物は、上記以外の成分を含んでいても良い。例えば、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤を適宜添加しても良い。
また、バックグラインドテープ１としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリウレタン等により作成された耐熱性や耐薬品性の優れたフィルムであれば使用できる。バックグラインドテープ１の厚さは、特に限定されないが、通常３０〜５００μｍが好ましい。
次に、半導体用フィルム１０の製造方法について簡単に説明する。
接着剤層２は、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物等を混合し、ポリエステルシート等の剥離基材２１上に塗布し、所定の温度で乾燥することにより得られる。これをハーフカットすることにより円形状の接着剤層２を得た。
そして、その上にバックグラインドテープ１を積層することで、バックグラインドテープ１、接着剤層２、剥離基材２１で構成されるバックグラインドテープ機能付き半導体用フィルム１０を得ることができる（図２）。
接着剤層２は、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物等を混合し、ポリエステルシート等の剥離基材２１上に塗布し、所定の温度で乾燥することにより得られる。これをハーフカットすることにより円形状の接着剤層２を得た。
そして、その上にバックグラインドテープ１を積層することで、バックグラインドテープ１、接着剤層２、剥離基材２１で構成されるバックグラインドテープ機能付き半導体用フィルム１０を得ることができる（図２）。
このようにして形成される半導体用フィルム１０の接着剤層２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上、１００μｍ以下が好ましく、特に１０μｍ以上、７５μｍ以下であることが好ましい。厚さが前記下限値未満であると半導体用フィルム１０としての効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると製品の製造が難しく厚み精度が低下する場合がある。
半導体用フィルム１０の接着剤層２を常温から１０℃／分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有する場合の前記最低溶融粘度は、特に限定されないが、１０Ｐａ・ｓ以上、１０，０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、特に１００Ｐａ・ｓ以上、３，０００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、最も３００Ｐａ以上、１，５００Ｐａ・ｓ以下が好ましい。溶融粘度を前記下限値以上とすることにより、加熱時に接着剤層２が被接着物からはみ出すことによる接着信頼性の低下を抑制でき、かつはみ出しによる周辺部材の汚染も抑制することができる。さらに、気泡の発生、上下回路基板の未充填等の不良も防止することができる。さらに、半田が濡れ拡がりすぎてしまい、隣接電極間でショートするといった問題も防止することが可能となる。また、前記上限値以下とすることで、半田バンプと回路基板電極が金属接合する際に、半田バンプと回路基板電極間の樹脂が排除されるため接合不良を抑制することが可能となる。
また、前記最低溶融粘度での温度は、特に限定されないが、１２０〜１８０℃であることが好ましく、特に１４０〜１７０℃が好ましい。前記温度範囲で接着剤層２が最低溶融粘度を示すと、半導体素子等の搭載するのが容易となるからである。
接着剤層２の溶融粘度は、例えば以下の測定方法により求められる。
厚み１００μｍの接着剤層を、粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏ Ｓｔｒｅｓｓ ＲＳ−１０ ＨＡＡＫＥ（株）社製）で昇温速度１０℃／ｍｉｎ、周波数０．１Ｈｚで、歪み一定−応力検知で測定できる。
接着剤層２の溶融粘度は、例えば以下の測定方法により求められる。
厚み１００μｍの接着剤層を、粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏ Ｓｔｒｅｓｓ ＲＳ−１０ ＨＡＡＫＥ（株）社製）で昇温速度１０℃／ｍｉｎ、周波数０．１Ｈｚで、歪み一定−応力検知で測定できる。
接着剤層２は、特に限定されないが、半導体素子の表面が認識可能な程度の透明性を有することが好ましい。これにより、チップと基板を接合する時の位置合わせを容易にすることができる。
より具体的に、接着剤層２は、６３０ｎｍでの透過率が５０％以上であることが好ましく、特に７０〜１００％であることが好ましい。透過率が前記範囲内であると、特に半導体素子の認識性に優れ、接続率を向上することができる。
より具体的に、接着剤層２は、６３０ｎｍでの透過率が５０％以上であることが好ましく、特に７０〜１００％であることが好ましい。透過率が前記範囲内であると、特に半導体素子の認識性に優れ、接続率を向上することができる。
（半導体装置の製造方法および半導体装置）
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
上述の方法で得られた半導体用フィルム１０の剥離基材２１を剥離し、接着剤層２と半導体用ウエハ３の機能面３１とが当接するように接着する（図３）。
次に、バックグラインドテープ１の上側の面（図４中の上側）を、研磨装置の研磨ステージ４に固定する。研磨装置は、特に限定されることは無く市販されているものを用いることができる。ここで、バックグラインドした後の半導体用ウエハ３の厚さは、特に限定されないが、３０〜６００μｍ程度とすることが好ましい。
本発明の半導体用フィルム１０は、接着剤層２がフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物のため、半導体ウエハ３の機能面３１に直接ラミネートすることが可能である。
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
上述の方法で得られた半導体用フィルム１０の剥離基材２１を剥離し、接着剤層２と半導体用ウエハ３の機能面３１とが当接するように接着する（図３）。
次に、バックグラインドテープ１の上側の面（図４中の上側）を、研磨装置の研磨ステージ４に固定する。研磨装置は、特に限定されることは無く市販されているものを用いることができる。ここで、バックグラインドした後の半導体用ウエハ３の厚さは、特に限定されないが、３０〜６００μｍ程度とすることが好ましい。
本発明の半導体用フィルム１０は、接着剤層２がフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物のため、半導体ウエハ３の機能面３１に直接ラミネートすることが可能である。
次に、バックグラインド後の半導体用ウエハ３を、バックグラインドテープ１がダイサーテーブル５の上面（図５中の上側）と接するようにダイサーテーブル５に設置する（図５）。次に、半導体用ウエハ３の周囲にウエハリング６を設置して、半導体用ウエハ３を固定する。そして、ブレード７で半導体用ウエハ３を切断して、半導体用ウエハ３を個片化して接着剤層２を有する半導体素子を得る。この際、半導体用フィルム１０は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハ３を切断する際の半導体素子の割れ、欠け等を防止している。なお、半導体用フィルム１０に、半導体用ウエハ３およびウエハリング６を予め貼着した後に、ダイサーテーブル５に設置しても良い。
次に、半導体用フィルム１０をエキスパンド装置で伸ばして、個片化した接着剤層２を有する半導体素子同士を一定の間隔に開き、その後にピックアップして、基板に搭載して半導体装置を得る。
このように、本発明の半導体用フィルムは、バックグラインドテープ機能と、ダイシングテープ機能と有し、かつ接着剤層がフラックス活性を有するのでフラックス塗布工程等を省略できる機能等を有している。そのため、フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることができる。
このように、本発明の半導体用フィルムは、バックグラインドテープ機能と、ダイシングテープ機能と有し、かつ接着剤層がフラックス活性を有するのでフラックス塗布工程等を省略できる機能等を有している。そのため、フラックス洗浄工程が不要で生産性に優れ、かつ半導体ウエハの作業性を向上させることができる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
１．接着剤層の調製
架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４７．００重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１９．５１重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）９．７５重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）１０．２６重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０８重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１２．８８重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．５２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエチレンテレフタレートフィルム（カバーフィルムに相当：厚さ５０μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ４０μｍの接着フィルム（接着剤層およびカバーフィルム）を得た。
１．接着剤層の調製
架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４７．００重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１９．５１重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）９．７５重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）１０．２６重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０８重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１２．８８重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．５２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。この樹脂ワニスを、コンマコーターを用いて、ポリエチレンテレフタレートフィルム（カバーフィルムに相当：厚さ５０μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ４０μｍの接着フィルム（接着剤層およびカバーフィルム）を得た。
２．バックグラインドテープの製造
クリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理して、基材フィルムを得た。
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム（粘着層のカバーフィルムに相当）に乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後、この粘着剤層を上述した基材フィルムのコロナ処理面にラミネートして、バックグラインドテープ（基材フィルム、粘着剤層およびカバーフィルム）を得た。
クリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理して、基材フィルムを得た。
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム（粘着層のカバーフィルムに相当）に乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後、この粘着剤層を上述した基材フィルムのコロナ処理面にラミネートして、バックグラインドテープ（基材フィルム、粘着剤層およびカバーフィルム）を得た。
（３）半導体用フィルムの製造
上述の接着フィルムのフィルム状接着剤層のみ（ウエハと接合される部分のみ残す）をハーフカットし、上述のバックグラインドテープからカバーフィルムを剥離して、接着フィルムの接着層と、バックグラインドテープの粘着層とが接合するように貼り付けた。これにより、基材フィルム、粘着剤層、接着剤層、カバーフィルムが、この順に構成されてなる半導体用フィルムを得た。
上述の接着フィルムのフィルム状接着剤層のみ（ウエハと接合される部分のみ残す）をハーフカットし、上述のバックグラインドテープからカバーフィルムを剥離して、接着フィルムの接着層と、バックグラインドテープの粘着層とが接合するように貼り付けた。これにより、基材フィルム、粘着剤層、接着剤層、カバーフィルムが、この順に構成されてなる半導体用フィルムを得た。
３．半導体装置の製造
この半導体用フィルムのカバーフィルムを剥離して、接着剤層を８インチ、７２５μｍウエハのバンプがついている面に温度１１０℃、圧力０．３ＭＰａで貼り付けし、バックグラインドおよびダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが付いた半導体ウエハを得た。そして、バックグラインドテープ１の上側の面（図４中の上側）を、研磨装置の研磨ステージ４に固定し、半導体用ウエハ３の厚さが７２５μｍから１００μｍとなるまで研削を行った。
次に、この半導体用ウエハを、図５に示すようにバックグラインドテープ１とダイサーテーブル５の上面とが接するように設置して、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子（６０μｍΦ、Ｓｎ３Ａｇ０．５Ｃｕバンプ、ピッチ２００μｍ、バンプ数２２５、ＰＩ保護膜付き：日立超ＬＳＩ社製）のサイズにダイシング（切断）した。次に、ダイシング機能付きダイアタッチフィルムの裏面から突上げし、ダイシングフィルムおよび接着剤間で剥離し接着剤層（接着フィルム）が接着した半導体素子を得た。この半導体素子を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に２５０℃１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。それを１８０℃、１時間で後硬化させた。
なお、接着剤層の透過率は、９７％であった。
この半導体用フィルムのカバーフィルムを剥離して、接着剤層を８インチ、７２５μｍウエハのバンプがついている面に温度１１０℃、圧力０．３ＭＰａで貼り付けし、バックグラインドおよびダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムが付いた半導体ウエハを得た。そして、バックグラインドテープ１の上側の面（図４中の上側）を、研磨装置の研磨ステージ４に固定し、半導体用ウエハ３の厚さが７２５μｍから１００μｍとなるまで研削を行った。
次に、この半導体用ウエハを、図５に示すようにバックグラインドテープ１とダイサーテーブル５の上面とが接するように設置して、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子（６０μｍΦ、Ｓｎ３Ａｇ０．５Ｃｕバンプ、ピッチ２００μｍ、バンプ数２２５、ＰＩ保護膜付き：日立超ＬＳＩ社製）のサイズにダイシング（切断）した。次に、ダイシング機能付きダイアタッチフィルムの裏面から突上げし、ダイシングフィルムおよび接着剤間で剥離し接着剤層（接着フィルム）が接着した半導体素子を得た。この半導体素子を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に２５０℃１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。それを１８０℃、１時間で後硬化させた。
なお、接着剤層の透過率は、９７％であった。
（実施例２）
フィルム形成性樹脂を、アクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）を用いずに、アクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）２９．２６重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、９７％であった。
フィルム形成性樹脂を、アクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）を用いずに、アクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）２９．２６重量％とした以外は、実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、９７％であった。
（実施例３）
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３７．６０重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１５．６０重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）７．８０重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）８．２１重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０７重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１０．３重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．４２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、さらにシリカ（クオートロンＳＰ−０３Ｂ 扶桑化学工業（株）、平均粒径０．０２ｕｍシリカ）を加え分散し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。それ以外は実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、５２％であった。
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３７．６０重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１５．６０重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）７．８０重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）８．２１重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０７重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１０．３重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．４２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、さらにシリカ（クオートロンＳＰ−０３Ｂ 扶桑化学工業（株）、平均粒径０．０２ｕｍシリカ）を加え分散し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。それ以外は実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、５２％であった。
（実施例４）
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ、エピクロン８４０Ｓ、大日本インキ化学工業（株））６２．５重量％、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（ＹＬ−６９５４、ジャパンエポキシレジン（株）製）２５．００重量％、硬化剤と
して固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）３１．３０重量％、硬化促進剤としてリン系化合物（テトラフェニルフォスフィン/フェニルトリメトキシシラン/２，３−ジヒドロキシナフタレンの分子化合物）０．５０重量％、フラックス化合物としてセバシン酸５．７０重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。それ以外は実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、９８％であった。
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ、エピクロン８４０Ｓ、大日本インキ化学工業（株））６２．５重量％、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（ＹＬ−６９５４、ジャパンエポキシレジン（株）製）２５．００重量％、硬化剤と
して固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）３１．３０重量％、硬化促進剤としてリン系化合物（テトラフェニルフォスフィン/フェニルトリメトキシシラン/２，３−ジヒドロキシナフタレンの分子化合物）０．５０重量％、フラックス化合物としてセバシン酸５．７０重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。それ以外は実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、９８％であった。
（比較例１）
フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−ＰＺ、重量平均分子量：８５０，０００）６２．１２重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１２．８８重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、さらにシリカ（クオートロンＳＰ−０３Ｂ 扶桑化学工業（株）、平均粒径０．０２ｕｍシリカ）２５．００重量％を加え分散し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。それ以外は実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、９８％であった。
フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−ＰＺ、重量平均分子量：８５０，０００）６２．１２重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１２．８８重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、さらにシリカ（クオートロンＳＰ−０３Ｂ 扶桑化学工業（株）、平均粒径０．０２ｕｍシリカ）２５．００重量％を加え分散し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。それ以外は実施例１と同様にした。
なお、接着剤層の透過率は、９８％であった。
（比較例２）
実施例１でフラックス活性物質であるフェノールフタリンを使用せず、固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）２３．１５重量％にした以外は実施例１と同様に行なった。
なお、接着剤層の透過率は、９６％であった。
実施例１でフラックス活性物質であるフェノールフタリンを使用せず、固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）２３．１５重量％にした以外は実施例１と同様に行なった。
なお、接着剤層の透過率は、９６％であった。
（比較例３）
バックグラインドテープ（三井化学社製、品番イクロステープ）を半導体用ウエハに接着した。そして、バックグラインドテープと、バックグラインド装置のダイサーテーブルとが接するように設置した後、バックグラインド装置によりウエハ厚みを７２５μｍから１００μｍまで研削を行なった。
次に、バックグラインドテープを半導体用ウエハから剥離し、その後、ダインシングシート（住友ベークライト社製、品番スミライトＦＳＬ）に張り替えて、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子（６０μｍΦ、Ｓｎ３Ａｇ０．５Ｃｕバンプ、ピッチ２００μｍ、バンプ数２２５、ＰＩ保護膜付き：日立超ＬＳＩ社製）のサイズにダイシング（切断）した。
次に、この半導体素子機能面にフラックスを塗布し、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。次に余分なフラックスを、フラックス洗浄液を用いて洗浄した。その後、半導体素子と基板の間に液状封止樹脂を流し込み、１５０℃、２時間で硬化を行い、半導体装置を得た。
バックグラインドテープ（三井化学社製、品番イクロステープ）を半導体用ウエハに接着した。そして、バックグラインドテープと、バックグラインド装置のダイサーテーブルとが接するように設置した後、バックグラインド装置によりウエハ厚みを７２５μｍから１００μｍまで研削を行なった。
次に、バックグラインドテープを半導体用ウエハから剥離し、その後、ダインシングシート（住友ベークライト社製、品番スミライトＦＳＬ）に張り替えて、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子（６０μｍΦ、Ｓｎ３Ａｇ０．５Ｃｕバンプ、ピッチ２００μｍ、バンプ数２２５、ＰＩ保護膜付き：日立超ＬＳＩ社製）のサイズにダイシング（切断）した。
次に、この半導体素子機能面にフラックスを塗布し、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。次に余分なフラックスを、フラックス洗浄液を用いて洗浄した。その後、半導体素子と基板の間に液状封止樹脂を流し込み、１５０℃、２時間で硬化を行い、半導体装置を得た。
各実施例および比較例で得られた半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．生産性
比較例３の生産工数を基準（１００）として、他の実施例および比較例の生産性を比較した。各符号は、以下の通りである。なお、表中の−は、評価できなかったことを示す。
◎：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が４０以上、６０未満であった。
○：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が６０以上、８０未満であった。
△：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が８０以上、１００未満であった。
×：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が１００以上であった。
比較例３の生産工数を基準（１００）として、他の実施例および比較例の生産性を比較した。各符号は、以下の通りである。なお、表中の−は、評価できなかったことを示す。
◎：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が４０以上、６０未満であった。
○：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が６０以上、８０未満であった。
△：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が８０以上、１００未満であった。
×：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が１００以上であった。
２．接着剤層の染み出し
接着剤層の染み出しは、目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：接着剤層の染み出しが、ほとんど観察されなかった。
○：接着剤層の染み出しは観察されるが、１ｍｍ未満であった。
△：接着剤層の染み出しが観察され、１ｍｍ以上、５ｍｍ未満であった。
×：接着剤層の染み出しが観察され５ｍｍ以上であった。
接着剤層の染み出しは、目視で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：接着剤層の染み出しが、ほとんど観察されなかった。
○：接着剤層の染み出しは観察されるが、１ｍｍ未満であった。
△：接着剤層の染み出しが観察され、１ｍｍ以上、５ｍｍ未満であった。
×：接着剤層の染み出しが観察され５ｍｍ以上であった。
３．接続信頼性
接続信頼性は、得られた半導体装置をヒートサイクル試験後に導通がとれるかどうかで評価した。
具体的には、半導体素子、基板間の接続抵抗を、デジタルマルデジタルマルチメータにより測定した。測定は半導体装置を作製後と、−６５℃で１時間および１５０℃で１時間の温度サイクル１，０００サイクル後の両方を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎：２０／２０個の半導体装置で導通が取れた。
○：１８〜１９／２０個の半導体装置で導通が取れた。
△：１６〜１７／２０の半導体装置で導通が取れた。
×：１６以下／２０の半導体装置で導通が取れた。
接続信頼性は、得られた半導体装置をヒートサイクル試験後に導通がとれるかどうかで評価した。
具体的には、半導体素子、基板間の接続抵抗を、デジタルマルデジタルマルチメータにより測定した。測定は半導体装置を作製後と、−６５℃で１時間および１５０℃で１時間の温度サイクル１，０００サイクル後の両方を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎：２０／２０個の半導体装置で導通が取れた。
○：１８〜１９／２０個の半導体装置で導通が取れた。
△：１６〜１７／２０の半導体装置で導通が取れた。
×：１６以下／２０の半導体装置で導通が取れた。
表１から明らかなように、実施例１〜５の半導体用フィルムを用いた半導体装置の製造では、生産性に優れていることが確認された。
また、実施例１〜５の半導体装置では、接着剤の染み出しも抑制されていることが確認された。
また、実施例１〜５の半導体装置では、接続信頼性も優れていた。
また、実施例１〜５の半導体装置では、接着剤の染み出しも抑制されていることが確認された。
また、実施例１〜５の半導体装置では、接続信頼性も優れていた。
１ バックグラインドテープ
２ 接着剤層
２１ 剥離基材
３ 半導体ウエハ
３１ 機能面
４ 研磨ステージ
５ ダイサーテーブル
６ ウエハリング
７ ブレード
１０ 半導体用フィルム
２ 接着剤層
２１ 剥離基材
３ 半導体ウエハ
３１ 機能面
４ 研磨ステージ
５ ダイサーテーブル
６ ウエハリング
７ ブレード
１０ 半導体用フィルム
Claims (10)
- バックグラインドテープと、接着剤層とが積層されてなる半導体用フィルムであって、
前記接着剤層が、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されていることを特徴とする半導体用フィルム。 - フリップチップ型の半導体素子の機能面と、前記半導体用フィルムの前記接着剤層とを接着させて用いるものである請求項１に記載の半導体用フィルム。
- 前記半導体用フィルムの前記接着剤層を常温から１０℃／分の昇温速度で溶融状態まで昇温したときに初期は溶融粘度が減少し、最低溶融粘度に到達した後、さらに上昇するような特性を有し、かつ前記最低溶融粘度が１０Ｐａ・ｓ以上、１０，０００Ｐａ・ｓ以下である請求項２に記載の半導体用フィルム。
- 前記半導体用フィルムの前記接着剤層は、半導体素子の表面が認識可能な程度の透明性を有するものである請求項１に記載の半導体用フィルム。
- 前記フラックス活性を有する化合物は、フラックス活性を有する硬化剤である請求項１に記載の半導体用フィルム。
- 前記フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の少なくとも一方を有する化合物である請求項１に記載の半導体用フィルム。
- 前記樹脂組成物が、さらに硬化剤を含むものである請求項１に記載の半導体用フィルム。
- 前記樹脂組成物が、さらにフィルム形成性樹脂を含むものである請求項１に記載の半導体用フィルム。
- 請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルムの接着剤層と予め半田バンプが形成された半導体ウエハの機能面とを接合する工程と、前記半導体ウエハの機能面と反対側の面を研磨する工程と、前記半導体ウエハを前記半導体用フィルムが接着された状態で個片化して半導体素子を得る工程と、前記半導体用フィルムが接着された半導体素子を前記半導体用フィルムのバックグラインドテープと接着剤層との間で剥離して、前記接着剤層を有する半導体素子をピックアップする工程と、前記接着剤層が基板と接着するように半導体素子を基板に搭載する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体用フィルムの接着剤層の硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
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| EP09708772A EP2242090A4 (en) | 2008-02-07 | 2009-02-06 | SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| CN2009801044288A CN101939825B (zh) | 2008-02-07 | 2009-02-06 | 半导体用膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2009239138A true JP2009239138A (ja) | 2009-10-15 |
| JP5417729B2 JP5417729B2 (ja) | 2014-02-19 |
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| JP2011228642A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
| JP2012038975A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤、回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2012032959A1 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | 日東電工株式会社 | 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置 |
| JP2012079880A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤、多層回路基板、半導体用部品および半導体装置 |
| WO2012053589A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| EP2447304A1 (en) | 2010-10-28 | 2012-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive sheet, semiconductor apparatus protection material, and semiconductor apperatus |
| JP2012119358A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Namics Corp | ウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法 |
| EP2527388A1 (en) | 2011-05-23 | 2012-11-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device |
| WO2013008757A1 (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品 |
| JP2013030766A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-02-07 | Nitto Denko Corp | 積層フィルム及びその使用 |
| JP2013127997A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2014047247A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| WO2014061767A1 (ja) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シート、及び電子装置 |
| JP2014090173A (ja) * | 2013-11-01 | 2014-05-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| WO2014080918A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ |
| JP2014111680A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、電子部品の製造方法、および電子部品 |
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| WO2014156882A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014162973A1 (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 日東電工株式会社 | アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2014196293A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | 日東電工株式会社 | シート状樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| WO2015037631A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2015037632A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US20150079736A1 (en) * | 2012-02-24 | 2015-03-19 | Dexerials Corporation | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device by using the same |
| WO2015037633A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2015137299A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シート、および電子装置 |
| JP2017084971A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 日東電工株式会社 | バンプ根元補強用シート |
| KR20210084452A (ko) | 2018-11-12 | 2021-07-07 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 접착 필름 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076982A (ja) * | 1992-07-31 | 1995-01-10 | Sharp Corp | 薄層半導体基板の分割方法 |
| WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
| JP2001181563A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、これを用いた接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 |
| JP2001332520A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Amkor Technology Inc | シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2005191322A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP2006245242A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007116079A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007157820A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法及び電子部品 |
| WO2007125650A1 (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 接着テープ、半導体パッケージおよび電子機器 |
-
2008
- 2008-03-28 JP JP2008085439A patent/JP5417729B2/ja active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH076982A (ja) * | 1992-07-31 | 1995-01-10 | Sharp Corp | 薄層半導体基板の分割方法 |
| WO1997021243A1 (en) * | 1995-12-04 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Method for processing semiconductor wafer, method for manufacturing ic card, and carrier |
| JP2001181563A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、これを用いた接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 |
| JP2001332520A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Amkor Technology Inc | シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2005191322A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP2006245242A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007116079A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プリアプライド用封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007157820A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法及び電子部品 |
| WO2007125650A1 (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 接着テープ、半導体パッケージおよび電子機器 |
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011228642A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
| JP2012038975A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤、回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2012032959A1 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-15 | 日東電工株式会社 | 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置 |
| JP2012059769A (ja) * | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Nitto Denko Corp | 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置 |
| TWI458005B (zh) * | 2010-09-06 | 2014-10-21 | Nitto Denko Corp | 半導體裝置用膜及半導體裝置 |
| JP2012079880A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着剤、多層回路基板、半導体用部品および半導体装置 |
| KR101464454B1 (ko) | 2010-10-22 | 2014-11-21 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 |
| WO2012053589A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP5003855B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-08-15 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| EP2447304A1 (en) | 2010-10-28 | 2012-05-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive sheet, semiconductor apparatus protection material, and semiconductor apperatus |
| US8501879B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive sheet, semiconductor apparatus protection material, and semiconductor apparatus |
| JP2012119358A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Namics Corp | ウェハレベルアンダーフィル組成物およびそれを用いた半導体装置製造方法 |
| EP2527388A1 (en) | 2011-05-23 | 2012-11-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device |
| US8796410B2 (en) | 2011-05-23 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polymer having silphenylene and siloxane structures, a method of preparing the same, an adhesive composition, an adhesive sheet, a protective material for a semiconductor device, and a semiconductor device |
| JP2013030766A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-02-07 | Nitto Denko Corp | 積層フィルム及びその使用 |
| JP2013038405A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-02-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品 |
| WO2013008757A1 (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-17 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、多層回路基板及び電子部品 |
| JP2013127997A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013151589A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| US9437462B2 (en) | 2012-02-24 | 2016-09-06 | Dexerials Corporation | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device by using the same |
| US20150079736A1 (en) * | 2012-02-24 | 2015-03-19 | Dexerials Corporation | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device by using the same |
| JP2013227429A (ja) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、並びにこれを用いた接着シート、半導体装置保護用材料、及び半導体装置 |
| JP2014047247A (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| WO2014061767A1 (ja) * | 2012-10-18 | 2014-04-24 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シート、及び電子装置 |
| WO2014080918A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ |
| JP2014111680A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、電子部品の製造方法、および電子部品 |
| WO2014129325A1 (ja) * | 2013-02-21 | 2014-08-28 | 日東電工株式会社 | アンダーフィルシート、裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート、ダイシングテープ一体型アンダーフィルシート及び半導体装置の製造方法 |
| CN105027271A (zh) * | 2013-02-21 | 2015-11-04 | 日东电工株式会社 | 底部填充片、背面研削用胶带一体型底部填充片、切割胶带一体型底部填充片及半导体装置的制造方法 |
| JP2014165206A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Nitto Denko Corp | アンダーフィルシート、裏面研削用テープ一体型アンダーフィルシート、ダイシングテープ一体型アンダーフィルシート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014192238A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Nitto Denko Corp | アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014156882A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 日東電工株式会社 | アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014203971A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | 日東電工株式会社 | アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2014162973A1 (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-09 | 日東電工株式会社 | アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| WO2014196293A1 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-11 | 日東電工株式会社 | シート状樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| JP2014236152A (ja) * | 2013-06-04 | 2014-12-15 | 日東電工株式会社 | シート状樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| JP2015056479A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2015037633A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2015056500A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2015037632A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2015037631A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US9691677B2 (en) | 2013-09-11 | 2017-06-27 | Dexerials Corporation | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| US9957411B2 (en) | 2013-09-11 | 2018-05-01 | Dexerials Corporation | Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| JP2014090173A (ja) * | 2013-11-01 | 2014-05-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| JP2015137299A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ一体型接着シート、バックグラインドテープ兼ダイシングテープ一体型接着シート、および電子装置 |
| JP2017084971A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 日東電工株式会社 | バンプ根元補強用シート |
| KR20210084452A (ko) | 2018-11-12 | 2021-07-07 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 접착 필름 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5417729B2 (ja) | 2014-02-19 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A521 | Written amendment |
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