JP2007184319A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サブマウント、発光素子およびリフレクタの位置および大きさが、該半導体発光素子の中心を通る基板に垂直な断面において下式(A)の関係を満足していることを特徴とする半導体発光装置。
r−ls≦(hs−d)×(ls−lc)/hc (A)
式(A)において、r、lsおよびlcは、それぞれリフレクタのダレ部、サブマウントの外周および半導体発光素子の外周と半導体発光素子の中心との距離であり、hsおよびdはそれぞれサブマウントおよびリフレクタのダレ部の高さであり、hcは半導体発光素子上面のサブマウント上面からの高さである。
【選択図】図7
Description
(1)基板、該基板上に設けられたサブマウント、該サブマウント上に設けられた半導体発光素子、および該サブマウントと半導体発光素子の周囲に設けられたリフレクタからなり、サブマウント、発光素子およびリフレクタの位置および大きさが、該半導体発光素子の中心を通る基板に垂直な断面において下式(A)の関係を満足していることを特徴とする半導体発光装置。
r−ls≦(hs−d)×(ls−lc)/hc (A)
式(A)において、r、lsおよびlcは、それぞれリフレクタのダレ部、サブマウントの外周および半導体発光素子の外周と半導体発光素子の中心との距離であり、hsおよびdはそれぞれサブマウントおよびリフレクタのダレ部の高さであり、hcは半導体発光素子上面のサブマウント上面からの高さである。
(4)半導体発光素子が上下電極型である上記1または2項に記載の半導体発光装置。
a=r−ls
b=(hs−d)×(ls−lc)/hc
上述の関係を満足した場合に、半導体発光素子からの光は基板面およびリフレクタダレ面に当らなくなり、発光装置の高出力および高効率化が可能となる。
図1は本実施例で作製した半導体発光装置の断面を示した模式図であり、図2はその平面を示した模式図である。
サブマウントの高さを100μmとしたことを除いて、実施例1と同様に半導体発光装置を作製した。従って、得られた反導体発光装置は前記式(A)を満たしていない。得られた半導体発光装置を実施例1と同様に評価したところ、順方向電流350mA印可時の全放射束は140mWで、実施例1の半導体発光装置より劣った。
本実施例では、半導体側表面に2つの電極を形成したフェイスアップチップを用いた例を示す。図9は本実施例で作製した反導体発光装置の断面を示した模式図である。
サブマウントの高さを100μmとしたことを除いて、実施例2と同様に半導体発光装置を作製した。従って、得られた反導体発光装置は前記式(A)を満たしていない。得られた半導体発光装置を実施例1と同様に評価したところ、順方向電流350mA印可時の全放射束は120mWで、実施例2の半導体発光装置より劣った。
本実施例では、上下電極型のフェイスアップチップを用いた例を示す。図10は本実施例で作製した反導体発光装置の断面を示した模式図である。上下電極型の半導体発光素子は以下の手順で作製したものを用いた。
サブマウントの高さを100μmとしたことを除いて、実施例3と同様に半導体発光装置を作製した。従って、得られた反導体発光装置は前記式(A)を満たしていない。得られた半導体発光装置を実施例1と同様に評価したところ、順方向電流350mA印可時の全放射束は80mWで、実施例3の半導体発光装置より劣った。
2 サブマウント
3 リフレクタ側面(反射面)
4 サブマウント上面(反射面)
5 リフレクタダレ部
6 基板
7 基板上面
8 基板側電極
9 半導体素子側電極
10 ワイヤー
Claims (4)
- 基板、該基板上に設けられたサブマウント、該サブマウント上に設けられた半導体発光素子、および該サブマウントと半導体発光素子の周囲に設けられたリフレクタからなり、サブマウント、発光素子およびリフレクタの位置および大きさが、該半導体発光素子の中心を通る基板に垂直な断面において下式(A)の関係を満足していることを特徴とする半導体発光装置。
r−ls≦(hs−d)×(ls−lc)/hc (A)
式(A)において、r、lsおよびlcは、それぞれリフレクタのダレ部、サブマウントの外周および半導体発光素子の外周と半導体発光素子の中心との距離であり、hsおよびdはそれぞれサブマウントおよびリフレクタのダレ部の高さであり、hcは半導体発光素子上面のサブマウント上面からの高さである。 - リフレクタの側面が放物面であり、その焦点が半導体発光素子の中心である請求項1に記載の半導体発光装置。
- 半導体発光素子がフェイスアップ型である請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 半導体発光素子が上下電極型である請求項1または2に記載の半導体発光装置。
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