JP2009205578A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009205578A JP2009205578A JP2008049193A JP2008049193A JP2009205578A JP 2009205578 A JP2009205578 A JP 2009205578A JP 2008049193 A JP2008049193 A JP 2008049193A JP 2008049193 A JP2008049193 A JP 2008049193A JP 2009205578 A JP2009205578 A JP 2009205578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- data
- errors
- monitoring
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
- G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/16—Protection against loss of memory contents
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3431—Circuits or methods to detect disturbed nonvolatile memory cells, e.g. which still read as programmed but with threshold less than the program verify threshold or read as erased but with threshold greater than the erase verify threshold, and to reverse the disturbance via a refreshing programming or erasing step
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Memory System (AREA)
Abstract
【解決手段】データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、前記ブロックのうちから選択された監視対象ブロックに記憶されたデータの誤り数を監視し、前記データの誤り数が所定の閾値以上である監視対象ブロックに対してリフレッシュを行うことにより効率の良いリフレッシュ処理を行うことが可能な半導体記憶装置。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置1の概略構成を示す図である。なお、図1に示す半導体記憶装置1は、本発明の一実施形態であり、この構成に限定されるものではない。
第2の実施の形態では、図1の半導体記憶装置1においてNAND型フラッシュメモリ10のブロックに記憶したデータの読み出し量に基づいて監視対象ブロックを選択する場合について説明する。第2の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、監視対象ブロックを登録する方法であり、それ以外は第1の実施の形態の場合と同じである。
第3の実施の形態では、図1の半導体記憶装置1においてNAND型フラッシュメモリ10上のブロックへのデータの書き込み時刻に基づいて監視対象ブロックを選択する場合について説明する。第3の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、監視対象ブロックを登録する方法であり、それ以外は第1の実施の形態の場合と同じである。
第4の実施の形態では、図1の半導体記憶装置1においてNAND型フラッシュメモリ10上のブロックへのデータの書き込み順序に基づいて監視対象ブロックを選択する場合について説明する。第4の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、監視対象ブロックを登録する方法であり、それ以外は第1の実施の形態の場合と同じである。
第5の実施の形態では、第1の実施の形態〜第4の実施の形態の半導体記憶装置1において、第1のテーブル31へ監視対象ブロックを登録する際に空きエントリが無い場合の処理について説明する。
第6の実施の形態では、第1の実施の形態〜第5の実施の形態の半導体記憶装置1において、データの誤り数の監視対象外になったブロックを第1のテーブル31から削除する場合の処理について説明する。
第7の実施の形態では、第1の実施の形態〜第6の実施の形態の半導体記憶装置1において、第1のテーブル31に登録された監視対象ブロックを監視する方法について説明する。
第8の実施の形態では、第7の実施の形態における誤り数の監視の周期について説明する。第8の実施の形態では、第1のテーブル31に登録された監視対象ブロックに対する監視において、誤り数が少ないブロックの監視周期(タイマー7へ設定する監視間隔時間)に上限を設ける。
上記各実施の形態の半導体記憶装置1をSSD(Solid State Drive)として構成した場合の実施例について説明する。図20は、SSD100の構成を示すブロック図である。
Claims (22)
- データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリを備えた半導体記憶装置であって、
前記ブロックのうちから選択された監視対象ブロックに記憶されたデータの誤り数を監視し、前記データの誤り数が所定の閾値以上である監視対象ブロックに対してリフレッシュを行うこと、
を特徴とする半導体記憶装置。 - データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリと、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記誤り数検出手段で検出した誤り数が所定の第1の閾値以上であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で前記不揮発性メモリから読み出して、前記誤り訂正手段と前記誤り数検出手段とにより該データの誤り数を検出させて監視する監視手段と、
前記監視手段で検出した前記誤り数が前記第1の閾値よりも大きい所定の第2の閾値以上であるブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記監視対象ブロックを登録する第1のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第1のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記リフレッシュを行ったブロックを前記第1のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリと、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記ブロックから読み出したデータの読み出し量を検出するデータ読み出し量検出手段と、
前記データ読み出し量検出手段で検出したデータの読み出し量が所定の第3の閾値以上であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で前記不揮発性メモリから読み出して、前記誤り訂正手段と前記誤り数検出手段とにより該データの誤り数を検出させて監視する監視手段と、
前記監視手段で検出した前記誤り数が所定の第2の閾値以上であるブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記監視対象ブロックを登録する第1のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第1のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。 - 前記リフレッシュを行ったブロックを前記第1のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置。 - 前記データ読み出し量検出手段で検出したデータの読み出し量を記憶する第2のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第2のテーブルを参照して前記監視対象ブロックを前記第1のテーブルに登録すること、
を特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置。 - データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリと、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記ブロックへデータを書き込んでからの経過時間を検出する書き込み時刻検出手段と、
前記書き込み時刻検出手段で検出した経過時間が所定の第4の閾値以上であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で前記不揮発性メモリから読み出して、前記誤り訂正手段と前記誤り数検出手段とにより該データの誤り数を検出させて監視する監視手段と、
前記監視手段で検出した前記誤り数が所定の第2の閾値以上であるブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記監視対象ブロックを登録する第1のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第1のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記リフレッシュを行ったブロックを前記第1のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記ブロックへのデータの書き込み時刻を記憶する第3のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第3のテーブルを参照して前記経過時間を取得して前記監視対象ブロックを前記第1のテーブルに登録すること、
を特徴とする請求項10に記載の半導体記憶装置。 - データ消去の単位であるブロックにデータを記憶することが可能な不揮発性メモリと、
前記ブロックから読み出したデータの誤りを訂正する誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段で訂正したデータの誤り数を検出する誤り数検出手段と、
前記不揮発性メモリ上のブロックにデータを書き込んだ書き込み順序を検出する書き込み順序検出手段と、
前記書き込み順序検出手段で検出した前記書き込み順序が所定の第5の閾値以下であるブロックをデータの誤り数を監視する監視対象ブロックとし、このブロックのデータを所定の間隔で前記不揮発性メモリから読み出して、前記誤り訂正手段と前記誤り数検出手段とにより該データの誤り数を検出させて監視する監視手段と、
前記監視手段で検出した前記誤り数が所定の第2の閾値以上であるブロックのリフレッシュを行うリフレッシュ手段と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記監視対象ブロックを登録する第1のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第1のテーブルを参照して前記監視対象ブロックのデータの誤り数を検出して監視すること、
を特徴とする請求項13に記載の半導体記憶装置。 - 前記リフレッシュを行ったブロックを前記第1のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項14に記載の半導体記憶装置。 - 前記書き込み順序を記憶する第4のテーブルを備え、
前記監視手段は前記第4のテーブルを参照して前記監視対象ブロックを前記第1のテーブルに登録すること、
を特徴とする請求項14に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1のテーブルへの前記監視対象ブロックの登録順序を登録する第5のテーブルを備え、
前記リフレッシュ手段は、前記第5のテーブルへの前記監視対象ブロックの登録数が所定の第6の閾値に達した場合に、前記第5のテーブルにおいて予め決められた登録順序の前記監視対象ブロックのリフレッシュを行うこと、
を特徴とする請求項3,6,10,14のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記監視対象ブロックのうち前記登録順序の古い監視対象ブロックから先にリフレッシュを行うこと、
を特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性メモリ上のブロックのうち保持すべきデータが記憶されていないブロックの番号を登録する第6のテーブルを備え、前記第6のテーブルへ登録するブロックを前記第1のテーブルから消去すること、
を特徴とする請求項2〜18のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記第1のテーブルへ登録された前記監視対象ブロックおよび該監視対象ブロックに記憶したデータで検出された誤り数を登録する第7のテーブルを備え、
前記監視手段は、前記第7のテーブルに登録された誤り数に基づいて、前記第1のテーブルへ登録された前記監視対象ブロックについて前記所定の間隔を変更すること、
を特徴とする請求項2〜19のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記第7のテーブルへ登録された前記監視対象ブロックのうち、誤り数が多い前記監視対象ブロックについては誤り数が少ない前記監視対象ブロックよりも前記所定の間隔を短くすること、
を特徴とする請求項20に記載の半導体記憶装置。 - 前記所定の間隔は、前記監視対象ブロックに記憶されたデータに前記第1の閾値を超えた誤りが発生してから、該監視対象ブロックのデータの誤りが前記誤り訂正手段の誤り訂正能力の上限に達するまでの時間よりも短いこと、
を特徴とする請求項21に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008049193A JP4489127B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | 半導体記憶装置 |
EP08872498A EP2245542B1 (en) | 2008-02-29 | 2008-09-22 | Semiconductor storage device |
KR1020097017907A KR101012445B1 (ko) | 2008-02-29 | 2008-09-22 | 반도체 기억 장치 |
PCT/JP2008/067597 WO2009107268A1 (en) | 2008-02-29 | 2008-09-22 | Semiconductor storage device |
US12/529,282 US8060797B2 (en) | 2008-02-29 | 2008-09-22 | Semiconductor storage device |
CN2008800063643A CN101622607B (zh) | 2008-02-29 | 2008-09-22 | 半导体存储装置 |
TW097144965A TWI397916B (zh) | 2008-02-29 | 2008-11-20 | 半導體儲存裝置 |
US13/270,788 US8219861B2 (en) | 2008-02-29 | 2011-10-11 | Semiconductor storage device |
US13/486,718 US8583972B2 (en) | 2008-02-29 | 2012-06-01 | Method of controlling a semiconductor storage device |
US14/049,742 US8793555B2 (en) | 2008-02-29 | 2013-10-09 | Method of controlling a semiconductor storage device |
US14/309,611 US9037947B2 (en) | 2008-02-29 | 2014-06-19 | Method of controlling a semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008049193A JP4489127B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | 半導体記憶装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010074959A Division JP2010160816A (ja) | 2010-03-29 | 2010-03-29 | 半導体記憶装置の制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009205578A true JP2009205578A (ja) | 2009-09-10 |
JP2009205578A5 JP2009205578A5 (ja) | 2010-02-04 |
JP4489127B2 JP4489127B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=41015678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008049193A Active JP4489127B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | 半導体記憶装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8060797B2 (ja) |
EP (1) | EP2245542B1 (ja) |
JP (1) | JP4489127B2 (ja) |
KR (1) | KR101012445B1 (ja) |
CN (1) | CN101622607B (ja) |
TW (1) | TWI397916B (ja) |
WO (1) | WO2009107268A1 (ja) |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011096008A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Aisin Aw Co Ltd | 記憶媒体に記憶される情報の管理方法及びプログラム |
JP2012513072A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-06-07 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性記憶装置のためのデータリフレッシュ |
JP2012198878A (ja) * | 2011-03-21 | 2012-10-18 | Denso Corp | 半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作開始方法およびシステム |
JP2012248054A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Mega Chips Corp | 情報処理端末及び管理サーバ |
US20130117634A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and data storage method |
JP2013125303A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体メモリ制御装置及び制御方法 |
JP2014505941A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-03-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法 |
JP2014086062A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-12 | Sony Corp | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、記憶制御方法 |
JP2014092832A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Toshiba Information Systems (Japan) Corp | フラッシュメモリの劣化検査装置、劣化検査方法及劣化検査用プログラム |
JP2014154186A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Mega Chips Corp | 記憶装置検査システム、記憶装置検査方法および不揮発性半導体記憶装置 |
JP2014170600A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nec Access Technica Ltd | メモリ検査装置、メモリ検査方法、およびメモリ検査プログラム |
US8867269B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2014229216A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 富士通株式会社 | 情報処理装置、制御回路、制御プログラム、および制御方法 |
US8929140B2 (en) | 2009-11-06 | 2015-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system in which a read level is changed based on standing time and at least one of a read, write or erase count |
JP2015111453A (ja) * | 2015-02-10 | 2015-06-18 | 株式会社日立製作所 | フラッシュメモリモジュール |
JP2016045523A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | メモリ制御装置及びメモリ制御方法 |
JP2016071893A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | イーエムシー コーポレイションEmc Corporation | 持続性記憶装置を管理する方法およびシステム、ならびに非一時的コンピュータ読み取り可能媒体 |
JP2016118815A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性メモリ装置 |
JP2017045420A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US9704570B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and memory system |
JPWO2016063592A1 (ja) * | 2014-10-24 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | メモリコントローラ、メモリシステム、および、メモリコントローラの制御方法 |
JP2018190404A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 慧榮科技股▲分▼有限公司 | 記憶装置およびリフレッシュ方法 |
JP2019164859A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム、および、メモリ制御方法 |
US10635601B2 (en) | 2017-05-10 | 2020-04-28 | Silicon Motion, Inc. | Flash memory devices and prefetch methods thereof |
JP2021118011A (ja) * | 2020-01-24 | 2021-08-10 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のリフレッシュ方法 |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090109755A1 (en) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Mori Edan | Neighbor block refresh for non-volatile memory |
JP5317690B2 (ja) * | 2008-12-27 | 2013-10-16 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP5221332B2 (ja) * | 2008-12-27 | 2013-06-26 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP5323199B2 (ja) | 2009-02-12 | 2013-10-23 | 株式会社東芝 | メモリシステム及びメモリシステムの制御方法 |
US8683456B2 (en) * | 2009-07-13 | 2014-03-25 | Apple Inc. | Test partitioning for a non-volatile memory |
US8243525B1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-08-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Refreshing non-volatile semiconductor memory by reading without rewriting |
JP2011128998A (ja) | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8325531B2 (en) * | 2010-01-07 | 2012-12-04 | Spansion Llc | Memory device |
US8819208B2 (en) | 2010-03-05 | 2014-08-26 | Solidfire, Inc. | Data deletion in a distributed data storage system |
US8645776B2 (en) * | 2010-03-24 | 2014-02-04 | Apple Inc. | Run-time testing of memory locations in a non-volatile memory |
US8650446B2 (en) * | 2010-03-24 | 2014-02-11 | Apple Inc. | Management of a non-volatile memory based on test quality |
JP2010160816A (ja) * | 2010-03-29 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の制御方法 |
US8412882B2 (en) * | 2010-06-18 | 2013-04-02 | Microsoft Corporation | Leveraging chip variability |
JP2012008651A (ja) | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、その制御方法および情報処理装置 |
US8751903B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-06-10 | Apple Inc. | Methods and systems for monitoring write operations of non-volatile memory |
JP2012128643A (ja) | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP2012128645A (ja) | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP5535128B2 (ja) | 2010-12-16 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP2012199724A (ja) * | 2011-03-19 | 2012-10-18 | Fujitsu Ltd | データ送信装置、データ受信装置、データ送受信装置及びデータ送受信装置の制御方法 |
US9762246B2 (en) * | 2011-05-20 | 2017-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with a storage circuit having an oxide semiconductor |
US8650353B2 (en) * | 2011-07-01 | 2014-02-11 | Intel Corporation | Apparatus, system, and method for refreshing non-volatile memory |
TWI471862B (zh) * | 2011-08-19 | 2015-02-01 | Silicon Motion Inc | 快閃記憶體控制器 |
JP2013069183A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | コントローラおよびメモリシステム |
US9054992B2 (en) | 2011-12-27 | 2015-06-09 | Solidfire, Inc. | Quality of service policy sets |
US9838269B2 (en) | 2011-12-27 | 2017-12-05 | Netapp, Inc. | Proportional quality of service based on client usage and system metrics |
US8924636B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-12-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Management information generating method, logical block constructing method, and semiconductor memory device |
US9251055B2 (en) | 2012-02-23 | 2016-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method of memory system |
US8739000B2 (en) * | 2012-03-15 | 2014-05-27 | Broadcom Corporation | Multi-modal signal processing with linearization |
US9337865B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-05-10 | Seagate Technology Llc | Log-likelihood ratio (LLR) dampening in low-density parity-check (LDPC) decoders |
US9235346B2 (en) | 2012-05-04 | 2016-01-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Dynamic map pre-fetching for improved sequential reads of a solid-state media |
TWI467376B (zh) * | 2012-06-11 | 2015-01-01 | Phison Electronics Corp | 資料保護方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
CN102765256B (zh) * | 2012-06-21 | 2014-07-16 | 珠海艾派克微电子有限公司 | 记录芯片使用状态信息的方法、成像盒的芯片及成像盒 |
US20140013031A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Yoko Masuo | Data storage apparatus, memory control method, and electronic apparatus having a data storage apparatus |
US9064579B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-06-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method |
CN108595345B (zh) | 2012-07-25 | 2021-11-23 | 慧荣科技股份有限公司 | 管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器 |
US8873323B2 (en) * | 2012-08-16 | 2014-10-28 | Transcend Information, Inc. | Method of executing wear leveling in a flash memory device according to ambient temperature information and related flash memory device |
US8930778B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-01-06 | Seagate Technology Llc | Read disturb effect determination |
JP6044316B2 (ja) * | 2012-12-12 | 2016-12-14 | 株式会社デンソー | 車載電子制御装置 |
US9063879B2 (en) * | 2012-12-13 | 2015-06-23 | Sandisk Technologies Inc. | Inspection of non-volatile memory for disturb effects |
US9324398B2 (en) | 2013-02-04 | 2016-04-26 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for targeted refreshing of memory |
JP2014157391A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-28 | Sony Corp | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システムおよび記憶制御方法 |
US9092310B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-07-28 | Seagate Technology Llc | Host command based read disturb methodology |
US10372551B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-08-06 | Netlist, Inc. | Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability |
KR102039537B1 (ko) * | 2013-03-15 | 2019-11-01 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 저장 장치 및 그것의 운영체제 이미지 프로그램 방법 |
US9330787B2 (en) * | 2013-03-18 | 2016-05-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and memory controller |
US9263158B2 (en) * | 2013-08-16 | 2016-02-16 | Seagate Technology Llc | Determining data retention time in a solid-state non-volatile memory |
US9047978B2 (en) | 2013-08-26 | 2015-06-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for selective row refreshes |
US9372750B2 (en) * | 2013-11-01 | 2016-06-21 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for non-volatile RAM error re-mapping |
GB201322075D0 (en) | 2013-12-13 | 2014-01-29 | Ibm | Device for selecting a level for at least one read voltage |
US9785499B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-10-10 | Seagate Technology Llc | Hot-read data aggregation and code selection |
US20150244795A1 (en) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Solidfire, Inc. | Data syncing in a distributed system |
KR20150104858A (ko) * | 2014-03-06 | 2015-09-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 동작 방법 |
US9495232B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-11-15 | Intel IP Corporation | Error correcting (ECC) memory compatibility |
DE102014104717B4 (de) * | 2014-04-03 | 2019-08-01 | Hyperstone Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Datenerneuerung für eine Erhöhung der Zuverlässigkeit von Flashspeichern |
US20150331732A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Rambus Inc. | Memory device having storage for an error code correction event count |
JP2015219938A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体装置 |
US9478315B2 (en) * | 2014-06-03 | 2016-10-25 | Sandisk Technologies Llc | Bit error rate mapping in a memory system |
DE102014211111A1 (de) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Refresh eines Speicherbereichs einer nichtflüchtigen Speichereinheit |
US9798728B2 (en) | 2014-07-24 | 2017-10-24 | Netapp, Inc. | System performing data deduplication using a dense tree data structure |
US9671960B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-06-06 | Netapp, Inc. | Rate matching technique for balancing segment cleaning and I/O workload |
US10133511B2 (en) | 2014-09-12 | 2018-11-20 | Netapp, Inc | Optimized segment cleaning technique |
US9583219B2 (en) * | 2014-09-27 | 2017-02-28 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for in-system repair of memory in burst refresh |
US9251909B1 (en) | 2014-09-29 | 2016-02-02 | International Business Machines Corporation | Background threshold voltage shifting using base and delta threshold voltage shift values in flash memory |
US10365859B2 (en) | 2014-10-21 | 2019-07-30 | International Business Machines Corporation | Storage array management employing a merged background management process |
US9563373B2 (en) * | 2014-10-21 | 2017-02-07 | International Business Machines Corporation | Detecting error count deviations for non-volatile memory blocks for advanced non-volatile memory block management |
US9836229B2 (en) | 2014-11-18 | 2017-12-05 | Netapp, Inc. | N-way merge technique for updating volume metadata in a storage I/O stack |
US9990279B2 (en) | 2014-12-23 | 2018-06-05 | International Business Machines Corporation | Page-level health equalization |
US10339048B2 (en) | 2014-12-23 | 2019-07-02 | International Business Machines Corporation | Endurance enhancement scheme using memory re-evaluation |
US9720601B2 (en) | 2015-02-11 | 2017-08-01 | Netapp, Inc. | Load balancing technique for a storage array |
CN104636674B (zh) * | 2015-03-17 | 2017-06-09 | 浪潮集团有限公司 | 一种用于受损数据恢复的线性估计方法 |
US9762460B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-09-12 | Netapp, Inc. | Providing continuous context for operational information of a storage system |
US9710317B2 (en) * | 2015-03-30 | 2017-07-18 | Netapp, Inc. | Methods to identify, handle and recover from suspect SSDS in a clustered flash array |
US9836349B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-12-05 | Winbond Electronics Corp. | Methods and systems for detecting and correcting errors in nonvolatile memory |
US9740566B2 (en) | 2015-07-31 | 2017-08-22 | Netapp, Inc. | Snapshot creation workflow |
DE102015215401B4 (de) | 2015-08-12 | 2020-10-01 | Infineon Technologies Ag | Speichervorrichtung und Verfahren zum Korrigieren einer gespeicherten Bitfolge |
US9977615B2 (en) * | 2015-09-28 | 2018-05-22 | Qualcomm Incorporated | Smart refresh of data on flash devices |
KR20170076883A (ko) * | 2015-12-24 | 2017-07-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그의 동작방법 |
US9847105B2 (en) * | 2016-02-01 | 2017-12-19 | Samsung Electric Co., Ltd. | Memory package, memory module including the same, and operation method of memory package |
KR102512448B1 (ko) * | 2016-03-28 | 2023-03-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 그의 동작 방법 |
JP2017182854A (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体装置 |
US10929022B2 (en) | 2016-04-25 | 2021-02-23 | Netapp. Inc. | Space savings reporting for storage system supporting snapshot and clones |
JP2018041154A (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-15 | 東芝メモリ株式会社 | ストレージシステムおよび処理方法 |
JP2018041204A (ja) | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 東芝メモリ株式会社 | メモリ装置及び情報処理システム |
US10642763B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-05-05 | Netapp, Inc. | Quality of service policy sets |
US10481798B2 (en) * | 2016-10-28 | 2019-11-19 | Pure Storage, Inc. | Efficient flash management for multiple controllers |
US10482983B2 (en) * | 2016-12-22 | 2019-11-19 | Seagate Technology Llc | Read disturb detection based on dynamic bit error rate estimation |
US10885991B2 (en) * | 2017-04-04 | 2021-01-05 | Sandisk Technologies Llc | Data rewrite during refresh window |
JP2019046530A (ja) | 2017-09-07 | 2019-03-22 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
US10297304B1 (en) * | 2017-11-12 | 2019-05-21 | Nanya Technology Corporation | Memory device and operating method thereof |
US11048581B2 (en) | 2017-11-17 | 2021-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Storage device telemetry for provisioning I/O |
US10446243B2 (en) * | 2017-12-18 | 2019-10-15 | Macronix International Co., Ltd. | Storage device and associated control method to determine target memory blocks for probe operation |
US10580475B2 (en) | 2018-01-22 | 2020-03-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for calculating row hammer refresh addresses in a semiconductor device |
KR102507302B1 (ko) | 2018-01-22 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법 |
US10839922B2 (en) * | 2018-05-26 | 2020-11-17 | Sandisk Technologies Llc | Memory disturb detection |
US11152050B2 (en) | 2018-06-19 | 2021-10-19 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for multiple row hammer refresh address sequences |
KR20200056732A (ko) * | 2018-11-15 | 2020-05-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
US10770127B2 (en) | 2019-02-06 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for managing row access counts |
US11043254B2 (en) | 2019-03-19 | 2021-06-22 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device having cam that stores address signals |
US11264096B2 (en) | 2019-05-14 | 2022-03-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses, systems, and methods for a content addressable memory cell with latch and comparator circuits |
US11158364B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-10-26 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for tracking victim rows |
US11158373B2 (en) | 2019-06-11 | 2021-10-26 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses, systems, and methods for determining extremum numerical values |
US10832792B1 (en) | 2019-07-01 | 2020-11-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for adjusting victim data |
US11139015B2 (en) | 2019-07-01 | 2021-10-05 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for monitoring word line accesses |
US11386946B2 (en) | 2019-07-16 | 2022-07-12 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for tracking row accesses |
US10943636B1 (en) | 2019-08-20 | 2021-03-09 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for analog row access tracking |
US10964378B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-03-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method including analog accumulator for determining row access rate and target row address used for refresh operation |
US11200942B2 (en) | 2019-08-23 | 2021-12-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for lossy row access counting |
US11222682B1 (en) | 2020-08-31 | 2022-01-11 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing refresh addresses |
US11462291B2 (en) | 2020-11-23 | 2022-10-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for tracking word line accesses |
KR20220096077A (ko) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 삼성전자주식회사 | Ecc 데이터를 이용하여 신뢰성 검사를 수행하는 스토리지 장치 |
US11482275B2 (en) | 2021-01-20 | 2022-10-25 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for dynamically allocated aggressor detection |
US11600314B2 (en) | 2021-03-15 | 2023-03-07 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for sketch circuits for refresh binning |
US11664063B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-05-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for countering memory attacks |
US11688451B2 (en) | 2021-11-29 | 2023-06-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses, systems, and methods for main sketch and slim sketch circuit for row address tracking |
US11928354B2 (en) * | 2022-01-21 | 2024-03-12 | Dell Products L.P. | Read-disturb-based read temperature determination system |
KR102537770B1 (ko) * | 2022-06-08 | 2023-05-30 | 삼성전자주식회사 | 기입 스로틀링을 이용한 스토리지 장치의 데이터 기입 방법 및 이를 수행하는 스토리지 장치 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475693A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-12 | Intel Corporation | Error management processes for flash EEPROM memory arrays |
JP3176019B2 (ja) * | 1995-04-05 | 2001-06-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム |
JPH0932253A (ja) | 1995-07-13 | 1997-02-04 | Koichi Miura | 二重床構造体および二重床式空調装置 |
JPH09204367A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | フラッシュディスクカードにおけるフラッシュメモリデータのリフレッシュ方法 |
WO1997032253A1 (en) | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device having faulty cells |
US5715193A (en) * | 1996-05-23 | 1998-02-03 | Micron Quantum Devices, Inc. | Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks |
EP0862762B1 (en) | 1996-08-16 | 2002-10-09 | Tokyo Electron Device Limited | Semiconductor memory device having error detection and correction |
US5909449A (en) | 1997-09-08 | 1999-06-01 | Invox Technology | Multibit-per-cell non-volatile memory with error detection and correction |
US6260156B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-07-10 | Datalight, Inc. | Method and system for managing bad areas in flash memory |
US6493270B2 (en) * | 1999-07-01 | 2002-12-10 | Micron Technology, Inc. | Leakage detection in programming algorithm for a flash memory device |
WO2001022232A1 (fr) | 1999-09-17 | 2001-03-29 | Hitachi, Ltd. | Memoire dans laquelle le nombre de corrections d'erreurs est enregistre |
US6728913B1 (en) | 2000-02-25 | 2004-04-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Data recycling in memory |
KR100644602B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 플래시메모리를 위한 재사상 제어방법 및 그에 따른플래시 메모리의 구조 |
JP4059472B2 (ja) | 2001-08-09 | 2008-03-12 | 株式会社ルネサステクノロジ | メモリカード及びメモリコントローラ |
US6829167B2 (en) * | 2002-12-12 | 2004-12-07 | Sandisk Corporation | Error recovery for nonvolatile memory |
US20040153902A1 (en) | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Nexflash Technologies, Inc. | Serial flash integrated circuit having error detection and correction |
KR100526186B1 (ko) * | 2003-04-04 | 2005-11-03 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 오류블록 관리방법 및 장치 |
JP4256198B2 (ja) | 2003-04-22 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | データ記憶システム |
US7509526B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-03-24 | Seiko Epson Corporation | Method of correcting NAND memory blocks and to a printing device employing the method |
JP2007058966A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP4413840B2 (ja) | 2005-09-20 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
JP4575288B2 (ja) | 2005-12-05 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 記憶媒体、記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
JP2008090778A (ja) | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリ用メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、不揮発性メモリのメモリ制御方法 |
KR100824779B1 (ko) * | 2007-01-11 | 2008-04-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 경로 및 데이터 출력방법 |
JP2008217857A (ja) | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | メモリコントローラ及び半導体装置 |
US8060798B2 (en) * | 2007-07-19 | 2011-11-15 | Micron Technology, Inc. | Refresh of non-volatile memory cells based on fatigue conditions |
JP4564520B2 (ja) | 2007-08-31 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその制御方法 |
JP4538034B2 (ja) | 2007-09-26 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置、及びその制御方法 |
TWI381390B (zh) * | 2008-04-10 | 2013-01-01 | Phison Electronics Corp | 快閃記憶體的損壞區塊辨識方法、儲存系統及其控制器 |
US8411519B2 (en) * | 2010-06-04 | 2013-04-02 | Apple Inc. | Selective retirement of blocks |
-
2008
- 2008-02-29 JP JP2008049193A patent/JP4489127B2/ja active Active
- 2008-09-22 US US12/529,282 patent/US8060797B2/en active Active
- 2008-09-22 CN CN2008800063643A patent/CN101622607B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-22 EP EP08872498A patent/EP2245542B1/en not_active Not-in-force
- 2008-09-22 WO PCT/JP2008/067597 patent/WO2009107268A1/en active Application Filing
- 2008-09-22 KR KR1020097017907A patent/KR101012445B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-11-20 TW TW097144965A patent/TWI397916B/zh active
-
2011
- 2011-10-11 US US13/270,788 patent/US8219861B2/en active Active
-
2012
- 2012-06-01 US US13/486,718 patent/US8583972B2/en active Active
-
2013
- 2013-10-09 US US14/049,742 patent/US8793555B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-19 US US14/309,611 patent/US9037947B2/en active Active
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012513072A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-06-07 | サンディスク コーポレイション | 不揮発性記憶装置のためのデータリフレッシュ |
JP2011096008A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Aisin Aw Co Ltd | 記憶媒体に記憶される情報の管理方法及びプログラム |
US11475962B2 (en) | 2009-11-06 | 2022-10-18 | Kioxia Corporation | Memory system performing read operation with read voltage |
US11984167B2 (en) | 2009-11-06 | 2024-05-14 | Kioxia Corporation | Memory system performing read operation with read voltage |
US9767913B2 (en) | 2009-11-06 | 2017-09-19 | Toshiba Memory Corporation | Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device |
US8929140B2 (en) | 2009-11-06 | 2015-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system in which a read level is changed based on standing time and at least one of a read, write or erase count |
US10916312B2 (en) | 2009-11-06 | 2021-02-09 | Toshiba Memory Corporation | Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device |
US9524786B2 (en) | 2009-11-06 | 2016-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system changing a memory cell read voltage upon detecting a memory cell read error |
US10020063B2 (en) | 2009-11-06 | 2018-07-10 | Toshiba Memory Corporation | Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device |
US10373692B2 (en) | 2009-11-06 | 2019-08-06 | Toshiba Memory Corporation | Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device |
JP2012198878A (ja) * | 2011-03-21 | 2012-10-18 | Denso Corp | 半導体不揮発性メモリ装置のリフレッシュ操作開始方法およびシステム |
JP2014505941A (ja) * | 2011-04-28 | 2014-03-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法 |
US9129699B2 (en) | 2011-04-28 | 2015-09-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage apparatus and method including executing refresh in a flash memory based on a reliability period using degree of deterioration and read frequency |
JP2012248054A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Mega Chips Corp | 情報処理端末及び管理サーバ |
US9021338B2 (en) * | 2011-11-04 | 2015-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and data storage method |
US20130117634A1 (en) * | 2011-11-04 | 2013-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory system and data storage method |
JP2013125303A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体メモリ制御装置及び制御方法 |
US8867269B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2014086062A (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-12 | Sony Corp | 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、記憶制御方法 |
JP2014092832A (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-19 | Toshiba Information Systems (Japan) Corp | フラッシュメモリの劣化検査装置、劣化検査方法及劣化検査用プログラム |
JP2014154186A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Mega Chips Corp | 記憶装置検査システム、記憶装置検査方法および不揮発性半導体記憶装置 |
JP2014170600A (ja) * | 2013-03-01 | 2014-09-18 | Nec Access Technica Ltd | メモリ検査装置、メモリ検査方法、およびメモリ検査プログラム |
JP2014229216A (ja) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | 富士通株式会社 | 情報処理装置、制御回路、制御プログラム、および制御方法 |
US9911499B2 (en) | 2013-09-13 | 2018-03-06 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and memory system |
US9704570B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and memory system |
JP2016045523A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | メモリ制御装置及びメモリ制御方法 |
JP2016071893A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | イーエムシー コーポレイションEmc Corporation | 持続性記憶装置を管理する方法およびシステム、ならびに非一時的コンピュータ読み取り可能媒体 |
JP2018085122A (ja) * | 2014-09-30 | 2018-05-31 | イーエムシー コーポレイションEmc Corporation | 持続性記憶装置を管理する方法およびシステム、ならびに非一時的コンピュータ読み取り可能媒体 |
US10339001B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-07-02 | EMC IP Holding Company LLC | Method and system for improving flash storage utilization by predicting bad M-pages |
US9690655B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-06-27 | EMC IP Holding Company LLC | Method and system for improving flash storage utilization by predicting bad m-pages |
JPWO2016063592A1 (ja) * | 2014-10-24 | 2017-08-03 | ソニー株式会社 | メモリコントローラ、メモリシステム、および、メモリコントローラの制御方法 |
JP2016118815A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 不揮発性メモリ装置 |
US9804921B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-10-31 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nonvolatile memory apparatus and control method of nonvolatile memory apparatus |
JP2015111453A (ja) * | 2015-02-10 | 2015-06-18 | 株式会社日立製作所 | フラッシュメモリモジュール |
JP2017045420A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
JP2018190404A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 慧榮科技股▲分▼有限公司 | 記憶装置およびリフレッシュ方法 |
US10635601B2 (en) | 2017-05-10 | 2020-04-28 | Silicon Motion, Inc. | Flash memory devices and prefetch methods thereof |
JP2019164859A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム、および、メモリ制御方法 |
US11189353B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-11-30 | Toshiba Memory Corporation | Memory system and memory control method |
US11727998B2 (en) | 2018-03-19 | 2023-08-15 | Kioxia Corporation | Memory system and memory control method |
JP7291640B2 (ja) | 2020-01-24 | 2023-06-15 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のリフレッシュ方法 |
JP2021118011A (ja) * | 2020-01-24 | 2021-08-10 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のリフレッシュ方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2245542A1 (en) | 2010-11-03 |
US9037947B2 (en) | 2015-05-19 |
KR20090131285A (ko) | 2009-12-28 |
US8583972B2 (en) | 2013-11-12 |
US8793555B2 (en) | 2014-07-29 |
US20120030528A1 (en) | 2012-02-02 |
JP4489127B2 (ja) | 2010-06-23 |
KR101012445B1 (ko) | 2011-02-08 |
WO2009107268A1 (en) | 2009-09-03 |
US8219861B2 (en) | 2012-07-10 |
US20100313084A1 (en) | 2010-12-09 |
CN101622607A (zh) | 2010-01-06 |
EP2245542A4 (en) | 2011-04-13 |
EP2245542B1 (en) | 2012-09-12 |
US20140304567A1 (en) | 2014-10-09 |
US20120239992A1 (en) | 2012-09-20 |
TW200941488A (en) | 2009-10-01 |
TWI397916B (zh) | 2013-06-01 |
US20140040664A1 (en) | 2014-02-06 |
CN101622607B (zh) | 2012-10-31 |
US8060797B2 (en) | 2011-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4489127B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2010160816A (ja) | 半導体記憶装置の制御方法 | |
TWI515742B (zh) | 偵測不穩定記憶胞之分佈的記憶體系統與方法 | |
US8656086B2 (en) | System and method for autonomous NAND refresh | |
US8271515B2 (en) | System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system | |
KR102179829B1 (ko) | 런 타임 배드 셀을 관리하는 스토리지 시스템 | |
TWI436369B (zh) | 記憶裝置之使用壽命量測方法及系統內編程碼置換方法、及其資料儲存系統 | |
TW201330234A (zh) | 半導體儲存裝置、非揮發性半導體記憶體測試方法、及媒體 | |
JP2013047913A (ja) | 情報処理装置、情報処理装置の制御方法、制御ツール、及びホスト装置 | |
JP5815388B2 (ja) | メモリアクセス制御装置および方法 | |
JP5668163B2 (ja) | 情報処理装置 | |
JP5535383B2 (ja) | ホスト装置および制御ツール | |
JP6190488B2 (ja) | 情報記録システム | |
JP6403130B2 (ja) | 情報記録システム | |
JP2019008814A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP7291640B2 (ja) | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のリフレッシュ方法 | |
JP2015084241A (ja) | 情報処理装置 | |
JP2022020089A (ja) | メモリドライブ装置、情報処理装置、及び制御方法 | |
JP2021177401A (ja) | 情報処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091215 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091215 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20091215 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20100104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100302 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100330 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4489127 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130409 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140409 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |