JP2009204447A - 荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Abstract
試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース,コストダウン,振動抑止と高速化,検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】
少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う。
【選択図】図1
Description
Y=rsinθ
ステージ上の基準直交座標(X′,Y′)を基準とした回転系のステージ移動量は、下記で与えられる。
θ′=π−θ
以上の各式を用いて、欠陥の座標の補正が行われる。
したがって、図7(b)に示すように、偏向範囲23を撮像範囲24を含むような大きさとして画像を得て、図7(c)に示すように回転させる。画像の回転方法は、電子ビームの走査方向を変える方法と、画像処理で回転させる方法とが可能である。
1d イオン源
1e 光源
2a,2b,2c 第一照射レンズ
2d 静電照射レンズ
3a,3b,3c,3e 制限絞り
3d イオン電流制限絞り
4a,4b,4c 第二照射レンズ
5a,5b,5c 検出器
5d イオン放出電子検出器
5e 光検出器
6a,6b,6c,6d 偏向器
7a,7b,7c 対物レンズ
7d 静電対物レンズ
8 ウエハ
9 駆動系
10 回転ステージ
11 一軸移動ステージ
12 真空容器
13 制御電極
14 光学顕微鏡
15 画像処理回路
16 信号処理回路
17 偏向制御回路
18 偏向駆動回路
19 計算機
20 ステージ制御回路
21 ステージ駆動回路
22 パターン
23 偏向範囲
24 撮像範囲
25 観察対象
Claims (8)
- 少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し前記一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、前記試料を前記各検査機構間で前記一軸移動機構により移動させ、次に前記回転ステージで前記試料の検査位置を前記検査機構へ調整して合わせ、前記検査機構により前記試料の検査を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記各検査機構のうちのひとつで得た前記試料の検査画像、および付帯情報を、他の検査機構との共有情報として記憶する記憶装置を有することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記各検査機構のうちのひとつで得た焦点位置合わせ情報を、他の検査機構の焦点合わせの制御に用いることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記回転ステージの回転量を計測する計測手段と、該計測手段で計測された前記回転ステージの回転量に基づいて、前記検査機構の荷電粒子ビームの偏向制御を行う計算機を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1の記載において、前記回転ステージの回転量を計測する計測手段と、該計測手段で計測された前記回転ステージの回転量に基づいて、前記検査機構で撮像した画像を回転させる計算機を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ荷電粒子ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該カラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記真空容器の内側の大きさの一辺は前記試料の外形に余裕代を加えた大きさ、一辺は前記試料の外形の2倍に余裕代を加えた大きさとしたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項6の記載において、前記欠陥を検出する検出器の検出面の方向は、それぞれのカラムの中心へ向いていることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 試料を搭載する回転ステージと、該回転ステージを一軸方向へ移動させる一軸移動ステージと、該一軸移動ステージを内蔵する真空室と、前記試料へ光ビームを照射して前記試料上の欠陥を検出する第一のカラムと、該カラムで検出された前記欠陥の座標に基づいて該欠陥を再検出する第二のカラムとを備え、前記真空容器の内側の大きさの一辺は前記試料の外形に余裕代を加えた大きさ、一辺は前記試料の外形の2倍に余裕代を加えた大きさとしたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
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---|---|---|---|---|
JP2014089936A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム顕微装置 |
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Families Citing this family (9)
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---|---|---|---|---|
JP5634052B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-12-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法 |
CN102597753B (zh) * | 2009-11-18 | 2014-12-10 | 本田技研工业株式会社 | 表面检查装置以及表面检查方法 |
EP2575159B1 (en) * | 2011-09-30 | 2016-04-20 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Particle beam system and method for operating the same |
WO2013082181A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for preparation of samples for sub-surface defect review |
WO2015083270A1 (ja) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 株式会社日立製作所 | 試料ホルダ及び真空分析装置 |
US10177048B2 (en) * | 2015-03-04 | 2019-01-08 | Applied Materials Israel Ltd. | System for inspecting and reviewing a sample |
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US11239051B2 (en) * | 2017-02-13 | 2022-02-01 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
US11294164B2 (en) | 2019-07-26 | 2022-04-05 | Applied Materials Israel Ltd. | Integrated system and method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000260376A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Jeol Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
JP2007018934A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料作製・観察方法及び荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
JP3973112B2 (ja) * | 1995-06-07 | 2007-09-12 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | ウェーハの向き整合システム |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000260376A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Jeol Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2001056306A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-02-27 | Jeol Ltd | 試料表面検査装置 |
JP2007018934A (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料作製・観察方法及び荷電粒子ビーム装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014089936A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子ビーム顕微装置 |
JP2016099308A (ja) * | 2014-11-26 | 2016-05-30 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 蛍光x線分析装置及び蛍光x線分析方法 |
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