JP2017063101A - 露光装置および露光方法 - Google Patents

露光装置および露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017063101A
JP2017063101A JP2015187045A JP2015187045A JP2017063101A JP 2017063101 A JP2017063101 A JP 2017063101A JP 2015187045 A JP2015187045 A JP 2015187045A JP 2015187045 A JP2015187045 A JP 2015187045A JP 2017063101 A JP2017063101 A JP 2017063101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
blanking
voltage
unit
time
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2015187045A
Other languages
English (en)
Inventor
昭二 小島
Shoji Kojima
昭二 小島
山田 章夫
Akio Yamada
章夫 山田
瀬山 雅裕
Masahiro Seyama
雅裕 瀬山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP2015187045A priority Critical patent/JP2017063101A/ja
Priority to TW105123376A priority patent/TWI623015B/zh
Priority to KR1020160095783A priority patent/KR20170036595A/ko
Priority to US15/221,600 priority patent/US9977337B2/en
Priority to EP16181810.9A priority patent/EP3147930B1/en
Priority to CN201610609096.0A priority patent/CN106556975B/zh
Publication of JP2017063101A publication Critical patent/JP2017063101A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304Controlling tubes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】複数の荷電粒子ビームを用い、ビームごとの照射タイミングの誤差を低減させて複雑で微細なパターンを形成する。
【解決手段】試料上にパターンを露光する露光装置であって、複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、入力電圧に応じて試料上に対応する荷電粒子ビームを照射するか否かをそれぞれ切り替える複数のブランキング電極と、複数のブランキング電極のそれぞれに供給されるブランキング電圧を切り替えるための切替信号を出力する照射制御部と、複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する計測部と、を備える露光装置を提供する。
【選択図】図14

Description

本発明は、露光装置および露光方法に関する。
従来、線幅が数十nm程度の光露光技術で形成した単純なラインパターンに、電子ビーム等の荷電粒子ビームを用いた露光技術を用いて加工することで、微細な配線パターンを形成するコンプリメンタリ・リソグラフィが知られている(例えば、特許文献1および2参照)。また、荷電粒子ビームを複数用いたマルチビーム露光技術も知られている(例えば、特許文献3および4参照)。
特許文献1 特開2013−16744号公報
特許文献2 特開2013−157547号公報
特許文献3 米国特許第7276714号明細書
特許文献4 特開2013−93566号公報
従来技術においては、複数の荷電粒子ビームのON/OFF状態を個別に切り替えてパターンを露光するマルチビーム露光技術を用いる場合において、それぞれの荷電粒子ビームが試料を照射するタイミングを計測し、調整することは困難であった。しかし実際には、製造プロセス上のばらつき等に依存して、荷電粒子ビームの照射の有無を切り替えるためのブランキング電極および配線の寸法精度および配置精度等に実装誤差が生じてしまう。配線パターンの微細化に伴って、このような実装誤差の影響が顕在化しつつあり、ビームごとの照射タイミングがばらついて、露光位置および露光量の誤差の要因となりうる。
本発明の第1の態様においては、試料上にパターンを露光する露光装置であって、複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、入力電圧に応じて試料上に対応する荷電粒子ビームを照射するか否かをそれぞれ切り替える複数のブランキング電極と、複数のブランキング電極のそれぞれに供給されるブランキング電圧を切り替えるための切替信号を出力する照射制御部と、複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する計測部と、を備える露光装置を提供する。
計測部は、基準電圧を発生する基準電圧発生部と、複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化から、ブランキング電圧が基準電圧に達するまでの遅延量を検出する遅延量検出部と、を有してもよい。
基準電圧発生部は、基準電圧を順次変更して発生し、遅延量検出部は、複数のブランキング電極のそれぞれについて、基準電圧が変更されたことに応じて、切替信号の変化から、ブランキング電圧が基準電圧に達するまでの遅延量を検出してもよい。
照射制御部は、複数のブランキング電極のそれぞれに対する切替信号の出力タイミングを、個別に調整するタイミング調整部を有してもよい。
タイミング調整部は、複数のブランキング電極のそれぞれについて、ブランキング電圧が、予め定められたタイミングに予め定められた閾値電圧に達するように、切替信号の出力タイミングを個別に調整してもよい。
複数のブランキング電極に対応して設けられ、それぞれのブランキング電極に対する切替信号に応じたブランキング電圧をそれぞれ出力する複数の駆動回路を備えてもよい。
複数の駆動回路は、複数の駆動回路のそれぞれが出力するブランキング電圧の過渡時間を個別に調整する時間調整部を有してもよい。
本発明の第2の態様においては、試料上にパターンを露光する露光装置で用いる方法であって、複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、入力電圧に応じて試料上に対応する荷電粒子ビームを照射するか否かをそれぞれ切り替える複数のブランキング電極のそれぞれに供給されるブランキング電圧を切り替えるための切替信号を出力する照射制御段階と、複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する計測段階と、を備える方法を提供する。
計測段階は、基準電圧を発生する基準電圧発生段階と、複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化から、ブランキング電圧が基準電圧に達するまでの遅延量を検出する検出段階と、を有してもよい。
基準電圧発生段階は、基準電圧を順次変更して発生し、検出段階は、複数のブランキング電極のそれぞれについて、基準電圧が変更されたことに応じて、切替信号の変化から、ブランキング電圧が基準電圧に達するまでの遅延量を検出してもよい。
複数のブランキング電極のそれぞれについて、ブランキング電圧が、予め定められた閾値電圧になる時間を調整する調整段階をさらに備えてもよい。
調整段階は、複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の出力タイミングを個別に調整するタイミング調整段階を有してもよい。
露光装置は、複数のブランキング電極に対応して設けられ、それぞれのブランキング電極に対する切替信号に応じたブランキング電圧をそれぞれ出力する複数の駆動回路を備え、調整段階は、複数のブランキング電極のそれぞれについて、複数の駆動回路のそれぞれが出力するブランキング電圧の過渡時間を個別に調整する時間調整段階を有してもよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本実施形態に係る露光装置100の構成例を示す。 本実施形態に係る露光装置100がアレイビームを走査して、試料10の表面の一部に形成する照射可能領域200の一例を示す。 本実施形態に係る露光装置100の動作フローを示す。 試料10に形成すべきカットパターンの情報の一例を示す。 本実施形態に係る走査制御部190がアレイビームの照射位置をフレームの開始点に移動した場合の一例を示す。 本実施形態に係る選択部160の一例を示す。 本実施形態に係る露光制御部140が、ブランキング電極64に出力する制御信号のタイミングチャートの一例を示す。 試料10の表面に形成されたラインパターン802の一例を示す。 試料10の表面に形成された配線パターン900の一例を示す。 異なるライン幅および異なるライン間隔のラインパターンが形成された試料10の一例を示す。 本実施形態に係る電子ビームの照射領域502を、グリッド800に対応させて配置した例を示す。 本実施形態に係るブランキング部60の一例を示す。 ブランキング電極64に供給されるブランキング電圧の一例を示す。 本実施形態に係る露光装置100の構成例を示す。 本実施形態に係る計測部1100の構成例を示す。 本実施形態に係る、ブランキング電圧波形の計測フローの一例を示す。 本実施形態に係る、露光装置100の調整フローの一例を示す。 電子ビームB1および電子ビームB2に対する、時間調整部1720の時間調整条件とブランキング電圧の過渡時間との関係の一例を示す。 本実施形態に係る、タイミング調整部1710の調整を適用したブランキング電圧の一例を示す。 本実施形態に係る、タイミング調整部1710および時間調整部1720の調整を適用したブランキング電圧の一例を示す。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本実施形態に係る露光装置100の構成例を示す。露光装置100は、予め定められたグリッドに基づいて異なる線幅および異なるピッチで形成された試料上のラインパターンに応じた位置に、当該グリッドに応じた照射領域を有する荷電粒子ビームを照射して、当該ラインパターンを露光する。露光装置100は、ステージ部110と、検出部114と、カラム部120と、CPU130と、露光制御部140とを備える。
ステージ部110は、試料10を載置して移動させる。ここで、試料10は、半導体、ガラス、および/またはセラミック等で形成された基板でよく、一例として、シリコン等で形成された半導体ウエハである。試料10は、金属等の導電体でラインパターンが表面に形成された基板である。本実施形態の露光装置100は、当該ラインパターンを切断して微細な加工(電極、配線、および/またはビア等の形成)をすべく、当該ラインパターン上に形成されたレジストを露光する。
ステージ部110は、試料10を搭載し、当該試料10を図1に示したXY平面上で移動させる。ステージ部110は、XYステージであってよく、また、XYステージに加えて、Zステージ、回転ステージ、およびチルトステージのうちの1つ以上と組み合わされてもよい。
ステージ部110は、試料10に形成されたラインパターンの長手方向を、予め定められた方向として移動させる。ステージ部110は、ラインパターンの長手方向が、例えばX方向またはY方向といったステージの移動方向と略平行となるように試料10を搭載する。本実施形態に係るステージ部110は、図1において、X方向およびY方向に移動するXYステージであり、ラインパターンの長手方向がX方向と略平行となるように試料10を搭載する例を説明する。
検出部114は、ステージ部110の位置を検出する。検出部114は、一例として、レーザ光を移動するステージに照射し、反射光を検出することで当該ステージの位置を検出する。検出部114は、略1nm以下の精度でステージの位置を検出することが望ましい。
カラム部120は、ステージ部110に載置された試料10に、電子およびイオンを有する荷電粒子ビームを照射する。本実施形態において、カラム部120が、電子ビームを照射する例を説明する。本実施形態のカラム部120は、試料10に形成されたラインパターンの幅方向に照射位置が異なる複数の荷電粒子ビームを発生するビーム発生部である。カラム部120は、電子銃20、アパーチャプレート30、ビーム形状変形部40、アパーチャアレイ50、ブランキング部60、ストッピングプレート70、および偏向部80を有する。
電子銃20は、電子を電界または熱によって放出させ、当該放出した電子に予め定められた電界を印加して、図1の−Z方向となる試料10の方向に加速して電子ビームとして出力する。電子銃20は、予め定められた加速電圧(一例として、50keV)を印加して、電子ビームを出力してよい。電子銃20は、XY平面と平行な試料10の表面からZ軸と平行な垂線上に設けられてよい。
アパーチャプレート30は、電子銃20および試料10の間に設けられ、電子銃20が放出する電子ビームの一部を遮蔽する。アパーチャプレート30は、一例として、円形の開口32を有し、当該開口32で電子ビームの一部を遮蔽し、残りを通過させる。開口32の中心は、電子銃20と試料10を結ぶ垂線と交わるように形成されてよい。即ち、アパーチャプレート30は、電子銃20から放出された電子ビームのうち、予め定められた放出角度以内の電子ビームを通過させる。
ビーム形状変形部40は、アパーチャプレート30および試料10の間に設けられ、アパーチャプレート30を通過した電子ビームの略円形の断面形状を変形させる。ビーム形状変形部40は、例えば、静電四重極電極等の電子レンズでよく、電子ビームの断面形状を長円等の一方向に伸びる断面形状に変形させる。ビーム形状変形部40は、図1の例において、電子ビームの断面形状をY軸と平行な方向に延びる断面形状に変形させる。
アパーチャアレイ50は、ビーム形状変形部40および試料10の間に設けられ、ビーム形状変形部40によって変形された断面形状の電子ビームの一部を遮蔽する。アパーチャアレイ50は、一方向に並ぶ複数の開口52を有し、当該複数の開口52で電子ビームの一部を遮蔽し、残りを通過させる。
複数の開口52は、図1の例において、Y軸と平行な方向に予め定められた間隔を開けて並び、Y軸と平行な方向に延びる断面形状の電子ビームから複数の電子ビームを形成するように切り出す。アパーチャアレイ50は、入力する電子ビームを複数の開口52に応じたアレイ状の電子ビーム群(本実施例においてアレイビームとする)として出力する。
ブランキング部60は、アパーチャアレイ50および試料10の間に設けられ、アパーチャアレイ50が出力する複数の荷電粒子ビームのそれぞれを試料10に照射させるか否かを切り替える。即ち、ブランキング部60は、アレイビームのそれぞれを、試料10の方向とは異なる向きに偏向させるか否かをそれぞれ切り替える。ブランキング部60は、アレイビームのそれぞれに対応して、一方向に並ぶ複数の開口62と、当該複数の開口62内に電界を印加する複数のブランキング電極64を有する。
複数の開口62は、図1の例において、Y軸と平行な方向に予め定められた間隔を開けて並び、アレイビームのそれぞれを個別に通過させる。例えば、ブランキング電極64に電圧が供給されない場合、対応する開口62内には電子ビームに印加する電界が発生しないので、当該開口62に入射する電子ビームは偏向されずに試料10の方向に向けて通過する(ビームON状態とする)。また、ブランキング電極64に電圧が供給される場合、対応する開口62内に電界が発生するので、当該開口62に入射する電子ビームは試料10の方向に通過する方向とは異なる向きへと偏向される(ビームOFF状態とする)。
ストッピングプレート70は、ブランキング部60および試料10の間に設けられ、ブランキング部60が偏向した電子ビームを遮蔽する。ストッピングプレート70は、開口72を有する。開口72は、一方向に伸びる略長円または略長方形の形状を有してよく、開口72の中心が電子銃20と試料10を結ぶ直線と交わるように形成されてよい。開口72は、図1の例において、Y軸と平行な方向に伸びる形状を有する。
開口72は、ブランキング部60が偏向させずに通過させた電子ビームを通過させ、ブランキング部60が偏向した電子ビームの進行を阻止する。即ち、カラム部120は、ブランキング部60およびストッピングプレート70を組み合わせて、ブランキング電極64に供給される電圧を制御することで、アレイビームに含まれる個々の電子ビームを試料10に照射するか(ビームON状態)否か(ビームOFF状態)を切り替える(ブランキング動作する)ことができる。
偏向部80は、ストッピングプレート70および試料10の間に設けられ、複数の荷電粒子ビームを偏向し、試料10に照射するアレイビームの照射位置を調整する。偏向部80は、通過する電子ビームに入力する駆動信号に応じた電界を印加して当該電子ビームを偏向する偏向器を有し、アレイビームを偏向して当該アレイビームの照射位置を調整してよい。また、偏向部80は、1または複数の電磁コイルを有し、アレイビームに磁界を印加して当該アレイビームの照射位置を調整してもよい。
以上の本実施形態に係るカラム部120は、予め定められた方向に配列された複数の電子ビームを生成し、それぞれの電子ビームを試料10に照射するか否かを切り替える。カラム部120において、複数の電子ビームの配列方向は、ビーム形状変形部40がビーム断面形状を変形する方向、アパーチャアレイ50の複数の開口52の配列方向、ブランキング部60の複数の開口62および対応するブランキング電極64の配列方向等により決められる。
カラム部120は、これらの方向をステージ部110の移動方向と直交するラインパターンの幅方向に略一致させると、ステージ部110が当該移動方向と試料10上のラインパターンの長手方向とを略一致させるように試料10を搭載するので、当該ラインパターンの幅方向に照射位置が異なる複数の電子ビームを発生させることになる。本実施形態において、カラム部120は、X方向に略平行なラインパターンに対して垂直方向である、Y方向に配列するアレイビームを照射する例を説明する。
CPU130は、露光装置100全体の動作を制御する。CPU130は、ユーザからの操作指示を入力する入力端末の機能を有してよい。CPU130は、コンピュータまたはワークステーション等でよい。CPU130は、露光制御部140に接続され、ユーザの入力に応じて、露光装置100の露光動作を制御する。CPU130は、一例として、バス132を介して露光制御部140が有する各部とそれぞれ接続され、制御信号等を授受する。
露光制御部140は、ステージ部110およびカラム部120に接続され、CPU130から受けとる制御信号等に応じて、ステージ部110およびカラム部120を制御して試料10の露光動作を実行する。また、露光制御部140は、バス132を介して外部記憶部90と接続され、外部記憶部90に記憶されたパターンのデータ等を授受してよい。これに代えて、外部記憶部90は、CPU130に直接接続されてよい。これに代えて、露光制御部140は、内部にパターンデータ等を記憶する記憶部を有してもよい。露光制御部140は、記憶部150と、選択部160と、照射制御部170と、偏向量決定部180と、走査制御部190とを有する。
記憶部150は、試料10に形成されたラインパターンを切断すべく、露光装置100が露光するパターンであるカットパターンを、また、試料10にビアを形成すべく、露光装置100が露光するパターンであるビアパターンを、それぞれ記憶する。記憶部150は、例えば、外部記憶部90からカットパターンおよびビアパターンの情報を受けとって記憶する。また、記憶部150は、CPU130を介して、ユーザから入力されるカットパターンおよびビアパターンの情報を受けとって記憶してもよい。
また、記憶部150は、試料10の配置情報と試料10に形成されたラインパターンの配置情報とを記憶する。記憶部150は、露光動作に入る前に、予め測定された測定結果を配置情報として記憶してよい。記憶部150は、例えば、試料10の縮率(製造プロセスによる変形誤差)、(搬送等による)回転誤差、基板等の歪、および高さ分布等といった位置決め誤差の要因となる情報を、試料10の配置情報として記憶する。
また、記憶部150は、アレイビームの照射位置と、ラインパターンの位置との間の位置ずれに関する情報を、ラインパターンの配置情報として記憶する。記憶部150は、試料10の配置情報およびラインパターンの配置情報を、ステージ部110上に載置された試料10を計測することによって取得した情報を配置情報とすることが望ましい。これに代えて、記憶部150は、試料10の過去の測定結果、または同一ロットの他の試料の測定結果等を記憶してもよい。
選択部160は、記憶部150に接続され、カットパターンおよびビアパターンの情報を読み出し、ラインパターン上の長手方向における照射位置の指定を判別する。選択部160は、ラインパターン上の長手方向の指定された照射位置において、カラム部120が発生させる複数の荷電粒子ビームのうち試料10に照射すべき少なくとも1つの荷電粒子ビームを選択する。選択部160は、カットパターンおよびビアパターンの情報に基づき、アレイビームのうち照射すべき電子ビームを選択し、選択結果を照射制御部170に供給する。
照射制御部170は、選択部160に接続され、選択部160の選択結果を受けとる。照射制御部170は、選択部160で選択された少なくとも1つの荷電粒子ビームに対して、ON状態/OFF状態を切り替える信号を発生し、駆動回路172に設定する。駆動回路172は、照射制御部170からの切替信号を受けて、ブランキング部60のブランキング電極64に、ビームブランキングのための偏向電圧(ブランキング電圧)を供給する。照射制御部170による電子ビームのON状態/OFF状態の切替えと、駆動回路172がブランキング電極64に出力するブランキング電圧との関係については、後程、図面を用いて説明する。
偏向量決定部180は、記憶部150に接続され、試料10の配置情報およびラインパターンの配置情報を読み出し、試料10の位置誤差およびアレイビームの照射位置誤差の情報に応じて、アレイビームの照射位置を調整すべき調整値を算出し、当該調整値に対応する偏向量を決定する。偏向量決定部180は、カラム部120に接続され、決定した偏向量に基づきアレイビームの照射位置を調整する。偏向量決定部180は、偏向部駆動回路182を介して、決定した偏向量に応じてアレイビームを偏向させる制御信号を偏向部80に供給する。ここで、偏向部駆動回路182は、偏向量決定部180から出力される偏向量に応じた制御信号を、偏向部80に入力する駆動信号に変換する。
走査制御部190は、ステージ部110に接続され、複数の荷電粒子ビームの照射位置を、ラインパターンの長手方向に沿って走査させる。本実施形態における走査制御部190は、試料10を搭載するステージ部110をX方向に略平行に移動させることにより、アレイビームをラインパターンの長手方向に沿って走査させる。走査制御部190は、ステージ駆動回路192を介して、ステージ部110を移動させる制御信号を供給する。ステージ駆動回路192は、走査制御部190から出力される移動方向および移動量に応じた制御信号を、ステージ部110の対応する駆動信号に変換する。
走査制御部190は、検出部114に接続され、ステージ部110のステージ位置の検出結果を受け取る。走査制御部190は、検出結果に基づき、ステージ部110が実際に移動した移動量およびステージの位置誤差(即ち、移動誤差)等を取得して、ステージ部110の移動制御にフィードバックさせてよい。また、走査制御部190は、偏向量決定部180に接続され、ステージ部110による試料10の移動誤差に応じて荷電粒子ビームの通過経路を調整してよい。
また、走査制御部190は、選択部160および照射制御部170にそれぞれ接続され、ステージ部110の位置情報を選択部160および照射制御部170に供給する。照射制御部170は、ステージ部110の位置情報に基づき、試料10のラインパターンにアレイビームを照射するタイミングを取得する。
また、走査制御部190は、ラインパターンの幅方向にもアレイビームの照射位置を移動させ、試料10の表面上の予め定められた領域をアレイビームの照射可能領域とするように走査させる。走査制御部190がアレイビームを走査する一例を、図2を用いて説明する。
本実施形態に係る露光装置100がアレイビームを走査して、試料10の表面の一部に形成する照射可能領域200の一例を示す。図2は、XY面と略平行な試料10の表面を示し、露光装置100が照射するアレイビームのY方向(ラインパターンの幅方向)に並ぶ複数の電子ビームの全体のビーム幅をfwで示す。ここで、ビーム幅fwは、一例として略30μmである。
走査制御部190は、荷電粒子ビームの通過経路を維持した状態でステージ部110によって試料10をラインパターンの長手方向へと移動させる。図2は、走査制御部190がステージ部110を−X方向に移動させる例を示す。これにより、アレイビームの照射位置210は試料10の表面上を+X方向に走査し、当該アレイビームは、帯状の領域220を電子ビームの照射可能領域とする。即ち、走査制御部190は、ステージ部110を予め定められた距離だけX方向に移動させ、第1フレーム232を照射可能領域とする。ここで、第1フレーム232は、一例として、30mm×30μmの面積を有する。
次に、走査制御部190は、−Y方向にステージ部110をビームアレイのビーム幅fwだけ移動させ、次に、前回−X方向に移動した予め定められた距離だけステージ部110を戻すように+X方向に移動させる。これにより、アレイビームの照射位置210は、第1フレーム232とは異なる試料10の表面上を−X方向に走査し、第1フレーム232と略同一面積で+Y方向に隣り合う第2フレーム234を照射可能領域とする。同様に、走査制御部190は、−Y方向にステージ部110をビームアレイのビーム幅fwだけ移動させ、再び、当該予め定められた距離だけ−X方向にステージ部110を移動させて第3フレーム236を照射可能領域とする。
このように、走査制御部190は、ラインパターンの長手方向であるX方向において、ステージ部110を往復動作させ、試料10の表面における予め定められた領域をアレイビームの照射可能領域200とする。ここで、走査制御部190は、一例として、30×30mmの正方形領域を照射可能領域200とする。
なお、本実施形態において、走査制御部190は、ステージ部110を往復動作させることで、正方形領域をアレイビームの照射可能領域200とすることを説明したが、これに限定されるものではなく、走査制御部190は、アレイビームの照射方向を偏向して走査させてもよい。この場合、走査制御部190は、偏向量決定部180に走査する距離に応じた偏向量を供給して、アレイビームを走査してよい。また、走査制御部190は、アレイビームの照射可能領域200を矩形の形状にすることを説明したが、これに限定されるものではなく、アレイビームの走査によって形成される予め定められた領域をアレイビームの照射可能領域200としてよい。
以上の本実施形態に係る露光装置100は、ラインパターンの長手方向であるX方向において、ステージ部110を往復動作させつつ、ラインパターンの上の照射位置に対応するアレイビームを照射して、試料10を露光する。即ち、露光装置100は、アレイビームの照射可能領域200内のラインパターンに対して、形成すべきカットパターンおよびビアパターンに対応する露光位置に荷電粒子ビームを照射して露光する。露光装置100の露光動作については、図3を用いて説明する。
図3は、本実施形態に係る露光装置100の動作フローを示す。本実施形態において、露光装置100は、S300からS370の処理を実行することにより、試料10表面のラインパターンにカットパターンを露光する例を説明する。
まず、ステージ部110は、ラインパターンが形成され、レジストが塗布された試料10を載置する(S300)。次に、露光装置100は、載置した試料10の配置情報およびラインパターンの配置情報を取得する(S310)。露光装置100は、取得した配置情報を記憶部150に記憶する。
露光装置100は、一例として、試料10上に複数設けられた位置決めマーカ等を観察することにより、試料10の配置情報および/またはラインパターンの配置情報を取得する。この場合、露光装置100は、電子ビームを当該位置決めマーカに照射して、二次電子または反射電子等を検出することで得られる試料10の表面画像から、当該位置決めマーカの位置と電子ビームの照射位置を検出し、ラインパターンの配置情報等を取得してよい。
また、露光装置100は、レーザ光等を当該位置決めマーカに照射して、反射光または散乱光等を検出することにより、試料10の配置情報等を取得してもよい。このように、露光装置100が試料10の配置情報およびラインパターンの配置情報を測定によって取得する場合、露光装置100は、二次電子または反射電子等を検出する電子検出部、レーザ光照射装置、および光検出部等をさらに備えてよい。
次に、走査制御部190は、アレイビームの照射位置が露光すべきフレームの開始点に位置するように、ステージ部110を当該開始点に対応する位置に移動させる(S320)。走査制御部190は、ステージ部110を+X方向に移動させて(アレイビームの照射位置を−X方向に移動させて)フレームを露光する場合、当該フレームの+X方向側の端部をフレームの開始点とする。このように、ステージ部110は、試料10を搭載し、当該試料10をビーム発生部に対して相対的に移動させる。
また、走査制御部190は、ステージ部110を−X方向に移動させて(アレイビームの照射位置を+X方向に移動させて)フレームを露光する場合、当該フレームの−X方向側の端部をフレームの開始点とする。走査制御部190は、ラインパターンの長手方向であるX方向において、フレーム毎にステージ部110を往復動作させる場合、当該往復動作に応じて、当該フレームの開始点として−X方向の端部および+X方向の端部を交互に切り替える。
走査制御部190は、露光動作の開始段階において、フレームの開始点を予め定められた位置としてよい。走査制御部190は、一例として、最も−Y方向側に位置するフレームの−X方向側の端部を、フレームの開始点とする。
次に、選択部160は、露光すべきフレーム内のカットパターンの情報を記憶部150から取得する(S330)。図4は、試料10に形成すべきカットパターンの情報の一例を示す。カットパターンの情報は、矩形で示されるカットパターンの大きさおよび位置のデータを有してよい。図4は、カットパターンの2辺の長さ、および予め定められた部分(−X方向側および−Y方向側の頂点、図中では左下の頂点)の座標を、カットパターンデータとする例を示す。
より具体的には、第1パターン410のカットパターンデータの{(位置),大きさ}を{(Xc1,Yc1),Sx1,Sy1}と示す。同様に、第2パターン420のカットパターンデータの{(位置),大きさ}を、{(Xc2,Yc2),Sx2,Sy2}に、第3パターン430のカットパターンデータの{(位置),大きさ}を、{(Xc3,Yc3),Sx3,Sy3}と示す。
なお、図4のX方向は、カットパターンを重ねる対象であるラインパターンの長手方向と略一致する。また、図4において、Y方向に間隔g毎に並び、X方向と平行な複数の線分を、ラインパターンおよびカットパターンの設計に用いるグリッド400として点線で示す。例えば、間隔gはグリッド幅であり、当該グリッド幅gは、ラインパターンの短手方向(Y方向)のライン幅の最小値と略等しい。また、ラインパターンが複数種類のライン幅を有する場合、複数のライン幅は、いずれもグリッド幅gのn倍の値が用いられる(ここでnは1以上の自然数)。また、隣り合うラインパターンのY方向のパターン間隔は、グリッド幅gのm倍の値が用いられる(ここでmは1以上の自然数)。
同様に、カットパターンのY方向の長さ、およびY方向のパターン間隔は、グリッド幅gの(1以上の)自然数倍の値が用いられる。例えば、第1パターン410のY方向の長さは4gに略等しく、第2パターン420のY方向の長さは2gに略等しく、また、第1パターン410および第2パターン420のY方向のパターン間隔は、2gに略等しい。また、図4の例は、カットパターンのY座標が、グリッド400上に略等しくなるように設計された例を示す。このように、本実施形態に係るカットパターンおよびラインパターンは、Y座標がグリッド400の座標値を基準に設計されているものとする。
図5は、本実施形態に係る走査制御部190がアレイビームの照射位置をフレームの開始点(フレームの−X方向側の端部)に移動した場合の一例を示す。即ち、図5は、試料表面に形成されたラインパターン402と、アレイビーム500の照射位置の位置関係の一例を示すXY平面図である。また、図5は、ラインパターン402と、図4に示したカットパターンとの位置関係の一例を示すXY平面図でもある。
図5の例は、1つのフレームが4本のラインパターン402を有し、それぞれのラインパターン402のライン幅、および、隣り合うラインパターン402の間の間隔が、共にグリッド400のグリッド幅gと略等しい場合を示す。また、図中において、第1パターン410は、最上部から2本のラインパターン402を同時にカットするパターンであり、第2パターン420は、最下部のラインパターン402をカットするパターンであり、第3パターン430は、中央の2本のラインパターン402を同時にカットするパターンである。
また、図5において、アレイビーム500は、B1からB8の合計8の電子ビームを有する例を説明する。アレイビーム500は、試料10上の複数の照射領域502のそれぞれに電子ビームを照射する。電子ビームB1からB8のラインパターンの幅方向(即ち、Y方向)のビーム幅は、グリッド幅gと略等しいビーム幅をそれぞれ有する。また、電子ビームB1からB8の試料10上のそれぞれの照射位置は、Y方向においてそれぞれグリッド幅gずつずれて配列され、合計で略8gの幅を有し、フレーム内で略8gの幅を有する範囲を露光する。即ち、アレイビーム500は、Y方向において、当該アレイビーム500が有する電子ビームの個数にグリッド幅gを掛けた値のビーム幅を有し、当該ビーム幅に略等しいY方向の幅を有するフレームを露光する。
ここで、カラム部120は、複数の電子ビームの照射位置をグリッド幅gずつずらして一列に配列できる場合、当該一列に並ぶアレイビーム500を試料10に照射してよい。これに代えて、カラム部120は、複数の電子ビームの照射位置が複数の列を有するアレイビーム500を試料10に照射してもよい。
図5は、アレイビーム500がラインパターンの長手方向に間隔δだけ離間して並ぶ、2列の電子ビームを有する例を示す。また、各列に含まれる複数の電子ビームによる照射位置は、グリッド幅gと略等しい距離で離間し、ラインパターンの幅方向に配列する。したがって、電子ビームB1、B3、B5、およびB7の奇数番号の電子ビームを有する列(第1列とする)は、合計で略7gのY方向の幅を有する。同様に、偶数番号の電子ビームを有する列(第2列とする)も、合計で略7gのY方向の幅を有する。
また、走査制御部190がフレームの開始点にアレイビーム500の照射位置を移動した段階S320において、複数の電子ビームの照射位置は、対応するグリッド間にそれぞれ配置される。図5は、−Y方向側から1番目に配置する電子ビームB1の照射位置が、−Y方向側から1番目と2番目のグリッドの間に位置し、同様に、−Y方向側からn番目に配置する電子ビームBnの照射位置が、−Y方向側からn番目とn+1番目のグリッドの間に位置する例を示す。
以上のように、グリッド400の座標値を基準に設計されたカットパターンを露光すべく、走査制御部190は、アレイビーム500の照射位置を当該グリッド400に基づく位置に移動させる。これにより、走査制御部190は、n個の電子ビームを有するアレイビーム500の照射位置をラインパターンの長手方向に走査することで、対応する1番目からn+1番目のグリッドの間のn×gの幅を有するフレームを露光することができる。
次に、選択部160は、露光に用いる荷電粒子ビームを選択する(S340)。選択部160は、走査制御部190から受けとったアレイビームの照射位置の情報に基づき、露光すべきカットパターンを判断してよい。カットパターンのY座標が、グリッド400上に略等しくなるように設計されているので、選択部160は、例えば、アレイビーム500の照射位置をラインパターンの長手方向に走査しつつ、電子ビームB5からB8の4つの電子ビームを照射することで、4gの幅を有する第1パターン410を露光することができる。
即ち、選択部160は、第1パターン410を露光すべく、電子ビームB5からB8の4つを露光に用いる電子ビームとして選択する。そして、電子ビームB5は第1パターン410の一部のパターン418を、電子ビームB6は第1パターン410の一部のパターン416を、電子ビームB7は第1パターン410の一部のパターン414を、電子ビームB8は第1パターン410の一部のパターン412を、それぞれ露光する。
ここで、選択部160は、カットパターンのY座標の値に応じて、露光に用いる電子ビームを選択することができる。例えば、選択部160は、第2パターン420のY座標の値が、−Y方向側から1番目と3番目の間に位置することに応じて、当該領域が照射位置となる電子ビームB1およびB2を選択する。また、選択部160は、第3パターン430のY座標の値が、−Y方向側から3番目と7番目の間に位置することに応じて、当該領域が照射位置となる電子ビームB3からB6を選択する。
これにより、電子ビームB1は第2パターン420の一部のパターン422を、電子ビームB2は第2パターン420の一部のパターン424を露光する。また、電子ビームB3は第3パターン430の一部のパターン432を、電子ビームB4は第3パターン430の一部のパターン434を、電子ビームB5は第3パターン430の一部のパターン436を、電子ビームB6は第3パターン430の一部のパターン438を、それぞれ露光する。
また、選択部160は、選択した電子ビームを照射すべき照射位置を検出する。選択部160は、カットパターンに応じて照射すべき照射位置を、指定された照射位置として検出する。選択部160は、複数の荷電粒子ビームの照射位置がラインパターンの長手方向における予め定められた基準位置を経過してからの経過時間に応じて、指定された照射位置を検出する。
図5は、ラインパターンの長手方向において、第1基準位置および第2基準位置の2つの基準位置を予め定めた例を示す。即ち、第1基準位置および第2基準位置の間の領域を露光範囲とし、選択部160は、アレイビーム500の照射位置が第1基準位置を経過してからの経過時間に応じて、複数の電子ビームの指定された照射位置をそれぞれ検出する。
これに加えて、ラインパターンの長手方向において、3以上の基準位置を予め定めてもよい。即ち、1つのフレームを複数の露光範囲に分割し、選択部160は、露光範囲毎に、複数の電子ビームの指定された照射位置をそれぞれ検出してよい。この場合、選択部160は、複数の荷電粒子ビームの照射位置がラインパターンの長手方向における複数の基準位置のうち最後に経過した基準位置と、当該基準位置を経過してからの経過時間とに応じて、指定された照射位置を検出する。選択部160による電子ビームの選択と、照射位置の検出について、図6および図7を用いて説明する。
図6は、本実施形態に係る選択部160の一例を示す。選択部160は、データ変換回路162と、ビーム選択回路164と、経過時間演算回路166とを含む。
データ変換回路162は、記憶部150からカットパターンデータを取得し、当該カットパターンデータを試料10上のラインパターンの配置に係る座標系に変換する。データ変換回路162は、例えば、記憶部150からカットパターンデータとして(Xci,Yci),Sxi,Syi(i=1,2,3,・・・)を取得し、試料10上の座標系の露光データ((Xcbi,Ycbi),Sxbi,Sybi(i=1,2,3,・・・)に変換する。ここで、カットパターンデータのY座標の値Yci,Syiは、グリッド幅gの整数倍の値なので、変換後のYcbi,Sybiも離散的な値となる。
なお、データ変換回路162が実行するデータ変換は、試料10をステージ部110にローディングするときに発生する回転誤差、および、試料10がエッチングや成膜などのデバイス製造プロセスを経ることによる試料10の変形誤差等を補正するためのものである。即ち、ステージ部110の精度、および製造プロセスの精度等が十分に高いものであれば、当該補正は、例えば、距離に対して10ppm程度以下、角度に対して1mrad程度以下を補正するデータ変換となる。
例えば、パターン幅Sxi,Syiが数10〜100nmである場合、当該データ変換を実行しても0.1nm以上の変化は生じない。即ち、この場合、0.1nm以下を切り捨て処理すると、Sxi=Sxbi,Syi=Sybiが成り立つ。したがって、試料10に発生する回転誤差および変形誤差等が予め定められた範囲内の場合、選択部160は、データ変換回路162のSxi,Syiに関するデータ変換を省略してもよい。
ビーム選択回路164は、露光データ(Xcb,Ycb),Sxb,Sybに基づき、露光に用いる電子ビームを選択する。例えば、図5に示すグリッド400のY方向の座標が、−Y方向側からYc1,Yc2,・・・,Yc8である場合、ビーム選択回路164は、座標Yc1からYc2の範囲の露光に用いる電子ビームとして、電子ビームB1を選択する。即ち、ビーム選択回路164は、座標Ycbから座標Ycb+Sybに位置するカットパターンに対して、当該座標の範囲に対応する電子ビームを、露光に用いる電子ビームB1,B2,・・・,Bnとして選択する。
経過時間演算回路166は、ビーム選択回路164が選択した電子ビームB1からBnのそれぞれに対して、電子ビームをON状態またはOFF状態に切り替えるタイミングを検出する。経過時間演算回路166は、当該タイミングを露光データのX座標に基づいて検出し、一例として、経過時間として出力する。ここで、経過時間とは、アレイビーム500が基準位置を通過した時間を起点として、アレイビームに含まれる各電子ビームをON状態およびOFF状態にするまでの時間のことである。
走査制御部190は、アレイビーム500をラインパターンの長手方向である、+X方向または−X方向に走査する。カットパターンが露光データ(Xcb,Ycb),Sxb,Sybで表され、かつ、走査制御部190が+X方向にアレイビーム500を走査する場合、X軸座標において対応する電子ビームの照射位置がXcbの位置に到達した時点で当該電子ビームをON状態とし、Xcb+Sxbの位置に到達した時点でOFF状態とすることで、当該電子ビームは当該カットパターンのパターン領域内を露光することができる。即ち、経過時間演算回路166は、露光範囲の−X側の第1基準位置をアレイビーム500が通過した時点から、電子ビームをON状態およびOFF状態に切り替えるまでの時間を、経過時間として検出する。
一方、走査制御部190が−X方向にアレイビーム500を走査する場合、X軸座標において対応する電子ビームの照射位置がXcb+Sxbの位置に到達した時点で当該電子ビームをON状態とし、Xcbの位置の位置に到達した時点でOFF状態とすることで、当該電子ビームは当該カットパターンのパターン領域内を露光することができる。この場合、経過時間演算回路166は、露光範囲の+X側の第2基準位置をアレイビーム500が通過した時点から、電子ビームをON状態およびOFF状態に切り替えるまでの時間を、経過時間として検出する。
また、経過時間演算回路166は、フレーム内に複数の基準位置が設定されている場合、複数の基準位置のうち最後に基準位置を通過した時点から、電子ビームをON状態およびOFF状態に切り替えるまでの時間を、経過時間として検出してよい。経過時間演算回路166は、一例として、走査制御部190がラインパターンの長手方向にアレイビーム500を走査する速度に応じて、経過時間を算出する。この場合、走査制御部190は、アレイビーム500をフレーム内で連続して移動させながら露光することが望ましく、ラインパターンの長手方向に走査する場合に、アレイビーム500の速度Vが少なくとも0になることなく、速度Vが滑らかに変化するように制御してよい。
走査制御部190がアレイビーム500を+X方向に走査し、第1基準位置のX座標をS、露光すべきカットパターンのパターン開始位置をXcb、パターンの幅(X軸方向のパターン幅)をSxbとすると、経過時間演算回路166は、電子ビームをON状態にするまでの経過時間(DLa)を、以下の関係式により算出することができる。なお、経過時間演算回路166は、速度Vの情報を走査制御部190から受けとってよい。
(数1)
DLa=(Xcb−S)/V
また、経過時間演算回路166は、パターン終了位置Xcb+Sxbにおいて電子ビームをOFF状態にするまでの経過時間(DLb)を、以下の関係式により算出することができる。
(数2)
DLb=(Xcb+Sxb−S)/V
経過時間演算回路166は、ビーム選択回路164で選択した電子ビームB1,B2,・・・,Bnのそれぞれに対して、電子ビームをON状態にするまでの経過時間を、DL1a,DL2a,・・・,DLnaとして算出する。また、経過時間演算回路166は、電子ビームをOFF状態にするまでの経過時間を、DL1b,DL2b,・・・,DLnbとして算出する。
以上のように、ビーム選択回路164および経過時間演算回路166は、露光すべきカットパターンに対応して、露光すべき電子ビームの選択と経過時間の検出をそれぞれ実行する。選択部160は、ビーム選択回路164の選択結果および経過時間演算回路166の検出結果を、照射制御部170に供給する。
次に、露光制御部140は、アレイビーム500の照射位置を走査しつつ、荷電粒子ビームの照射を制御する(S350)。即ち、走査制御部190は、ステージ部110を移動してアレイビーム500の照射位置を速度Vで走査させ、検出部114の位置検出結果に基づくアレイビーム500の照射位置を照射制御部170に供給する。照射制御部170は、アレイビーム500の照射位置と経過時間に応じて、選択された電子ビームの照射を制御すべく、ビームのON状態/OFF状態を切り替える信号を発生し、駆動回路172に設定する。駆動回路172は、照射制御部170からの、選択された電子ビームのON状態/OFF状態の切替信号を受けて、ブランキング部60の対応するブランキング電極64に、ビームブランキングのためのブランキング電圧を供給する。
図7は、ビームのON状態/OFF状態を切り替える信号のタイミングチャートの一例を示す。図7は、例えば、図5に示す露光範囲のカットパターンを露光する電子ビームB1からB8に対するブランキング動作のタイミングを示す。図7の横軸は時間軸を示す。
図7に示す8つの信号は、電子ビームB1からB8に対応するブランキング動作のタイミング信号の一例である。即ち、照射制御部170は、当該信号レベルがハイ状態の場合、ハイ状態の信号レベルに応じたブランキング電圧をブランキング電極64に供給し、電子ビームを偏向させるので、当該電子ビームをビームOFF状態とする。また、照射制御部170は、当該信号レベルがロー状態の場合、ロー状態の信号レベルに対応して、ブランキング電極64に供給するブランキング電圧を0Vとして電子ビームを通過させるので、当該電子ビームをビームON状態とする。
ここで、時間軸上において、T1で示す時点は、電子ビームB2、B4、B6、およびB8を有する第2列が第1基準位置を通過する時点を示す。また、T2で示す時点は、電子ビームB1、B3、B5、およびB7を有する第1列が第1基準位置を通過する時点を示す。即ち、T2−T1=δ/Vとなる。
図7のB1およびB2で示す信号は、電子ビームB1およびB2を用いて図5に示すカットパターンの第2パターン420を露光するタイミング信号である。即ち、第2パターン420のカットパターンデータに基づき、選択部160は、電子ビームB1およびB2を選択し、経過時間を検出する。そして、照射制御部170が、経過時間に応じてブランキング動作のタイミング信号B1およびB2を生成する例を図7に示す。
照射制御部170は、電子ビームB1の照射位置が第1基準位置を通過した時点T2の後、経過時間DL1aが経過した時点T4において、当該電子ビームB1をOFF状態からON状態に切り替える。そして、照射制御部170は、時点T2の後、経過時間DL1bが経過した時点T6において、当該電子ビームB1をON状態からOFF状態に切り替える。
また、照射制御部170は、電子ビームB2の照射位置が第1基準位置を通過した時点T1の後、経過時間DL2aが経過した時点T3において、当該電子ビームB2をOFF状態からON状態に切り替える。そして、照射制御部170は、時点T1の後、経過時間DL2bが経過した時点T5において、当該電子ビームB2をON状態からOFF状態に切り替える。
このように、照射制御部170は、選択部160の選択結果および経過時間と、走査制御部190によって走査される照射位置の位置情報とに応じて、電子ビームの照射を制御するタイミング信号を生成することができる。そして、照射制御部170が生成したタイミング信号に基づきブランキング電極64を動作させることにより、カラム部120は、カットパターンの第2パターン420を試料10に露光することができる。
同様に、照射制御部170は、選択部160に選択された電子ビームB3からB8の制御信号を生成して、第1パターン410および第3パターン430を試料10に露光する。以上のように、本実施形態に係る照射制御部170は、電子ビームのON状態およびOFF状態の切り替え動作を、照射位置が基準位置を通過する時点からの経過時間に基づき制御する。このため、第1基準位置から第2基準位置までの間の露光範囲の長さは、経過時間をカウントするクロックのビット数によって規定されることがある。
ここで、クロックの最小周期は、予め定められる位置分解能およびステージ速度に応じて設定されてよい。例えば、露光位置のデータステップが0.125nmの場合には、位置分解能をその半分の0.0625nmとして、ステージの最大移動速度を50mm/secとすると、クロックの周期は最小1.25nsが要求される。ここで、クロックカウンターのカウントビット数を12ビット(=4096)とすると、約5μsの経過時間までカウントできる。この経過時間内にステージは最大移動速度50mm/secで0.25μm移動する。
このように、本実施形態の露光装置100は、クロック周期に基づいて露光範囲の長さを予め設計することができる。そして、露光装置100は、複数の基準位置を設け、それぞれの基準位置からの経過時間に基づいて電子ビームの照射を制御することにより、当該露光範囲よりも長い露光範囲を有するフレームを露光することができる。
即ち、露光制御部140は、1つのフレームに含まれる全ての露光範囲に対して、アレイビーム500の照射位置を走査させ、通過する基準位置毎に当該基準位置からの経過時間に基づいて電子ビームの照射を制御する。即ち、露光制御部140は、図5の例に示す第1基準位置から次の第2基準位置までの露光範囲を、アレイビーム500の照射位置を走査させつつ、複数の電子ビームの照射を制御することで露光する。
そして、当該フレームに、更なる基準位置が存在する場合、露光制御部140は、当該フレームの露光を続行させ(S360:No)、第2基準位置から第3基準位置までの次の露光範囲を露光すべく、荷電粒子ビームの選択の段階S340に戻る。露光制御部140は、当該フレームに、アレイビーム500の照射位置が通過する基準位置がなくなるまで、S340からS350の動作を繰り返す。なお、走査制御部190がアレイビーム500の照射位置が最後に通過した基準位置から次の基準位置までの露光範囲を走査している間に、選択部160は、当該次の基準位置以降に続く次の露光範囲に対応する電子ビームの選択と経過時間の検出を実行してよい。これにより、露光制御部140は、隣り合う露光範囲を時間的に連続して露光することができる。
露光制御部140は、当該フレームに、更なる基準位置が存在しない場合、当該フレームの露光を終了させる(S360:Yes)。そして、次に露光すべきフレームが存在する場合(S370:No)、S320に戻り、アレイビーム500の照射位置を次のフレームの開始点に移動させ、当該次のフレームの露光を実行する。露光制御部140は、露光すべきフレームがなくなるまでS320からS360の動作を繰り返す。露光制御部140は、露光すべきフレームがなくなった場合、当該フレームの露光を終了させる(S370:Yes)。
以上のように、本実施形態に係る露光装置100は、アレイビームの照射可能領域200をフレームに分割し、フレーム毎に、ラインパターンの長手方向にアレイビーム500の照射位置を走査しつつ、複数の電子ビームの照射を制御する露光動作を繰り返し、当該照射可能領域200を露光する。露光装置100は、ステージ部110により試料10を移動させることで、試料10の表面上に異なる複数の照射可能領域200を形成することができるので、試料10の表面に形成されたラインパターンの全てに対して、1つのカラム部120で露光することもできる。
図8は、試料10の表面に形成されたラインパターン802の一例を示す。本実施形態に係る露光装置100は、このようなラインパターン802上に形成されたレジストにおける、カットパターン810で示される領域を、図3で説明した動作を実行して露光する。当該露光により、カットパターン810の領域のレジストを除去することができるので、当該カットパターンに位置するラインパターン802を露出させ、当該露出したラインパターン802をエッチングして微細な配線パターン等を形成することができる。
図9は、試料10の表面に形成された微細な配線パターン900の一例を示す。本実施形態に係る露光装置100によれば、予めラインパターンが形成された試料10を露光することで、より微細な配線パターン900を形成することができる。例えば、図8に示すラインパターン802は、単純なラインアンドスペースパターンなので、光露光技術等を用いることで、略10nm程度のライン幅およびライン間隔で形成することができる。そして、電子ビームを用いる本実施形態に係る露光装置100を用いることで、当該ラインパターン802を加工することができるので、(例えばゲート電極等の)光露光技術だけでは実行できない微細な配線パターン900を形成することができる。また、ラインパターン802の形成を、光露光技術等で実行することにより、微細な配線パターン900を形成するまでのトータルの加工時間を低減させることができる。
また、ラインパターン802の設計に用いるグリッドに基づき、カットパターンの座標およびアレイビーム500の照射位置を配置するので、露光制御部140は、複雑なフィードバック制御をすることなしに、簡便な制御動作で微細な露光を実行することができる。なお、以上の説明において、本実施形態に係る露光装置100は、電子ビームを用いた電子ビーム露光装置として説明したが、実施形態はこれに限定されるものではなく、種々の荷電粒子ビームを用いた露光装置にも同様に適用できる。また、カットパターンの露光を例に説明したが、これに限定されるものではなく、ビアパターンの露光にも同様に適用できる。
以上の本実施形態に係る露光装置100において、略同一のライン幅およびライン間隔のラインパターンが形成された試料10を露光することを説明した。これに代えて、露光装置100は、異なるライン幅および異なるライン間隔のラインパターンが形成された試料10を露光してもよい。グリッドに基づいて、このような異なるライン幅および異なるライン間隔のラインパターンが形成されている場合、露光装置100は、当該グリッドに対応させてラインパターンの指定された照射位置に露光することができる。
図10は、異なるライン幅および異なるライン間隔のラインパターンが形成された試料10の一例を示す。試料10は、第1の部分、第2の部分、および第3の部分を有し、それぞれの部分において異なるライン幅および異なるライン間隔のラインパターンが形成されたものである。このように、複数の種類のラインパターンが1つの試料に形成される場合であっても、それぞれのラインパターンは、共通のグリッドを用いて設計されたものとする。
本例において、第1の部分のラインパターン802は、ライン幅およびライン間隔がgであり、第2の部分のラインパターン804は、ライン幅が2g、ライン間隔がgであり、第3の部分のラインパターン806は、ライン幅が3g、ライン間隔が2gである。
このように、ラインパターンの幅および間隔が異なると、それぞれのラインパターンに対応するカットパターン810、820、830の大きさもそれぞれ異なることになる。本例においては、ラインパターンのそれぞれが、同一のグリッド800に基づいて設計されているので、それぞれのカットパターンのY座標は、図4および図5に関連して説明したように、当該グリッド800の離散した座標で表すことができる。本実施形態の露光装置100においては、電子ビームの照射位置を間隔gのグリッドに対応させているので、このような異なるライン幅およびライン間隔に対するカットパターンであっても露光することができる。
図11は、本実施形態に係る電子ビームの照射領域502を、グリッド800に対応させて配置した例を示す。即ち、図11は、図5に関連して説明したように、−Y方向側から数えてn番目に配置する電子ビームBnの照射領域が、−Y方向側から数えてn番目とn+1番目のグリッドの間に位置する例を示す。これによって、例えば、カットパターンがk番目とl(エル)番目のグリッドの間に位置する場合、露光装置100は、k番目から(l−1)番目までの電子ビームを用いることで、当該カットパターンを露光することができる。
即ち、この場合、選択部160は、指定された照射位置におけるラインパターンの幅に応じて、複数の荷電粒子ビームのうち幅方向に連続する少なくとも1つの荷電粒子ビームを選択する。選択部160は、例えば、第1の部分のラインパターン802のライン幅gに応じて、当該ラインパターン802をカットするパターン幅2gのカットパターン810を露光すべく、アレイビームのうち幅方向に並ぶ2つの電子ビームを選択する。
また、選択部160は、例えば、第2の部分のラインパターン804のライン幅2gに応じて、当該ラインパターン804をカットするパターン幅3gのカットパターン820を露光すべく、アレイビームのうち幅方向に並ぶ3つの電子ビームを選択する。同様に、選択部160は、第3の部分のラインパターン806のライン幅3gに応じて、当該ラインパターン806をカットするパターン幅4gのカットパターン832等のカットパターン830を露光すべく、アレイビームのうち幅方向に並ぶ4つの電子ビームを選択する。このように、選択部160は、m×gのライン幅に応じて、(m+1)個の電子ビームを選択する。
また、選択部160は、図6および図7に関連して説明したように、選択した電子ビームに対応する経過時間を決定して照射位置をそれぞれ検出する。これによって、露光制御部140は、アレイビーム500の照射位置を走査しつつ、電子ビームの照射を制御することで、カットパターン810、820、および830をそれぞれ露光することができる。なお、図11の例においても、露光装置100は、電子ビームの数nに応じたビーム幅n×gのアレイビームを走査し、当該ビーム幅n×gに相当するフレーム幅を有するフレーム毎に試料10を露光してよい。これによって、本実施形態に係る露光装置100は、試料10に異なるライン幅および異なるライン間隔のラインパターンが形成されても、照射位置に対応して適切な電子ビームを選択することにより、対応するカットパターンを露光することができる。
図12は、本実施形態に係るブランキング部60の一例を示す。ブランキング部60は、複数の開口62と、第1のブランキング電極64aと、第2のブランキング電極64bと、共通電極66と、電極配線68とを有する。
複数の開口62は、複数の荷電粒子ビームのそれぞれを個別に通過させる。即ち、複数の開口62は、ビームアレイとして出力する複数の電子ビームに対応した数がブランキング部60に設けられることが望ましい。複数の開口62は、ラインパターンの長手方向に対応する向きであるX方向において、複数の第1の開口62aおよび複数の第2の開口62bがオフセットされて配置されている。複数の第1の開口62aは、−X方向側にオフセットされてY方向に並び、例えば、図5における電子ビームB1、B3、B5、およびB7等に対応して形成される。複数の第2の開口62bは、+X方向側オフセットされてY方向に並び、例えば、図5における電子ビームB0、B2、B4、およびB6等に対応して形成される。
第1のブランキング電極64aは、第1の開口62aにおける共通電極66とは反対側の壁面をなすように設けられる。第2のブランキング電極64bは、第2の開口62bにおける共通電極66とは反対側の壁面をなすように設けられる。共通電極66は、X方向において、第1の開口62aおよび第2の開口62bの間の壁面をなすように設けられた、第1の開口62aおよび第2の開口62bに共通の電極である。また、共通電極66は、Y方向に並ぶ複数の開口62のうち隣り合う開口62の間にもそれぞれ設けられてよい。
電極配線68は、第1のブランキング電極64aおよび第2のブランキング電極64bのそれぞれと、対応する駆動回路172とを接続する。駆動回路172は、選択部160による選択に応じて変化する照射制御部170の切替信号を受けて、第1のブランキング電極64aまたは第2のブランキング電極64bにブランキング電圧を供給し、電子ビームのON状態およびOFF状態をそれぞれ切り替える。
以上のように、ブランキング部60は、Y方向に2列に並ぶ複数の開口62を有するので、共通電極66で複数の開口62のそれぞれを分離しつつ、当該複数の開口62をY座標方向において隙間なく、または重なりを持たせて連続して配置させることができる。そして、照射制御部170は、複数の開口62のそれぞれに対応するブランキング電極に、電子ビームのON状態およびOFF状態をそれぞれ切り替える信号を個別に供給して、個別に制御することができ、2以上の開口62を通過する2以上の電子ビームによって、照射領域のY座標の方向に連続したアレイビームを形成することができる。即ち、露光装置100は、このようなアレイビームを用いた1回の走査により、Y座標における連続した2以上の電子ビーム照射の範囲をフレーム幅としてX軸方向に延伸するフレームを、試料10に照射することができる。
以上の本実施形態に係るブランキング部60は、2列でY方向に並ぶ複数の開口62を有することを説明したが、これに代えて、ブランキング部60は、3列以上でY方向に並ぶ複数の開口62を有してもよい。この場合においても、カラム部120は、共通電極66で複数の開口62のそれぞれを分離しつつ、当該複数の開口62のY座標における配置を連続して配置させることができ、フレーム毎にアレイビームを走査して試料10の表面を露光することができる。なお、以上の例においては、各列に設けた複数の開口62aおよび複数の開口62bが、Y方向と平行に配列された例を示したが、複数の開口62aおよび複数の開口62bは、例えばY方向に対して斜めに配置される等、X方向に対して開口毎にずらした位置に配列されてもよい。
図13は、駆動回路172により出力されるブランキング電圧の出力波形を示す。本図においては、電子ビームB1およびB2に対応する2つのブランキング電極64に供給されるブランキング電圧を示す。図中、縦軸はブランキング電圧の大きさを示し、横軸は時間を示す。
既に説明したように、露光装置100は、図2のフレームに沿ってアレイビームを走査しつつ、図7に一例を示すタイミングチャートに基づいて電子ビームそれぞれのON状態およびOFF状態を切り替える。即ち、例えば、図5の第2パターン420を露光する場合、露光装置100は、図5の露光範囲のライン方向に沿ってアレイビームを走査する。選択部160が選択した電子ビームB1およびB2のそれぞれに対して、照射制御部170は、図7のT4およびT6で示す時点、ならびにT3およびT5で示す時点においてビーム状態を切り替える切替信号を出力する。なお、本例においては、電子ビームB2を通過させる開口62bが電子ビームB1を通過させる開口62aよりもX方向において先行するので、その分だけ切替信号のタイミングを早めている。
照射制御部170は、電子ビームB1およびB2と対応するブランキング電極に接続された駆動回路172に、これらの切替信号を出力する。駆動回路172は、切替信号の変化(電子ビームのON状態/OFF状態の切り替りに対応する信号の変化)を受けて、ブランキング電極に供給するブランキング電圧を変化させる。電子ビームB1およびB2と対応するブランキング電極は、駆動回路172から供給されたブランキング電圧の変化に応じて電子ビームの進行方向を変化させ、電子ビームB1およびB2を試料上に照射するか否かをそれぞれ切り替えて、図5の第2パターン420を露光する。
ここで、実際にビーム状態を切り替えるために、照射制御部170がブランキング電圧の切替信号を出力したあと、駆動回路172が切替信号に応じてブランキング電圧を出力して、ブランキング電極64のブランキング電圧を、電子ビームをOFF状態とする電圧値としたり、0Vに戻したりしなければならず、ブランキング電極64のそれぞれにおいて、ブランキング電圧の遷移に係る過渡時間が発生する。本図は、このようなブランキング電圧の遷移に係る過渡時間を具体的に説明する。
縦軸のブランキング電圧において、Voffで示された電圧値は、ビームOFF状態でブランキング電極64に供給される電圧値である。ブランキング電極64にVoffが供給されると、電子ビームは、それに応じて偏向され、ストッピングプレート70により進行が阻止される(ビームOFF状態)。また、縦軸の0Vで示された電圧値は、ビームON状態において、ブランキング電極64に供給される電圧値である。ブランキング電極64に0Vが供給されると、電子ビームは、ブランキング電極64による偏向を受けず、ストッピングプレート70の開口72を通過する(ビームON状態)。
縦軸のVthで示された電圧値は、電子ビームのOFF状態とビームON状態が切り替わる境界において、ブランキング電極64に供給される閾値電圧である。即ち、ブランキング電極64の電圧値が0V〜Vthの時、電子ビームの少なくとも一部は、ストッピングプレート70の開口72を通過する。ブランキング電極64の電圧値がVth〜Voffの時、電子ビームは、完全にストッピングプレート70の開口72から外れ、開口72を通過しない。
本図に示したように、電子ビームB1の切替信号は、照射制御部170によって、電子ビームB1の照射位置が第1基準位置を通過した時点T2の後、時間DL1aが経過した時点T4においてOFF状態からON状態へと変化される。しかし、ブランキング電極64に供給されるブランキング電圧は、ブランキング電圧の遷移に係る過渡時間のため遅れが発生する。電子ビームB1のブランキング電圧は、T4の時点から下がり始め、T8の時点で閾値電圧Vthを横切る。電子ビームB1は、T8の時点で、少なくともその一部がストッピングプレート70の開口72を通過し始める。そして、電子ビームB1は、T8の時点以降に、試料上に照射され、ビームONの状態になる。
また、電子ビームB1の切替信号は、照射制御部170によって、時点T2から時間DL1bが経過した時点T6においてON状態からOFF状態へと変化される。電子ビームB1のブランキング電圧は、T6の時点から上がり始め、T10の時点で閾値電圧Vthを横切る。電子ビームB1は、T10の時点以降にビームOFFの状態になる。
一方、電子ビームB2の切替信号は、照射制御部170によって、電子ビームB2の照射位置が第1基準位置を通過した時点T1の後、時間DL2aが経過した時点T3においてOFF状態からON状態へと変化される。電子ビームB2のブランキング電圧は、T3の時点から下がり始め、T7の時点で閾値電圧Vthを横切る。電子ビームB2は、T7の時点以降にビームONの状態になる。
さらに、電子ビームB2の切替信号は、照射制御部170によって、時点T1から時間DL2bが経過した時点T5においてON状態からOFF状態へと変化される。電子ビームB2のブランキング電圧は、T5の時点から上がり始め、T9の時点で閾値電圧Vthを横切る。電子ビームB2は、T9の時点以降にビームONの状態になる。
すなわち、電子ビームB1は、ビームOFF状態からON状態に切り替わるタイミングにT8−T4の時間遅れが発生し、ビームON状態からOFF状態に切り替わるタイミングにT10−T6の時間遅れが発生する。また、電子ビームB2は、ビームOFF状態からON状態に切り替わるタイミングにT7−T3の時間遅れが発生し、ビームON状態からOFF状態に切り替わるタイミングにT9−T5の時間遅れが発生する。ここで、ビームOFF状態からON状態に切り替わる際の上記の時間遅れを、立ち下がり時間と呼び、ビームON状態からOFF状態に切り替わる際の上記の時間遅れを、立ち上がり時間と呼ぶ。
本実施形態に係る露光装置100において、立ち下がり時間および立ち上り時間の値はそれぞれ一例として略5nsである。そして、この立ち下がり時間および立ち上がり時間は、アレイビームに属する電子ビームに対する、ON状態/OFF状態の切り替わりタイミングの遅れを引き起こし、露光パターンのビーム照射位置に最大0.5nm程度、ビーム照射量に最大5%程度の誤差を発生する。
また、これら立ち下がり時間および立ち上り時間の値は、アレイビームに属する電子ビームごとにばらつく可能性がある。駆動回路172が駆動する負荷の大きさが、複数のブランキング電極64のそれぞれによって異なることが原因である。すなわち、図12の構造を持つブランキング部60は、製造工程で発生するプロセス的な要因のために、ブランキング電極64、共通電極66、および電極配線68の出来上がり寸法、ならびに、電極間および配線間の間隔などに、ブランキング電極64ごとにばらつきが存在しうる。これにより、駆動回路172が駆動する負荷の抵抗値およびキャパスタンス値にも、ブランキング電極64ごとに違いが発生しうる。
図14は、本実施形態に係る露光装置100の構成例を示す。他の図に記載されている構成要素と同じ動作をする構成要素には、同じ符号を付して示し、詳細な説明を省略する。本図に示す構成例は、図1に示された露光装置100の一部分と対応する。本実施形態に係る露光装置100は、アレイビームに属する電子ビームそれぞれに対して、ビーム状態の切り替わりに対するブランキング電圧の時間的変化を計測する機能を有する。また、本実施形態に係る露光装置100は、駆動回路172が駆動する負荷にばらつきがあっても、ブランキング電極64のそれぞれについてブランキング電圧が所定の閾値電圧になる時間を調整する機能を有する。露光装置100は、ブランキング部60、複数の駆動回路172、および照射制御部170の他に、計測部1100を備える。
計測部1100は、一方で照射制御部170と接続しており、電子ビームそれぞれのON状態/OFF状態を切り替える切替信号を取得する。計測部1100は、他方で、中継端子69を経由して、ブランキング電極64のそれぞれと電気的につながっている。中継端子69は、ブランキング電極64と駆動回路172の出力との間に存在する。計測部1100は、中継端子69から、ブランキング電極64に印加されたブランキング電圧を取得する。
計測部1100は、照射制御部170から得た電子ビームのON状態/OFF状態を切り替える信号(切替信号)の変化をトリガーにして、ブランキング電極64のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する。また、計測部1100は、計測した遅延量をもとに、ブランキング電圧が閾値電圧に達するまでの時間、即ち、立ち下がり時間および立ち上がり時間を決定する。
照射制御部170は、タイミング調整部1710を有する。タイミング調整部1710は、ブランキング電極64のそれぞれについて、照射制御部170が出力する切替信号の出力タイミングを個別に調整する。複数の駆動回路172のそれぞれは、時間調整部1720を有する。時間調整部1720は、複数の駆動回路172のそれぞれが出力するブランキング電圧の過渡時間を個別に調整する。
図15は、計測部1100の構成例を示す。計測部1100は、基準電圧発生部1120と、1または複数の比較部1140と、1または複数の遅延量検出部1160とを有する。基準電圧発生部1120は、ブランキング電圧との比較に用いる基準電圧を発生する。基準電圧発生部1120は、ブランキング電圧の変化幅内の任意の電圧値を基準電圧として発生可能である。一例として、基準電圧発生部1120は、ビームのOFF状態とビームON状態が切り替わる境界の閾値電圧を基準電圧として発生してよい。基準電圧発生部1120は、基準電圧を複数の比較部1140に供給する。複数の比較部1140は、基準電圧発生部1120およびブランキング部60内の複数のブランキング電極64に接続される複数の中継端子69に接続される。複数の比較部1140は、それぞれ、対応するブランキング電極64に印加されたブランキング電圧値と、基準電圧発生部1120から得た基準電圧値とを比較し、両者の差分に応じた電圧値を遅延量検出部1160に出力する。
複数の遅延量検出部1160のそれぞれは、対応する比較部1140から、ブランキング電圧と基準電圧との差分に応じた電圧値を取得する。また、複数の遅延量検出部1160のそれぞれは、照射制御部170から、対応する電子ビームのON状態/OFF状態を切り替える切替信号を取得する。複数の遅延量検出部1160のそれぞれは、対応する電子ビームの状態を切り替える切替信号の変化(即ち、電子ビームをOFF状態からON状態へ、およびON状態からOFF状態へ切り替える切替信号の変化)から、ブランキング電圧と基準電圧との差分の絶対値が、例えば、20mV(ブランキング電圧幅5Vに対して256(=2^8)等分した1LSBに相当する電圧値)以内に入るまでの時間を検出する。
また、遅延量検出部1160は、切替信号の変化以降の、ブランキング電圧と基準電圧との差分の電圧値を、例えば、1nsごとにサンプリングし、時間的に隣接した2回のサンプル点で差分の電圧値の符号が反転するまでの時間を検出してもよい。これらにより、遅延量検出部1160は、電子ビームのOFF状態からON状態への切り替え、およびON状態からOFF状態への切り替えに伴い、照射制御部170の出力である切替信号の変化から、ブランキング電圧が、基準電圧発生部1120が供給する基準電圧に達するまでに要する時間、即ち遅延量を検出する。
なお、遅延量検出部1160が検出する遅延量は、中継端子69から計測部1100までの配線による信号の時間遅れ、および、計測部1100の内部回路による信号の時間遅れを含んでいる。ブランキング電極64のそれぞれについて、これらに起因する時間遅れが照射制御部170の切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量と比べて十分に小さくなるように、露光装置100の製造者は、中継端子69から計測部1100までの配線の太さおよび配線の配置間隔、ならびに計測部1100の内部回路を設計・製作することができる。これにより、遅延量検出部1160は、ブランキング電極64のそれぞれについて、切替信号の変化から、ブランキング電圧が基準電圧に達するまでの遅延量を検出することが可能となる。
計測部1100は、基準電圧の値を変えて上記の遅延量検出を繰り返すことにより、切替信号の変化からの時間とブランキング電圧の値との関係、即ち過渡波形を計測することができる。計測部1100は、このようにして計測した過渡波形をもとに、切替信号の変化から、所定のブランキング電圧である閾値電圧に達するまでの時間を検出し、立ち下がり時間および立ちあがり時間を決定することができる。
図16は、ブランキング電極64のそれぞれについて、ブランキング電圧の過渡波形を計測する計測フローの一例を示す。本計測フローは、複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、入力電圧に応じて試料上に対応する荷電粒子ビームを照射するか否かをそれぞれ切り替える複数のブランキング電極のそれぞれに供給されるブランキング電圧を切り替えるための切替信号を出力する照射制御段階と、前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する計測段階と、を備える。計測部1100は、ブランキング電極64のそれぞれについて、S1600からS1670の処理を実行することにより、ブランキング電圧の過渡波形を計測する。
本図を用いて、計測部1100による、ブランキング電圧の過渡波形の計測フローを説明する。まず、基準電圧発生部1120は、0Vの基準電圧値を発生する(S1600)。次に、照射制御部170は、計測対象の電子ビームに対する駆動回路172に、電子ビームのON状態およびOFF状態を切り替える切替信号を出力する。照射制御部170は、これと同時に、計測部1100の当該駆動回路172に対応する遅延量検出部1160に、切替信号の変化を出力する。これを受けて、遅延量検出部1160は、計測タイマーを始動する(S1610)。
さらに、遅延量検出部1160は、比較部1140から、ブランキング電圧と基準電圧との差分の電圧を取得する。一例として、遅延量検出部1160は、差分の電圧の絶対値が、所定値デルタ(例えば、デルタ=20mV)より大きいときは、そのままタイマーを進め、差分の電圧が所定値デルタ以内に入ったときに、タイマーを停止する(S1620〜S1640)。これにより、遅延量検出部1160は、切替信号の変化から、ブランキング電圧の値が基準電圧の値に達するまでの時間、即ち遅延量を検出する。検出段階の処理の一例として、遅延量検出部1160は、タイマー停止時の基準電圧の値とタイマーが示す時間を記録する(S1650)。
次に、基準電圧発生部1120は、基準電圧をδだけ増やす(S1660)。基準電圧の値がブランキング電圧の最大値Voff未満であれば、計測部1100は、処理をステップS1610へと進め、新たな基準電圧について、S1610からS1660までの処理を行う(S1670:Yes)。他方で、切替信号S1670において新たな基準電圧がブランキング電圧の最大値Voffより大きくなっていた場合には、計測フローを終了する(S1670:No)。
即ち、本計測フローは、基準電圧を順次変更して発生する基準電圧発生段階と、複数のブランキング電極のそれぞれについて、基準電圧が変更されたことに応じて、切替信号の変化から、ブランキング電圧が基準電圧に達するまでの遅延量を検出する検出段階とを備える。計測フロー終了後、ステップS1650で記録された、基準電圧値と、切替信号の変化からブランキング電圧の値が基準電圧値に達するまでの時間、即ち遅延量との関係は、切替信号の変化以降のブランキング電圧の過渡波形を表す。計測部1100は、アレイビームに属する複数の電子ビームのそれぞれと対応するブランキング電極64のそれぞれについて、S1600からS1670の処理を実行することにより、複数のブランキング電極64のそれぞれについて、切替信号の変化以降のブランキング電圧の過渡波形を計測する。
計測部1100は、計測した過渡波形が、あらかじめ決められた閾値電圧を横切るまでの遅延量から、ブランキング電圧の立ち下がり時間、および立ち上がり時間を決定する。また、計測部1100は、あらかじめ決められた閾値電圧を、基準電圧発生部1120の基準電圧として発生し、ブランキング電圧が閾値電圧に到達する遅延量を直接計測して、ブランキング電圧の立ち下がり時間、および立ち上がり時間を決定してもよい。
なお、計測部1100は、露光装置100が電子ビームを出力して電子ビームをブランキングさせながら本計測フローを実行してもよく、電子ビームを出力しない状態で、本計測フローを実行してもよい。後者によれば、露光装置100は、電子ビームを出力しない状態で、複数のブランキング電極64のそれぞれについて、過渡波形、ならびに立ち下がり時間および立ち上がり時間をあらかじめ決めておくことができる。
以上の処理により、露光装置100は、駆動回路172が駆動するブランキング電極の負荷にばらつきがあっても、計測部1100の計測結果をもとにタイミング調整部1710によって切替信号を出力するタイミングを調整し、時間調整部1720によってブランキング電圧が所定の閾値電圧になるまでの時間を調整することが可能となる。
ここで、タイミング調整部1710は、経過時間演算回路166(図6参照)が算出した経過時間に対して、電子ビームごとに、ならびに、電子ビームの立ち下りおよび電子ビームの立ち上りのそれぞれごとに、オフセット時間を加減算して、経過時間を補正する機能を有する。これにより、タイミング調整部1710は、複数のブランキング電極64のそれぞれについて、照射制御部170が出力する切替信号の出力タイミングを個別に調整する。
また、時間調整部1720は、複数の駆動回路172のそれぞれに組み込まれており、駆動回路172の駆動能力を変えることにより、駆動回路172が供給するブランキング電圧の変化の速さ、即ち過渡時間、を変える。
図17は、露光装置100のタイミング調整部1710および時間調整部1720の調整フローの一例を示す。本調整フローは、複数のブランキング電極のそれぞれについて、ブランキング電圧が、所定の閾値電圧になる時間(すなわちブランキング電圧の過渡時間)を調整する調整段階の一例である。露光装置100は、S1700からS1750の処理を実行することにより、タイミング調整段階の一例として、駆動回路172が駆動する負荷のばらつきも含めて、アレイビームに属するすべての電子ビームについて、照射制御部170が出力する切替信号の出力タイミングを個別に調整し、時間調整段階の一例として、駆動回路172が供給するブランキング電圧の過渡時間を個別に調整する。前半のS1710からS1730の処理は、時間調整部1720によりブランキング電圧の過渡時間を調整する処理フローであり、後半のS1740の処理は、タイミング調整部1710により、照射制御部170が出力する切替信号の出力タイミングを調整する処理フローである。
本調整フローは、調整対象の電子ビームを順に選択し(S1700)、選択した各電子ビームに対して、ブランキング電圧の過渡時間の調整(S1710からS1730)と、切替信号の出力タイミングの調整(S1740)とを行う。
まず本調整フロー前半のS1710からS1730の処理について説明する。CPU130の指令により、計測部1100および時間調整部1720は、時間調整部1720の時間調整条件を順次変更しながら(S1710)、例えば図16に示した計測フローにより、それぞれの時間調整条件に対するブランキング電圧の過渡波形を計測する(S1720)。そして、計測部1100は、過渡波形から、ブランキング電圧の過渡時間を算出する。CPU130の指令により、計測部1100および時間調整部1720は、過渡時間があらかじめ決めた所定の値に一致または略一致(予め定められた誤差の範囲内での一致)しないときは(S1730:No)、時間調整条件を変更しながらS1710〜S1730を繰り返す。そして、計測部1100は、過渡時間が所定の値に一致等したら(S1730:Yes)、その状態における時間調整条件に応じた設定値を駆動回路172の時間調整部1720に設定する。
以上において、駆動回路172は、一例として、重みづけされた異なる駆動能力を持つ複数のスイッチ回路を並列に接続した構成をとる。駆動回路172の時間調整部1720は、一例として、時間調整条件に相当する7ビットのデジタル値で、7通りの異なる駆動能力を持つスイッチ回路(すなわち例えば駆動能力が順に2倍となっていく7つのスイッチ回路)のなかから、使用するスイッチ回路の組み合わせを選択可能である。CPUの指令により、時間調整部1720は、7ビットのデジタル値により各スイッチ回路の選択有無を指定することにより、選択した各スイッチ回路の駆動能力を合計した駆動能力を128段階で設定することができる。
次に本調整フロー後半のS1740の処理について説明する。この部分は、照射制御部170が出力する切替信号の出力タイミングを調整するタイミング調整段階の処理の一例である。CPU130の指令により、照射制御部170に含まれるタイミング調整部1710は、切替信号のタイミングを調整することによって、複数のブランキング電極にブランキング電圧が印加されるタイミングを調整する。
次に、CPU130は、アレイビームに属するすべての電子ビームについて調整を完了したかを判断する(S1750)。完了していなければ(S1750:No)、調整対象の電子ビームを変えて(S1700)、S1710からS1740までの調整を繰り返す。そして、CPU130は、アレイビームに属するすべての電子ビームについて調整を完了すると(S1750:Yes)、調整フロー全体を終了する。
図18は、図17のS1710からS1730におけるブランキング電圧の過渡時間の調整に関し、一例として、電子ビームB1および電子ビームB2に対する駆動回路172について、時間調整部1720の時間調整条件と、ブランキング電圧の過渡時間との関係を示す。時間調整部1720は、本図の横軸の時間調整条件で示す7ビットのデジタル値(0〜127)で、ブランキング電圧を出力するスイッチ回路を選択する。本図の縦軸は、10‐90%過渡時間を示す。10‐90%過渡時間は、ブランキング電圧が、変化幅の10%の高さから90%の高さまで変化するのに要する時間を示す。10‐90%過渡時間は、ブランキング電圧の変化の速さを示す指標である。10−90%過渡時間は、計測部1100が計測するブランキング電圧の過渡波形をもとに決定される。10‐90%過渡時間は、例えば、ブランキング電圧の変化幅が5Vの場合、ブランキング電圧が0.5Vから4.5Vまで立ち上がる時間を表す。この10‐90%過渡時間は、通常は、ブランキング電圧が4.5Vから0.5Vまで立ち下がる時間と、略一致する。
電子ビームB1では、時間調整部1720の時間調整条件を40〜65範囲に設定することにより、ブランキング電圧の10‐90%過渡時間を約6nsから約3.5nsの範囲に設定できる。また、電子ビームB2では、時間調整部1720の時間調整条件を14〜24範囲に設定することにより、ブランキング電圧の10‐90%過渡時間を約6nsから約3.5nsの範囲に設定できる。電子ビームB1および電子ビームB2について、同じ10‐90%過渡時間、例えば過渡時間5.0ns、となる時間調整部1720の時間調整条件が異なるのは、駆動回路172が駆動するブランキング電極の負荷が、電子ビームB1とB2とで異なっているからである。
このような場合であっても、時間調整部1720の時間調整条件をそれぞれ適切に取れば、電子ビームB1とB2とに対する過渡時間を、略一致させることができる。一例として、電子ビームB1に対する駆動回路172の、時間調整部1720の時間調整条件を47とすれば、電子ビームB1のブランキング電圧の10‐90%過渡時間は約5.0nsとなる。また、電子ビームB2に対する駆動回路172の、時間調整部1720の時間調整条件を17とすれば、電子ビームB2のブランキング電圧の10‐90%過渡時間は約5.0nsとなる。ブランキング電圧の10‐90%過渡時間が略一致するとき、ビーム状態の切替えに対するブランキング電圧の過渡波形も略一致する。即ち、それらのブランキング電圧は、ビーム状態の切替えに対して、略一致する立ち下がり時間、および立ち上がり時間を持つことになる。
以上のように、CPUの指令のもとで、計測部1100および時間調整部1720は、駆動回路172が駆動する負荷が異なっていても、時間調整部1720の時間調整条件を適切に設定することにより、ブランキング電圧の過渡時間を所定の値に、例えば5nsに、調整することができる。
図19は、図17のS1740における切替信号のタイミングの調整に関し、タイミング調整部1710の動作を説明するための図である。本図は、電子ビームB1およびB2に対して、ブランキング電極64に供給されるブランキング電圧の例を示す。本図の縦軸のブランキング電圧Voff,Vth,および0Vは、それぞれ、図13で説明した電圧値に対応する。また、本図の横軸のタイミングT1、T2、T3、T4、T5、およびT6は、それぞれ、図7および図13で説明したタイミングに対応する。
本図は、計測部1100が、測定したブランキング電圧の立ち下がり時間および立ち上り時間を考慮して、タイミング調整部1710による電子ビームの切替信号の出力タイミングを調整した例を示す。
電子ビームB1をOFF状態からON状態に切り替えるとき、照射制御部170は、電子ビームB1の照射位置が露光の基準位置を通過した時点T2の後、時間DL1aaが経過した時点T44で切替信号を出力する。ここで、時間DL1aaは、経過時間演算回路166が算出した経過時間DL1aから、電子ビームB1のブランキング電圧の立ち下がり時間を差し引いた経過時間である。このブランキング電圧の立ち下がり時間は、計測段階で検出された、電子ビームB1に対する照射制御部170の切替信号の変化からブランキング電圧が閾値電圧に達するまでの遅延量である。従って、この立ち下がり時間には、照射制御部170からブランキング電極までのすべての回路および配線によるブランキング電圧信号の時間遅れが含まれている。CPU130の指令により、タイミング調整部1710は、経過時間DL1aから電子ビームB1のブランキング電圧の立ち下がり時間を差し引く調整を行う。これにより、本図に示すように、電子ビームB1のブランキング電圧は、基準位置通過からDL1aが経過したT4の時点で閾値電圧Vthとなり、T4の時点でビーム照射状態に切り替わる。露光装置100は、露光の基準位置、設計パターンの位置およびサイズ、ならびにステージ速度から決まる経過時間DL1a(数1,2参照)後に、電子ビームB1の照射を開始できることになる。
また、電子ビームB1をON状態からOFF状態に切り替えるとき、照射制御部170は、電子ビームB1の照射位置が露光の基準位置を通過した時点T2の後、時間DL1bbが経過した時点T66で切替信号を出力する。ここで、時間DL1bbは、経過時間演算回路166が算出した経過時間DL1bから、電子ビームB1のブランキング電圧の立ち上がり時間を差し引いた経過時間である。このブランキング電圧の立ち上がり時間は、計測段階で検出された、電子ビームB1に対する照射制御部170の切替信号の変化からブランキング電圧が閾値電圧に達するまでの遅延量である。CPU130の指令により、タイミング調整部1710は、経過時間DL1bから電子ビームB1のブランキング電圧の立ち上がり時間を差し引く調整を行う。これにより、本図に示すように、電子ビームB1のブランキング電圧は、基準位置通過からDL1bが経過したT6の時点で閾値電圧Vthとなり、T6の時点でビーム非照射状態に切り替わる。露光装置100は、露光の基準位置、設計パターンの位置およびサイズ、ならびにステージ速度から決まる経過時間DL1b(数1,2参照)後に、電子ビームB1の照射を終了できることになる。
同様に、電子ビームB2をOFF状態からON状態に切り替えるとき、照射制御部170は、電子ビームB2の照射位置が露光の基準位置を通過した時点T1の後、時間DL2aaが経過した時点T33で切替信号を出力する。ここで、時間DL2aaは、経過時間演算回路166が算出した経過時間DL2aから、電子ビームB2のブランキング電圧の立ち下がり時間を差し引いた経過時間である。このブランキング電圧の立ち下がり時間は、計測段階で検出された、電子ビームB2に対する照射制御部170の切替信号の変化からブランキング電圧が閾値電圧に達するまでの遅延量である。CPU130の指令により、タイミング調整部1710は、経過時間DL2aから電子ビームB2のブランキング電圧の立ち下がり時間を差し引く調整を行う。これにより、本図に示すように、電子ビームB2のブランキング電圧は、基準位置通過からDL2aが経過したT3の時点で閾値電圧Vthとなり、T3の時点でビーム照射状態に切り替わる。露光装置100は、露光の基準位置、設計パターンの位置およびサイズ、ならびにステージ速度から決まる経過時間DL2a(数1,2参照)後に、電子ビームB2の照射を開始できることになる。
また、電子ビームB2をON状態からOFF状態に切り替えるとき、照射制御部170は、電子ビームB2の照射位置が露光の基準位置を通過した時点T1の後、時間DL2bbが経過した時点T55で切替信号を出力する。ここで、時間DL2bbは、経過時間演算回路166が算出した経過時間DL2bから、電子ビームB2のブランキング電圧の立ち上がり時間を差し引いた経過時間である。このブランキング電圧の立ち上がり時間は、計測段階で検出された、電子ビームB2に対する照射制御部170の切替信号の変化からブランキング電圧が閾値電圧に達するまでの遅延量である。CPU130の指令により、タイミング調整部1710は、経過時間DL2bから電子ビームB2のブランキング電圧の立ち上がり時間を差し引く調整を行う。これにより、本図に示すように、電子ビームB2のブランキング電圧は、基準位置通過からDL2bが経過したT5の時点で閾値電圧Vthとなり、T5の時点でビーム非照射状態に切り替わる。露光装置100は、露光の基準位置、設計パターンの位置およびサイズ、ならびにステージ速度から決まる経過時間DL2b(数1,2参照)後に、電子ビームB1の照射を終了できることになる。
CPUの指令により、タイミング調整部1710は、複数のブランキング電極64のそれぞれについて、立ち下り時間および立ち上り時間を経過時間の補正量として設定を受けて、照射制御部170が出力する切替信号の出力タイミングを個別に調整してよい。これにより、露光装置100は、ブランキング電極64のそれぞれについて、立ち下がり時間および立ち上がり時間がばらついている場合でも、試料上の目標とする位置に設計通りの幅で電子ビームを照射することができる。
以上において、露光装置100は、アレイビームに属するすべての電子ビームに対する駆動回路172について、時間調整部1720の時間調整条件を、同一の過渡時間となるように調整してよい。この時、アレイビームに属するすべての電子ビームのブランキング電圧は、略同一の立ち下がり時間となる。また、アレイビームに属するすべての電子ビームのブランキング電圧は、略同一の立ち上がり時間となる。これにより、図17に示す調整フロー全体を実行後、タイミング調整部1710は、アレイビームに属するすべての電子ビームに対して、電子ビームをOFF状態からON状態に切り替える場合の経過時間に対して一つのタイミング調整値、および電子ビームをON状態からOFF状態に切り替える場合の経過時間に対して一つのタイミング調整値を持てばよいことになる。露光装置100は、タイミング調整部1710の調整値を決める手間を省くことができるとともに、タイミング調整部1710の調整値の記憶容量を節約することが可能となる。
図20は、図17に示す調整フローの全体を適用した後、電子ビームB1およびB2のブランキング電極64に供給されるブランキング電圧の時間変化の例を示す。本図の縦軸および横軸はそれぞれ、図13および図19の縦軸および横軸と同じ内容を示す。本図の縦軸に矢印で指示された電圧値、ならびに、本図の横軸に矢印で指示されたタイミングT1、T2、T3、T4、T5、およびT6は、それぞれ、図13および図19の同じ記号で示された電圧値およびタイミングと同じ内容を指示する。
調整フローの全体を適用後、電子ビームB1および電子ビームB2は、ブランキング電圧の立ち下がり側で、タイミング調整部1710に同じ切替信号の出力タイミングの調整値を適用されることになる。即ち、電子ビームB1および電子ビームB2の照射位置が、それぞれの露光の基準位置を通過した時点T2およびT1のあと、同じ経過時間、例えばDLaa、が経過したタイミングで切替信号を出力すれば、電子ビームB1および電子ビームB2はそれぞれ、T4およびT3の時点で閾値電圧に達し、ビーム照射を開始できることになる。
また、電子ビームB1および電子ビームB2は、ブランキング電圧の立ち上がり側でも、タイミング調整部1710に同じ切替信号の出力タイミングの調整値を適用されることになる。電子ビームB1および電子ビームB2の照射位置が、それぞれの露光の基準位置を通過した時点T2およびT1のあと、同じ経過時間、例えばDLbb、が経過したタイミングで切替信号を出力すれば、電子ビームB1および電子ビームB2はそれぞれ、T6およびT5の時点で閾値電圧に達し、ビーム照射を終了できることになる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
例えば、図17に示す調整フローは、露光装置100が電子ビームを出力して実際に電子ビームをブランキングさせながら実行されてもよく、電子ビームを出力しない状態で実行されてもよい。後者によれば、露光装置100は、複数のブランキング電極64のそれぞれについて、ブランキング電圧の、過渡時間と切替信号の出力タイミングとを調整し終わった状態で、電子ビームを出力することができる。
また、露光装置100は、図3に動作フローを示す露光動作が開始される前に、図17に示す調整フローを実行してよい。これにより、露光装置100は、アレイビームに属するすべての電子ビームについて、ブランキング電圧の過渡時間と切替信号の出力タイミングとを調整した状態で、露光動作を開始することができる。
さらに、露光装置100は、図3に動作フローを示す露光動作の全体(図3の開始から終了まで)が繰り返されて運用されているとき、図3の露光動作全体を予め定められた回数または予め定められた期間実行した後、次の露光動作が開始される前に、図17に示す調整フローを実行してもよい。これにより、露光装置100は、アレイビームに属するすべての電子ビームについて、ブランキング電圧の過渡時間と切替信号の出力タイミングとを定期的に調整することができる。
露光装置100は、定期的に調整されるタイミング調整部1710および時間調整部1720のそれぞれの調整条件の経時変化を検出することにより、カラム部120に搭載されたブランキング電極64の状態を、定期的にモニターしてよい。この調整条件の経時変化に係るモニター情報は、露光装置100の運用状態を監視するための情報として用いられてよい。即ち、露光装置100または管理者は、ブランキング電圧の過渡時間と切替信号の出力タイミングに大きな変化がないときには、ブランキング電極64を含むブランキング部60の運用状態には大きな変化が発生していないと判断してよい。一方、露光装置100または管理者は、ブランキング電圧の過渡時間と切替信号の出力タイミングに一定以上の変化が発生した場合は、ブランキング電極64を含むブランキング部60に何らかの変化が発生したものと考え、露光を一時停止して、装置を点検することを判断してよい。このようにして、露光装置100または管理者は、これらのモニター情報は、露光装置100の稼動信頼性を保障するために利用してよい。また、露光装置100は、以上の処理の各段階において、CPU130が処理の指令を出す代わりに、それ以外の、例えば、計測部1100が処理の指令を出すように構成されていてもよい。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
10 試料、20 電子銃、30 アパーチャプレート、32 開口、40 ビーム形状変形部、50 アパーチャアレイ、52 開口、60 ブランキング部、62 開口、62a 第1の開口、62b 第2の開口、64 ブランキング電極、64a 第1のブランキング電極、64b 第2のブランキング電極、66 共通電極、68 電極配線、69 中継端子、70 ストッピングプレート、72 開口、80 偏向部、90 外部記憶部、100 露光装置、110 ステージ部、114 検出部、120 カラム部、130 CPU、132 バス、140 露光制御部、150 記憶部、160 選択部、162 データ変換回路、164 ビーム選択回路、166 経過時間演算回路、170 照射制御部、172 駆動回路、180 偏向量決定部、182 偏向部駆動回路、190 走査制御部、192 ステージ駆動回路、200 照射可能領域、210 照射位置、220 領域、232 第1フレーム、234 第2フレーム、236 第3フレーム、400 グリッド、402 ラインパターン、410 第1パターン、412、414、416、418 パターン、420 第2パターン、422、424 パターン、430 第3パターン、432、434、436、438 パターン、500 アレイビーム、502 照射領域、800 グリッド、802、804、806 ラインパターン、810、820、830、832 カットパターン、900 配線パターン、1100 計測部、1120 基準電圧発生部、1140 比較部、1160 遅延量検出部、1710 タイミング調整部、1720 時間調整部

Claims (13)

  1. 試料上にパターンを露光する露光装置であって、
    複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、入力電圧に応じて試料上に対応する荷電粒子ビームを照射するか否かをそれぞれ切り替える複数のブランキング電極と、
    前記複数のブランキング電極のそれぞれに供給されるブランキング電圧を切り替えるための切替信号を出力する照射制御部と、
    前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する計測部と、
    を備える露光装置。
  2. 前記計測部は、
    基準電圧を発生する基準電圧発生部と、
    前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記切替信号の変化から、前記ブランキング電圧が前記基準電圧に達するまでの前記遅延量を検出する遅延量検出部と、
    を有する請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記基準電圧発生部は、前記基準電圧を順次変更して発生し、
    前記遅延量検出部は、前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記基準電圧が変更されたことに応じて、前記切替信号の変化から、前記ブランキング電圧が前記基準電圧に達するまでの前記遅延量を検出する
    請求項2に記載の露光装置。
  4. 前記照射制御部は、前記複数のブランキング電極のそれぞれに対する前記切替信号の出力タイミングを、個別に調整するタイミング調整部を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5. 前記タイミング調整部は、前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記ブランキング電圧が、予め定められたタイミングに予め定められた閾値電圧に達するように、前記切替信号の出力タイミングを個別に調整する請求項4に記載の露光装置。
  6. 前記複数のブランキング電極に対応して設けられ、それぞれのブランキング電極に対する切替信号に応じたブランキング電圧をそれぞれ出力する複数の駆動回路を備える請求項1から5のいずれか一項に記載の露光装置。
  7. 前記複数の駆動回路は、前記複数の駆動回路のそれぞれが出力するブランキング電圧の過渡時間を個別に調整する時間調整部を有する請求項6に記載の露光装置。
  8. 試料上にパターンを露光する露光装置で用いる方法であって、
    複数の荷電粒子ビームに対応して設けられ、入力電圧に応じて試料上に対応する荷電粒子ビームを照射するか否かをそれぞれ切り替える複数のブランキング電極のそれぞれに供給されるブランキング電圧を切り替えるための切替信号を出力する照射制御段階と、
    前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、切替信号の変化からブランキング電圧の変化までの遅延量を計測する計測段階と、
    を備える方法。
  9. 前記計測段階は、
    基準電圧を発生する基準電圧発生段階と、
    前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記切替信号の変化から、前記ブランキング電圧が前記基準電圧に達するまでの前記遅延量を検出する検出段階と、
    を有する請求項8に記載の方法。
  10. 前記基準電圧発生段階は、前記基準電圧を順次変更して発生し、
    前記検出段階は、前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記基準電圧が変更されたことに応じて、前記切替信号の変化から、前記ブランキング電圧が前記基準電圧に達するまでの前記遅延量を検出する
    請求項9に記載の方法。
  11. 前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記ブランキング電圧が、予め定められた閾値電圧になる時間を調整する調整段階をさらに備える請求項8から10のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記調整段階は、前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記切替信号の出力タイミングを個別に調整するタイミング調整段階を有する請求項11に記載の方法。
  13. 前記露光装置は、前記複数のブランキング電極に対応して設けられ、それぞれのブランキング電極に対する切替信号に応じたブランキング電圧をそれぞれ出力する複数の駆動回路を備え、
    前記調整段階は、前記複数のブランキング電極のそれぞれについて、前記複数の駆動回路のそれぞれが出力するブランキング電圧の過渡時間を個別に調整する時間調整段階を有する
    請求項11または12に記載の方法。
JP2015187045A 2015-09-24 2015-09-24 露光装置および露光方法 Withdrawn JP2017063101A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015187045A JP2017063101A (ja) 2015-09-24 2015-09-24 露光装置および露光方法
TW105123376A TWI623015B (zh) 2015-09-24 2016-07-25 Exposure device and exposure method
KR1020160095783A KR20170036595A (ko) 2015-09-24 2016-07-27 노광 장치 및 노광 방법
US15/221,600 US9977337B2 (en) 2015-09-24 2016-07-28 Exposure apparatus and exposure method
EP16181810.9A EP3147930B1 (en) 2015-09-24 2016-07-28 Exposure apparatus and exposure method
CN201610609096.0A CN106556975B (zh) 2015-09-24 2016-07-29 曝光装置及曝光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015187045A JP2017063101A (ja) 2015-09-24 2015-09-24 露光装置および露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017063101A true JP2017063101A (ja) 2017-03-30

Family

ID=56555288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015187045A Withdrawn JP2017063101A (ja) 2015-09-24 2015-09-24 露光装置および露光方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9977337B2 (ja)
EP (1) EP3147930B1 (ja)
JP (1) JP2017063101A (ja)
KR (1) KR20170036595A (ja)
CN (1) CN106556975B (ja)
TW (1) TWI623015B (ja)

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4185171B2 (ja) * 1997-04-10 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置
JPH10289843A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
JP2001304840A (ja) 2000-04-26 2001-10-31 Advantest Corp 電子ビーム測長装置及び測長方法
JP4251784B2 (ja) * 2001-04-09 2009-04-08 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、照射位置算出方法
JP2005183577A (ja) 2003-12-18 2005-07-07 Sony Corp 露光装置、露光方法、および半導体装置の製造方法
GB2414111B (en) 2004-04-30 2010-01-27 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced pattern definition for particle-beam processing
US7868300B2 (en) 2005-09-15 2011-01-11 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, sensor and measuring method
JP4769828B2 (ja) * 2008-02-28 2011-09-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子ビーム装置
EP3144955A1 (en) * 2009-05-20 2017-03-22 Mapper Lithography IP B.V. Method for exposing a wafer
JP5693981B2 (ja) 2011-01-20 2015-04-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2013016744A (ja) 2011-07-06 2013-01-24 Canon Inc 描画装置及びデバイスの製造方法
WO2013028066A1 (en) 2011-07-11 2013-02-28 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system and method for storing positional data of a target
JP2013041980A (ja) * 2011-08-15 2013-02-28 Canon Inc 荷電粒子線描画装置及び物品の製造方法
EP2575159B1 (en) * 2011-09-30 2016-04-20 Carl Zeiss Microscopy GmbH Particle beam system and method for operating the same
TWI477925B (zh) 2011-10-04 2015-03-21 Nuflare Technology Inc Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method
JP6087506B2 (ja) 2012-01-31 2017-03-01 キヤノン株式会社 描画方法及び物品の製造方法
JP2013161990A (ja) * 2012-02-06 2013-08-19 Canon Inc 描画装置および物品の製造方法
JP5956797B2 (ja) 2012-03-22 2016-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3147930A1 (en) 2017-03-29
TWI623015B (zh) 2018-05-01
US20170090298A1 (en) 2017-03-30
EP3147930B1 (en) 2019-03-20
KR20170036595A (ko) 2017-04-03
CN106556975A (zh) 2017-04-05
CN106556975B (zh) 2018-06-29
TW201721698A (zh) 2017-06-16
US9977337B2 (en) 2018-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9299533B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus utilizing multiple staged mutually orthogonal beam blankers
KR102207024B1 (ko) 노광 장치 및 노광 방법
TWI613525B (zh) 曝光裝置及曝光方法
KR101832177B1 (ko) 소자, 노광 장치 및 제조 방법
US9536705B2 (en) Method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus
JP2017063101A (ja) 露光装置および露光方法
JP5432630B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置、偏向器間のタイミング調整方法、及び偏向アンプの故障検出方法
JP5525352B2 (ja) 偏向アンプの評価方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP2014041862A (ja) 荷電粒子ビーム補正方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP2014038945A (ja) ビームドリフトの補正間隔パターンの設定方法、荷電粒子ビーム描画装置の部品メンテナンスの実施時期判定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180806

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20190201