JP2009198981A - 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 特別な回路を設けることなく、より高精細な多階調表示を実現すること。
【解決手段】 アリティブマトリクス型液晶表示装置において、画素回路内に設けられるスイッチ素子ＳＷ１またはデータ線ドライバ２００の出力部に設けられるサンプル・ホールド回路（スイッチ素子ＳＷ２）をＣＭＯＳトランスミッションゲートで構成する。ＣＭＯＳトランスミッションゲートの寄生容量に起因して生じるフィードスルー電圧が、常に画像信号の絶対値を増大させる方向に生じるように、画像信号の極性に応じて、トランスミッションゲートを構成するＰＭＯＳトランジスタＭＰ１またはＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のいずれか一方を駆動する。フィードスルー電圧の電圧値を、電圧−透過率特性の不感領域の電圧に一致するように調整する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置（例えば、液晶表示装置）および電子機器等に関する。

液晶表示装置等における画素電圧の変動要因として、フィードスルーの発生が知られている（特許文献１参照）。フィードスルーは、画素のスイッチングトランジスタ（例えば、ＮＭＯＳトランジスタ）がオン状態からオフ状態に遷移する際に、走査線の電圧の変化が、ゲート・ドレイン間の寄生容量を経由して画素電極に伝わることによって生じる。

また、特許文献２には、画素に設けられるスイッチング素子として、ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲート（ＣＭＯＳトランスミッションゲート）を用いた技術が開示されている。特許文献２の技術では、ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタを同時に駆動することで、電圧振幅を低く抑え、消費電力を低減している。

また、特許文献３には、液晶の非直線性についての記載がある。液晶に電圧が印加されると、液晶の透過率が変化するが、液晶には、所定の電圧以上を印加しないと透過率が０を超えないという性質がある。印加電圧を増大させても液晶の透過率が変化しない領域を不感領域という。従来は、不感領域を含めた電圧領域で液晶表示装置を駆動している。
特開平５−２２４２３５号公報 特開平７−１６８１５５号公報 特開平８−２７２３３８号公報

図８（Ａ）および図８（Ｂ）は、液晶表示装置の不感領域ならびに従来技術の課題について説明するための図である。図８（Ａ）は、ノーマリブラックモードの液晶のＶ−Ｔ（電圧−透過率）特性を示している。液晶表示装置においては、電源投入時から所定の電圧ＶＭに達するまで透過率が０から変化しないため、この電圧領域を不感領域といい、透過率が０を超えてから１００％に達するまでの電圧Ｖｏｎに達するまでの電圧領域を有効領域という。

図８（Ｂ）を用いて、階調表示と印加電圧の関係について説明する。印加電圧が０ＶからＶＭに達するまでの不感領域においては、透過率が０であるから無効電圧となり、画素表示はブラックのまま変化しない。電圧ＶＭからＶｏｎまでの有効領域においては、所定の電圧幅でそれぞれの画素において階調表示を行い、例えば、２５６階調であれば、電圧ＶＭからＶｏｎの間の電圧を２５６分割し、図に示すように、それぞれＶ１，Ｖ２，・・・，Ｖ２５６の階調で表示する。

このように、従来は、データ線に印加される画像信号において、無効な電圧部分が存在し、階調を刻むための有効領域が小さくなり、実質的にダイナミックレンジが制限されていた。

本発明はこのような考察に基づいてなされたものである。本発明の幾つかの実施形態によれば、画素に設けられるスイッチング素子としてＣＭＯＳトランスミッションゲートを用い、画素回路の駆動に際して、寄生容量の影響によって必然的に生じるフィードスルー電圧を積極的に有効利用することにより、特別な回路を設けることなく、より高精細な多階調表示を実現することができる。

（１）本発明の電気光学装置の駆動回路の一態様では、複数の画素を有する電気光学装置の駆動回路であって、データ線と前記複数の画素の各々における画素電極との間に設けられる第１のスイッチ回路と、前記画素の各々に供給するための画像信号を伝達するビデオ信号線と前記データ線との間に設けられる第２のスイッチ回路と、を有し、前記第１のスイッチ回路および前記第２のスイッチ回路の少なくとも一方は、ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成され、前記第１のスイッチ回路および第２のスイッチ回路のいずれかにおいて、前記画像信号の所定電位を基準とした極性に応じて、前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動する。

アクティブマトリクス型電気光学装置において、各画素にＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを設けて、データ線を介して各画素に供給される、交流の画像信号の極性に応じて（例えば、Ｖｃｏｍを中心として正極性であるか負極性であるかに応じて）、画素電極（液晶の電極）に印加される電圧の絶対値が増大するように、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせることで、高精細な画像表示を行うことが可能となる。

（２）本発明の電気光学装置の駆動回路の他の態様では、前記ＰＭＯＳトランジスタまたは前記ＮＭＯＳトランジスタの駆動に伴うフィードスルー電圧が前記画像信号に重畳された場合に、前記画像信号の絶対値が増大するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよび前記ＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動する。

データ線駆動回路の出力段に設けられるサンプル・ホールド回路にトランスミッションゲートを設けて、同様に、画像信号の極性に対応させて、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせることでも、高精細な画像表示を行うことが可能となる。

（３）本発明の電気光学装置の駆動回路の他の態様では、前記電気光学装置は液晶表示装置であり、前記フィードスルー電圧は、液晶の電圧−透過率特性における不感領域の電圧に対応する。

フィードスルー電圧量と液晶Ｖ−Ｔ特性の不感領域電圧を一致させることにより、不感領域の電圧を自動的に発生させることができ、データ線駆動回路の内部において、Ｄ／Ａ変換器を用いて多階調の画像信号（データ線に供給するデータ線信号）を生成する際に、Ｄ／Ａ変換器は、不感領域の電圧を考慮する必要がない。つまり、Ｄ／Ａ変換器は、利用できる最大の電圧幅を全部、階調を刻むために使用することができるため、実質的に、画像信号のダイナミックレンジが拡大し、より高精細な画像表示が実現される電気光学装置の駆動回路を精度高くかつ安価に構成することが可能となる。

（４）本発明の電気光学装置の駆動回路の他の態様では、前記複数の画素の各々は、前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成される前記第１のスイッチと、前記第１のスイッチの一端に接続される少なくとも一つの容量と、を含み、前記第１のスイッチを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々の前記ゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して生じるフィードスルー電圧が、前記不感領域の電圧に対応するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々のゲート・ドレイン間の寄生容量の容量値および前記第１のスイッチの一端に接続される少なくとも一つの容量の容量値の少なくとも一つが調整されている。

フィードスルー電圧は、例えば、液晶容量と、保持容量と、トランスミッションゲートを構成するトランジスタのゲート・ドレイン間容量との比と、トランスミッションゲートを駆動する走査線の駆動振幅（走査線に印加される電圧の電圧振幅）によって定まる。上記の各パラメータのうちの少なくとも一つを調整し、適切な値に設定することによって、フィードスルー電圧を、不感領域の電圧に一致させることができる。不感領域の電圧が液晶の種類によって変動したとしても、その変動は、上記の各パラメータの値の調整によって吸収される。よって、データ線駆動回路に含まれるＤ／Ａ変換器の負担は、何ら生じない。

（５）本発明の電気光学装置の駆動回路の他の態様では、前記第２のスイッチ回路は前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成され、前記第２のスイッチを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して生じるフィードスルー電圧が、前記不感領域の電圧に対応するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々のゲート・ドレイン間の寄生容量の容量値および前記第２のスイッチの一端に接続される少なくとも一つの容量の容量値の少なくとも一つが調整されている。

フィードスルー電圧は、例えば、データ線容量と、トランスミッションゲートを構成するトランジスタ（サンプルホールドトランジスタ）のゲート・ドレイン間容量との比と、サンプルホールドトランジスタの制御電圧の振幅（サンプルホールドトランジスタのゲートに印加される電圧の振幅）とによって定まる。上記の各パラメータのうちの少なくとも一方を調整し、適切な値に設定することによって、フィードスルー電圧を、不感領域の電圧に一致させることができる。

（６）本発明の電気光学装置の駆動回路の他の態様では、前記第１のスイッチ回路は、少なくとも一本の走査線によって駆動されるトランスファースイッチであり、前記第２のスイッチ回路は、前記ビデオ信号線の画像信号をサンプリングしてホールドするサンプル・ホールド回路である。

サンプル・ホールド回路を利用して液晶の不感領域の電圧を自動的に発生させることができるため、特別な回路を設ける必要がなく、液晶表示装置等の小型化が実現される。

（７）本発明の電気光学装置の駆動方法の一態様では、複数の画素を有すると共に、データ線と前記複数の画素の各々における画素電極との間に設けられる第１のスイッチ回路と、前記画素の各々に供給するための画像信号を伝達するビデオ信号線と前記データ線との間に設けられる第２のスイッチ回路と、を有し、かつ、前記第１のスイッチ回路および前記第２のスイッチ回路の少なくとも一方は、ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成される電気光学装置の駆動方法であって、前記第１のスイッチ回路および第２のスイッチ回路のいずれかにおいて、前記画像信号の所定電位を基準とした極性に応じて、前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動する。

各画素にＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを設けて、データ線を介して各画素に供給される、交流の画像信号の極性に応じて（例えば、Ｖｃｏｍを中心として正極性であるか負極性であるかに応じて）、画素電極（液晶の電極）に印加される電圧の絶対値が増大するように、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせることで、高精細な画像表示を行うことが可能となる。

（８）本発明の電気光学装置の駆動方法の他の態様では、前記ＰＭＯＳトランジスタまたは前記ＮＭＯＳトランジスタの駆動に伴うフィードスルー電圧が前記画像信号に重畳された場合に、前記画像信号の絶対値が増大するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよび前記ＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動する。

データ線駆動回路の出力段に設けられるサンプル・ホールド回路において、同様に、画像信号の極性に対応させて、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせることでも、高精細な画像表示を行うことが可能となる。

（９）本発明の電気光学装置の駆動方法の他の態様では、前記電気光学装置は液晶表示装置であり、前記フィードスルー電圧は、液晶の電圧−透過率特性における不感領域の電圧に対応する。

フィードスルー電圧量と液晶Ｖ−Ｔ特性の不感領域電圧を一致させることにより、不感領域の電圧を自動的に発生させることができ、データ線駆動回路の内部において、Ｄ／Ａ変換器を用いて多階調の画像信号（データ線に供給するデータ線信号）を生成する際に、Ｄ／Ａ変換器は、不感領域の電圧を考慮する必要がない。つまり、Ｄ／Ａ変換器は、利用できる最大の電圧幅を全部、階調を刻むために使用することができるため、実質的に、画像信号のダイナミックレンジが拡大し、より高精細な画像表示が実現される電気光学装置の駆動回路を精度高くかつ安価に構成することが可能となる。

（１０）本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置の駆動回路を有する。
本発明の電気光学装置の駆動回路を用いると、特別な回路を付加することなく、より高精細な多階調表示を実現することができる。よって、小型、低消費電力であり、かつ高精細な多階調表示が可能な電気光学装置を実現することができる。

（１１）本発明の電子機器は、本発明の電気光学装置を搭載する。

本発明の電子機器は、小型、低消費電力であり、かつ高精細な多階調表示が可能という優れた特性をもつ。よって、電子機器の性能が向上する。本発明の電気光学装置は、例えば、携帯電話、低消費電力のノート型パーソナルコンピュータ、反射型プロジェクタ等の電子機器に搭載することが可能である。

次に、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成のすべてが、本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
（第１の実施形態）

まず、本発明の液晶表示装置の駆動回路の構成について説明する。図１は、第１の実施形態を示す液晶表示装置の要部構成図である。

図１では、画素部はアクティブマトリクス構成であるとともに、走査線ドライバ１００と互いに逆相駆動される一対の走査線で接続され、一対の走査線のうち第１の走査線ＷＬには第1の駆動電圧ＶＧ、第２の走査線／ＷＬには第２の駆動電圧／ＶＧが供給され、データ線ドライバ２００と接続されたデータ線ＤＬには駆動電圧ＶＤが供給される。そして、第１の走査線ＷＬ、第２の走査線／ＷＬ、データ線ＤＬの交点に、画素回路Ｇが設けられている。

各画素回路Ｇには、第1のスイッチＳＷ１としてＣＭＯＳトランジスタにより構成されるトランスミッションゲートが設けられている。例えば、第１のスイッチＳＷ１はｍ本目のデータ線ＤＬｍと接続されているとともに、互いに逆相駆動される一対の走査線、例えば、ｎ本目の第１の走査線ＷＬｎ，ｎ本目の第２の走査線／ＷＬｎと接続されている。すなわち、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のゲートは第１の走査線ＷＬｎと、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のゲートは第２の走査線／ＷＬｎと、接続されている。また、データ線ＤＬｍは、交流の画像信号が入力されるデータ線ドライバ２００と接続され、データ線ドライバ２００から出力される画像信号の電圧（データ線駆動電圧）ＶＤｍが供給される。なお、以下の説明では、ＶＤｍを、単に駆動電圧という場合がある。ここで、データ線駆動電圧ＶＤｍは、液晶層へ印加する電圧を交流化するために、基準電圧ＶＣＯＭに対して定期的に極性が変化するものであって、例えば、基準電位ＶＣＯＭよりも信号レベルが高いときは正極性、低いときは負極性という。

データ線ドライバ２００は、交流信号である画素データを受けてデジタルアナログ変換するＤ／Ａ変換回路２０２と、アナログ化された画素データを入力とし、サンプル・ホールド制御信号Ｐｓｈによりオン／オフが制御されるサンプル・ホールド回路を有し、このサンプル・ホールド回路を第２のスイッチＳＷ２として使用する。そして、第２のスイッチＳＷ２からデータ線駆動電圧ＶＤｍが、データ線ＤＬｍに出力される。

また、第１のスイッチＳＷ１においては、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１またはＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のゲート・ドレイン間に寄生容量Ｃｇｄが存在する。この寄生容量Ｃｇｄに起因して必然的にフィードスルー電圧が生じる。このフィードスルー電圧により、各トランジスタのドレイン電位、すなわち液晶ＣＬへの入力に影響を及ぼすが、本発明においてはこのフィードスルー電圧を積極的に利用する。

図1に示す本発明の液晶表示装置の駆動回路では、図２〜図４に示すように、フィードスルー電圧を有効に利用する。図２にフィードスルー電圧を説明するための図を示す。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、電圧が下降する方向に働くフィードスルー電圧（以下プッシュダウン電圧という場合がある）を説明するための図である。

図２（Ａ）では、画素部のスイッチングトランジスタとして、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１を単独で使用している。先に述べたように、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がオン状態からオフ状態に遷移する瞬間にゲート・ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄに起因してプッシュダウン電圧が生じる。

図２（Ｂ）には、図２（Ａ）における寄生容量Ｃｇｄ、液晶ＣＬ、保持容量Ｃｓｔの等価回路が示されている。すなわち、並列接続された保持容量Ｃｓｔおよび液晶ＣＬは、容量Ｃｓｔ＋ＣＬであって、この容量は寄生容量Ｃｇｄと直列接続されている。そして、寄生容量Ｃｇｄの一端には第１の走査線ＷＬｎに供給される第１の駆動電圧ＶＧｎ、容量Ｃｓｔ＋ＣＬの一端には共通電位Ｖｃｏｍが供給されている。よって、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がオン状態からオフ状態に遷移する際に、容量Ｃｓｔ＋ＣＬにはプッシュダウン電圧ΔＶｐｄが生じる。

図２（Ｃ）のタイミング図を用いて、プッシュダウン電圧ΔＶｐｄについて詳細に説明する。

図２（Ｃ）に示すように、時刻ｔ０において、第１の走査線ＷＬｎに第１の駆動電圧ＶＧｎ、データ線ＤＬｍに正極性駆動電圧ＶＤｍがそれぞれ印加されることにより、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１はオンし、第１の走査線ＷＬｎに第１の駆動電圧ＶＧｎが印加され続ける時刻ｔ１までの間に、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレイン電位（すなわち、保持容量Ｃｓｔ、液晶ＣＬが共通接続されるノードの電位であり、画素電極に印加される電圧である）ＶＱは、画像信号電圧まで上昇する。そして、時刻ｔ１で第１の走査線ＷＬｎに第１の駆動電圧ＶＧｎが供給されなくなるとともに、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がオン状態からオフ状態に遷移することで、ドレイン電位ＶＱの電位は、プッシュダウン電圧ΔＶｐｄ分、瞬時に降下する。

時刻ｔ１〜ｔ２においては、保持されていた正電荷がリークによって微量ずつ抜けていくため、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレイン電位は緩やかに降下する。

時刻ｔ２に先立ってデータ線ＤＬｍに負極性駆動電圧ＶＤｍが供給され、時刻ｔ２で第１の走査線ＷＬｎに第１の駆動電圧ＶＧｎが供給されることで、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がオンし、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレイン電位ＶＱは、画像信号電圧まで下降する。そして、時刻ｔ３で第１の走査線ＷＬｎに第１の駆動電圧ＶＧｎが供給されなくなるとともに、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１はオン状態からオフ状態に遷移し、ドレイン電位ＶＱは、プッシュダウン電圧ΔＶｐｄ分だけ一気に降下する。

そして、時刻ｔ３以降は、保持されていた負電荷がリークによって微量ずつ抜けていくため、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のドレイン電位は緩やかに上昇する。

このように、単独のＮＭＯＳトランジスタＭＮ１をスイッチング素子として用いる場合、データ線駆動電圧ＶＤｍが負電圧のときに、プッシュダウン電圧によりドレイン電位ＶＱの絶対値は、正電圧のデータ線駆動電圧ＶＤｍが供給されているときよりも大きくなる。すなわち、時刻ｔ１におけるドレイン電位ＶＱの絶対値よりも、時刻ｔ３におけるドレイン電位ＶＱの絶対値のほうが大きい。

次に、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）を用いて、画素部のスイッチング素子として、ＰＭＯＳトランジスタを単独で使用した場合における、フィードスルー電圧の発生について説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、電圧が上昇する方向に働くフィードスルー電圧（以下プッシュアップ電圧という場合がある）を説明するための図である。簡単のため、図２と同様の構成については説明を省略する。先に述べたように、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオン状態からオフ状態に遷移する瞬間にゲート・ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄに起因してフィードスルー電圧（プッシュアップ電圧）が生じる。

図３（Ｂ）には、図３（Ａ）における寄生容量Ｃｇｄ、液晶ＣＬ、保持容量Ｃｓｔの等価回路が示されている。そして、寄生容量Ｃｇｄの一端には第２の走査線／ＷＬｎに供給される第２の駆動電圧／ＶＧｎ、容量Ｃｓｔ＋ＣＬの一端には共通電位Ｖｃｏｍが供給されている。よって、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオン状態からオフ状態に遷移することにより、容量Ｃｓｔ＋ＣＬにはプッシュアップ電圧ΔＶｐｐが印加される。

図３（Ｃ）のタイミング図を用いて、プッシュアップ電圧ΔＶｐｐについて詳細に説明する。

図３（Ｃ）に示すように、時刻ｔ０において、第２の走査線／ＷＬｎに第２の駆動電圧／ＶＧｎ、データ線ＤＬｍに正極性駆動電圧ＶＤｍがそれぞれ印加されることにより、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１はオンし、第２の走査線／ＷＬｎに第２の駆動電圧／ＶＧｎが印加され続ける時刻ｔ１までの間に、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレイン電位ＶＱは、画像信号電圧まで上昇する。そして、時刻ｔ１で第２の走査線／ＷＬｎに第２の駆動電圧／ＶＧｎが供給されなくなるとともに、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオン状態からオフ状態に遷移することで、ドレイン電位ＶＱは、プッシュアップ電圧ΔＶｐｐ分、瞬時に上昇する。

時刻ｔ１〜ｔ２においては、保持されていた正電荷がリークによって微量ずつ抜けていくため、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレイン電位は緩やかに上昇する。

時刻ｔ２に先立ってデータ線ＤＬｍに負極性駆動電圧ＶＤｍが供給され、時刻ｔ２で第２の走査線／ＷＬｎに第２の駆動電圧／ＶＧｎが供給されることで、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオンし、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレイン電位ＶＱは、画像信号電圧まで下降する。そして、時刻ｔ３で第２の走査線／ＷＬｎに第２の駆動電圧／ＶＧｎが供給されなくなるとともに、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオン状態からオフ状態に遷移することで、ドレイン電位ＶＱは、プッシュアップ電圧ΔＶｐｐ分だけ一気に上昇する。

そして、時刻ｔ３以降は、保持されていた負電荷がリークによって微量ずつ抜けていくため、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレイン電位は緩やかに上昇する。

このように、単独のＰＭＯＳトランジスタＭＰ１をスイッチング素子として用いる場合、データ線駆動電圧ＶＤｍが正電圧のときに、プッシュアップ電圧によりドレイン電位ＶＱの絶対値は、負電圧のデータ線駆動電圧ＶＤｍが供給されているときよりも大きくなる。すなわち、時刻ｔ３におけるドレイン電位ＶＱの絶対値よりも、時刻ｔ１におけるドレイン電位ＶＱの絶対値のほうが大きい。

このように、フィードスルー電圧は、画素のスイッチング素子としてＮＭＯＳトランジスタを使用する場合、ＰＭＯＳトランジスタを使用する場合の双方において、必然的に生じるが、フィードスルー電圧が生じる方向は逆である。そして、ＣＭＯＳトランスミッションゲートは、ＮＭＯＳトランジスタおよびＰＭＯＳトランジスタで構成されており、駆動方式を変更すれば、一方のトランジスタのみを単独で駆動することも可能である。本発明では、これらの点に着目する。つまり、本実施形態では、フィードスルー電圧を積極的に利用して無効電圧をなくす（減少させる）ことで、特別な回路を用いることなく、Ｄ／Ａ変換器のダイナミックレンジを拡大する。

すなわち、本実施の形態においては、図２、図３で説明した特性を利用して、各フレームにおいて、データ線駆動電圧の極性に応じて、ＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタのうちの一方を動作させるものであって、負極性のデータ信号書き込み時にはＮＭＯＳトランジスタのみを、正極性のデータ信号書き込み時にはＰＭＯＳトランジスタのみを選択的に動作させている。よって、各トランジスタにおけるゲート・ドレイン間容量Ｃｇｄと保持容量Ｃｓｔおよび液晶容量ＣＬの容量結合により、負極性駆動ではドレイン電位ＶＱはΔＶｐｄだけプッシュダウン、または正極性駆動ではドレイン電位ＶＱはΔＶｐｐだけプッシュアップをすることとなる。

つまり、データ線を介して各画素に供給される、交流の画像信号の極性に応じて（例えば、Ｖｃｏｍを中心として正極性であるか負極性であるかに応じて）、画素電極（液晶の電極）に印加される電圧の絶対値が増大するように、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせるものである。以下、図４を用いて説明する。

図４は、図１の液晶表示装置における主要な動作を説明するための波形図である。図４では、フレーム単位で駆動電圧の極性が反転する。図４では、液晶には負、正、負、正の順に駆動電圧が印加される。そして、トランスミッションゲートＳＷ１を構成する２つのトランジスタ（ＭＮ１，ＭＰ１）は、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１の順に、液晶の駆動電圧の極性に応じて、各々単独で駆動される。

図４では、例えば、時刻ｔ１０〜時刻ｔ２０の期間ならびに時刻ｔ５０〜時刻ｔ６０の期間において、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がオン状態となる。また、例えば、時刻ｔ３０〜時刻ｔ４０の期間ならびに時刻ｔ７０〜時刻ｔ８０の期間において、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオン状態となる。そして、上述のとおり、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１がオン状態からオフ状態に移行する際にはプッシュダウン電圧ΔＶｐｄが生じ、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１がオン状態からオフ状態に移行する際にはプッシュアップ電圧ΔＶｐｐが生じる。

したがって、正極性の区間では、正極性の駆動電圧（すなわち、データ線を経由して供給される正極性の画像信号ＶＤｍ）に、正極性のプッシュアップ電圧ΔＶｐｐが加算され、よって、駆動電圧（画像信号）の絶対値が増大する。このとき、プッシュアップ電圧ΔＶｐｐの電圧レベルが液晶の不感領域の電圧と一致している（少なくとも近似している）ならば、不感領域に相当する電圧が、駆動電圧に自動的に加算されたことになる。したがって、データ線駆動回路２００は、駆動電圧の発生に際して、不感領域の電圧を考慮する必要がなくなる。すなわち、データ線ドライバ２００内に設けられるＤ／Ａ変換器２０２において、無効な電圧領域がなくなり、ダイナミックレンジが拡大される。

同様に、負極性の駆動電圧（すなわち、データ線を経由して供給される負極性の画像信号ＶＤｍ）に、負極性のプッシュダウン電圧ΔＶｐｄが加算され、よって、駆動電圧（画像信号）の絶対値が増大する。このとき、プッシュダウン電圧ΔＶｐｄの電圧レベルが液晶の不感領域の電圧と一致している（少なくとも近似している）ならば、不感領域に相当する電圧が、駆動電圧に自動的に加算されたことになる。したがって、データ線駆動回路２００は、駆動電圧の発生に際して、不感領域の電圧を考慮する必要がなくなる。すなわち、データ線ドライバ２００内に設けられるＤ／Ａ変換器２０２において、無効な電圧領域がなくなり、ダイナミックレンジが拡大される。

次に、ΔＶｐｄ、ΔＶｐｐを、液晶の不感領域に対応する電圧に調整する方法について説明する。

フィードスルー電圧は、例えば、液晶容量と、保持容量と、トランスミッションゲートを構成するトランジスタのゲート・ドレイン間容量との比と、トランスミッションゲートを駆動する走査線の駆動振幅（走査線に印加される電圧の電圧振幅）によって定まる。上記の各パラメータのうちの少なくとも一つを調整し、適切な値に設定することによって、フィードスルー電圧を、不感領域の電圧に一致させることができる。

すなわち、ΔＶｐｄは、下記の式（１）で表される。また、ΔＶｐｐは、下記の式（２）で表される。
ΔＶｐｄ＝Ｃｇｄ×ＶＧ／（Ｃｓｔ＋ＣＬ＋Ｃｇｄ）・・・（１）
ΔＶｐｐ＝Ｃｇｄ×（／ＶＧ）／（Ｃｓｔ＋ＣＬ＋Ｃｇｄ）・・・（２）
ここで、Ｃｇｄは寄生容量、ＶＧは第１の走査線駆動電圧、／ＶＧは第２の走査線駆動電圧、ＣＳｔは保持容量、ＣＬは液晶容量である。

ΔＶｐｄ、ΔＶｐｐが、液晶のＶ−Ｔ特性における不感領域電圧となるようにゲート・ドレイン間容量Ｃｇｄと保持容量Ｃｓｔおよび液晶容量ＣＬの容量比を適切な値に調整することにより、データ線駆動回路２００においては、Ｖ−Ｔ特性の有効領域のみを制御すればよくなり、ダイナミックレンジを大きくすることができ、安定した多階調表示が可能となる。

また、不感領域の電圧が液晶の種類によって変動したとしても、その変動は、上記の各パラメータの値の調整によって吸収される。よって、データ線駆動回路２００に含まれるＤ／Ａ変換器２０２の負担は、何ら生じない。

図５は、図１の液晶表示装置における効果を説明するための図である。図５に（Ａ）においては、データ線ドライバに着目し、画像データの入力とデータ線への信号送出について説明する。

Ｄ／Ａ変換器２０２は、階調電圧Ｖ１〜Ｖ２５６の中から、画像データに対応した階調電圧を選択してアナログ信号に変換して出力し、サンプル・ホールド信号Ｐｓｈによりオン／オフが制御されるサンプル・ホールド回路、すなわち第２のスイッチＳＷ２に伝達して、第２のスイッチＳＷ２がオンされたときに画像信号ＶＤｍとしてデータ線ＤＬに供給する。

ここで、図５（Ｂ）を用いて従来の駆動回路、図５（Ｃ）に図１の駆動回路を使用した場合の階調電圧について説明する。図５（Ｂ）においては、図８において説明したように、無効電圧が存在するため、各階調電圧における電圧幅が狭い。しかし、図５（Ｃ）に示す図１の駆動回路においては、無効電圧が存在せず、０Ｖ〜Ｖｏｎがすべて有効電圧となるため、同じ階調表示を行っても、各階調電圧における電圧幅が広いので、ダイナミックレンジが拡大し、より高精細な画像表示が可能となる。

このように、実施の形態１の液晶表示装置においては、トランスミッションゲートの片側のトランジスタをオン状態からオフ状態に遷移させたときに生じるフィードスルー電圧（プッシュアップ電圧およびプッシュダウン電圧）を、液晶の不感領域幅に対応する電圧（不感領域の電圧）に一致させる。これによって、不感領域の電圧を自動的に発生させることができる。データ線駆動回路の内部において、Ｄ／Ａ変換器を用いて多階調の画像信号（データ線に供給するデータ線信号）を生成する際に、Ｄ／Ａ変換器は、不感領域の電圧を考慮する必要がない。つまり、Ｄ／Ａ変換器は、利用できる最大の電圧幅を全部、階調を刻むために使用することができるため、実質的に、画像信号のダイナミックレンジが拡大し、より高精細な画像表示が実現される。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、画素に設けられるトランスミッションゲートを構成するトランジスタのフィードスルー電圧を積極的に利用したが、本実施形態では、液晶表示装置におけるサンプル・ホールド回路のトランスミッションゲート（図１の第２のスイッチＳＷ２）を構成するトランジスタのフィードスルー電圧を利用する。

図６は、第２の実施形態における液晶表示装置の要部の構成を示す図である。図６において、図１と同様の回路については詳細な説明を省略する。

図６においては、サンプル・ホールド回路として機能しているトランスミッションゲートの寄生容量を利用して、フィードスルー電圧を調整する。データ線ドライバ２００においては、Ｄ／Ａ変換回路２０２の出力側にビデオ線Ｌｅが接続され、第１のサンプル・ホールド制御線Ｌｆ、第２のサンプル・ホールド制御線／Ｌｆとそれぞれ接続されるサンプル・ホールド回路、すなわち、本発明における第２のスイッチＳＷ２を有する。ここで、第１のサンプル・ホールド制御線Ｌｆには第１のサンプル・ホールド制御信号Ｐｓｈ、第２のサンプル・ホールド制御線／Ｌｆには第２のサンプル・ホールド制御信号／Ｐｓｈが供給される。

第２のスイッチＳＷ２は、ソース・ドレインが共通接続されたＮＭＯＳトランジスタＭＮ２およびＰＭＯＳトランジスタＰＭ２により構成され、各トランジスタの共通ソースはビデオ線Ｌｅと接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ２のゲートは第１のサンプル・ホールド制御線Ｌｆ、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ２のゲートは第２のサンプル・ホールド制御線／Ｌｆ、各トランジスタの共通ドレインはデータ線ＤＬｍと接続される。また、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ２ないしＰＭＯＳトランジスタＭＰ２には、ゲート・ドレイン間には寄生容量Ｃｇｄが存在し、これに起因して、フィードスルー電圧が発生する。

第２の実施形態においては、サンプル・ホールド回路として機能しているトランスミッションゲートの寄生容量Ｃｇｄを利用して、フィードスルー電圧を調整する。

ここで、データ線の寄生容量Ｃｓとトランスミッションゲートのゲート・ドレイン間容量Ｃｇｄの容量比に応じて、下記の式（３）、式（４）で表されるプッシュダウン電圧ΔＶｐｄならびにプッシュアップ電圧ΔＶｐｐが生じる。
ΔＶｐｄ＝Ｃｇｄ×Ｖｓｈ／（Ｃｓ＋Ｃｇｄ）・・・（３）
ΔＶｐｐ＝Ｃｄｇ×（／Ｖｓｈ）／（Ｃｓ＋Ｃｇｄ）・・・（４）
そして、第１の実施形態と同様に、ΔＶｐｄならびにΔＶｐｐが、液晶のＶ−Ｔ特性の不感領域電圧に一致するように（少なくともその近傍の電圧となるように）、容量比を調整する。なお、Ｖｓｈは第１のサンプル・ホールド制御信号Ｐｓｈまたは第２のサンプル・ホールド制御信号／Ｐｓｈに印加する電圧信号の振幅である。

本実施形態においても、図２、図３で説明した特性を利用して、各フレームにおいて、画像データの極性に応じて、第２のスイッチ２におけるＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタのうちの一方を動作させる。負極性のデータ信号書き込み時にはＮＭＯＳトランジスタＭＮ２のみを、正極性のデータ信号書き込み時にはＰＭＯＳトランジスタＭＰ２のみを選択的に動作させる。よって、各トランジスタにおけるゲート・ドレイン間容量Ｃｇｄとデータ線の寄生容量Ｃｓの容量結合により、負極性駆動ではドレイン電位ＶＱはΔｐｄだけプッシュダウン、または正極性駆動ではドレイン電位ＶＱはΔＶｐｐだけプッシュアップすることとなる。

つまり、画像信号の極性に応じて（例えば、Ｖｃｏｍを中心として正極性であるか負極性であるかに応じて）、画素電極（液晶の電極）に印加される電圧の絶対値が増大するように、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせるものである。

このように、第２の実施の形態の液晶表示装置においては、サンプル・ホールド回路として存在するトランスミッションゲートを第２のスイッチとして用い、第２のスイッチにおける片側のトランジスタをオン状態からオフ状態に遷移させたときに生じるフィードスルー電圧（プッシュアップ電圧およびプッシュダウン電圧）を、液晶の不感領域幅に対応する電圧（不感領域の電圧）に一致させる。これによって、不感領域の電圧を自動的に発生させることができる。よって、Ｄ／Ａ変換器を用いて多階調の画像信号（データ線に供給するデータ線信号）を生成する際に、Ｄ／Ａ変換器は、不感領域の電圧を考慮する必要がない。つまり、Ｄ／Ａ変換器は、利用できる最大の電圧幅を全部、階調を刻むために使用することができるため、実質的に、画像信号のダイナミックレンジが拡大し、より高精細な画像表示が実現される。

上述した第１の実施形態では、ΔＶｐｄ，ΔＶｐｐが液晶のＶ−Ｔ特性の不感領域電圧となるように画素トランジスタのゲート・ドレイン間容量Ｃｇｄと保持容量Ｃｓｔおよび液晶容量ＣＬの容量比を調整すると、開口率などに影響を与える場合がないとはいえないが、本実施形態の場合、そのような心配がなく、この点で有利である。

（第３の実施形態）
第３の実施の形態は、第２の実施形態の変形例である。図７に第３の実施形態の液晶表示装置の要部構成図を示す。

すなわち、図６の液晶表示回路と異なる部分は、第１のスイッチＳＷ１として、ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを用いる点である。図１の画素部と異なる部分は、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１とＰＭＯＳトランジスタＭＰ１を同時駆動させることである。そのため、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のオン／オフを制御するゲート電圧が供給される走査線ＷＬｎと入力が接続されるとともに、出力がＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のゲートと接続されるインバータＩＮＶが設けられている。このインバータＩＮＶは電源電圧ＶＤＤおよび接地電圧ＶＳＳと接続されている。

そして、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１およびＰＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレインが共通接続され、保持容量Ｃｓｔおよび液晶ＣＬと共通接続されている。

本実施形態においても、第２のスイッチＳＷ２を構成するＰＭＯＳトランジスタＭＰ２ならびにＮＭＯＳトランジスタＭＮ２は、画像信号ＶＤｍの電圧極性に応じて（例えば、Ｖｃｏｍを中心として正極性であるか負極性であるかに応じて）、画素電極（液晶の電極）に印加される電圧の絶対値が増大するように、いずれかが選択的にオンするように駆動される。一方、第１のスイッチＳＷ１を構成するＮＭＯＳトランジスタＭＮ１とＰＭＯＳトランジスタＭＰ１は同時に駆動されるため、各トランジスタがオン状態からオフ状態に遷移する瞬間に生じる各フィードスルー電圧は相殺され、問題とならない。

（第４の実施形態）
本実施形態では、本発明の電気光学装置を用いた電子機器について説明する。本実施形態では、携帯電話を例に挙げて説明する。

図９は、携帯電話の全体構成を示す斜視図である。携帯電話端末１３００は、筐体１３０６、複数の操作ボタンが設けられた操作部１３０２、画像や動画、文字などを表示する表示部を主体として構成されている。表示部には、上記第１〜３の実施形態に係る電気光学装置１３１０が搭載される。

上述のとおり、本発明の実施形態の液晶装置は、構成を簡素化できるという利点をもつ。よって、本発明の実施形態にかかる電気光学装置を搭載する携帯端末１３００も、小型かつローコストという利点を享受することができる。

本発明の電気光学装置では、基板として高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、アモルファスシリコン、単結晶シリコンのいずれを用いてもよい。

なお、本実施形態について詳述したが、本発明の新規事項および効果から逸脱しない範囲で、多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例は、すべて本発明に含まれるものとする。

以上説明したように、本発明の各実施形態によれば、例えば、以下の主要な効果を得ることができる。但し、本発明の液晶装置が、以下に記載のすべての効果を同時に生じさせる必要はなく、下記の効果の列挙が、本発明の不当な限定の根拠とされることはない。
（１）アクティブマトリクス型電気光学装置において、各画素にＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを設けて、データ線を介して各画素に供給される、画像信号の極性に応じて（例えば、Ｖｃｏｍを中心として正極性であるか負極性であるかに応じて）、「画素電極（液晶の電極）に印加される電圧の絶対値が増大するように」、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせる。具体的には、負極性のときは、ＮＭＯＳトランジスタをオンさせ、正極性のときは、ＰＭＯＳトランジスタをオンさせることで、自動的に発生するフィードスルー電圧を有効に利用することができ、液晶Ｖ−Ｔ特性における無効電圧領域をなくし、有効電圧領域のみで駆動することができるから、高精細に画像表示を行うことができる。
（２）データ線駆動回路の出力段に設けられるサンプル・ホールド回路にトランスミッションゲートを設けて、同様に、画像信号の極性に対応させて、トランスミッションゲートの片側のトランジスタのみをオンさせることで、データ線駆動回路側の既存の回路を利用して、フィードスルー電圧を利用して、有効電圧領域のみで駆動することができるから、高精細に画像表示を行うことができる。
（３）トランスミッションゲートの片側のトランジスタをオン状態からオフ状態に遷移させたときに生じるフィードスルー電圧（プッシュアップ電圧およびプッシュダウン電圧）を、液晶の不感領域幅に対応する電圧（不感領域の電圧）に一致させる。これによって、不感領域の電圧を自動的に発生させることができる。データ線駆動回路の内部において、Ｄ／Ａ変換器を用いて多階調の画像信号（データ線に供給するデータ線信号）を生成する際に、Ｄ／Ａ変換器は、不感領域の電圧を考慮する必要がない。つまり、Ｄ／Ａ変換器は、利用できる最大の電圧幅を全部、階調を刻むために使用することができるため、実質的に、画像信号のダイナミックレンジが拡大し、より高精細な画像表示が実現される。
（４）画素部のトランスミッションゲートを利用する場合には、フィードスルー電圧は、液晶容量と、保持容量と、トランスミッションゲートを構成するトランジスタのゲート・ドレイン間容量との比と、トランスミッションゲートを駆動する走査線の駆動振幅（走査線に印加される電圧の電圧振幅）によって定まる。上記の各パラメータのうちの少なくとも一つを調整し、適切な値に設定することによって、フィードスルー電圧を、不感領域の電圧に一致させることができる。不感領域の電圧が液晶の種類によって変動したとしても、その変動は、上記の各パラメータの値の調整によって吸収される。よって、データ線駆動回路に含まれるＤ／Ａ変換器の負担は、何ら生じない。
（５）サンプル・ホールド回路のトランスミッションゲートを利用する場合、フィードスルー電圧は、データ線容量と、トランスミッションゲートを構成するトランジスタ（サンプルホールドトランジスタ）のゲート・ドレイン間容量との比と、サンプルホールドトランジスタの制御電圧の振幅（サンプルホールドトランジスタのゲートに印加される電圧の振幅）と、によって定まる。上記の各パラメータのうちの少なくとも一つを調整し、適切な値に設定することによって、フィードスルー電圧を、不感領域の電圧に一致させることができる。

本発明は、電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置（例えば、液晶表示装置）および各種の電子機器等に用いて有用である。

第１の実施形態にかかる液晶表示装置の要部の構成を示す図 図２（Ａ）〜図２（Ｃ）はフィードスルー電圧（プッシュダウン電圧）を説明するための図 図３（Ａ）〜図３（Ｃ）はフィードスルー電圧（プッシュアップ電圧）を説明するための図 図１の液晶表示装置における主要な動作を説明するための波形図 図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、図１の液晶表示装置における効果を説明するための図 第２の実施形態における、液晶表示装置の要部の構成を示す図 第３の実施形態における、液晶表示装置の要部の構成を示す図 図８（Ａ），図８（Ｂ）は、液晶の電圧−透過率特性における不感領域について説明するための図 本発明の電気光学装置を搭載した電子機器の例を示す図

符号の説明

１００ 走査線ドライバ（走査線駆動回路）、
２００ データ線ドライバ（データ線駆動回路）、２０２ Ｄ／Ａ変換回路、
ＭＮ１，ＭＮ２ ＮＭＯＳトランジスタ、ＰＭ１，ＰＭ２ ＰＭＯＳトランジスタ、
Ｃｇｄ ゲート・ドレイン間容量、ＳＷ１ 第1のスイッチ、Ｃｓｔ 保持容量、
ＣＬ 液晶、ＷＬｎ 走査線、ＤＬｍ データ線、Ｇｎｍ 画素、
ＳＷ２ 第２のスイッチ、Ｃｓ データ線寄生容量（データ線容量）、
Ｌｆ 第１のサンプル・ホールド制御線、／Ｌｆ 第２のサンプル・ホールド制御線、
Ｌｅ ビデオ線、ＩＮＶ インバータ、１３００ 携帯電話端末、１３０２ 操作部、
１３０４ イヤホン、１３０６ 筐体、１３１０ 電気光学装置

Claims (11)

1. 複数の画素を有する電気光学装置の駆動回路であって、
   データ線と前記複数の画素の各々における画素電極との間に設けられる第１のスイッチ回路と、
   前記画素の各々に供給するための画像信号を伝達するビデオ信号線と前記データ線との間に設けられる第２のスイッチ回路と、を有し、
   前記第１のスイッチ回路および前記第２のスイッチ回路の少なくとも一方は、ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成され、
   前記第１のスイッチ回路および第２のスイッチ回路のいずれかにおいて、前記画像信号の所定電位を基準とした極性に応じて、前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
2. 請求項１記載の電気光学装置の駆動回路であって、
   前記ＰＭＯＳトランジスタまたは前記ＮＭＯＳトランジスタの駆動に伴うフィードスルー電圧が前記画像信号に重畳された場合に、前記画像信号の絶対値が増大するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよび前記ＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
3. 請求項２記載の駆動回路であって、
   前記電気光学装置は液晶表示装置であり、
   前記フィードスルー電圧は、液晶の電圧−透過率特性における不感領域の電圧に対応することを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
4. 請求項３記載の電気光学装置の駆動回路であって、
   前記複数の画素の各々は、前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成される前記第１のスイッチと、前記第１のスイッチの一端に接続される少なくとも一つの容量と、を含み、
   前記第１のスイッチを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々の前記ゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して生じるフィードスルー電圧が、前記不感領域の電圧に対応するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々のゲート・ドレイン間の寄生容量の容量値および前記第１のスイッチの一端に接続される少なくとも一つの容量の容量値の少なくとも一つが調整されていることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
5. 請求項３記載の電気光学装置の駆動回路であって、
   前記第２のスイッチ回路は前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成され、
   前記第２のスイッチを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々のゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して生じるフィードスルー電圧が、前記不感領域の電圧に対応するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタの各々のゲート・ドレイン間の寄生容量の容量値および前記第２のスイッチの一端に接続される少なくとも一つの容量の容量値の少なくとも一つが調整されていることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
6. 請求項１〜請求項５のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路であって、
   前記第１のスイッチ回路は、少なくとも一本の走査線によって駆動されるトランスファースイッチであり、
   前記第２のスイッチ回路は、前記ビデオ信号線の画像信号をサンプリングしてホールドするサンプル・ホールド回路であることを特徴とする電気光学装置の駆動回路。
7. 複数の画素を有すると共に、データ線と前記複数の画素の各々における画素電極との間に設けられる第１のスイッチ回路と、前記画素の各々に供給するための画像信号を伝達するビデオ信号線と前記データ線との間に設けられる第２のスイッチ回路と、を有し、かつ、前記第１のスイッチ回路および前記第２のスイッチ回路の少なくとも一方は、ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートで構成される電気光学装置の駆動方法であって、
   前記第１のスイッチ回路および第２のスイッチ回路のいずれかにおいて、前記画像信号の所定電位を基準とした極性に応じて、前記ＣＭＯＳ構成のトランスミッションゲートを構成するＰＭＯＳトランジスタおよびＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
8. 請求項７記載の電気光学装置の駆動方法であって、
   前記ＰＭＯＳトランジスタまたは前記ＮＭＯＳトランジスタの駆動に伴うフィードスルー電圧が前記画像信号に重畳された場合に、前記画像信号の絶対値が増大するように、前記ＰＭＯＳトランジスタおよび前記ＮＭＯＳトランジスタのいずれか一方を駆動することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
9. 請求項８記載の電気光学装置の駆動方法であって、
   前記フィードスルー電圧は、液晶の電圧−透過率特性における不感領域の電圧に対応することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
10. 請求項１〜請求項６のいずれかに記載の電気光学装置の駆動回路を有することを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０記載の電気光学装置を搭載することを特徴とする電子機器。

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