JPS6382177A - デイスプレイ装置 - Google Patents
デイスプレイ装置Info
- Publication number
- JPS6382177A JPS6382177A JP61227362A JP22736286A JPS6382177A JP S6382177 A JPS6382177 A JP S6382177A JP 61227362 A JP61227362 A JP 61227362A JP 22736286 A JP22736286 A JP 22736286A JP S6382177 A JPS6382177 A JP S6382177A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- signal
- nmij
- pmij
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 17
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 206010041235 Snoring Diseases 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば液晶表示素子を用いるディスプレイ装
置に関する。
置に関する。
本発明はディスプレイ装置に関し、相補型の素子を用い
て選択素子を形成することにより、信号選択の駆動信号
のレベルを小さくして装置の信頼性を向上させるように
するものである。
て選択素子を形成することにより、信号選択の駆動信号
のレベルを小さくして装置の信頼性を向上させるように
するものである。
例えば液晶表示素子を用いたアクティブマトリクス型の
ディスプレイ装置が種々提案されている。
ディスプレイ装置が種々提案されている。
すなわち第5図はその一例の要部の構成を示し、例えば
画像データ信号が1画素期間ごとに順次供給される水平
画素数分のデータ信号線Djと、1水平期間ごとに順次
駆動パルス信号が供給される走査線数分のアドレス信号
線Aiとが直交して設けられ、これらの各交点にダート
がアドレス信号線Afに接続されたMO8選択素子Mi
jが設けられ、データ信号線DJがこのMO8素子Mi
jのソースドレインを介して液晶表示素子C1jの一端
に接続される。なお液晶素子C1jの他端は共通のター
グツト端子Tに接続される。
画像データ信号が1画素期間ごとに順次供給される水平
画素数分のデータ信号線Djと、1水平期間ごとに順次
駆動パルス信号が供給される走査線数分のアドレス信号
線Aiとが直交して設けられ、これらの各交点にダート
がアドレス信号線Afに接続されたMO8選択素子Mi
jが設けられ、データ信号線DJがこのMO8素子Mi
jのソースドレインを介して液晶表示素子C1jの一端
に接続される。なお液晶素子C1jの他端は共通のター
グツト端子Tに接続される。
従ってこの装置において、任意のアドレス信号線Aj
K駆動(パルス)信号が供給されると、この信号線にデ
ートの接続された選択素子Mijが導通され、データ信
号線Dj K順次供給される画像データが順次液晶素子
Cijに供給される。これによっていわゆる面走査され
た画像データがマ)IJラックス状配された液晶素子C
ijにて表示される。
K駆動(パルス)信号が供給されると、この信号線にデ
ートの接続された選択素子Mijが導通され、データ信
号線Dj K順次供給される画像データが順次液晶素子
Cijに供給される。これによっていわゆる面走査され
た画像データがマ)IJラックス状配された液晶素子C
ijにて表示される。
ところでこの装置において、例えば液晶表示素子を駆動
する場合には、液晶の劣化等を防止する目的でいわゆる
交流駆動が行われる。すなわち第6図に示すように、例
えば1フイールド毎にデータ信号線Djに供給されるデ
ータ信号がターゲット端子Tの電位VTに対して反転さ
れる。
する場合には、液晶の劣化等を防止する目的でいわゆる
交流駆動が行われる。すなわち第6図に示すように、例
えば1フイールド毎にデータ信号線Djに供給されるデ
ータ信号がターゲット端子Tの電位VTに対して反転さ
れる。
ところがその場合に、MO8素子Mij のダートに供
給される駆動信号は、遮断時にデータ信号の最低電位V
Stよシ低く、導通時にデータ信号の最高電位VS2か
らさらに素子のスレショルド電圧vth分以上高いレベ
ルが必要とされる。従ってこの駆動信号の振幅は l VS2− VSI l + vthとなシ、この信
号の供給されるMO8素子Mijのダート耐圧を極めて
大きくする必要があった。またそれによって装置の信頼
性が低下されてしまっていた。
給される駆動信号は、遮断時にデータ信号の最低電位V
Stよシ低く、導通時にデータ信号の最高電位VS2か
らさらに素子のスレショルド電圧vth分以上高いレベ
ルが必要とされる。従ってこの駆動信号の振幅は l VS2− VSI l + vthとなシ、この信
号の供給されるMO8素子Mijのダート耐圧を極めて
大きくする必要があった。またそれによって装置の信頼
性が低下されてしまっていた。
さらに大レベルの駆動信号が用いられるためにいわゆる
クロックノイズによるラデイエーションの増加を生じ易
い。
クロックノイズによるラデイエーションの増加を生じ易
い。
ま7’jMO8素子の遮断時のフィードスルーノイズに
よる信号の保持電位の低下が生じやすいためにダイナミ
ックレンジの低下やそれによる画像のコントラストの不
足等のおそれがあった。
よる信号の保持電位の低下が生じやすいためにダイナミ
ックレンジの低下やそれによる画像のコントラストの不
足等のおそれがあった。
以上述べたように従来の技術では、大レベルの駆動信号
を用いるために、信頼性の低下やラディエーションの増
加、ダイナミックレンジの低下を生じやすいなどの問題
点があった。
を用いるために、信頼性の低下やラディエーションの増
加、ダイナミックレンジの低下を生じやすいなどの問題
点があった。
本発明は、垂直方向に延長されかつ平行に配設された複
数の第1の信号線Djと、水平方向に延長されかつ平行
に配設された複数の第2の信号線Aiとが設げられ、こ
れらの第1.第2の信号線の各交点にそれぞれ選択素子
Mijを介して画素電極Cijが設けられてなるディス
プレイ装置において、上記選択素子がそれぞれ1対の相
補型の素子NMij。
数の第1の信号線Djと、水平方向に延長されかつ平行
に配設された複数の第2の信号線Aiとが設げられ、こ
れらの第1.第2の信号線の各交点にそれぞれ選択素子
Mijを介して画素電極Cijが設けられてなるディス
プレイ装置において、上記選択素子がそれぞれ1対の相
補型の素子NMij。
PMijで形成されると共に、これらがそれぞれ逆極性
の駆動信号(AijQ)で駆動されるようにしたことを
特徴とするディスプレイ装置である。
の駆動信号(AijQ)で駆動されるようにしたことを
特徴とするディスプレイ装置である。
これkよれば、相補型の素子を用いて、入力信号の高電
位期間と低電位期間とがそれぞれ異なる型式の素子を通
じて選択されるようにしたことによって、これらの素子
に供給される駆動信号のレベルを入力信号の振幅に等し
い大きさまで低減することができる。
位期間と低電位期間とがそれぞれ異なる型式の素子を通
じて選択されるようにしたことによって、これらの素子
に供給される駆動信号のレベルを入力信号の振幅に等し
い大きさまで低減することができる。
第1図は配線図を示す。この図において、アドレス信号
線Aiが2本(Ai 、 ’に’i )ずつ設けられる
と共に、MO8選択素子MijがN型素子NMijとP
型素子PMijとの相補型の素子で構成され、これらの
素子NMijとPMijのダートがそれぞれ信号線Ai
とMとに接続される。そしてこれらの素子NMijとP
Mijとのソースドレイン間を通じてデータ信号線Dj
と液晶表示素子C1jの一端とが接続される。さらに液
晶素子C1jの他端は共通のターゲット端子Tに接続さ
れる。
線Aiが2本(Ai 、 ’に’i )ずつ設けられる
と共に、MO8選択素子MijがN型素子NMijとP
型素子PMijとの相補型の素子で構成され、これらの
素子NMijとPMijのダートがそれぞれ信号線Ai
とMとに接続される。そしてこれらの素子NMijとP
Mijとのソースドレイン間を通じてデータ信号線Dj
と液晶表示素子C1jの一端とが接続される。さらに液
晶素子C1jの他端は共通のターゲット端子Tに接続さ
れる。
そしてこの装置において、データ信号線Djに第2図A
K示すような信号が供給されていた場合に、アドレス信
号線hi、 側には同図B、Cに示すような互いに逆極
性の駆動信号を供給して、素子NMijとPMijとが
それぞれの)パルス期間に導通されるようKする。
K示すような信号が供給されていた場合に、アドレス信
号線hi、 側には同図B、Cに示すような互いに逆極
性の駆動信号を供給して、素子NMijとPMijとが
それぞれの)パルス期間に導通されるようKする。
従ってこの装置において、入力信号が各駆動信号のパル
ス期間に素子NMijとPMijとを通じて液晶素子C
1jに供給されると共に、入力信号の高電位期間にはP
型素子PMijが充分に導通し、低電位期間にはN型素
子NMijが充分に導通するので、それぞれの駆動信号
の振幅を入力信号の振幅lVS2 Vstl に等しくすることができる。
ス期間に素子NMijとPMijとを通じて液晶素子C
1jに供給されると共に、入力信号の高電位期間にはP
型素子PMijが充分に導通し、低電位期間にはN型素
子NMijが充分に導通するので、それぞれの駆動信号
の振幅を入力信号の振幅lVS2 Vstl に等しくすることができる。
また上述の装置において、入力信号の高電位期間(フィ
ールド)はP型素子PMij、低電位期間はN型素子N
Mijのみが導通すればよいので、各アドレス信号線A
iと石の駆動信号は波形図のり、Hに示すようにフィー
ルド毎に交互に供給するようにしてもよい。さらにこの
場合に、各駆動信号の波高レベルは図中に示すようK、
入力信号の高電位期間のペデスタルレベルをVS′2、
低電位期間のベテスタルレベルヲ”S’l 、P us
子PMijのスレショルド電圧をVthp、N型素子N
Mijのスレショルド電圧をVthNとして、それぞれ VS2− Vthp VB2 + vthN とすることもできる。
ールド)はP型素子PMij、低電位期間はN型素子N
Mijのみが導通すればよいので、各アドレス信号線A
iと石の駆動信号は波形図のり、Hに示すようにフィー
ルド毎に交互に供給するようにしてもよい。さらにこの
場合に、各駆動信号の波高レベルは図中に示すようK、
入力信号の高電位期間のペデスタルレベルをVS′2、
低電位期間のベテスタルレベルヲ”S’l 、P us
子PMijのスレショルド電圧をVthp、N型素子N
Mijのスレショルド電圧をVthNとして、それぞれ VS2− Vthp VB2 + vthN とすることもできる。
こうして表示が行われるわけであるが、上述の装置によ
れば駆動信号のレベルを小さくすることができるので、
各選択素子のダート耐圧を大きくする必要がなく、装置
の信頼性が向上する。
れば駆動信号のレベルを小さくすることができるので、
各選択素子のダート耐圧を大きくする必要がなく、装置
の信頼性が向上する。
またクロックノイズによるラデイエーションの発生が低
減され、特に波形図のB、Cの信号を用いた場合には駆
動信号同士が相殺されるので、ラデイエーションを略零
にすることができる。
減され、特に波形図のB、Cの信号を用いた場合には駆
動信号同士が相殺されるので、ラデイエーションを略零
にすることができる。
さらに第3図は具体的な回路ノRターンの構成例を示し
、図においてP型素子PMijとN型素子NMijがそ
れぞれデータ信号線DJと液晶表示素子C1jを構成す
る透明電極との間に設けられると共に、これらの素子P
MijとNMijの中央部に透明電極の上下に設けられ
たアドレス信号線Aiと鼾の延長部がそれぞれ設けられ
てダートが形成される。
、図においてP型素子PMijとN型素子NMijがそ
れぞれデータ信号線DJと液晶表示素子C1jを構成す
る透明電極との間に設けられると共に、これらの素子P
MijとNMijの中央部に透明電極の上下に設けられ
たアドレス信号線Aiと鼾の延長部がそれぞれ設けられ
てダートが形成される。
従ってこの構成によれば、隣接するアドレス信号線間で
逆極性の駆動信号が流されるので、各透明電極へのクロ
ックノイズの飛込みが中和され、ダイナミックレンジの
低下が防止される。
逆極性の駆動信号が流されるので、各透明電極へのクロ
ックノイズの飛込みが中和され、ダイナミックレンジの
低下が防止される。
なお第4図は選択素子の構成の他の例を示すものであっ
て、Aはいわゆるダブルゲートとした場合で、特にデー
タ信号線Djと液晶表示素子Cij間の電荷の漏洩を低
減させることができる。またBはダブルゲートの中点を
互に接続したものであって、上述と同様に漏洩が低減さ
れると共に、特に製造工程中のラビング処理等による静
電気の発生に対する強度を向上させることができる。
て、Aはいわゆるダブルゲートとした場合で、特にデー
タ信号線Djと液晶表示素子Cij間の電荷の漏洩を低
減させることができる。またBはダブルゲートの中点を
互に接続したものであって、上述と同様に漏洩が低減さ
れると共に、特に製造工程中のラビング処理等による静
電気の発生に対する強度を向上させることができる。
なお、この装置はポリシリコン、アモルファスシリコン
、クリスタルシリコン等の全てのMO8素子を用いた装
置に適用できる。
、クリスタルシリコン等の全てのMO8素子を用いた装
置に適用できる。
この発明によれば、相補型の素子を用いて、入力信号の
高電位期間と低電位期間とがそれぞれ異なる型式の素子
を通じて選択されるようにしたことによって、これらの
素子に供給される駆動信号のレベルを入力信号の振幅に
等しい大きさまで低減することができるようになった。
高電位期間と低電位期間とがそれぞれ異なる型式の素子
を通じて選択されるようにしたことによって、これらの
素子に供給される駆動信号のレベルを入力信号の振幅に
等しい大きさまで低減することができるようになった。
第1図は本発明の一例の配線図、第2図〜第4図はその
説明のための図、第5図、第6図は従来の装置の説明の
ための図である。 DJはデータ信号線、Aiはアドレス信号線、NMij
はN型素子、PMijはP型素子、Cijは液晶表示素
子、Tはターゲット端子である。
説明のための図、第5図、第6図は従来の装置の説明の
ための図である。 DJはデータ信号線、Aiはアドレス信号線、NMij
はN型素子、PMijはP型素子、Cijは液晶表示素
子、Tはターゲット端子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 垂直方向に延長されかつ平行に配設された複数の第1の
信号線と、水平方向に延長されかつ平行に配設された複
数の第2の信号線とが設けられ、これらの第1、第2の
信号線の各交点にそれぞれ選択素子を介して画素電極が
設けられてなるディスプレイ装置において、上記選択素
子がそれぞれ1対の相補型の素子で形成されると共に、 これらがそれぞれ逆極性の駆動信号で駆動されるように
したことを特徴とするディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61227362A JPH07112259B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | デイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61227362A JPH07112259B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | デイスプレイ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6382177A true JPS6382177A (ja) | 1988-04-12 |
JPH07112259B2 JPH07112259B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=16859608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61227362A Expired - Fee Related JPH07112259B2 (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | デイスプレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07112259B2 (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0456453A2 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-13 | Fujitsu Limited | High quality active matrix-type display device |
EP0486284A2 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
EP0488643A2 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
EP0499979A2 (en) * | 1991-02-16 | 1992-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
EP0506027A2 (en) * | 1991-03-26 | 1992-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
US5351145A (en) * | 1991-01-14 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix substrate device and related method |
US5956105A (en) * | 1991-06-14 | 1999-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US6195139B1 (en) | 1992-03-04 | 2001-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
US6369788B1 (en) | 1990-11-26 | 2002-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US6753839B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-06-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical panel and electronic device |
US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
US6893906B2 (en) | 1990-11-26 | 2005-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
JP2009198981A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61227362A patent/JPH07112259B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6011532A (en) * | 1990-05-07 | 2000-01-04 | Fujitsu Limited | High quality active matrix-type display device |
US5515072A (en) * | 1990-05-07 | 1996-05-07 | Fujitsu Limited | High quality active matrix-type display device |
US5432527A (en) * | 1990-05-07 | 1995-07-11 | Fujitsu Limited | High quality active matrix-type display device |
EP0456453A2 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-13 | Fujitsu Limited | High quality active matrix-type display device |
EP0486284A3 (en) * | 1990-11-13 | 1993-09-01 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
EP0486284A2 (en) * | 1990-11-13 | 1992-05-20 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US7462515B2 (en) | 1990-11-13 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
EP0488643A3 (en) * | 1990-11-26 | 1993-05-12 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device and driving method for the same |
EP0488643A2 (en) * | 1990-11-26 | 1992-06-03 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US6893906B2 (en) | 1990-11-26 | 2005-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US6369788B1 (en) | 1990-11-26 | 2002-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US5351145A (en) * | 1991-01-14 | 1994-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Active matrix substrate device and related method |
US7479939B1 (en) | 1991-02-16 | 2009-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
EP0499979A2 (en) * | 1991-02-16 | 1992-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
US5287205A (en) * | 1991-03-26 | 1994-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Gradation method for driving liquid crystal device with ramp and select signal |
US5963278A (en) * | 1991-03-26 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
US5933205A (en) * | 1991-03-26 | 1999-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
US5568288A (en) * | 1991-03-26 | 1996-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming thin film transistors with anodic oxide on sides of gate line |
EP0506027A2 (en) * | 1991-03-26 | 1992-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for driving the same |
US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
US5956105A (en) * | 1991-06-14 | 1999-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US6195139B1 (en) | 1992-03-04 | 2001-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
US6618105B2 (en) | 1992-03-04 | 2003-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
US8035773B2 (en) | 1992-03-04 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
US6753839B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-06-22 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical panel and electronic device |
JP2009198981A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07112259B2 (ja) | 1995-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100511398C (zh) | 显示装置 | |
WO2020015547A1 (zh) | 移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置 | |
US20190311691A1 (en) | Shift register and method for driving the same, gate driving circuit, and display device | |
JPS6382177A (ja) | デイスプレイ装置 | |
US20190385557A1 (en) | An nmos type goa circuit and display panel | |
JPH09508219A (ja) | 液晶ディスプレイを駆動する為の電子システム | |
JPH02170125A (ja) | マトリックス表示装置 | |
JPH0887897A (ja) | シフト・レジスタおよびスキャン・レジスタ | |
JPH06313876A (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 | |
US5598177A (en) | Driving apparatus and method for an active matrix type liquid crystal display apparatus | |
US11244595B2 (en) | Shift register unit comprising input circuit, first control circuit, blanking control circuit, first output circuit, and second output circuit, driving method, gate driving circuit, and display device | |
US10650769B2 (en) | Display substrate, driving method thereof, display panel | |
US20210225312A1 (en) | Shift register unit and driving method thereof, gate driving circuit and display device | |
US11688318B2 (en) | Shift register unit comprising input circuit, first control circuit, blanking control circuit, first output circuit, and second output circuit, driving method, gate driving circuit, and display device | |
US11302277B2 (en) | Shift register unit and driving method thereof, gate driving circuit and display apparatus | |
JPH0822267A (ja) | 液晶駆動回路と液晶表示装置 | |
JPH07181927A (ja) | 画像表示装置 | |
US6392625B1 (en) | Liquid crystal display apparatus having level conversion circuit | |
CN114023241B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN104778937B (zh) | 栅极驱动电路、阵列基板及显示装置 | |
CN110544456B (zh) | 显示面板及其驱动方法、显示装置 | |
CN108735139B (zh) | 一种阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置 | |
JP2005128101A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH02176717A (ja) | 液晶表示装置 | |
US20070268282A1 (en) | System for driving columns of a liquid crystal display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |