JP2009076893A - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents

塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板に処理を行う各モジュール間で基板の搬送を行う搬送機構の搬送速度を抑えて、基板の搬送精度の低下を抑えること。
【解決手段】複数設けられた各レジスト膜形成ブロックのレジスト膜形成用搬送手段が、互いに独立して当該ブロック内で各種の処理を行うモジュール間を基板を搬送し、また処理ブロック搬入用搬送手段が、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送すると共に露光装置搬入用搬送手段が、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬送された順に各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールに搬入された基板を露光装置に搬入する。同等のスループットを達成するために１つのレジスト膜形成ブロックに同種のモジュールを複数ないしは多数設置する場合に比べて、レジスト膜形成用搬送手段の負荷が抑えられる。
【選択図】図８

Description

本発明は、本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの基板に対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
塗布、現像装置としては例えば特許文献１に記載されるように複数の半導体ウエハ（以下ウエハという）を含んだキャリアが搬入されるキャリアブロックと、露光装置との間でウエハの受け渡しを行うインターフェイスブロックと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとの間に設けられた処理ブロックとにより構成されるものが知られている。前記処理ブロックは、ウエハにレジストの塗布を行う塗布モジュール（ＣＯＴ）を含んだ塗布ブロックと、レジスト塗布後のウエハに現像液を供給して現像を行う現像モジュール（ＤＥＶ）を含んだ現像ブロックとが積層されることにより構成されており、また塗布ブロック及び現像ブロックは夫々塗布処理及び現像処理の前後で加熱、冷却処理を行う加熱モジュール及び冷却モジュールと、各モジュール間でウエハの搬送を行う搬送アームとを含んでいる。
スループットの向上を図るために塗布ブロック及び現像ブロックにおいて塗布モジュール、現像モジュール、加熱モジュール及び冷却モジュールなどのウエハに処理を行うモジュールは、夫々複数設けられており、順次キャリアから払い出されたウエハはウエハが搬入されておらず、空いている処理モジュールに搬送され、各処理モジュールで並行して処理が行われ、然る後、処理が終わったものから順に空いている後段の処理モジュールへと払い出される。
図２１は上述の塗布、現像装置における各モジュール及び各モジュール間におけるウエハの搬送経路を示したものである。キャリア１０１から搬出されたウエハは、前記キャリアブロックに設けられたキャリアアーム１０２によりＴＲＳ（受け渡しステージ）１０３に搬送された後、処理ブロック中を上下に移動する受け渡しアーム１０４→ＴＲＳ１０５の順で搬送され、然る後塗布ブロックの搬送アーム１０６により当該塗布ブロック中を疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）１０７Ａまたは１０７Ｂ→冷却モジュール１０８Ａまたは１０８Ｂ→ＣＯＴ１０９Ａ、１０９Ｂまたは１０９Ｃ→加熱モジュール１１０Ａ〜１１０Ｄのいずれか→ＷＥＥ（周縁露光モジュール）１１１→バッファモジュール１１２の順に搬送される。
然る後、ウエハは前記受け渡しアーム１０４及びキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ移動するシャトルアーム１１２及びインターフェイスブロックに設けられたインターフェイスアーム１１４を介して露光装置１１３に搬送されて、露光処理を受ける。露光処理後のウエハは、インターフェイスアーム１１４を介してＴＲＳ１１５Ａまたは１１５Ｂに搬送され、続いて現像ブロックに設けられた搬送アーム１１６により加熱モジュール１１７Ａ〜１１７Ｆのいずれか→冷却モジュール１１８Ａまたは１１８Ｂ→ＤＥＶ１１９Ａ〜１１９Ｆのいずれか→加熱モジュール１２０Ａ〜１２０Ｆのいずれか→ＴＲＳ１２１Ａまたは１２１Ｂに搬送された後、キャリア１０１に戻される。
このような塗布、現像装置においてさらにスループットを向上させることが検討されており、例えば１時間（３６００秒）あたり２００枚〜３００枚程度のスループットを達成することが目標となっている。１時間あたり２００枚のスループットを達成するためには、３６００秒／２００枚＝１８秒／枚、１時間あたり３００枚のスループットを達成するためには、３６００秒／３００枚＝１２秒／枚という速度で夫々上述の塗布、現像処理を行う必要がある。１枚のウエハについて前段のモジュールから後段のモジュールへの搬送を１回とすると、塗布ブロックにおいて、搬送アーム１０６はそのウエハをＴＲＳ１０５からバッファモジュール１１２へ搬送するまでに計６回の搬送を行うことになり、上記のスループットを達成するために、これらモジュール間の１回あたりの搬送時間は、スループットが２００枚／時間である場合には１８秒／６＝３秒以下、スループットが３００枚／時間である場合には１２秒／６＝２秒以下に設定される
そして、このような速度でウエハの搬送を行うためには、一のモジュールでの処理が終わったら、すぐに次のモジュールへの搬送を行うことができるように搬送先を確保することが必要になる。従って塗布ブロック及び現像ブロックにおいて各モジュールをより多く設置し、同種のモジュールにおいて並行して処理されるウエハの数（並列処理数）を増やすことが検討されている。図２２はそのように塗布ブロックにおける同種のモジュールの数を夫々増やした一例である。
しかしこのようにスループットを向上させるために、上記のようにモジュール間を２秒以下ないしは３秒以下で搬送できるように搬送アーム１０６の搬送速度を上げると、搬送アーム１０６の負荷が大きくなり、ウエハ搬送中に搬送アーム１０６からウエハが落下するなどの搬送ミスが起きるおそれが高くなるという問題がある。なお、特許文献１にはこのような問題を解決する手法については記載されていない。
特開２００６−２５３５０１（段落００４４及び図５など）
本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板に処理を行う各モジュール間で基板の搬送を行う搬送機構の搬送速度を抑えて、基板の搬送精度の低下を抑えることができる塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体を提供することである。
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された複数のレジスト膜形成ブロック及び現像処理ブロックと、を備え、
ｂ）前記レジスト膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、レジストを基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する前に一時的に滞留させるバッファモジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するレジスト膜形成用搬送手段と、を備え、
ｃ）前記現像処理ブロックは、露光装置から払い出された露光済みの基板が載置される露光済み基板受け渡しステージと、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、現像処理済みの基板が載置される現像済み基板受け渡しステージと、これらモジュール間で基板を搬送する現像処理用搬送手段と、を備え
ｄ）各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールからインターフェイスブロックを介して基板を露光装置に搬入するための露光装置搬入用搬送手段と、
キャリアから払い出された基板を各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへと搬送する処理ブロック搬入用搬送手段と、
現像処理ブロックの受け渡しステージから現像済みの基板を当該基板が払い出されたキャリアに戻すための払い戻し用搬送手段と、が設けられ、
ｅ）各レジスト膜形成ブロックのレジスト膜形成用搬送手段は互いに独立して当該ブロック内の各モジュール間を基板を搬送し、
ｆ）前記処理ブロック搬入用搬送手段は、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送すると共に前記露光装置搬入用搬送手段は、前記搬入用受け渡しステージに搬送された順に各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールに搬入された基板を露光装置に搬入することを特徴とする。
例えば、前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された、レジスト膜の下層に膜を形成するための下層膜形成ブロックを備え、
前記下層膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、下層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する下層膜形成用搬送手段と、下層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージと、を備え、
前記処理ブロック搬入用搬送手段は、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに基板を搬送する代わりに、前記下層膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに基板を搬入し、
下層膜形成ブロックの搬出用ステージから各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送するブロック間受け渡し手段が設けられていてもよい。前記下層膜は例えば反射防止膜である。
また、前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された、レジスト膜の上層に膜を形成するための上層膜形成ブロックを備え、
前記上層膜形成ブロックは、上層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する上層膜形成用搬送手段と、を備え、
前記露光装置搬入用手段は、レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を搬送する代わりに、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬送された順に上層膜が形成された基板を前記上層膜形成ブロックからインターフェイスブロックを介して露光装置に搬入し、
レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する前に一時的に滞留させる前記バッファモジュールは各レジスト膜形成ブロックか、当該レジスト膜形成ブロックの代わりに前記上層膜形成ブロックに設けられ、
レジスト膜が形成された基板をレジスト膜形成ブロックから上層膜形成ブロックへ搬送するためのブロック間搬送手段が設けられていてもよい。この場合、前記バッファモジュールは上層膜形成ブロックに設けられ、
前記ブロック間搬送手段は、レジスト膜が形成された基板を当該バッファモジュールへ搬送し、
上層膜形成ブロックは上層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージを備え、
前記露光装置搬入用手段は、前記搬出用ステージから基板を搬出してもよい。そして、前記上層膜は例えば反射防止膜かまたは液浸露光を行う際にレジスト膜の表面を保護する保護膜である。
各レジスト膜形成ブロック及び現像処理ブロックは互いに積層されていてもよく、レジスト膜形成ブロックは２つ設けられ、前記処理ブロック搬入用搬送手段は、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を交互に搬送し、露光装置搬入用搬送手段は各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を交互に、各搬入用受け渡しステージへ搬入されたものから順に露光装置に搬入してもよい。
前記現像処理ブロックは例えば複数設けられ、各露光済み基板受け渡しステージに露光済みの基板が１枚ずつサイクリックに搬送される。また、現像処理ブロックは複数設けられ、
一の現像処理ブロックには他の現像処理ブロックよりも多くの現像モジュールが設けられ、
前記一の現像処理ブロックには複数枚連続して露光済みの基板が搬送され、且つ他の現像処理ブロックには１枚あるいは一の現像処理ブロックに連続して搬送される基板の枚数より少ない枚数の前記基板が連続して搬送され、
これらの一の現像ブロックへの基板の搬送と、他の現像ブロックへの基板の搬送とが交互に繰り返し行われてもよい。この場合例えば前記一の現像ブロックには他の現像ブロックの２倍の数の現像モジュールが設けられ、
一の現像ブロックへの２枚連続した基板の搬送と、他の現像ブロックへの１枚の基板の搬送が交互に行われる。レジスト膜形成ブロックにおいて塗布モジュール、加熱モジュール、冷却モジュールは例えば夫々複数設けられている。
本発明の塗布、現像方法はキャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置の運転方法において、
ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された複数のレジスト膜形成ブロック及び現像処理ブロックと、を備え、
ｂ）前記レジスト膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、レジストを基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する一時的に滞留させるバッファモジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するレジスト膜形成用搬送手段と、を備え、
ｃ）前記現像処理ブロックは、露光装置から払い出された露光済みの基板が載置される露光済み基板受け渡しステージと、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、現像処理済みの基板が載置される現像済み基板受け渡しステージと、これらモジュール間で基板を搬送する現像処理用搬送手段と、を備えており、
処理ブロック搬入用搬送手段により、キャリアから払い出された基板を各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送する工程と、
各レジスト膜形成ブロックのレジスト膜形成用搬送手段によりこれら各ブロックのモジュール間で互いに独立して基板を搬送する工程と、
前記露光装置搬入用搬送手段により、前記搬入用受け渡しステージに搬送された順に各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールに搬入された基板をインターフェイスブロックを介して露光装置に搬入する工程と、
露光済みの基板を前記現像処理用搬送手段により現像処理ブロックの各モジュール間で搬送する工程と、
払い戻し用搬送手段により現像処理ブロックの受け渡しステージから現像済みの基板を当該基板が払い出されたキャリアに戻す工程と、
を含むことを特徴とする。
また、前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成されたレジスト膜の下層に膜を形成するための下層膜形成ブロック、を備え、
前記下層膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、下層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する下層膜形成用搬送手段と、下層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージと、を備え、
前記処理ブロック搬入用搬送手段により、キャリアから払い出された基板を各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ順にサイクリックに搬送する工程の代わりに、前記処理ブロック搬入用搬送手段により、キャリアから払い出された基板を前記下層膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬入する工程と、
ブロック間受け渡し手段により下層膜形成ブロックの搬出用ステージから各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送する工程と、
を備えたことを特徴とする。
また、前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成されたレジスト膜の上層に膜を形成するための上層膜形成ブロックを備え、
レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する前に一時的に滞留させる前記バッファモジュールは各レジスト膜形成ブロックか、当該レジスト膜形成ブロックの代わりに前記上層膜形成ブロックに設けられ、
前記上層膜形成ブロックは、上層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する上層膜形成用搬送手段と、を備え、
前記露光装置搬入用手段によりレジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を搬送する代わりに、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬送された順に基板を前記上層膜形成ブロックからインターフェイスブロックを介して露光装置に搬入する工程と、
ブロック間搬送手段によりレジスト膜が形成された基板をレジスト膜形成ブロックから上層膜形成ブロックに搬送する工程と、
を備えていてもよく、この場合例えば前記バッファモジュールは上層膜形成ブロックに設けられ、上層膜形成ブロックは上層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージを備え、前記ブロック間搬送手段により基板を搬送する工程は、レジスト膜が形成された基板を前記搬出用ステージから前記バッファモジュールへ搬送する工程を含み、
前記露光装置搬入用手段により前記上層膜形成ブロックから基板を露光装置に搬入する工程は、前記搬出用ステージから基板を搬出する工程を含む。
レジスト膜形成ブロックは２つ設けられ、前記処理ブロック搬入用搬送手段は、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を交互に搬送し、露光装置搬入用搬送手段は各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を交互に、各搬入用受け渡しステージへ搬入されたものから順に露光装置に搬入してもよい。また、前記現像処理ブロックは複数設けられ、各露光済み基板を各現像処理ブロックの受け渡しステージに１枚ずつサイクリックに搬送する工程を含んでいてもよい。
また、前記現像処理ブロックは例えば複数設けられており、
一の現像処理ブロックには他の現像処理ブロックよりも多くの現像モジュールが設けられ、
前記一の現像処理ブロックに複数枚連続して露光済みの基板が搬送する工程と、
他の現像処理ブロックに１枚あるいは前記一の現像処理ブロックに連続して搬送される基板の枚数より少ない枚数の前記基板を連続して搬送する工程と、
を含み、
これらの一の現像ブロックへの基板の搬送工程と、他の現像ブロックへの基板の搬送工程とを交互に繰り返し行ってもよい。
本発明の記憶媒体は、レジストが塗布され、露光された後の基板に対する現像を行う現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明によれば、処理ブロック搬入用搬送手段がキャリアから払い出された基板を、複数設けられたレジスト膜形成ブロックの各搬入用受け渡しステージに、１枚ずつ順にサイクリックに搬送し、また各レジスト膜形成ブロックに設けられたレジスト膜形成用搬送手段がレジスト膜形成ブロックに設けられたモジュール間を互いに独立して基板を搬送して基板にレジスト膜を形成し、前記搬入用受け渡しステージに搬入された順にレジスト膜が形成された基板がバッファモジュールから露光装置に搬入される。このように複数のレジスト膜形成ブロックで並行してレジスト膜の形成を行い、レジスト膜が形成された基板を順次露光装置に搬入することで、同等のスループットを達成するために１つのレジスト膜形成ブロックに同種のモジュールを複数ないしは多数設置する場合に比べて、レジスト膜形成用搬送手段の負荷が抑えられ、レジスト膜形成ブロックに含まれるモジュール間での基板の搬送精度が低下することを抑えることができる。
第１の実施の形態である塗布、現像装置１について図１〜図３を参照しながら説明する。図１は塗布、現像装置１に露光装置Ｓ４が接続されたシステムの平面図であり、図２は同システムの斜視図である。また図３は同システムの縦断面図である。この塗布、現像装置１にはキャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台１１上に載置された密閉型のキャリアＣから受け渡しアーム１２がウエハＷを取り出して処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアーム１２が処理済みのウエハＷを受け取ってキャリアＣに戻すように構成されている。キャリアＣは例えば２５枚のウエハＷを含んでおり、各キャリア毎にウエハＷのロットは異なっている。
前記処理ブロックＳ２は筐体１３に囲まれており、図２及び図３に示すようにこの例では現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｇ１と、レジストを塗布してレジスト膜の形成を行うための第２のブロック（ＣＯＴ層）Ｇ２及び第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｇ３とを、下からこの順に積層して構成されている。各層は仕切り板１４により仕切られている。
図１に示した第２のブロック（ＣＯＴ層）Ｇ２は各々レジストをスピンコーティングにより塗布して成膜する３つの塗布モジュール（ＣＯＴ）２３Ａ〜２３Ｃを含む塗布ユニット２と、この塗布ユニット２にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却系の処理モジュール群と、前記塗布ユニット２と処理モジュール群との間に設けられ、これらの間でウエハの受け渡しを行う搬送アームＥ２とで構成されている。なお、ウエハの受け渡される場所をモジュールと呼ぶ。また搬送アームＥ２，Ｅ３はレジスト膜形成用搬送手段である。
図４は、ＣＯＴ層Ｇ２の各モジュールの斜視図である。前記加熱・冷却系の処理ユニット群には例えばレジスト塗布前にウエハの疎水化処理を行う疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）２１Ａ，２１Ｂ、レジスト塗布後にウエハを加熱処理する加熱モジュール（ＨＰ）２４Ａ〜２４Ｄ及びウエハの周縁を露光する周縁露光モジュール（ＷＥＥ）２５が設けられている。これらのモジュールは複数段に積み重ねられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を構成し、これら棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向かって形成された搬送アームＥ２の移動する搬送通路Ｒ１に沿って配列されている。この例では棚ユニットＵ１にはＡＤＨ２１Ａ，２１Ｂが、棚ユニットＵ２，Ｕ３にはＨＰ２４Ａ〜２４Ｄが、棚ユニットＵ４にはＷＥＥ２５が夫々含まれている。また棚ユニットＵ１〜Ｕ４の下部には搬送通路Ｒ１の排気を行う排気ユニット１５が設けられている。
第３のブロック（ＣＯＴ層Ｇ３）はＣＯＴ層Ｇ２と同様に構成されており、ＡＤＨ２１Ａ，２１Ｂ、ＣＯＴ２３Ａ〜２３Ｃ、加熱モジュール２４Ａ〜２４Ｄ、ＷＥＥ２５に夫々対応するＡＤＨ３１Ａ，３１Ｂ、ＣＯＴ３３Ａ〜３３Ｃ、加熱モジュール３４Ａ〜３４Ｄ、ＷＥＥ３５を備えている。
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｇ１については第２、第３のブロックと類似した構成となっている。一つのＤＥＶ層Ｇ１内に前記塗布ユニット２に対応するウエハの現像を行うための現像ユニットが２段に積層されており、これらの現像ユニットにはウエハに現像液を供給して現像を行うための３つの現像モジュール（ＤＥＶ）が含まれている。つまりＤＥＶ層Ｇ１には計６つのＤＥＶが含まれており、これらのＤＥＶを夫々４３Ａ，４３Ｂ，４３Ｃ，４３Ｄ，４３Ｅ，４３Ｆとする。そして当該ＤＥＶ層Ｇ１内には、これらＤＥＶ４３Ａ〜４３ＦにウエハＷを搬送するための現像処理用搬送手段である搬送アームＥ１が設けられている。つまり２段の現像ユニットに対して搬送アームＥ１が共通化されている構成となっている。
またＤＥＶ層Ｇ１には露光後現像液塗布前のウエハを加熱する加熱モジュール（ＨＰ）４１Ａ〜４１Ｆ及び現像処理後のウエハを加熱する加熱モジュール４４Ａ〜４４Ｆが設けられており、これらの加熱モジュールはＣＯＴ層Ｇ２の棚ユニットＵ１〜Ｕ４と同様に複数段に積層されて複数の棚ユニットを構成し、これらＤＥＶ層Ｇ１の棚ユニットは、ＣＯＴ層Ｇ２の棚ユニットＵ１〜Ｕ４と同様のレイアウトで配列されている。そして搬送アームＥ１によりこれらのモジュール間でウエハＷが受け渡されるようになっている。
またＤＥＶ層Ｇ１内の上部には、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３側にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアーム１６が設けられている。レジスト膜が形成されたウエハＷは、受け渡しアームＤ１を介してからこのシャトルアーム１６に受け渡され、続いてシャトルアーム１６によりインターフェイスブロックＳ３に取り込まれて、インターフェイスアームＩに受け渡されることになる。
更に処理ブロックＳ２には、図１及び図３に示すように棚ユニットＵ５が各層を上下に跨るように設けられている。この棚ユニットＵ５において、ＤＥＶ層Ｇ１に対応する位置に現像済み基板受け渡しステージである受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７が、ＣＯＴ層Ｇ２に対応する位置に受け渡しステージＴＲＳ１、冷却モジュールＣＰＬ２２Ａ、受け渡しステージＴＲＳ２、冷却モジュールＣＰＬ２２Ｂ、バッファモジュールＢＭ２６が、ＣＯＴ層Ｇ３に対応する位置に冷却モジュールＣＰＬ３２Ａ、受け渡しステージＴＲＳ３、冷却モジュールＣＰＬ３２Ｂ、バッファモジュールＢＭ３６が夫々下からこの順に積層されて設けられている。これら棚ユニットＵ５に含まれるモジュールには対応する各層Ｇに設けられた搬送アームＥがアクセスすることができる。ＴＲＳ２、ＴＲＳ３は夫々ＣＯＴ層Ｇ２、Ｇ３への搬入用受け渡しステージである。
各冷却モジュールＣＰＬは、ウエハＷに薬液を塗布する前にその温度調整をするか、あるいは各層Ｇの加熱モジュールＨＰ及び疎水化処理モジュールＡＤＨにおいて加熱されたウエハＷを冷却するモジュールであり、バッファモジュールＢＭはＣＯＴ層Ｇ２またはＧ３において塗布処理を終えた複数枚のウエハＷを露光装置Ｓ４へと搬入するまでに一時的に滞留させるモジュールである。また各加熱モジュールＨＰ２４Ａ〜２４Ｄ，３４Ａ〜３４Ｄ，４１Ａ〜４１Ｆ，４４Ａ〜４４Ｆは温度変更自在の熱板を備え、この熱板上に載置されたウエハＷを加熱処理する。
棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な第１の受け渡しアームＤ１は、これら棚ユニットＵ５の各モジュールにアクセスし、これらモジュール間でウエハＷの搬送を行うことができるように構成されている。
処理ブロックＳ２のインターフェイスブロックＳ３側には棚ユニットＵ６が設けられている。この棚ユニットＵ６においては、ＤＥＶ層Ｇ１に対応する位置に冷却モジュールＣＰＬ４２Ａ，４２Ｂ、受け渡しステージＴＲＳ４，ＴＲＳ５が下からこの順に積層されて設けられており、これらモジュールにはＤＥＶ層Ｇ１の搬送アームＥ１とインターフェイスアームＩがアクセスすることができる。ＴＲＳ４及びＴＲＳ５は露光済み基板受け渡しステージである。
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６の各モジュールと露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＩを備えている。またインターフェイスアームＩはシャトルアーム１６を介してインターフェイスブロックＳ３に搬入されたウエハＷを受け取り、露光装置Ｓ４に搬入することができるようになっている。
続いて制御部１０について説明する。制御部１０は、例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、後述の作用で説明する現像処理が行われるように命令が組まれた例えばソフトウエアからなるプログラムが格納されており、このプログラムが制御部１０に読み出されることで制御部１０は各搬送アームの動作、各モジュールにおけるウエハの処理温度、ウエハへの現像液及びレジストの供給などを制御し、後述のようにウエハＷに塗布、現像処理を行うことができる。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
ウエハＷを搬送するにあたり、例えばＣＯＴ層Ｇ２のＣＯＴ２３Ａ〜２３Ｃのように同種のモジュールが複数設けられている場合、制御部１０は搬入可能な状態にあるモジュールについてウエハの搬送を行う。例えば各モジュールはウエハが前段のモジュールから搬入可能になると、ウエハ受け入れ可能であることを示すインレディ信号を、ウエハの処理が終了して搬出可能になるとその旨を示すアウトレディ信号を夫々制御部１０に出力するようになっており、これらの信号に基づいて、制御部１０が今どのモジュールからどのモジュールへの搬送が可能かを判断できることになる。
また制御部１０はキャリアＣからウエハＷが塗布、現像装置１に搬入されるまでに、キャリアＣに収容されるウエハＷが２５枚であるなら、その２５枚についてキャリアステーションＳ１に搬入される順に基板番号１〜２５を割り当てると共に先頭のウエハ「１」〜最後のウエハ「２５」について夫々どのモジュールに搬送するかという搬送スケジュールを決定する。図５及び図６は所定のキャリアＣのウエハについての搬送スケジュールを示した表である。図５はキャリアＣから払い出されたウエハが露光装置Ｓ４に搬送されるまでのスケジュールを、図６は露光装置Ｓ４から払い出されたウエハがキャリアＣに戻されるまでのスケジュールを夫々示している。各層Ｇの搬送アームＥは、非同期につまり互いに独立して各層におけるウエハＷの搬送を行うことができるようになっており、搬送スケジュール表において鎖線で囲ったＣＯＴ層Ｇ２の各モジュール間の搬送、ＣＯＴ層Ｇ３の各モジュール間の搬送は夫々独立して、並行して行われる。
続いて塗布、現像装置１における所定のキャリアのウエハの搬送について図５〜図８を参照しながら説明する。便宜上このキャリアをＣ１、キャリアＣ１に含まれるウエハＷをウエハＡとし、ウエハＡは図５及び図６の搬送スケジュール表に従って各モジュール間を搬送される。図７は塗布、現像装置１の各ブロックに設けられたモジュール及び搬送アームなどを便宜上、平面に展開して示したものであり、図８はウエハの搬送経路を示したものである。
［ステップ１］
キャリアＣ１がキャリアブロックＳ１に搬入されると、先ずウエハＡ１がキャリアＣ１からキャリアアーム１２→受け渡しステージＴＲＳ１→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ２の順に搬送され、その後受け渡しステージＴＲＳ２からＣＯＴ層Ｇ２の搬送アームＥ２により疎水化処理モジュールＡＤＨ２１Ａに搬送されて疎水化処理を受ける。続いてウエハＡ２がキャリアＣ１からキャリアアーム１２→受け渡しステージＴＲＳ１→受け渡しアームＤ１→受け渡しステージＴＲＳ３の順に搬送され、ＴＲＳ３からＣＯＴ層Ｇ３の搬送アームＥ３により疎水化処理モジュールＡＤＨ３１Ａに搬送されて処理を受ける。
［ステップ２］
然る後、ウエハＡ３がウエハＡ１と同様の経路でキャリアＣ１から受け渡しステージＴＲＳ２に搬送され、受け渡しステージＴＲＳ２から搬送アームＥ２を介して疎水化処理モジュールＡＤＨ２１Ｂに搬送される。続いてウエハＡ４がウエハＡ２と同様の経路でキャリアＣ１から受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、受け渡しステージＴＲＳ３から搬送アームＥ３を介して疎水化処理モジュールＡＤＨ３１Ｂに搬送される。
［ステップ３］
ウエハＡ１の疎水化処理モジュールＡＤＨ２１Ａでの処理が終了し、当該ウエハＡ１がＡＤＨ２１Ａ→搬送アームＥ２→冷却モジュールＣＰＬ２２Ａの順で搬送される一方で、ウエハＡ２の疎水化処理モジュールＡＤＨ３１Ａでの処理が終了して、ウエハＡ２がＡＤＨ３１Ａ→搬送アームＥ３→冷却モジュールＣＰＬ３２Ａの順で搬送される。その一方でウエハＡ５がウエハＡ１と同様の経路でキャリアＣ１から受け渡しステージＴＲＳ２に搬送され、ＴＲＳ２から搬送アームＥ２を介して疎水化処理モジュールＡＤＨ２１Ａに搬送され、それに続いてウエハＡ６がウエハＡ２と同様の経路でキャリアＣ１から受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、ＴＲＳ３から搬送アームＥ３を介して疎水化処理モジュールＡＤＨ３１Ａに搬送される。
［ステップ４］
ウエハＡ３の疎水化処理モジュールＡＤＨ２１Ｂでの処理が終了し、ＡＤＨ２１Ｂ→搬送アームＥ２→冷却モジュールＣＰＬ２２Ｂの順で搬送される。その一方でウエハＡ４の疎水化処理モジュールＡＤＨ３１Ｂでの処理が終了し、ＡＤＨ３１Ｂ→搬送アームＥ３→冷却モジュールＣＰＬ３２Ｂの順で搬送される。
［ステップ５］
冷却モジュールＣＰＬ２２Ａにて冷却処理を終えたウエハＡ１が搬送アームＥ２を介して塗布モジュールＣＯＴ２３Ａに搬送され、レジスト塗布処理を受ける。その一方で冷却モジュールＣＰＬ２２Ｂにて冷却処理を終えたウエハＡ２が搬送アームＥ３を介して塗布モジュールＣＯＴ３３Ａに搬送され、レジスト塗布処理を受ける。
［ステップ６］
冷却モジュールＣＰＬ２２Ｂで処理を終えたウエハＡ３が搬送アームＥ２を介して塗布モジュールＣＯＴ２３Ｂに搬送され、レジスト塗布処理を受ける。その一方で、冷却モジュールＣＰＬ３２Ｂで処理を終えたウエハＡ４が搬送アームＥ３を介して塗布モジュールＣＯＴ３３Ｂに搬送され、レジスト塗布処理を受ける。
［ステップ７］
冷却モジュールＣＰＬ２２Ａで処理を終えたウエハＡ５が搬送アームＥ２を介して塗布モジュールＣＯＴ２３Ｃに搬送されてレジスト塗布処理を受ける。その一方で、冷却モジュールＣＰＬ３２Ａで処理を終えたウエハＡ６が搬送アームＥ３を介して塗布モジュールＣＯＴ３３Ｃに搬送されてレジスト塗布処理を受ける。
［ステップ８］
塗布処理を終えたウエハＡ１が搬送アームＥ２を介して加熱モジュールＨＰ２４Ａに搬送される一方で、塗布処理を終えたウエハＡ２が搬送アームＥ３を介して加熱モジュールＨＰ３４Ａに搬送される。
［ステップ９］
塗布処理を終えたウエハＡ３が搬送アームＥ２を介して加熱モジュールＨＰ２４Ｂに搬送される一方で、塗布処理を終えたウエハＡ４が搬送アームＥ３を介して加熱モジュールＨＰ３４Ｂに搬送される。
［ステップ１０］
塗布処理を終えたウエハＡ５が搬送アームＥ２を介して加熱モジュールＨＰ２４Ｃに搬送される一方で、塗布処理を終えたウエハＡ６が搬送アームＥ３を介して加熱モジュールＨＰ３４Ｃに搬送される。
［ステップ１１］
加熱処理を終えたウエハＡ１が搬送アームＥ２を介して周縁露光モジュールＷＥＥ２５に搬送される一方で、加熱処理を終えたウエハＡ２が搬送アームＥ３を介して周縁露光モジュールＷＥＥ３５に搬送される。
［ステップ１２］
周縁露光モジュールＷＥＥ２５にて処理を終えたウエハＡ１が搬送アームＥ２を介してバッファモジュールＢＭ２６に搬送される一方で、周縁露光モジュールＷＥＥ３５にて処理を終えたウエハＡ２が搬送アームＥ３を介してバッファモジュールＢＭ３６に搬送される。続いて加熱処理を終えたウエハＡ３が搬送アームＥ２を介してＷＥＥ２５に搬送される一方で、加熱処理を終えたウエハＡ４が搬送アームＥ３を介してＷＥＥ３５に搬送される。
［ステップ１３］
ウエハＡ１がバッファモジュールＢＭ２６から受け渡しアームＤ１→シャトルアーム１６→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順で搬送され、続いてウエハＡ２がバッファモジュールＢＭ３６から受け渡しアームＤ１→シャトルアーム１６→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順で搬送される。その一方で周縁露光モジュールＷＥＥ２５にて周縁露光処理を終えたウエハＡ３が搬送アームＥ２を介してバッファモジュールＢＭ２６に搬送され、然る後そのＷＥＥ２５にウエハＡ５が搬送される。また周縁露光モジュールＷＥＥ３５にて周縁露光処理を終えたウエハＡ４が搬送アームＥ３を介してバッファモジュールＢＭ３６に搬送され、然る後当該ＷＥＥ３５にウエハＡ６が搬送される。
［ステップ１４］
ウエハＡ３がウエハＡ１と同様の経路で露光装置Ｓ４に搬送され、続いてウエハＡ４がウエハＡ２と同様の経路で露光装置Ｓ４に搬送される。その一方でＷＥＥ３５にて周縁露光処理を終えたウエハＡ５が搬送アームＥ２を介してバッファモジュールＢＭ２６に搬送されると共に周縁露光処理を終えたウエハＡ６が搬送アームＥ３を介してバッファモジュールＢＭ３６に搬送される。
ウエハＡ７以降の番号のウエハＡについての詳細な搬送経路の説明は省略するが、奇数番号のウエハＡについてはキャリアＣ１からＣＯＴ層Ｇ２のＴＲＳ２に搬入された後、搬送アームＥ２により図５の搬送スケジュール表に従って予め制御部１０により決められた各モジュール間を搬送されて処理を受けながらバッファモジュールＢＭ２６へと搬送される一方で、偶数番号のウエハＡについてはキャリアＣ１からＣＯＴ層Ｇ３のＴＲＳ３に搬入された後、搬送アームＥ３により前記搬送スケジュール表に従って各モジュール間を搬送されて処理を受けながらバッファモジュールＢＭ３６へと搬送される。このようにしてＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３で夫々並行してウエハＡの処理が進行する。そしてバッファモジュールＢＭ２６、３６に搬送された各ウエハはその番号順に、受け渡しアームＤ１及びシャトルアーム１６を介して露光装置Ｓ４へと搬入される。つまり各ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３から各ＣＯＴ層Ｇに搬入された順に交互に、露光装置Ｓ４へとウエハが搬入される。
続いて露光装置Ｓ４にて露光処理を受けた各ウエハの搬送経路について説明する。ウエハＡ１は露光処理を終わると、インターフェイスアームＩを介して受け渡しステージＴＲＳ４に搬送され、然る後搬送アームＥ１によりＴＲＳ４→加熱モジュールＨＰ４１Ａ→冷却モジュールＣＰＬ４２Ａ→現像モジュールＤＥＶ４３Ａの順に搬送されて、現像処理を受ける。またウエハＡ１に続いてウエハＡ２が露光装置Ｓ４から払い出され、ウエハＡ２はインターフェイスアームＩによりＴＲＳ５に搬送され、然る後搬送アームＥ１により加熱モジュールＨＰ４１Ｂ→冷却モジュールＣＰＬ４２Ｂ→ＤＥＶ４３Ｂの順に搬送されて現像処理を受ける。
さらにウエハＡ２に続いてウエハＡ３が露光装置Ｓ４から払い出され、インターフェイスアームＩ→ＴＲＳ４→搬送アームＥ１→加熱モジュールＨＰ４１Ｃ→搬送アームＥ１→冷却モジュールＣＰＬ４１Ｃ→搬送アームＥ１→ＤＥＶ４３Ｃの順に搬送されて現像処理を受ける。以降露光装置Ｓ４から払い出されるウエハＡについて詳しい搬送経路の説明は省略するが、図６の搬送スケジュール表に従って指定されたモジュール間を搬送されて指定されたＤＥＶへと移動し、そこで現像処理を受ける。
ウエハＡ１はＤＥＶ４３Ａで現像処理を終えると、加熱モジュールＨＰ４４Ａ→ＴＲＳ６→キャリアアーム１２の順で搬送され、キャリアアーム１２によりキャリアＣ１に搬送される。続いてウエハＡ２がＤＥＶ４３Ｂで現像処理を終えると、加熱モジュールＨＰ４４Ｂ→ＴＲＳ７→キャリアアーム１２の順で搬送され、キャリアアーム１２によりキャリアＣ１に搬送される。更に続いてウエハＡ３がＤＥＶ４３Ｃで現像処理を終えると、加熱モジュールＨＰ４４Ｃ→ＴＲＳ６→キャリアアーム１２→キャリアＣ１の順に搬送される。後続のウエハＡについても夫々所定のＤＥＶにて現像処理を受けた後は予め設定されたモジュール間を搬送されキャリアＣ１に戻される。
上記の塗布、現像装置１によればキャリアＣ１から順次払いだされたウエハがＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３に交互に搬入され、ＣＯＴ層Ｇ２に搬入されたウエハ、ＣＯＴ層Ｇ３に搬入されたウエハは搬送アームＥ２，Ｅ３により夫々各層に複数設けられた疎水化処理モジュールＡＤＨ、冷却モジュールＣＰＬ、塗布モジュールＣＯＴ、加熱モジュールＨＰ間を並行して搬送されて、塗布処理が行われる。そして各層Ｇ２，Ｇ３から順次塗布処理を終えたウエハがＣＯＴ層Ｇに搬入されたものから順に露光装置Ｓ４に搬入された後、ＤＥＶ層Ｇ１に搬入され、順次現像処理を受けてキャリアＣ１に戻される。従って所定のスループットを達成するために一つのＣＯＴ層に塗布モジュール、加熱モジュールなど同種のモジュールを夫々多数設けて、これら多数の同種のモジュールにて並行して処理を行うと共に異なるモジュール間を並行してウエハの搬送を行うよりも、各ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３におけるモジュール数を少なくすることができ、各層に設けられた搬送アームＥ２，Ｅ３の移動速度を抑えることができる。従って搬送アームＥ２，Ｅ３からのウエハの落下などの搬送ミスを抑えることができ、ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３においてウエハの搬送精度の低下を抑えることができる。その結果として歩留まりの低下を抑えることができる。
また上記の塗布、現像装置１においてウエハＡ群の後続ロットの搬送の一例について説明する。先ず、例えば上記のようにキャリアＣ１からキャリアブロックＳ１内へウエハＡが払い出されているときに他のウエハＡとは異なるロットのウエハ群（ウエハＢ群とする）を含んだキャリアＣ（キャリアＣ２とする）がキャリアブロックＳ１の載置台１１に搬送される。ウエハＢ群についても図示はしていないがキャリアブロックＳ１内に搬入される前に予め搬送スケジュール表が制御部１０により設定される。そしてウエハＡ群の最後のウエハであるウエハＡ２５がキャリアブロックＳ１内に搬入された後、ウエハＢ群のロットの先頭のウエハＢ１がキャリアブロックＳ１内に搬入される。
そしてウエハＡ２５が図５の搬送スケジュール表に従ってＣＯＴ層Ｇ２に搬送された後、ウエハＢ１はＣＯＴ層Ｇ３に搬送されてレジスト塗布処理を受ける。また後続のウエハＢ２〜Ｂ２５は、ウエハＡ群と同様に番号順にキャリアＣ２から払い出され、偶数番号のものはＣＯＴ層Ｇ２に、奇数番号のものはＣＯＴ層Ｇ３に夫々搬送されて、レジスト塗布処理を受ける。然る後ウエハＢ群はウエハＡ２５に続いて、ウエハＡ群と同様に番号順に露光装置Ｓ４に搬送され、露光処理を受ける。
ウエハＡ群のＤＥＶ層Ｂ１における搬送が進み、ＤＥＶ層Ｂ１の加熱モジュールＨＰ４１Ａ〜４１Ｆは、そのモジュールにて処理されるウエハＡ群の最後のウエハの加熱処理を終えると、その熱板の温度を、ウエハＢ群が到着するまでにそのウエハＢ群を処理するための所定の温度に変更する。つまり搬送スケジュール表からＨＰ４１ＡはウエハＡ２５、ＨＰ４１ＢはウエハＡ２０、ＨＰ４１ＣはウエハＡ２１、ＨＰ４１ＤはウエハＡ２２、ＨＰ４１ＥはウエハＡ２３、ＨＰ４１ＦはウエハＡ２４について夫々加熱処理を終えると、熱板の温度変更が行われ、ウエハＢ群はその変更された温度で加熱処理を受ける。加熱処理を受けたウエハＢ群は、続けてウエハＡ群と同様に現像処理を受け、キャリアＣ２に戻される。
このように塗布、現像装置１においては、キャリアブロックＳ１に搬入された順にウエハが各バッファモジュールＢＭからシャトルアーム１４を介して露光装置Ｓ４へと搬入され、この順に露光装置Ｓ４からＤＥＶ層Ｇ１へ払い出される。従ってＤＥＶ層Ｇ１において後続ロットが先行ロットを追い越さないので、上記のようにロット毎に加熱モジュールＨＰ４１Ａ〜４１Ｆのウエハに対する処理条件を切り替える場合に装置１内を先行ロットが搬送中であっても、先行ロットに続いて後続ロットの搬送を行うことができる。その結果、スループットの低下が抑えられるので有利である。なお、ＤＥＶ層Ｇ１における加熱モジュール以外のモジュールの処理条件をロット毎に切り替えてもよい。また、ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３の各モジュールにおいてもウエハＡ群の処理が終わったらウエハＢ群が到着するまでに各モジュールの処理条件を変更し、その変更された処理条件でウエハＢ群を処理してもよい。
続いて第２の実施形態について図９，図１０を参照して説明する。この塗布、現像装置６の塗布、現像装置１との差異点としては、ＣＯＴ層Ｇ３上にＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３と同様に構成されたＣＯＴ層Ｇ４が積層されている。ＣＯＴ層Ｇ４はＣＯＴ層Ｇ２のＡＤＨ２１Ａ，２１Ｂ、ＣＯＴ２３Ａ〜２３Ｃ、加熱モジュール２４Ａ〜２４Ｄ、ＷＥＥ２５、搬送アームＥ２に夫々対応するＡＤＨ５１Ａ，５１Ｂ、ＣＯＴ５３Ａ〜５３Ｃ、加熱モジュール５４Ａ〜５４Ｄ、ＷＥＥ５５、搬送アームＥ４を備えている。また棚ユニットＵ５においてＣＯＴ層Ｇ４に対応する位置には冷却モジュールＣＰＬ５２Ａ、ＴＲＳ８、ＣＰＬ５２Ｂ、ＢＭ５６が下からこの順に積層されて設けられている。これらのモジュールはＣＯＴ層Ｇ３のＣＰＬ３２Ａ、ＴＲＳ３、ＣＰＬ３２Ｂ、ＢＭ３６に夫々対応しており、受け渡しアームＤ１はこれらの各モジュールにウエハを搬送可能となっている。
この塗布、現像装置６においてはキャリアＣ１から番号順に搬送されたウエハＡは、ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４の順にこのサイクルで繰り返し搬送される。つまり例えばウエハＡ１，Ａ２，Ａ３が夫々ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に搬送されたら次のウエハＡ４，Ａ５，Ａ６が夫々ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に搬送される。そして各ＣＯＴ層Ｇ２〜Ｇ４でウエハがＡＤＨ→ＣＰＬ→ＣＯＴ→ＨＰ→ＷＥＥの順に搬送されて処理を受け、バッファモジュールＢＭに搬送されると、受け渡しアームＤ１及びシャトルアーム１６がキャリアＣ１から払い出された順、つまり番号順にウエハＡを順次露光装置Ｓ４に搬入する。そして露光装置Ｓ４に搬入されたウエハＡは露光処理を受けると、塗布、現像装置１と同様にＤＥＶ層Ｇ１を介してキャリアＣ１に戻される。このように塗布、現像装置を構成しても一のＣＯＴ層に含まれるモジュールの数を抑えることができるので、塗布、現像装置１と同様の効果を得ることができる。
続いて第３の実施形態である塗布、現像装置７について図１１及び図１２を参照しながら説明する。この塗布、現像装置７はＣＯＴ層Ｇ２とＤＥＶ層Ｇ１との間にＤＥＶ層Ｇ５が設けられている。ＤＥＶ層Ｇ５はＤＥＶ層Ｇ１と同様に構成されており、ＨＰ４１Ａ〜４１Ｆ、ＨＰ４４Ａ〜ＨＰ４４Ｆ、搬送アームＥ１に夫々対応するＨＰ６１Ａ〜６１Ｆ、ＨＰ６４Ａ〜６４Ｆ、搬送アームＥ５を備えている。また棚ユニットＵ６においては、ＤＥＶ層Ｇ５に対応する位置にＤＥＶ層Ｇ１のＣＰＬ４２Ａ，ＣＰＬ４２Ｂ、ＴＲＳ４及びＴＲＳ５に夫々対応するＣＰＬ６２Ａ、ＣＰＬ６２Ｂ、ＴＲＳ９及びＴＲＳ１０が、下からこの順に積層されて設けられており、インターフェイスアームＩがこれらのモジュールにウエハＷを搬送可能になっている。また、この例ではシャトルアーム１６はＤＥＶ層Ｇ５に設けられている。
第１の実施形態と同様にキャリアＣ１から払い出されて各ＣＯＴ層でレジスト塗布処理を受けたウエハＡは露光処理後、交互にＤＥＶ層Ｇ１またはＧ５に搬送される。例えばウエハＡ１，Ａ３，Ａ５・・・の奇数番号のウエハＡについてはＤＥＶ層Ｇ１のＴＲＳ４またはＴＲＳ５に搬送され、ウエハＡ２，Ａ４，Ａ６・・・の偶数番号のウエハＡについてはＤＥＶ層Ｇ５のＴＲＳ９またはＴＲＳ１０に搬送される。
そしてＤＥＶ層Ｇ１のＴＲＳ４または５に搬送されたウエハＡは第１の実施形態と同様に搬送される一方で、ＤＥＶ層Ｇ５のＴＲＳ９または１０に搬送されたウエハＡは、ＨＰ６１Ａ〜６１Ｆのいずれか→ＣＰＬ６２Ａまたは６２Ｂ→ＤＥＶ６３Ａ〜６３Ｆのいずれか→ＨＰ６４Ａ〜６４Ｆのいずれか→ＴＲＳ１１またはＴＲＳ１２の経路で各モジュール間を搬送される。各ＤＥＶ層Ｇ１，Ｇ５の搬送アームＥ１，Ｅ５は互いに独立してウエハＡの搬送を行い、ＴＲＳ６，ＴＲＳ７，ＴＲＳ１１またはＴＲＳ１２に搬送されたウエハＡはキャリアアーム１２を介してキャリアＣ１に戻される。
このようにＤＥＶ層を複数設けて、各ＤＥＶ層におけるモジュール間を並行してウエハの搬送を行うことで、一つのＤＥＶ層に同種のモジュールを多数設ける場合に比べて、スループットの低下を抑えながらモジュール間を搬送する搬送アームの負荷を抑え、これらのＤＥＶ層における搬送精度の向上を図ることができる。ＤＥＶ層をこのように複数設けた場合においても、ＣＯＴ層を２つより多く形成してもよい。また後続ロットを搬送するにあたり、第１の実施形態と同様に後続ロットの到着までに各モジュールの処理条件を変更するようにしてもよい。
上記の各実施形態ではウエハにレジストを塗布する前に疎水化処理を行っているが、疎水化処理を行う代わりに反射防止膜を形成するようにしてもよい。
続いて第４の実施形態の塗布、現像装置１Ａについて、塗布、現像装置１との差異点を中心に図１３及び図１４を参照しながら説明する。図１３はこの塗布、現像装置１ＡにおけるＣＯＴ層Ｇ２の平面を示しており、図１４は塗布、現像装置の各層のモジュールの配置を示した縦断面図であり、図７などと同様に塗布、現像装置１Ａの各モジュール及び搬送アームなどを便宜上、平面に展開して示したものである。各ＴＲＳ、ＣＰＬ、ＨＰ、ＢＭについてはその配置によって便宜上、符号を振り直している。
塗布、現像装置１Ａの塗布ユニット２には、各層に薬液を塗布して成膜を行うためのレジスト塗布モジュールＣＯＴが４基設けられており、ＤＥＶ層Ｇ１においては現像モジュールＤＥＶが８基設けられている。そして、各層の搬送路Ｒ１に沿って５基の棚ユニットＵ０〜Ｕ４が設けられており、これら各棚ユニットに含まれる加熱・冷却系の処理モジュールの数が塗布、現像装置１の処理モジュールの数とは異なっている。また、その処理モジュールの数は各層間においても夫々異なっている。
そして、ＤＥＶ層Ｇ１とＣＯＴ層Ｇ２との間にレジスト膜の下層に反射防止膜を形成するためのＢＣＴ層Ｇ７が設けられている。ＢＣＴ層Ｇ７は、ＣＯＴ層Ｇ２と同様のレイアウトを持つように構成されており、加熱モジュール２４Ａ〜２４Ｃ、搬送アームＥ２に夫々対応する加熱モジュール７３Ａ〜７３Ｆ、搬送アームＥ７を備えている。また、ＢＣＴ層Ｇ７はレジスト塗布モジュールＣＯＴの代わりに前記反射防止膜を形成するための薬液塗布モジュールＢＣＴ２３Ａ〜２３Ｄを備えており、このＢＣＴはレジストの代わりに前記薬液が用いられることを除いてはＣＯＴと略同様の構成を備えている。また、棚ユニットＵ５においてＢＣＴ層Ｇ７に対応する位置には冷却モジュールＣＰＬ７１Ａ〜７１Ｃ、受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２が積層されて設けられている。
また、塗布、現像装置１ではＤＥＶ層Ｇ１に設けられていた棚ユニットＵ６が、この装置１ＡではＤＥＶ層Ｇ１上に向かって伸び、ＢＣＴ層Ｇ７，ＣＯＴ層Ｇ２，ＣＯＴ層Ｇ３にも跨るように設けられており、この棚ユニットＵ６において、ＢＣＴ層Ｇ７に対応する位置にバッファモジュールＢＭ７４Ａが、ＣＯＴ層Ｇ２に対応する位置に冷却モジュールＣＰＬ２２Ａ〜２２Ｃが、ＣＯＴ層Ｇ３に対応する位置に冷却モジュールＣＰＬ３２Ａ〜３２Ｃが夫々設けられている。この例では棚ユニットＵ６においてＤＥＶ層Ｇ１に対応する位置には塗布、現像装置１と同様に冷却モジュールＣＰＬ及び受け渡しステージＴＲＳが設けられているが、その数は異なっている。
棚ユニットＵ６付近には昇降して各層間を移動自在に構成され、棚ユニットＵ６の上下に配置された各モジュール及びステージ間でウエハＷの受け渡しを行うことができるブロック間搬送手段である受け渡しアームＤ２が設けられている。
続いてこの塗布、現像装置１Ａにおける同じロット内のウエハＡの搬送経路について図１５を参照しながら説明する。先ずウエハＡ１から番号順に棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ１またはＴＲＳ２に搬送され、その後受け渡しアームＤ１により冷却モジュールＣＰＬ７１Ａ〜７１Ｃに搬送されて温度調整された後は、搬送アームＥ７により薬液塗布モジュールＢＣＴ７２Ａ〜７２Ｄのいずれかに搬送されて薬液塗布を受けた後、加熱モジュールＨＰ７３Ａ〜７３Ｆのいずれかに搬送される。そして、各ウエハＡは加熱処理を受けてその表面に反射防止膜が形成され、然る後、バッファモジュールＢＭ７４Ａに収納される。塗布、現像装置１と同様に番号が若いウエハＡから番号が遅いウエハＡに向かって順次キャリアＣから取り出され、処理を受けながら搬送されるので、このバッファモジュールＢＭ７４ＡにはキャリアＣから払い出された順にウエハＡが搬送され、各ウエハＡは受け渡しアームＤ２による搬送が行われるまで当該バッファモジュールＢＭ７４Ａに一時滞留される。
そして、受け渡しアームＤ２はバッファモジュールＢＭ７４Ａに収容されたウエハＡについて最も若い番号で且つ奇数番号のものをＣＯＴ層Ｇ２の棚ユニットＵ６のＣＰＬ２２Ａ〜２２Ｃのいずれかに、最も若い番号で且つ偶数番号のものを棚ユニットＵ６のＣＰＬ３２Ａ〜３２Ｃのいずれかに夫々搬送する。従って、ＣＯＴ層Ｇ２にはウエハＡ１，Ａ３，Ａ５・・・Ａ２５がこの順に搬送され、ＣＯＴ層Ｇ３にはウエハＡ２，Ａ４，Ａ６・・・Ａ２４がこの順に搬送される。各層Ｇ２，Ｇ３へのウエハの搬送は交互に行われる。
ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３に搬送された各ウエハＡは塗布、現像装置１と同様に各層で独立してＣＯＴ→ＨＰ→ＷＥＥの順に搬送され、レジスト膜が形成された後、バッファモジュールＢＭ２６，ＢＭ３６に収納されて、搬送アームＤ１により搬送されるまでそれらバッファモジュールＢＭに一時滞留される。なお、この例ではレジスト膜に対して密着性が高い有機物からなる反射防止膜をウエハＡに形成しているので、ＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３においてＡＤＨモジュールによるレジスト膜のウエハへの密着性を高める疎水化処理は行っていない。
そして、塗布、現像装置１と同様にウエハＡは若い番号のものから順に受け渡しアームＤ１によりバッファモジュールＢＭ２６，ＢＭ３６からシャトルアーム１６に受け渡され、インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４→インターフェイスアームＩの順に搬送された後、棚ユニットＵ６においてＤＥＶ層Ｇ１に対応する位置に設けられた受け渡しステージＴＲＳ３〜ＴＲＳ７のいずれかに搬送される。そして、塗布、現像装置１の場合と同様にＤＥＶ層Ｇ１の各モジュール間を順次搬送されて現像処理を受けた後、棚ユニットＵ５においてＤＥＶ層Ｇ１に対応する高さ位置に設けられた冷却モジュールＣＰＬ４５ＡまたはＣＰＬ４５Ｂに搬送されて、受け渡しアーム１２によりキャリアＣに戻される。この例では冷却モジュールＣＰＬ４５Ａ及びＣＰＬ４５Ｂが現像処理済み基板受け渡しステージの役割を果たしている。このような装置構成及び搬送経路によってもレジスト塗布処理を行う場合には、上記のように受け渡しアームＤ２により同じロット内のウエハＡがＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３に夫々振り分けられて、これら各層で処理が独立して行われるので上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに第５の実施形態の塗布、現像装置１Ｂの構成について図１６を参照しながら塗布、現像装置１Ａとの差異点を中心に説明する。塗布、現像装置１Ｂは塗布、現像装置１Ａと同様に各層に亘って伸びた棚ユニットＵ６と受け渡しアームＤ２とを備えており、ＤＥＶ層Ｇ１とＣＯＴ層Ｇ２との間にはＢＣＴ層Ｇ７の代わりにＴＣＴ層Ｇ８が設けられている。ＴＣＴ層Ｇ８と他の各層との差異点としては、そのＴＣＴ層Ｇ８に設けられた塗布ユニットがレジスト膜上に表面反射防止膜を形成するための薬液を塗布する薬液塗布モジュールＴＣＴ８３Ａ〜８３Ｄを備えていることが挙げられる。図中Ｅ８はＥ２等と同様に層内でウエハを搬送する搬送アームを示す。棚ユニットＵ５においてＴＣＴ層Ｇ８に対応する位置には受け渡しモジュールＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ５〜７及びＣＰＬ８２Ａ〜８２Ｃが互いに積層されて設けられており、棚ユニットＵ６においてＴＣＴ層Ｇ８に対応する位置にはバッファモジュールＢＭ８１Ａが設けられている。また、この例では露光装置Ｓ４は液浸露光を行うように構成され、処理ブロックＳ２とインターフェイスブロックＳ３間には液浸用洗浄ブロックＳ５が設けられている。
液浸洗浄用ブロックＳ５は液浸露光前にウエハを洗浄する洗浄モジュールＳＲＳ８５Ａ〜８５Ｃ、液浸露光後のウエハを洗浄する洗浄モジュールＰＩＲ８６Ａ〜８６Ｃ、受け渡しステージＴＲＳ８、ＴＲＳ９、冷却モジュールＣＰＬ８７Ａ、８７Ｂ及びこれらのステージ、モジュール間でウエハを受け渡すための受け渡しアーム８８を備えている。
続いて図１７を参照しながら、塗布、現像装置１Ｂにおけるウエハの搬送経路について説明する。ウエハＡは若い番号のものから順にキャリアアーム１２→受け渡しステージＴＲＳ１またはＴＲＳ２に搬送される。そして、Ａ１、Ａ３、Ａ５・・・の奇数番号のウエハＡは、受け渡しアームＤ１により順次ＣＯＴ層Ｇ２のバッファモジュールＢＭ２６に搬送され、Ａ２、Ａ４、Ａ６・・・の奇数番号のウエハＡは、受け渡しアームＤ１により順次ＣＯＴ層Ｇ３のバッファモジュールＢＭ３６に搬送される。この例ではバッファモジュールＢＭ２６，ＢＭ３６がＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３への受け渡しステージの役割を果たしている。
バッファモジュールＢＭ２６，ＢＭ３６に搬送された各ウエハＡは、搬送アームＥ２，Ｅ３による搬送が行われるまでそこに一時滞留される。そして搬送アームＥ２，Ｅ３はバッファモジュールＢＭ２６，ＢＭ３６に搬入されたウエハＡを若い番号のものから順に塗布、現像装置１と同様にＡＤＨ→ＣＰＬ→ＣＯＴ→ＨＰ→ＷＥＥの経路で搬送し、然る後棚ユニットＵ６のＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３に設けられた受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４に搬送する。受け渡しステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４に搬送された各ウエハＡは受け渡しアームＤ２により、棚ユニットＵ６においてＴＣＴ層Ｇ８に設けられたバッファモジュールＢＭ８１Ａに搬送されて、搬送アームＥ８により取り出されるまでそこに一時滞留される。
そして、ＴＣＴ層Ｇ８の搬送アームＥ８はウエハＡ１，Ａ２，Ａ３・・・と若い番号から遅い番号に向かって順次ウエハＡをバッファモジュール８１Ａから冷却モジュールＣＰＬ８２Ａ〜８２Ｃのいずれかに搬送する。然る後、搬送アームＥ８により各ウエハＡは、冷却モジュールＣＰＬ８２Ａ〜８２Ｃのいずれか→薬液塗布モジュールＴＣＴ８３Ａ〜８３Ｄのいずれか→加熱モジュール８４Ａ〜８４Ｄのいずれか→ＴＣＴ層Ｇ８からの搬出用ステージである棚ユニットＵ５の受け渡しステージＴＲＳ５〜ＴＲＳ７のいずれかに搬送される。上記のようにウエハＡは番号順にバッファモジュールＢＭ８１Ａから取り出されて処理を受けながら搬送されるので、若い番号のものから順に受け渡しステージＴＲＳ５〜ＴＲＳ７に搬送される。そして、これら受け渡しステージから受け渡しアームＤ１を介してシャトルアーム１６がそれら各受け渡しステージへ到着した順にウエハＡを液浸用洗浄ブロックＳ５に搬送する。
シャトルアーム１６→受け渡しアーム８８→露光前洗浄モジュールＳＲＳ８５Ａ〜８５Ｃのいずれか→受け渡しアーム８８→冷却モジュールＣＰＬ８７Ａまたは８７Ｂ→インターフェイスアームＩ→露光装置Ｓ４の順に搬送されて、露光されたウエハＡは露光装置Ｓ４からインターフェイスアームＩ→受け渡しステージＴＲＳ８またはＴＲＳ９→露光後洗浄モジュールＰＩＲ８６Ａ〜８６Ｃのいずれか→受け渡しアーム８８→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ１０〜ＴＲＳ１４に搬送される。そして、その後は塗布、現像装置１Ａと同様の経路でＤＥＶ層Ｇ１を搬送され、キャリアＣに戻される。このような塗布、現像装置１ＢにおいてもＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３にウエハＡが振り分けられて、これらの各層で独立してレジスト膜の形成が行われるので、上述の各塗布、現像装置と同様の効果が得られる。
この塗布、現像装置１ＢではキャリアＣからウエハを払い出した順番通りに露光装置Ｓ４に搬送し、例えば後のロットの先頭のウエハが先のロットの処理条件で露光処理や現像処理を受けてしまうことを防ぐためにウエハを一時滞留させるバッファモジュールＢＭ８１ＡをＴＣＴ層Ｇ８に設けているが、このようにウエハを露光装置へと払い出す順番を整えるために当該ウエハを一時滞留させるバッファモジュールＢＭの配置としてはこの例に限られない。例えば棚ユニットＵ６においてＢＣＴ層Ｇ２、ＢＣＴ層Ｇ３に夫々バッファモジュールＢＭを設けて、それらのバッファモジュールＢＭから受け渡しアームＤ２によりウエハを番号順にＴＣＴ層Ｇ８に搬入してもよい。また、バッファモジュールＢＭとしては棚ユニットＵ５においてＴＣＴ層Ｇ８の高さ位置に設けてもよく、そこに滞留されたウエハをキャリアＣから取り出された順に受け渡しアームＤ１及びシャトルアーム１６が露光装置Ｓ４に搬入してもよい。
ところで、上記の塗布、現像装置１Ｂにおいて薬液塗布モジュールＴＣＴの代わりに液浸露光用の保護膜を形成するための薬液塗布モジュールＩＴＣを設けて、ＴＣＴ層をこの保護膜を形成するためのＩＴＣ層として構成してもよい。また上記の液浸洗浄用ブロックＳ５は他の各実施形態に設けられていてもよい。また、シャトルアーム１６の移動領域よりも上層に位置する各層については、既述の配置の例に限られず、自由に入れ替えて良く、例えば図１８（ａ）に示すようにＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３上にＢＣＴ層Ｇ７を配置したり、図１８（ｂ）に示すようにＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３間にＢＣＴ層Ｇ７を配置してもよい。ＴＣＴ（ＩＴＣ）層Ｇ８及びＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３についても積層順序は自由であり、図１８（ｃ）に示すようにＣＯＴ層Ｇ２，Ｇ３の下層側にＴＣＴ（ＩＴＣ）層Ｇ８を配置してもよい。
続いて第６の実施形態の塗布、現像装置７Ａについて説明する。この塗布、現像装置７Ａは図１９に示すようにＤＥＶ層Ｇ５において現像モジュールＤＥＶが６３Ａ〜６３Ｃの３基のみ設けられている他は塗布、現像装置７と同じ構成になっている。図２０を用いてこの塗布、現像装置７ＡにおけるウエハＡの搬送経路について説明する。露光処理を受けるまでは各ウエハＡは塗布、現像装置７と同様の搬送経路で搬送され、露光処理を受けたウエハＡは番号順にＤＥＶ層Ｇ１またはＧ５の受け渡しステージＴＲＳに払い出されるが、このときインターフェイスアームＩはＤＥＶ層Ｇ１にウエハを連続して２枚搬送した後、ＤＥＶ層Ｇ５に１枚搬送し、その後またＤＥＶ層Ｇ１に連続して２枚搬送した後、ＤＥＶ層Ｇ５に１枚搬送する、という搬送処理を繰り返し行う。つまり、同じキャリアＣ内のウエハＡにおいてはＤＥＶ層Ｇ５の受け渡しステージＴＲＳ９またはＴＲＳ１０にはウエハＡ３，Ａ６，Ａ９・・・・Ａ２４というように３の倍数の番号のウエハＡが払い出され、ＤＥＶ層Ｇ１の受け渡しステージＴＲＳ４またはＴＲＳ５には３の倍数以外の番号のウエハＡが搬送される。
ＤＥＶ層Ｇ１，Ｇ５に搬送された各ウエハＡは塗布、現像装置７と同様に搬送されて現像処理を受け、番号順にキャリアＣに戻される。現像処理ではレジストを溶解させるために所定の時間を要するので、ウエハを一方のＤＥＶ層に集中して搬送すると、現像モジュールＤＥＶがすべてウエハＡに対して処理を行っている状態になり、その現像モジュールＤＥＶよりも前の各モジュールでウエハＡが待機することになるので、結果としてスループットが低下する恐れがある。しかし、この例ではＤＥＶ層Ｇ１に６基、ＤＥＶ層Ｇ５に３基夫々現像モジュールＤＥＶが設けられており、そして、現像モジュールＤＥＶの数に応じた枚数のウエハを各ＤＥＶ層に搬送しているため、そのような待機状態が発生したり、待機状態が長くなったりすることが抑えられるので、スループットの低下を抑えることができるため好ましい。
各ＤＥＶ層にウエハＡを搬送する枚数としてはこの例に限られず、ＤＥＶ層Ｇ１の方がＤＥＶ層Ｇ５よりも現像モジュールＤＥＶが多いため、ＤＥＶ層Ｇ５よりもＤＥＶ層Ｇ１に多くウエハを搬送すれば、上記のスループットの低下を防ぐことができるので、例えばＤＥＶ層Ｇ１に３枚続けてウエハを搬送した後、ＤＥＶ層Ｇ５に２枚続けてウエハを搬送し、その後再びＤＥＶ層Ｇ１に３枚続けてウエハを搬送してもよい。なお、このようにＤＥＶ層が積層されている場合にもＴＣＴ層、ＩＴＣ層またはＢＣＴ層を設けてよい。
本発明の第１の実施の形態の塗布、現像装置の横断平面図である 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断平面図である。 前記塗布、現像装置に含まれるＣＯＴ層の斜視図である。 前記塗布、現像装置を搬送されるウエハの搬送スケジュール表である。 前記塗布、現像装置を搬送されるウエハの搬送スケジュール表である。 前記塗布、現像装置に含まれる各モジュールを示した模式図である。 前記各モジュール間におけるウエハの搬送図である。 第２の実施の形態の塗布、現像装置に含まれる各モジュールを示した模式図である。 前記塗布、現像装置の各モジュール間におけるウエハの搬送図である。 第３の実施の形態の塗布、現像装置に含まれる各モジュールを示した模式図である。 前記塗布、現像装置の各モジュール間におけるウエハの搬送図である。 第４の実施形態の塗布、現像装置の平面図である。 第４の実施の形態の塗布、現像装置に含まれる各モジュール配置を示した模式図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送図である。 第５の実施の形態の塗布、現像装置に含まれる各モジュール配置を示した模式図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送図である。 前記塗布、現像装置の各層の他の配置例である。 第６の実施の形態の塗布、現像装置に含まれる各モジュール配置を示した模式図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送図である。 従来の塗布、現像装置におけるウエハの搬送図である。 前記塗布、現像装置において塗布ブロックのモジュールの数を増やした場合の一例を示したウエハの搬送図である。
符号の説明
Ｗ，Ａ，Ｂ ウエハ
ＡＤＨ 疎水化処理モジュール
ＢＭ バッファモジュール
Ｃ キャリア
Ｅ１〜Ｅ５ 搬送アーム
Ｇ１，Ｇ５ 現像ブロック
Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４ 塗布ブロック
ＣＯＴ 塗布モジュール
ＣＰＬ 冷却モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
ＨＰ 加熱モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 処理ブロック
Ｓ３ インターフェイスブロック
Ｓ４ 露光装置
ＴＲＳ 受け渡しステージ

Claims (20)

  1. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
    ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された複数のレジスト膜形成ブロック及び現像処理ブロックと、を備え、
    ｂ）前記レジスト膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、レジストを基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する前に一時的に滞留させるバッファモジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するレジスト膜形成用搬送手段と、を備え、
    ｃ）前記現像処理ブロックは、露光装置から払い出された露光済みの基板が載置される露光済み基板受け渡しステージと、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、現像処理済みの基板が載置される現像済み基板受け渡しステージと、これらモジュール間で基板を搬送する現像処理用搬送手段と、を備え、
    ｄ）各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールからインターフェイスブロックを介して基板を露光装置に搬入するための露光装置搬入用搬送手段と、
    キャリアから払い出された基板を各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへと搬送する処理ブロック搬入用搬送手段と、
    現像処理ブロックの受け渡しステージから現像済みの基板を当該基板が払い出されたキャリアに戻すための払い戻し用搬送手段と、が設けられ、
    ｅ）各レジスト膜形成ブロックのレジスト膜形成用搬送手段は互いに独立して当該ブロック内の各モジュール間を基板を搬送し、
    ｆ）前記処理ブロック搬入用搬送手段は、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送すると共に前記露光装置搬入用搬送手段は、前記搬入用受け渡しステージに搬送された順に各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールに搬入された基板を露光装置に搬入することを特徴とする塗布、現像装置。
  2. 前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された、レジスト膜の下層に膜を形成するための下層膜形成ブロックを備え、
    前記下層膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、下層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する下層膜形成用搬送手段と、下層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージと、を備え、
    前記処理ブロック搬入用搬送手段は、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに基板を搬送する代わりに、前記下層膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに基板を搬入し、
    下層膜形成ブロックの搬出用ステージから各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送するブロック間受け渡し手段が設けられたことを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
  3. 前記下層膜は反射防止膜であることを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
  4. 前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された、レジスト膜の上層に膜を形成するための上層膜形成ブロックを備え、
    前記上層膜形成ブロックは、上層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する上層膜形成用搬送手段と、を備え、
    前記露光装置搬入用手段は、レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を搬送する代わりに、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬送された順に上層膜が形成された基板を前記上層膜形成ブロックからインターフェイスブロックを介して露光装置に搬入し、
    レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する前に一時的に滞留させる前記バッファモジュールは各レジスト膜形成ブロックか、当該レジスト膜形成ブロックの代わりに前記上層膜形成ブロックに設けられ、
    レジスト膜が形成された基板をレジスト膜形成ブロックから上層膜形成ブロックへ搬送するためのブロック間搬送手段が設けられることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
  5. 前記バッファモジュールは上層膜形成ブロックに設けられ、
    前記ブロック間搬送手段は、レジスト膜が形成された基板を当該バッファモジュールへ搬送し、
    上層膜形成ブロックは上層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージを備え、
    前記露光装置搬入用手段は、前記搬出用ステージから基板を搬出することを特徴とする請求項４記載の塗布、現像装置。
  6. 前記上層膜は反射防止膜かまたは液浸露光を行う際にレジスト膜の表面を保護する保護膜であることを特徴とする請求項４または５記載の塗布、現像装置。
  7. 各レジスト膜形成ブロック及び現像処理ブロックは互いに積層されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  8. レジスト膜形成ブロックは２つ設けられ、前記処理ブロック搬入用搬送手段は、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を交互に搬送し、露光装置搬入用搬送手段は各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を交互に、各搬入用受け渡しステージへ搬入されたものから順に露光装置に搬入することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  9. 前記現像処理ブロックは複数設けられ、各露光済み基板受け渡しステージに露光済みの基板が１枚ずつサイクリックに搬送されることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  10. 現像処理ブロックは複数設けられ、
    一の現像処理ブロックには他の現像処理ブロックよりも多くの現像モジュールが設けられ、
    前記一の現像処理ブロックには複数枚連続して露光済みの基板が搬送され、且つ他の現像処理ブロックには１枚あるいは一の現像処理ブロックに連続して搬送される基板の枚数より少ない枚数の前記基板が連続して搬送され、
    これらの一の現像ブロックへの基板の搬送と、他の現像ブロックへの基板の搬送とが交互に繰り返し行われることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  11. 前記一の現像ブロックには他の現像ブロックの２倍の数の現像モジュールが設けられ、
    一の現像ブロックへの２枚連続した基板の搬送と、他の現像ブロックへの１枚の基板の搬送が交互に行われることを特徴とする請求項１０記載の塗布、現像装置。
  12. レジスト膜形成ブロックにおいて塗布モジュール、加熱モジュール、冷却モジュールは夫々複数設けられていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
  13. キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置の運転方法において、
    ａ）前記処理ブロックは、各々キャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成された複数のレジスト膜形成ブロック及び現像処理ブロックと、を備え、
    ｂ）前記レジスト膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、レジストを基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する一時的に滞留させるバッファモジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するレジスト膜形成用搬送手段と、を備え、
    ｃ）前記現像処理ブロックは、露光装置から払い出された露光済みの基板が載置される露光済み基板受け渡しステージと、現像液を基板に供給するための現像モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、現像処理済みの基板が載置される現像済み基板受け渡しステージと、これらモジュール間で基板を搬送する現像処理用搬送手段と、を備えており、
    処理ブロック搬入用搬送手段により、キャリアから払い出された基板を各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送する工程と、
    各レジスト膜形成ブロックのレジスト膜形成用搬送手段によりこれら各ブロックのモジュール間で互いに独立して基板を搬送する工程と、
    前記露光装置搬入用搬送手段により、前記搬入用受け渡しステージに搬送された順に各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールに搬入された基板をインターフェイスブロックを介して露光装置に搬入する工程と、
    露光済みの基板を前記現像処理用搬送手段により現像処理ブロックの各モジュール間で搬送する工程と、
    払い戻し用搬送手段により現像処理ブロックの受け渡しステージから現像済みの基板を当該基板が払い出されたキャリアに戻す工程と、
    を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
  14. 前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成されたレジスト膜の下層に膜を形成するための下層膜形成ブロック、を備え、
    前記下層膜形成ブロックは、キャリアブロックから搬入された基板が載置される搬入用受け渡しステージと、下層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する下層膜形成用搬送手段と、下層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージと、を備え、
    前記処理ブロック搬入用搬送手段により、キャリアから払い出された基板を各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ順にサイクリックに搬送する工程の代わりに、前記処理ブロック搬入用搬送手段により、キャリアから払い出された基板を前記下層膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬入する工程と、
    ブロック間受け渡し手段により下層膜形成ブロックの搬出用ステージから各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を順にサイクリックに搬送する工程と、
    を備えたことを特徴とする請求項１３記載の塗布、現像方法。
  15. 前記処理ブロックはキャリアブロック側からインターフェイスブロック側へ向かって形成されたレジスト膜の上層に膜を形成するための上層膜形成ブロックを備え、
    レジスト膜形成済みの基板を露光装置へ搬入する前に一時的に滞留させる前記バッファモジュールは各レジスト膜形成ブロックか、当該レジスト膜形成ブロックの代わりに前記上層膜形成ブロックに設けられ、
    前記上層膜形成ブロックは、上層膜を形成するための薬液を基板に塗布する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、基板を冷却する冷却モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送する上層膜形成用搬送手段と、を備え、
    前記露光装置搬入用手段によりレジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を搬送する代わりに、レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージに搬送された順に基板を前記上層膜形成ブロックからインターフェイスブロックを介して露光装置に搬入する工程と、
    ブロック間搬送手段によりレジスト膜が形成された基板をレジスト膜形成ブロックから上層膜形成ブロックに搬送する工程と、
    を備えたことを特徴とする請求項１３記載の塗布、現像方法。
  16. 前記バッファモジュールは上層膜形成ブロックに設けられ、上層膜形成ブロックは上層膜が形成された基板を搬出するための搬出用ステージを備え、前記ブロック間搬送手段により基板を搬送する工程は、レジスト膜が形成された基板を前記搬出用ステージから前記バッファモジュールへ搬送する工程を含み、
    前記露光装置搬入用手段により前記上層膜形成ブロックから基板を露光装置に搬入する工程は、前記搬出用ステージから基板を搬出する工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の塗布、現像方法。
  17. レジスト膜形成ブロックは２つ設けられ、前記処理ブロック搬入用搬送手段は、各レジスト膜形成ブロックの搬入用受け渡しステージへ１枚ずつ基板を交互に搬送し、露光装置搬入用搬送手段は各レジスト膜形成ブロックのバッファモジュールから基板を交互に、各搬入用受け渡しステージへ搬入されたものから順に露光装置に搬入することを特徴とする請求項１３ないし１６のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
  18. 前記現像処理ブロックは複数設けられ、各露光済み基板を各現像処理ブロックの受け渡しステージに１枚ずつサイクリックに搬送する工程を含むことを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
  19. 前記現像処理ブロックは複数設けられており、
    一の現像処理ブロックには他の現像処理ブロックよりも多くの現像モジュールが設けられ、
    前記一の現像処理ブロックに複数枚連続して露光済みの基板が搬送する工程と、
    他の現像処理ブロックに１枚あるいは前記一の現像処理ブロックに連続して搬送される基板の枚数より少ない枚数の前記基板を連続して搬送する工程と、
    を含み、
    これらの一の現像ブロックへの基板の搬送工程と、他の現像ブロックへの基板の搬送工程とを交互に繰り返し行うことを特徴とする請求項１３ないし１７のいずれか一つに記載の塗布、現像方法。
  20. レジストが塗布され、露光された後の基板に対する現像を行う塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項１３ないし１９のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164253A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2012019129A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
KR101120597B1 (ko) 2009-12-03 2012-03-09 세메스 주식회사 반도체 소자의 제조 장치
KR20120024388A (ko) 2010-09-06 2012-03-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2012199318A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
JP2020120099A (ja) * 2019-01-28 2020-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5212165B2 (ja) * 2009-02-20 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5736687B2 (ja) * 2009-10-06 2015-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5397399B2 (ja) 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP2012124309A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Tokyo Electron Ltd 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN105467627A (zh) * 2012-05-23 2016-04-06 株式会社尼康 基板处理装置及基板处理方法
JP6105982B2 (ja) * 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
JP6003859B2 (ja) * 2013-09-18 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6548513B2 (ja) * 2015-08-21 2019-07-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6505851B2 (ja) * 2015-08-28 2019-04-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6994489B2 (ja) * 2019-10-02 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193597A (ja) * 2002-11-28 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び塗布、現像装置
JP2006203003A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Tokyo Electron Ltd 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP2006216614A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP2006253501A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法
JP2006344658A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
JP2007149717A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW309503B (ja) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP2000235949A (ja) * 1998-12-17 2000-08-29 Tokyo Electron Ltd 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法
JP3462426B2 (ja) * 1999-05-24 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3914690B2 (ja) * 1999-06-30 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
JP5154006B2 (ja) * 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP4393976B2 (ja) * 2004-12-06 2010-01-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4541966B2 (ja) * 2005-05-06 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193597A (ja) * 2002-11-28 2004-07-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び塗布、現像装置
JP2006203003A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Tokyo Electron Ltd 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP2006216614A (ja) * 2005-02-01 2006-08-17 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置
JP2006253501A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法
JP2006344658A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
JP2007149717A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US10290521B2 (en) 2007-06-29 2019-05-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe
US9230834B2 (en) 2007-06-29 2016-01-05 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US9174235B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines
US9687874B2 (en) 2007-11-30 2017-06-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
JP2009164253A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
KR101120597B1 (ko) 2009-12-03 2012-03-09 세메스 주식회사 반도체 소자의 제조 장치
JP2012019129A (ja) * 2010-07-09 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US8916229B2 (en) 2010-09-06 2014-12-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
KR20120024388A (ko) 2010-09-06 2012-03-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2012199318A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2014067910A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP2020120099A (ja) * 2019-01-28 2020-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
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