JP2014067910A - 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に対して塗布膜を形成するときに装置に異常が発生しても、速やかに再度の塗布膜の形成処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】保持部に保持された基板に、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、当該基板を前記搬送機構に受け渡すまでの間に、前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する異常検出機構と、前記異常検出機構により異常が検出されたときに、前記保持部に保持された基板に前記塗布膜の溶剤を供給して、基板から塗布膜を除去するための溶剤供給部と、制御部と、を備えるように装置を構成する。前記制御部は、塗布膜が除去された基板に、再度塗布液を供給して塗布膜を形成するために前記制御信号を出力することで速やかに塗布膜の再形成を行う。
【選択図】図８

Description

本発明は、基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、前記塗布膜形成装置を含む塗布、現像装置、前記塗布膜形成方法を含む塗布、現像方法及び前記塗布膜形成方法を行うためのプログラムを格納した記憶媒体に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記載する）に例えばレジスト液などの塗布液を供給して塗布膜を形成する処理が行われる。多数枚のウエハが順番にこのような処理を行う塗布膜形成装置に搬送されて処理される。

このようにウエハの搬送及びウエハの処理が行われているときに、塗布膜形成装置にトラブルが発生し、処理が中断したり、異常な処理が行われたりする場合がある。このような場合、装置が正常な状態に復旧するまで、トラブルが発生した時点で処理中だったウエハは装置内で待機し、その後にウエハが格納されていたキャリアに戻される。

このようなウエハには、所望の塗布膜が形成されていないおそれがあるので、当該ウエハは処理済みのウエハの中から選別され、前記塗布膜形成装置とは異なる処理装置にてリワークと呼ばれる処理を受ける。リワークとはウエハに塗布膜の溶剤を供給し、ウエハに形成された塗布膜を除去する処理である。特許文献１にはこのようなリワークについて記載されている。また、塗布膜形成処理後に検査を行う場合がある。この検査により、前記処理装置にてリワークを行う必要があるウエハを選別する。リワークを受けたウエハは、塗布膜形成装置にて、塗布膜が再び形成される。

しかし、このようにリワークを行うべきウエハを選別することは手間や時間がかかるし、ウエハを塗布膜形成装置からリワーク用の処理装置に搬送して、さらに塗布膜形成装置に戻すことも手間や時間がかかる。結果としてウエハのスループットが低下する要因になるおそれがある。

特許第３４５５４５８（請求項６など）

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は基板に対して塗布膜を形成するときに装置に異常が発生しても、速やかに再度の塗布膜の形成処理を行うことができる技術を提供することである。

本発明の塗布膜形成装置は、
基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
搬送機構により外部から受け渡された前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、当該基板を前記搬送機構に受け渡すまでの間に前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する異常検出機構と、
前記異常検出機構により異常が検出されたときに、前記保持部に保持された基板に前記塗布膜の溶剤を供給して、前記基板から塗布膜を除去するための溶剤供給部と、
前記塗布液供給部から前記基板への塗布液の供給を制御し、前記塗布膜が除去された基板に、再度塗布液を供給して塗布膜を形成するように制御信号を出力する制御部と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の基板にレジスト膜を形成し、前記露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する塗布、現像装置において、
前記レジスト膜、レジスト膜の上側または下側に形成される積層膜のいずれかの互いに同種の塗布膜を各々形成する第１の塗布膜形成モジュール及び第２の塗布膜形成モジュールと、
前記基板を複数格納するためのキャリアを載置する載置台と、
前記キャリアに格納される基板を、前記第１の塗布膜形成モジュール、第２の塗布膜形成モジュールに各々振り分けて搬送する往路側搬送機構と、
前記第１の塗布膜形成モジュール及び第２の塗布膜形成モジュールで処理され、更に露光された基板を、当該基板に前記現像液を供給して現像する現像モジュールを介して前記キャリアに戻すように搬送する復路側搬送機構と、
を備え、
前記第１の塗布膜形成モジュールは、基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であり、
搬送機構により外部から受け渡された前記基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、当該基板を前記搬送機構に受け渡すまでの間に、前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する異常検出機構と、
前記塗布液供給部から前記基板への塗布液の供給を制御し、前記塗布膜が除去された基板に、再度塗布液を供給して塗布膜を形成するように制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記異常検出機構により当該第１の塗布膜形成モジュールに異常が検出されたときに、前記往路側搬送機構は、当該第１の塗布膜形成モジュールへ搬送されるように予め設定されていた後続の基板を、第２の塗布膜形成モジュールに搬送することを特徴とする。

本発明では、塗布液が供給された後、当該基板が外部に搬送されるまでの間に装置の異常を検出する異常検出機構が設けられ、異常が検出されたときには、基板に塗布膜の溶剤が供給されて、塗布膜が除去された後、再度塗布液が供給されて塗布膜が形成される。その結果として、塗布膜の除去処理が必要な基板を選別して、当該除去処理を行う専用の装置に搬送する手間が省ける。従って、速やかに塗布膜の再形成を行うことができ、スループットの向上を図ることができる。

本発明に係るレジスト膜形成モジュールを含んだ塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。 前記レジスト膜形成モジュールの縦断側面図である。 前記レジスト膜形成モジュールに設けられるポンプの概略図である。 前記塗布、現像装置に設けられる制御部の構成図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作の概略フローチャートである。 前記レジスト膜形成モジュールの動作の概略フローチャートである。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作を示す説明図である。 前記レジスト膜形成モジュールの動作及びウエハの搬送動作を示すフローチャートである。 レジスト膜形成モジュールの異常発生時のウエハの搬送を示す概略図である。 レジスト膜形成モジュールの異常発生時のウエハの搬送を示す概略図である。 レジスト膜形成モジュールの異常発生時のウエハの搬送を示す概略図である。 レジスト膜形成モジュールの異常発生時のウエハの搬送を示す概略図である。 レジスト膜形成モジュールの異常発生時のウエハの搬送を示す概略図である。 前記レジスト膜形成モジュールに異常発生時のウエハの搬送状況を示す概略図である。 前記レジスト膜形成モジュールに異常発生時のウエハの搬送状況を示す概略図である。 他の塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。 前記塗布、現像装置にて保護膜形成モジュールに異常発生時のウエハの搬送状況を示す概略図である。 前記塗布、現像装置にて保護膜形成モジュールに異常発生時のウエハの搬送状況を示す概略図である。

本発明の塗布膜形成装置が組み込まれた塗布、現像装置１について、その平面図、斜視図、概略縦断側面図である図１、図２、図３を夫々参照しながら説明する。塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を直線状に接続して構成されている。以降の説明ではブロックＤ１〜Ｄ３の配列方向を前後方向とする。インターフェイスブロックＤ３には、さらに露光装置Ｄ４が接続されている。

キャリアブロックＤ１には、複数枚のウエハＷからなるロットを格納したキャリアＣが搬送され、キャリアＣにはウエハＷを各々格納するスロットが上下方向に設けられている。キャリアブロックＤ１は、前記キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための移載機構１３とを備えている。塗布、現像装置１で処理を受けたウエハＷは、このウエハＷが格納されていたキャリアＣのスロットに戻されるように前記移載機構１３の動作が制御される。また前記スロットは、当該ウエハＷが元々格納されていたスロットである。

処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。

この例では、図２に示すように下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられている。この例では、下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられており、ＣＯＴ層（Ｅ３、Ｅ４）を代表して図１を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域Ｒの左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に配置され、他方側には夫々液処理モジュールである２つのレジスト膜形成モジュールが前後に並べて設けられている。前記レジスト膜形成モジュールは、本発明の塗布膜形成装置に相当し、ウエハＷにレジスト液を供給してレジスト膜を形成する。レジスト膜形成モジュールについては後に詳しく説明する。また、以下の説明では、ＣＯＴ層Ｅ３、Ｅ４のレジスト膜形成モジュールを互いに区別するために、単位ブロックＥ３のレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ３Ａ、ＣＯＴ３Ｂ、単位ブロックＥ４のレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ４Ａ、ＣＯＴ４Ｂとして夫々示す。

前記搬送領域Ｒには、ウエハＷを搬送する基板搬送機構である搬送アームＦ３が設けられている。この搬送アームＦ３は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Ｒの長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＥ３の各モジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。また、前記６つの棚ユニットＵは、搬送領域Ｒの長さ方向に沿って配列され、５つの棚ユニットＵは、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール２１が例えば２段に積層されて構成されている。１つの棚ユニットＵは、互いに積層された周縁露光モジュール２２により構成される。この周縁露光モジュール２２は、レジスト塗布後のウエハＷの周縁部を露光する。

他の単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ５及びＥ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なること及び周縁露光モジュール２２の代わりに加熱モジュール２１が設けられることなどを除き、単位ブロックＥ３、Ｅ４と同様に構成される。単位ブロックＥ１、Ｅ２は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（３Ａ，３Ｂ）、ＣＯＴ４（４Ａ，４Ｂ）の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＥ５、Ｅ６は、現像モジュールを備える。図３では各単位ブロックＥ１〜Ｅ６の搬送アームはＦ１〜Ｆ６として示している。搬送アームＦ１〜Ｆ４は往路側搬送機構に、搬送アームＦ５、Ｆ６は復路側搬送機構に夫々相当する。搬送アームＦ３、Ｆ４はレジスト膜形成モジュールＣＯＴの外部からウエハＷを当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴに受け渡し、当該ウエハＷをレジスト膜形成モジュールＣＯＴへと搬送する搬送機構である。なお、この例ではレジスト膜形成モジュールＣＯＴにウエハＷを搬送する搬送機構と、レジスト膜形成モジュールＣＯＴからウエハＷを搬出する搬送機構とが共通であるが、個別の搬送機構であってもよい。

処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム１４とが設けられている。タワーＴ１は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。

これらのモジュールとしては、実際には各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳと、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュールと、ウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが設けられている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール及び前記バッファモジュールについての図示は省略している。

インターフェイスブロックＤ３は単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１５と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム１６と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム１７が設けられている。タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール２３、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されている。ここでは、前記受け渡しモジュールＴＲＳ及びバッファモジュール２３以外の図示を省略する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。

この塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムのウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷはロットごとにキャリアＣから搬出される。つまり、一のロットのウエハＷが全て払い出された後に他のロットのウエハＷがキャリアＣから搬出されるように設定されている。ここでは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４にトラブルが起きていない通常時のウエハＷの搬送を説明する。

ウエハＷは、キャリアＣから移載機構１３により、処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＥ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＥ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは受け渡しアーム１４により行われる。

このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１→ＣＰＬ１（ＣＰＬ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール２１→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム１４により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＥ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。

このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→ＣＰＬ３（ＣＰＬ４）→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（ＣＯＴ４）→加熱モジュール２１→周縁露光モジュール２２→タワーＴ２のＴＲＳ３１（ＴＲＳ４１）の順で搬送され、インターフェイスブロックＤ３をバッファモジュール２３→ＣＰＬ０の順で搬送された後、露光装置Ｄ４へ搬入される。露光後のウエハＷは、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＥ５、Ｅ６に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に夫々搬送され、加熱モジュール２１→現像モジュール→加熱モジュール２１→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に搬送された後、移載機構１３を介してキャリアＣに戻される。

前記バッファモジュール２３では、先発ロットが全て露光装置Ｄ４に搬入された後、後発ロットが露光装置Ｄ４に搬入されるようにウエハＷが滞留される。これは、例えば露光装置Ｄ４ではロットに応じたレクチルが用いられるようになっており、このレクチルの交換回数を抑えてスループットの低下を防ぐためである。通常時には同じロット内で、先に搬送されたウエハＷと、次に搬送されたウエハＷは互いに異なる単位ブロックＥに搬送される。また、通常時において、同じロット内のウエハＷはキャリアＣから搬出された順に、露光装置Ｄ４への搬送が行われる。

続いて、塗布膜形成装置を構成するレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３（３Ａ、３Ｂ）、ＣＯＴ４（４Ａ、４Ｂ）について説明する。これらのレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４は、互いに同様の構成であり、ここでは代表して、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａについて、図４を参照しながら説明する。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａは、ウエハＷを各々処理するための２つの処理部３１と、これら処理部３１、３１に共用される複数のレジスト液供給ノズル３２と、溶剤供給部を構成する溶剤供給ノズル３３とを備えている。

処理部３１は、ウエハＷの裏面を吸着保持する基板保持部であるスピンチャック３４と、スピンチャック３４の周囲を囲むと共に上側が開口したカップ３５とを備えている。図中３６はカップ３５内を排気する排気管、３７はカップ内３５の廃液除去用のポートである。３８は、スピンチャック３３と搬送アームＦ３との間でウエハＷを受け渡すために昇降するピンである。スピンチャック３４は、駆動機構３９によりウエハＷを水平に保持したまま、鉛直軸回りに回転する。この回転で生じる遠心力により、前記ノズル３２、３３からウエハＷの中央部に供給されたレジスト、溶剤が夫々ウエハＷの周縁部に広げられる、いわゆるスピンコーティングが行われる。

各レジスト液供給ノズル３２は、配管４０１を介して各々異なるレジスト液供給部４１に接続されている。各レジスト液供給部４１からは、互いに異なる種類のレジスト液が供給される。レジスト液供給ノズル３２とレジスト液供給部４１との間には、上流側へ向けてバルブＶ１、流量計４０２がこの順に設けられる。流量計４０２は、配管４０１中のレジスト液の流量について検出し、この検出データを後述の制御部５に送信する。後述の制御部５は、このレジスト液の流量が許容範囲に収まっているか否かを判定し、モジュールＣＯＴ３Ａの異常の有無を判定する。

図５は、レジスト液供給部４１の構成を極めて概略的に示している。レジスト液供給部４１は、下流側にレジスト液を圧送するレジスト液貯留部４０３、配管４０１に設けられるポンプ４０、ポンプ４０と貯留部４０３との間に介設されるバルブＶ２を備えている。ポンプ４０はハウジング４１１と、ハウジング４１１内に設けられる流路形成部材４１２とを備えている。流路形成部材４１２はバルブＶ１またはＶ２が開いた状態において、ハウジング４１１の内圧によってその形状が変化する。その変形により流路形成部材４１２により構成されるレジスト液の流路４１３の容積が変化する。この容積変化により、ポンプ４０は、上流側からのレジスト液の吸引、及び吸引したレジスト液の下流側への圧送を行うことができる。ハウジング４１１にはガス供給管４１４、排気管４１５が接続され、各管に介設されるバルブＶ３、Ｖ４の開閉によりハウジング４１１へのガス供給及びハウジング４１１からの排気が制御される。ハウジング４１１内には、ハウジング４１１の内圧を検出するための圧力センサ４１６が設けられている。

レジスト液供給ノズル３２からのレジスト液の吐出が終了した吐出終了状態から、バルブＶ１が閉じ、バルブＶ２が開いた状態でハウジング４１１内の排気により流路４１３が拡張して、流路４１３にレジスト液が貯留され、バルブＶ２が閉じる。ハウジング４１１内の排気が停止し、ハウジング４１１にガスが供給され、ハウジング４１１の内圧が所定の値に整定されると、バルブＶ１が開かれてレジスト液がノズル３２から吐出される。後述の制御部５は、このレジスト液吐出中の圧力センサ４１６による圧力検出値が許容範囲に収まっているか否かを判定することにより、ポンプ４０の異常の有無を判定する。圧力センサ４１６、流量計４０２及び制御部５は異常検出機構を構成する。

図４に戻って説明する。溶剤供給ノズル３３は配管を介して溶剤供給部４３に接続されている。この溶剤供給部４３は、溶剤の貯留部と、この貯留部の溶剤をノズル３３へ圧送するポンプとを備えている。この溶剤は、前記レジスト液により形成されるレジスト膜を溶解することができる液体である。この溶剤供給ノズル３３は、レジスト膜が形成されていないウエハＷに溶剤を供給して、レジスト液のウエハＷ表面の濡れ性を高めるいわゆるプリウエットを行う役割と、レジスト膜が形成されたウエハＷに溶剤を供給して当該レジスト膜を除去するリワークを行う役割とを有する。

ここで、このレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３の動作の概略を説明しておくと、レジスト膜を形成するために前記レジスト液供給ノズル３２を用いてレジスト液をウエハＷに供給する。このレジスト液の供給中、制御部５が、前記流量計４０２及びポンプ４０から送信されるデータに基づいて、レジスト液の流量及びポンプの異常の有無を監視する。そして、前記流量及びポンプのいずれかに異常が検出された場合には、前記溶剤供給ノズル３３から前記溶剤がウエハＷに供給され、当該レジスト膜が除去される。つまり、前記リワークが行われる。その後、再度のレジスト膜の形成を行うように設定されている場合は、前記ノズル３２からレジスト液が再びウエハＷに供給され、レジスト膜の再形成が行われる。リワーク及びレジスト膜の再形成は、後述のオペレータの設定と、異常の継続状況とによって繰り返される場合がある。

図４の説明を続けると、各処理部３１のカップ３５の外側には、上側が開口したカップ状の待機部４４が設けられている。ウエハＷに処理を行わないときに、待機部４４はノズル３２、３３を格納する。ノズル３２、３３は支持体４５を介して図１に示す駆動部４６に接続され、待機部４４とスピンチャック３４に保持されたウエハＷ中央部上との間で移動することができる。図中４７は、裏面側溶剤供給ノズルであり、ウエハＷの裏面に付着したレジストを除去するために当該裏面に溶剤を供給する。図中４８は周縁部溶剤供給ノズルであり、ウエハＷの表面側周縁部のレジスト膜を除去するために、当該周縁部に溶剤を供給する。

続いて制御部５について、図６の構成図を参照しながら説明する。制御部５はコンピュータにより構成され、プログラム５１を備えたプログラム格納部５２、各種の演算を実行するＣＰＵ５３を備えている。図中５０はこれらプログラム格納部、ＣＰＵ５３が接続されるバスである。前記プログラム５１には、制御部５から塗布膜形成モジュールＣＯＴを含む塗布、現像装置１の各部に制御信号を送り、ウエハＷの搬送を制御すると共に各モジュールでウエハＷの処理を行うことができるようにステップ群が組まれている。プログラム格納部５２は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどの記憶媒体により構成され、プログラム５１はこのような記憶媒体に格納された状態で制御部５にインストールされる。

制御部５は、記憶部からなるレシピ格納部５４を備えている。レシピ格納部５４には前記レジスト膜形成用のレシピ（図中Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３・・・として表記）と、リワーク用のレシピ（図中Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３・・・として表記）とが記憶されている。レジスト膜形成用のレシピは、装置１のオペレータがウエハＷのロットごとに設定することができ、設定されたレシピに基づいて各ロットにレジスト膜の形成が行われる。具体的にはレジスト膜形成用のレシピは、使用するレジスト液の種類や、レジスト膜の形成中の各段階におけるウエハＷの回転速度などを規定する。オペレータが設定したレジスト膜形成用のレシピは、ロットのＩＤに対応付けられて、レジスト膜形成用レシピ記憶部５５に記憶される。この記憶部５５に記憶されたレシピに基づいて、各ウエハＷに最初のレジスト膜の形成処理及び再度のレジスト膜の形成処理が行われる。

また、リワーク用のレシピは、溶剤の吐出時間やウエハＷの回転速度を規定する。このリワーク用のレシピは、後述するように各レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４について、異常の種別ごとに設定することができる。異常の種別としては、この例では前記流量計４０２により検出されるレジスト液の流量が上限値より高くなる異常と、同流量が下限値より低くなる異常と、前記ポンプ４０の圧力の異常とがある。

また、制御部５はアラーム出力部５６を備えている。アラーム出力部５６は例えばディスプレイにより構成されており、レジスト膜形成モジュールＣＯＴに上記の各異常が起きた場合に、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａ、ＣＯＴ３Ｂ、ＣＯＴ４Ａ、ＣＯＴ４Ｂのうち、どのモジュールで異常が起きたか、及び異常の種別は何かという情報をアラームとして表示する。なお、アラーム出力部５６は、前記情報を画面表示する代わりに、音声として出力することによりオペレータに報知させる構成であってもよい。

続いて、設定表示部５７について説明する。設定表示部５７はディスプレイにより構成されており、オペレータはこの設定表示部５７を参照しながら、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４に上記の異常が起きた場合に、これらのモジュールについて、その異常の種別ごとに当該異常に対する対処について設定する。
この異常への対処について説明するために、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４で異常が起きたときの動作について、さらに説明する。制御部５は異常が起きたレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４について、通常に処理を行う通常処理モードから、リトライと呼ばれる動作を行うリトライモードに移行させる。このリトライは、異常が起きたモジュールを使用不可にするかしないかの指標とされる動作であり、オペレータは、前記異常に対する対処として、このリトライモードにおけるリトライの回数の上限値を設定することができる。

上記のように異常には、レジスト液の流量が上限値を超えた場合の異常（流量上限異常とする）、前記流量が下限値より低くなった場合の異常（流量下限異常とする）、及びレジスト液吐出時のポンプ４０の圧力検出値が許容範囲外となる異常（以降、単にポンプの異常と記す場合がある）がある。これら各異常が起きたときのリトライについて個別に説明する。また、このリトライモードに移行する前のモジュールが正常に動作している状態を、通常処理モードと呼ぶことにして説明する。

先ず、流量異常（流量上限以上及び流量下限異常）が起きたときのリトライについて説明する。流量異常が発生し、通常処理モードからリトライモードに移行する。この流量異常時のリトライモードでは、通常処理モードと同様にウエハＷにレジスト液が吐出されて処理が行われ、その流量について前記流量異常が発生したか否かが監視される。そして、流量異常が発生すれば前記レジスト液の吐出動作がリトライを行った回数としてカウントされ、リトライモードが継続される。つまり、リトライモード中は、レジスト液を吐出して流量の異常が検出される度に、リトライを行った回数としてカウントされる。前記リトライ回数が前記上限を超えるとモジュールが使用不可となる。リトライ中に前記流量の異常検出されなければ、リトライモードが解除される。

既述のようにレジスト膜の除去（リワーク）が行われた後、再度ウエハＷに通常の処理時と同様にレジスト液が供給される。後述するように、このリワークを行ったウエハＷに再度レジスト液を供給してレジスト膜を形成するか否かは、装置のオペレータが設定することができる。ここではレジスト膜の再形成が行われるように設定されたものとして、通常処理モード実行中に流量異常が検出された場合のレジスト膜形成モジュールＣＯＴの動作を図７のフローチャートにまとめている。

前記流量上限異常または流量下限異常が検出されると（ステップＸ１）、モジュールＣＯＴはリトライモードに移行して、リワークが行われた後（ステップＸ２）、リトライとしてウエハＷに再度のレジスト液供給が行われる（ステップＸ３）。このリトライ実行中に流量上限異常及び流量下限異常が起きたか否か判定され（ステップＸ４）、これら流量異常が起きていないと判定されれば、モジュールはリトライモードから通常処理モードに復帰し、リトライ動作は終了される（ステップＸ５）。

ステップＸ４で、流量異常が起きたと判定されれば、続いて次にリトライを行うとした場合に、このリトライの回数が設定された上限回数を超えているか否かが判定される（ステップＸ６）。超えていないと判定した場合は、ステップＸ２に戻り、以降の各ステップが順次行われる。前記上限回数を超えたと判定された場合は、当該モジュールＣＯＴは使用不可のモジュールとして設定される（ステップＸ７）。

先ず、ポンプ異常が起きたときのリトライについて説明する。ポンプ異常が発生し、通常処理モードからリトライモードに移行する。例えばレジスト液が吐出されて、図５に示すポンプ４０の流路４１３が収縮し、バルブＶ２が閉じられた状態から、バルブＶ１が閉じられる。その後、バルブＶ４が所定の時間、開かれてハウジング４１１内の排気が行われた後、バルブＶ４の閉鎖及びバルブＶ３の開放によるハウジング４１１内へのガス供給が行われる。ハウジング４１１内の圧力が所定値に整定されると、バルブＶ３が閉じられ、ハウジング４１１内へのガス供給が停止する。このバルブＶ４から、バルブＶ３までの閉鎖までの一連の工程が、当該ポンプ異常が起きた場合のリトライの一例である。このリトライは、実際にウエハＷにレジスト液を供給する場合に、ポンプ異常が起こるか否かを推定するための動作である。制御部５は、このリトライにおけるバルブＶ４の開放からハウジング４１１内の圧力が所定値に整定されるまでの整定時間を算出し、この整定時間が許容範囲か否かを判定する。それによって、ウエハＷに対してリワーク及び再度のレジスト膜形成を行い、さらにモジュールＣＯＴを通常処理モードに復帰させるか、モジュールＣＯＴを使用不可のモジュールとして設定するかを決定する。

図８のフローチャートは、上記のように通常処理モード実行中にポンプ異常が検出された場合のレジスト膜形成モジュールＣＯＴの動作をまとめたものである。流量異常時の説明と同様、レジスト膜の再形成が行われるように設定されているものとする。当該モジュールＣＯＴにおいて、前記ポンプ異常が検出されると（ステップＹ１）、モジュールＣＯＴはリトライモードに移行して、上記のリトライが行われる（ステップＹ２）このリトライ中、前記整定時間が許容範囲に収まるか否かが判定され（ステップＹ３）、許容範囲に収まると判定された場合は、モジュールＣＯＴを通常処理モードに復帰させ（ステップＹ４）、リワークを行い（ステップＹ５）、再度のレジスト膜形成処理を行う（ステップＹ６）。ステップＹ３で、ポンプ異常が起きたと判定されれば、続いて次にリトライを行うとした場合に、このリトライの回数が設定された上限回数を超えているか否かが判定される（ステップＹ７）。超えていないと判定した場合は、ステップＹ２に戻り、以降の各ステップが順次行われる。前記上限回数を超えたと判定された場合は、当該モジュールＣＯＴは使用不可のモジュールとして設定される（ステップＹ８）。

図６に戻って説明する。リトライの上限回数について補足すると、この上限回数は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴに発生する異常の種別ごとに設定することができる。
また、オペレータは前記異常が起きたときの対処として、異常の種別ごとに前記リワーク用のレシピ、及び再度のレジスト膜の形成（再処理）を行うか否かを設定することができる。さらにオペレータは異常の種別ごとに、再処理を行うように設定したウエハＷについて、異常なウエハＷとして取り扱うか、あるいは正常なウエハＷとして取り扱うかを設定することができる。この正常なウエハＷ及び異常なウエハＷについては後述する。

このように設定表示部５７で表示される設定の内容は、制御部５に設けられる図示しない記憶部のデータに基づいて行われる。つまり、オペレータはこの記憶部のデータを変更することで、異常発生時の対処についての各設定を行うことができる。これらの異常発生時の対処の設定は、図示しない設定部からオペレータが任意に行うことができる。

図６中５８は各ウエハＷの状態を記憶する記憶部であり、各ロットのウエハＷが正常であるか、異常であるかについて記憶される。また、正常なウエハＷについては、レジスト膜形成モジュールＣＯＴで再処理が行われたか否かについての情報も記憶される。このように記憶部５８へ記憶される各ウエハＷのデータは、前記設定表示部５７の設定に対応する。
具体的に説明すると、再処理を行ったウエハＷについて、正常なウエハＷとして取り扱うように設定したものは、正常なウエハＷである旨と再処理を行った旨とが記憶される。再処理を行ったウエハＷについて、異常なウエハＷとして取り扱うように設定したものは、異常である旨が記憶される。再処理を行わないように設定したウエハＷは、異常なウエハＷとして記憶される。レジスト膜の形成処理中に、当該処理を行うレジスト膜形成モジュールＣＯＴに異常が発生しなかったウエハＷについては、正常なウエハＷである旨と再処理が行われなかった旨とが記憶される。この記憶部５８のデータに従って、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４以降のウエハＷの搬送が行われる。

正常なウエハＷとして記憶されているウエハＷについては、通常時と同様に露光処理、現像処理が行われてからキャリアＣに戻るようにウエハＷが搬送される。異常なウエハＷとして記憶されているウエハＷについては、当該ウエハＷは、インターフェイスブロックＤ３のタワーＴ２から露光装置Ｄ４へ搬入されず、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１を介して単位ブロックＥ５、Ｅ６に搬送され、加熱モジュールや現像モジュールに搬送されずにタワーＴ１に搬送されてキャリアＣに戻される。つまり、露光処理及び現像処理を受けずにキャリアＣに戻される。

また、制御部５には、搬送制御を行うためのデータが記憶される記憶部５９が設けられている。この搬送制御用の記憶部５９に記憶されるデータに基づいて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３、ＣＯＴ４に異常が発生したときに、同じロット内において、後からキャリアＣから払い出されたウエハＷ（後発ウエハＷ）が、先にキャリアＣから払い出されたウエハＷ（先発ウエハＷ）を追い越して、レジスト膜形成モジュールＣＯＴよりも後段のモジュールへと搬送されるようにするか否かが制御される。また、そのような追い越しを行うか否かの設定により、異常が発生したモジュールＣＯＴに搬送するように設定されていたウエハＷの搬送経路が変更されるタイミングが変化する。このタイミングの変化については後述する。さらにこの記憶部５９には同じロット内において、後発ウエハＷが先発ウエハＷを追い越して露光装置Ｄ４に搬入されるか否かについてのデータも記憶される。
これらの制御部５の各記憶部のデータは、当該制御部５に設けられる図示しない設定部より、装置１のオペレータが自在に更新することができる。

続いてこの塗布、現像装置１において、同じロットのウエハＷがレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａ、ＣＯＴ３Ｂに振り分けられて搬送されているときに、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａにポンプ異常が発生した場合の当該モジュールＣＯＴ３Ａの動作及び各ウエハＷの搬送について説明する。図９〜図１６は、当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａでの動作であり、図１７は、モジュールＣＯＴ３ＡでのウエハＷの処理及び他のウエハＷの搬送を示すフローチャートである。また、ここでは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴにおいて同じロット内のウエハＷの追い越しができるように設定されているものとし、ウエハＷの追い越しの状況を示す図１８〜図２０も参照しながら説明する。この追い越しの説明のために、ここではレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに搬送されるように設定された、互いに同じロットのウエハＷをウエハＷ１、Ｗ２としている。ウエハＷ１が、先にキャリアＣから払い出された先発ウエハ、ウエハＷ２が後からキャリアＣから払い出された後発ウエハである。

搬送アームＦ３により、ウエハＷ１がレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに搬入され、昇降ピン３８を介してスピンチャック３４にウエハＷが受け渡される（図１８）。待機部４４で待機していた溶剤供給ノズル３３がウエハＷ１の中心部上に移動し、ウエハＷ１が回転すると共に溶剤がウエハＷ１の中心部に供給されてウエハＷ１への最初のレジスト膜の形成処理が開始される。スピンコーティングにより溶剤がウエハＷ１の周縁部へと行き渡ると共にレジスト液供給ノズル３２がウエハＷ１の中心部上に移動し、レジスト液６１がウエハＷ１に供給される（図９）。この溶剤供給時及びレジスト液供給時のウエハＷ１の回転速度は、前記ウエハＷ１のロットについて予め設定したレジスト膜形成用のレシピに従って行われる。また、使用されるレジスト液についても、前記レシピで指定されたレジスト液が用いられる。

レジスト液供給中、制御部５は、ポンプ４０の圧力検出部から送信されるデータ及び流量計４０２から送信されるデータに基づき、ポンプ４０の異常及びレジスト液の流量の異常の有無について監視する。ここでは上記のようにポンプ４０異常が発生したものとする。制御部５は、アラーム出力部５６によりポンプ４０の動作に異常が有った旨のアラームを出力する（図１７のフローチャート中のステップＳ１、図８のフローのステップＹ１に相当）。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａは、通常処理モードからリトライモードに移行すると共に、図１９に示すように後続のウエハＷ２以下、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに搬入されるように設定されていたウエハＷが、異常が発生していないレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ｂへ搬送されるように設定される。

レジスト液の吐出終了後、ウエハＷ１の回転が停止し、当該ウエハＷ１に対する処理が一旦停止して、当該ウエハＷ１はレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに置き去り状態となる（ステップＳ２）。その一方で、図２０に示すようにウエハＷ２は、置き去りとなったウエハＷ１を追い越してモジュールＣＯＴよりも後段のモジュールへ搬送されて処理される（ステップＳ３）。このように先発ウエハＷを追い越した後発ウエハＷの搬送については後に詳しく説明する。

このようにウエハＷ２の搬送が行われる一方で、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａでは、ポンプ４０のリトライが行われる（ステップＳ４）。予め設定した回数の上限以下の範囲で、前記リトライが繰り返され、リトライ中に異常が解消されるか否か判定される（ステップＳ５）。このステップＳ４、Ｓ５は、上記の図８のフローで示したステップＹ２、Ｙ３、Ｙ７に相当する。ここではリトライ中に異常が解消され、図８のステップＹ４として示したように、モジュールＣＯＴ３Ａがリトライモードから通常処理モードに復帰したものとする。制御部５は、アラーム出力部５６からのアラーム出力を停止する。そして、ウエハＷ１、Ｗ２が属するロットのウエハのうち、当該レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに未搬入のウエハについて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに異常が発生する前と同じく、２つのレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａ、ＣＯＴ３Ｂに振り分けられて搬送されるように設定される。

そして、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａにおいて、置き去りになったウエハＷ１の中心部上へ溶剤供給ノズル３３が移動し（図１０）、予め設定したリワーク用レシピに従って、ウエハＷが回転すると共に当該中心部上に溶剤６２が供給され、リワークが開始される（ステップＳ６、図１１）。前記溶剤６２はスピンコーティングによりウエハＷの周縁部へ広がり、ウエハＷに塗布されていたレジスト液６１を洗い流し、ウエハＷ１から除去する（図１２）。

制御部５は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで起きた不具合について、リワーク後に再度の塗布膜形成処理を行うように設定されているか判定する（ステップＳ７）。ここでは再度の塗布膜形成を行うように設定されていると判定されたとして説明すると、溶剤の供給が続けられたまま、前記レジスト膜形成用レシピに従ってウエハＷの回転速度が制御される。つまりリワークが停止すると共に再度の塗布膜形成処理が開始される。そして、引き続き前記レジスト膜形成用レシピに従ってウエハＷ１が回転を続けながら、溶剤の供給の停止、レジスト液供給ノズル３２のウエハＷの中心部上への移動、ノズル３２からのレジスト液６１の供給、レジスト液６１の供給停止、余剰のレジスト液６１の振り切り、ノズル４７、４８からの溶剤６２の供給、前記溶剤６２の停止が順次行われ、前記レジスト液６１によって、ウエハＷ１にレジスト膜６３が再形成される（図１４〜図１６、ステップＳ８）。このステップＳ６〜Ｓ８の動作は、図８のフローのステップＹ５〜Ｙ６に相当する。

ノズル３３、３２が待機部４４に戻り、ウエハＷの回転が停止しレジスト膜の形成処理が終了すると（図１４）、昇降ピン３８により、ウエハＷがスピンチャック３４から搬送アームＦ３に受け渡され、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａから搬出される。また、予め行った設定により、このようにレジスト膜の再形成が行われたウエハＷ１が正常なウエハＷか否かが記憶部５８に記憶される。ここでは正常なウエハＷとして記憶されるものとする。

このようにウエハＷを払い出したレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａには、後続のウエハＷが搬入され、当該後続のウエハＷが処理を受ける（ステップＳ９）。そしてレジスト膜の再形成を行ったウエハＷ１は、露光処理、現像処理を順次受けてキャリアＣに戻される（ステップＳ１０）。そして、このようにレジスト膜の再形成を行ったウエハＷ１を含めて、払い出された全てのウエハＷが前記キャリアＣに戻されると、キャリアＣは図示しない搬送機構により他の装置へ搬送される。

前記ステップＳ５において、上限回数までリトライを繰り返してもポンプの異常が解消されない場合、このリトライの繰り返しが停止され、制御部５は継続してアラームの出力を行う（ステップＳ１１）。モジュール内で置き去りになっているウエハＷ１が、異常なウエハとして記憶部５９に記憶される。また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａは使用不可のモジュールとして設定され、後続のウエハＷの当該モジュールＣＯＴ３Ａへの搬入が禁止される状態が続く。このステップは図８のフローのステップＹ８に相当する。このように置き去りになったウエハＷは、装置のオペレータが指示すると、回転することにより表面に塗布されているレジスト液が振り切られて除去される。然る後、異常なウエハＷとして記憶部５９に記憶され、露光処理、現像処理を受けずにキャリアＣに戻される。

ところでステップＳ７において、モジュールＣＯＴ３Ａで発生したポンプ異常について、再度のレジスト膜形成を行わないように設定していると判定された場合は、ウエハＷからレジスト液６１が除去され、ウエハＷの回転が停止した後、ステップＳ９と同様に当該ウエハＷは搬送アームＦ３に受け渡される。当該ウエハＷは、異常なウエハＷとして記憶部５９に記憶され、露光処理、現像処理を受けずにキャリアＣに戻される。その一方で、後続のウエハＷが当該モジュールＣＯＴ３Ａに搬入され、処理を受ける（ステップＳ１２）。

前記ステップＳ８で、レジスト膜を再形成するためにレジスト液をウエハＷに吐出するときに、再度ポンプ異常が発生した場合は、ステップＳ１以降の各ステップが順次実行される。つまり、再度リトライが繰り返され、このリトライで異常が確認されなければ、リワーク、再度のレジスト液が行われることになる。

ポンプ異常が起きた場合について説明したが、流量異常が起きた場合についても、ポンプ異常が起きた場合との差異点を中心に簡単に説明しておく。再度のレジスト膜の形成が行われるように設定されているものとして説明すると、上記ステップＳ１〜Ｓ３が実行され、アラームが出力されると共にＣＯＴ３Ａへの後発のウエハＷの搬送が避けられる。そして、ＣＯＴ３Ａでは、図７のフローで説明したようにステップＸ２〜Ｘ４、Ｘ６が行われる。つまりリワーク、再度のレジスト液供給（ここではリトライに相当）が行われる。リトライ中に異常が検出されない場合は、リトライモードから通常処理モードに復帰するステップＳ５が行われ、それによって上記のステップＳ６、Ｓ９に相当するアラーム消去、モジュールＣＯＴ３ＡからのウエハＷ１の搬出、正常なウエハＷとしてのウエハＷ１の記憶、ウエハＷ１の露光、現像処理、後続のウエハＷのモジュールＣＯＴ３Ａへの搬入が行われる。

リトライ回数が上限を超え、ステップＸ７によりモジュールＣＯＴ３Ａが使用不可になると、上記ステップＳ１１のアラームの出力の継続、ウエハＷ１が異常なウエハＷとして記憶されることが行われる。また、このケースで再度のレジスト膜の形成を行わないように設定している場合は、ウエハＷ１は前記リワーク後、モジュールＣＯＴ３Ａから搬出され、異常なウエハＷとして記憶されてキャリアＣに戻される。

上記の各例ではモジュールＣＯＴにて異常が発生した場合、後発のウエハＷ２が、このモジュールＣＯＴに搬入されている先発のウエハＷ１を追い越しできるように設定している。その設定により、モジュールＣＯＴ３Ａに異常が発生し、リトライモードに変更されると共にウエハＷの搬送経路が変更されているが、そのようにモジュールＣＯＴについて、同じロット内のウエハＷの追い越しができないように設定している場合について説明する。図２１、２２は当該場合の模式図である。

図２１に示すようにリトライモード実行中は、ウエハＷ２はモジュールＣＯＴ３Ａより前段側のモジュールで待機する。リトライが成功し、モジュールが使用不可の状態にならなければ、ウエハＷ１がモジュールＣＯＴ３Ａから搬出された後に、ウエハＷ２が予め設定された通りにモジュールＣＯＴ３Ａに搬送される。これによって、ウエハＷ２はウエハＷ１を追い越さずに、後段のモジュールへ搬送される。ただし、図２２に示すように、リトライが失敗してモジュールが使用不可の状態になると、ウエハＷ２はモジュールＣＯＴ３Ａに代りＣＯＴ３Ｂに搬送されるように搬送経路が変更される。これによって、ウエハＷ２はウエハＷ１を追い越してモジュールＣＯＴ及びその後段側のモジュールに搬送される。このような差異を除いて、レジスト膜形成モジュールＣＯＴに関してロット内で追い越しをしないように設定した場合も、既述のように当該モジュールＣＯＴに関してロット内で追い越しをするように設定した場合と同様にウエハＷの搬送が行われる。
上記の各例では、第３の単位ブロックＥ３における搬送を説明したが、第４の単位ブロックＥ４についても、レジスト膜形成モジュール４Ａ、４Ｂ及びその前後のモジュールで、単位ブロックＥ３と同様の搬送が行われる。

続いて、上記のようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴに異常が発生した場合における、先発ロット及び後発ロットの搬送について説明する。具体的に、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで異常が発生し、ロットＡの１５枚目のウエハＷが前記置き去りウエハＷとなって、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで上記のリトライ、リワーク及び再度のレジスト膜形成が行われている場合を搬送例１として例に挙げて説明する。図２３中、そのように特殊な処理が行われているモジュールとして、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに斜線を付している。
ロットＡの１５枚目のウエハＷとは、キャリアＣから１５番目に払い出されたロットＡのウエハＷという意味であり、以下、搬送状態を説明するにあたり、各ウエハについてロット種別を示すアルファベットと、この払い出しの順番とを付して示す。例えば前記ロットＡの１５枚目のウエハＷはウエハＡ１５として表す。

この搬送例１及び後述の他の搬送例では、異常が発生しているレジスト膜形成モジュールＣＯＴで処理中のロットの後続のロットは、当該異常が発生しているレジスト膜形成モジュールＣＯＴが設けられる単位ブロックへは搬入されず、他の単位ブロックへ搬入されて処理を受けるように設定されているものとする。また、この搬送例１及び後述の他の搬送例では、レジスト膜形成モジュールＣＯＴについて異常があった場合には、このレジスト膜形成モジュールＣＯＴにて追い越しを行えるように設定されているものとする。つまり、番号の遅いウエハＷを、番号の若いウエハＷを追い越してレジスト膜形成モジュールＣＯＴの後段のモジュールに搬送することができる。さらに、この搬送例１では同じロットに関して露光装置Ｄ４での追い越しが無いように設定されているものとする。つまり、同じロットのウエハＷにおいて露光装置Ｄ４へは順番通りに搬送が行われるように設定されている。

上記のようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで異常が発生し、ウエハＡ１５がモジュールＣＯＴ３Ａに滞留すると、ウエハＡ１５の後続のウエハＷで単位ブロックＥ３に搬送されるように設定されたロットＡのウエハＡ１７、Ａ１９、Ａ２１・・・Ａ２５は、上記のように搬送経路が変更され、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ｂに搬送されて処理され、後段のモジュールへと搬送される。単位ブロックＥ４ではウエハＡ１８、Ａ２０、Ａ２２・・・Ａ２４が、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａ、３Ｂに振り分けられて搬送され、これらのウエハＷが後段のモジュールへと搬送される。そして、ロットＡの後続のロットＢの各ウエハＷは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで異常発生中であるため、単位ブロックＥ４へ搬送されて処理を受ける。

図２３中、先発ロットＡのウエハＷを無地の円で、後発ロットＢのウエハＷを多数のドットを付した円で夫々示し、各ウエハＷの滞留状況を示している。また、上記のように、同じロット内で露光装置Ｄ４における追い越しが無いように設定されているため、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに置き去りにされたウエハＡ１５の後続のウエハ、つまりウエハＡ１６以降の番号のウエハＷは、バッファモジュール２３で待機される。また、露光装置Ｄ４へはキャリアＣから払い出されたロットの順番でウエハＷが搬入されるため、ロットＢのウエハＷについても単位ブロックＥ４を出た後はバッファモジュール２３に滞留される。

このような図２３に示す状態から、ウエハＡ１５に対する再度のレジスト膜形成が終了し、ウエハＡ１５がバッファモジュール２３に搬送され、露光装置Ｄ４に搬送されると、バッファモジュール２３に滞留されていたウエハＡ１６以降のロットＡのウエハが順番に露光装置Ｄ４に搬送される。ロットＡの最終ウエハであるウエハＡ２５が露光装置Ｄ４に搬入されると、バッファモジュール２３からロットＢのウエハが露光装置Ｄ４に順番に搬入される。

ところで、この図２３に示す搬送例１において、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで、発生した異常に対してレジスト膜の再形成を行わないように設定しているとすると、このウエハＡ１５は露光装置Ｄ４へは搬入されない。従って、この場合はウエハＡ１４の露光装置Ｄ４への搬送後、ウエハＡ１６以降のウエハＷが順番に露光装置Ｄ４へ搬送される。また、リトライが失敗し、ウエハＡ１５がレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに滞留し続けることになることが決定された場合も、同様にウエハＡ１４に続いて、ウエハＡ１６以降のウエハＷが順番に露光装置Ｄ４に搬送される。

続いて、搬送例２を説明する。この搬送例２は、露光装置Ｄ４に関して同じロット内でウエハＷの追い越しができるように設定されている他は、搬送例１と同じ状況である。レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａでは、発生した異常に対してレジスト膜の再形成が行われるように設定されているものとする。

搬送例１と同様に搬送例２では、前記ウエハＡ１５の後続のウエハＡ１７、Ａ１９、Ａ２１・・・は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ｂで処理され、後段のモジュールへ搬送された後、バッファモジュール２３に滞留される。単位ブロックＥ４では、ウエハＡ１５の後続のウエハＡ１８、Ａ２０、Ａ２２・・・に続いて、ロットＢのウエハＷが順番に処理され、これらのウエハＷがバッファモジュール２３に滞留される。図２４は、このようなウエハＷの搬送状況を搬送例１の図２３と同様に示したものである。

上記のように露光装置Ｄ４に関して同じロットのウエハＷの追い越しができるように設定を行っているため、ウエハＡ１５がレジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに置き去り中であっても、ロットＡにおいて、ウエハＡ１６以下の後続のウエハＷが露光装置Ｄ４に搬送される。ロットＡ、Ｂの順で露光装置Ｄ４へ搬送されるため、図２４の状態から時間が経過し、ロットＡの最終ウエハであるロットＡ２５が露光装置Ｄ４へ搬入されても、ウエハＡ１５が露光装置Ｄ４へ搬入されていない場合は、ロットＢの各ウエハＷは引き続きバッファモジュール２３に滞留される。ウエハＡ１５を含めてロットＡの全ウエハＷが露光装置Ｄ４に搬入されると、ロットＢのウエハＷが、ウエハＢ１から順番にバッファモジュール２３から露光装置Ｄ４に搬入される。

この搬送例２においても、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａで、発生した異常に対して塗布膜の再形成を行わないように設定しているとすると、ウエハＡ１５は露光装置Ｄ４へは搬入されない。従ってこの場合は、ウエハＡ１５が露光装置Ｄ４に搬送されていなくても、当該ウエハＡ１５を除くロットＡのウエハＷが全て露光装置Ｄ４に搬入されると、ロットＢのウエハＷの露光装置Ｄ４への搬入が開始される。また、リトライが失敗し、ウエハＡ１５がモジュールＣＯＴ３Ａに滞留し続けることになった場合も、当該ウエハＡ１５を除くロットＡのウエハＷが全て露光装置Ｄ４に搬入されると、ロットＢのウエハＷの露光装置Ｄ４への搬入が開始される。

搬送例２では、同じロット内において、露光装置Ｄ４へ搬送する順番を入れ替えることで、ウエハＡ１５のリトライ、リワーク及び再度のレジスト膜の形成中に他のロットＡのウエハＷに露光処理を行うためスループットの低下を防ぐことができる。搬送例１の同じロット内で順番通りに露光装置Ｄ４に搬入する搬送方法と、搬送例２の同じロット内で順番通りに露光装置Ｄ４に搬入する搬送方法とを選択できるようになっているのは、前記露光装置Ｄ４の仕様に対応するためである。つまり、露光装置Ｄ４がキャリアＣからのウエハＷの払い出し順で、ウエハＷを処理するような仕様であり、同じロット内でウエハＷの処理する順番を変えられないような仕様である場合は、搬送例１のように露光装置Ｄ４での追い越しは無いように選択される。

この塗布、現像装置１のレジスト膜形成モジュールＣＯＴにおいては、レジスト液供給ノズル３２からウエハＷへのレジスト液の吐出時に、制御部５がポンプ４０異常及び流量計４０２によるレジスト液の流量を監視し、これらのいずれかに異常が検出されると、溶剤供給ノズル３３から溶剤をウエハＷに供給して、既にウエハＷ上に供給されているレジスト液を除去する。その後、前記レジスト液供給ノズル３２からレジスト液をウエハＷに再度供給して、レジスト膜の再形成を行う。従って、レジスト膜形成後にリワークを行うために異常なレジスト膜が形成されたウエハＷを選別する必要がなくなるし、リワークを行うための専用の装置と、塗布、現像装置１との間でウエハＷを受け渡す必要も無くなる。従って、このレジスト膜形成モジュールＣＯＴによれば、当該モジュールＣＯＴに異常が発生しても、半導体装置の生産性の低下を抑えることができる。
また、リワークを行うための専用の装置も設ける必要がなくなるため半導体装置の製造コストの低下も図ることができる。さらに、このようにリワークを行う装置との間でキャリアＣを受け渡す必要が無くなるため、キャリアＣの搬送経路の複雑化を防ぎ、キャリアＣに含まれるロットの管理が容易になる。

さらに、ポンプ異常の場合、レジスト液をウエハＷに吐出せずにポンプの動作を確認するため、ウエハＷに無駄にレジスト液を吐出することを防ぐことができる。また、流量異常の場合、モジュールＣＯＴを使用不可にする前にこのリトライを行い、モジュールＣＯＴの動作を確認することで、モジュールを使用不可にする回数を抑え、処理効率が低下することを抑えることができる。

また、異常が起きたレジスト膜形成モジュールＣＯＴでリトライ、リワーク及び再度のレジスト膜形成中に、他のレジスト膜形成モジュールＣＯＴへ後続のウエハＷを搬送し、さらに当該ウエハＷを露光装置Ｄ４へ搬送することにより露光装置Ｄ３の生産性が低下することを防ぐことができ、スループットの低下を抑えることができる。
露光装置Ｄ４の前段にバッファモジュール２３を配置することで、上記のようにリトライ、リワーク及びレジスト膜の再形成を行っても、既述のようにロット間でウエハＷの露光の順番を揃えることができる。これによって露光装置Ｄ４で、ロットに合わせて部品の交換をする必要が無いのでスループットの低下をより確実に抑えられる。バッファモジュール２３により、上記のようにロット内でもウエハＷの露光の順番を揃えることができるため、露光装置Ｄ４の仕様に対応することができる。

既述の例では、予め再度のレジスト膜形成処理を行うか否かを設定しておき、その設定に従って、レジスト膜形成モジュールＣＯＴに異常が発生したときには制御部５により自動でレジスト膜の再形成が行われる。これを自動処理と呼ぶとすると、このような自動処理を行う代わりに、前記異常が発生したときに、オペレータが再度のレジスト膜形成を行うか否かを手動で設定する手動処理を行うようにしてもよい。自動処理を行うか手動処理を行うかは、制御部５からオペレータが任意に設定することができる。

さらにこの手動処理を説明すると、上記のようにレジスト膜形成モジュールＣＯＴに異常が発生した場合、アラームが出力される。そしてアラームが出力されると、オペレータが、このウエハＷに対してリワーク及び再度のレジスト膜形成処理を行うか否かを決定する。前記再度の形成処理を行うように決定した場合は、オペレータはリワーク用レシピ及びレジスト膜形成用レシピを選択する。そのレシピに従ってリワーク、レジスト膜形成が順次行われる。そして、処理が終了すると、オペレータは、当該ウエハＷが正常なウエハＷか、異常なウエハＷかを設定し、その設定が記憶部５８に書き込まれる。自動処理の実行時と同様に、正常なウエハＷと設定された場合、再処理を行ったウエハＷは露光処理、現像処理を受けた後でキャリアＣに戻される。異常なウエハＷと設定された場合、再処理を受けたウエハＷは露光処理及び現像処理を受けずにキャリアＣに戻される。また、オペレータが再度のレジスト膜形成処理を行わないように決定した場合も、ウエハＷは異常なウエハＷとして記憶部５８に記憶される。そして、当該ウエハＷは、露光処理、現像処理を受けずにキャリアＣに戻される。

本発明は塗布膜を形成する装置に適用することができ、塗布膜としてはレジスト膜に限られない。また、塗布、現像装置の構成も上記の装置１には限られない。以下、本発明を適用した保護膜形成モジュールを含み、上記の装置１とはその構成が異なる塗布、現像装置７について説明する。図２５、図２６は、この塗布、現像装置７の横断平面図、縦断側面図である。塗布、現像装置１との差異点を説明すると、単位ブロックＥの数が異なり、また、当該単位ブロックＥが２重化されていないことが挙げられる。下方側からＤＥＶ、ＢＣＴ、ＣＯＴ、後述する保護膜の形成（ＩＴＣ）を各々行う単位ブロックＥ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４がこの順で積層されている。

各単位ブロックの構成は、塗布、現像装置１と略同様であるが、液処理モジュールの数は異なっており、処理部が３つずつ配置されている。この例では１つの処理部が１つの液処理モジュールを構成するものとし、即ち各単位ブロックには３つの液処理モジュールが設けられている。単位ブロックＥ４には、液処理モジュールとして、レジスト膜の上層に薬液を供給して保護膜を形成する保護膜形成モジュールＩＴＣが設けられている。この保護膜は例えば撥水性で、露光装置Ｄ４にて液浸露光を行う場合にウエハＷ表面に供給される液体からレジスト膜を保護する。保護膜形成モジュールＩＴＣは、塗布液が異なることを除いてレジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様の構成である。また、この例では周縁露光モジュール２２は、この保護膜形成モジュールＩＴＣが設けられた単位ブロックＥ４に設けられている。

単位ブロックＥ２、Ｅ３では、タワーＴ１の温調モジュールＣＰＬに受け渡されたウエハＷは、液処理モジュール、加熱モジュール２１にて順に処理された後、タワーＴ１のバッファモジュールＢＵ２、ＢＵ３に夫々搬送される。単位ブロックＥ４では、タワーＴ１の温調モジュールＣＰＬに受け渡されたウエハＷは、液処理モジュール、加熱モジュール２１にて順に処理された後、周縁露光モジュール２３にて処理されて、タワーＴ１のバッファモジュールＢＵ４に搬送される。つまり、単位ブロックＥ２〜Ｅ４において、温調モジュールＣＰＬが単位ブロックへの入り口、バッファモジュールＢＵが単位ブロックの出口となっている。キャリアＣからタワーＴ１の温調モジュールＣＰＬのウエハＷの受け渡しは、塗布、現像装置１と同様に移載機構１３により行われる。

単位ブロックＥ２、Ｅ１間には、ウエハＷの搬送機構７２が設けられる。実際にウエハＷを搬送するシャトルの他に、図２６ではタワーＴ１のウエハの搬入口、タワーＴ２のウエハの搬出口もこのシャトルと共に搬送機構７２として示している。ウエハＷは、バッファモジュールＢＵ４→受け渡しアーム１４→タワーＴ２のバッファモジュール７３→受け渡しアーム１４→搬送機構７２→インターフェイスアーム１７→タワーＴ２の温調モジュールＣＰＬ→インターフェイスアーム１７→露光装置Ｄ４の順で搬送される。露光装置Ｄ４で処理済みのウエハＷは、インターフェイスアーム１７及びタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳを介して、単位ブロックＥ１に搬入され、単位ブロックＥ１では上記の単位ブロックＥ５と同様にウエハＷが搬送されて現像処理される。当該ウエハＷはタワーＴ１の温調モジュールＣＰＬから、移載機構１３によりキャリアＣに戻される。なお、タワーＴ１、Ｔ２のＣＰＬ及びＴＲＳは実際には複数だが、実際の数よりも少なく図示している。

この塗布、現像装置７で、３つのうちの１つの保護膜形成モジュールＩＴＣに異常が発生し、ウエハＡ１５が置き去りになった場合の搬送例３を説明する。説明の便宜上、異常が発生した保護膜形成モジュールをＩＴＣ１、他の保護膜形成モジュールをＩＴＣ２、ＩＴＣ３とする。また、搬送例３では、同じロット内のウエハＷにおいて、後発のウエハＷが先発のウエハＷを追い越して露光装置Ｄ４へ搬入されないように設定されているものとする。

図２７は、既述の図２３、図２４と同様にウエハＷの搬送状況をしている。露光装置Ｄ４へウエハＡ１５よりも後発のウエハＡが搬入されないようにするために、ウエハＡ１６以降の後発のウエハＷの搬送が停止する。また、この塗布、現像装置７では、単位ブロックが二重化されていないため、他の単位ブロックのウエハＷが先に露光装置Ｄ４に向かいうことによってウエハＷの順番が変わることが無いので、例えば単位ブロックＥ４の他のモジュールに搬入されているウエハＷの搬送も停止される。つまり単位ブロックＥ４の加熱モジュール２１、周縁露光モジュール２２に搬送されているウエハＷの搬送も停止する。この例ではウエハＡ８〜Ａ１４がこれらモジュール２１、２２に搬入されており、これらのウエハＷの搬送が停止している。図２７では示していないが、ロットＢのウエハＷはこのように単位ブロックＥ４での搬送が止まっているため当該単位ブロックＥ４に搬送されず、その前段の単位ブロックの各モジュールで搬送が停止するか、キャリアＣに滞留したままの状態となる。

単位ブロックＥ４の出口であるバッファモジュールＢＵ４及びその後段のモジュールに搬送されているウエハＷは、露光装置Ｄ４へと搬送される。つまり、図中に示すウエハＡ５〜Ａ７及び図示しないウエハＡ１〜Ａ４は、通常時と同様に後段のモジュールに搬送されて処理される。塗布、現像装置１で説明したように保護膜形成モジュールＩＴＣ１でリトライが行われ、異常が解消されるとリワークが行われる。このリワークにおいては、溶剤によって保護膜と共にその下層のレジスト膜も除去される。リワーク終了後、タワーＴ１の空いている温調モジュールＣＰＬ（図２７では図示していない）を利用して、ウエハＡ１５は受け渡しアーム１４により単位ブロックＥ３の温調モジュールＣＰＬに搬送され、単位ブロックＥ３にてレジスト膜が形成される。その後、単位ブロックＥ４に戻され、異常が解消されたモジュールＩＴＣ１に搬送され、モジュールＩＴＣ１にて保護膜が形成された後、露光装置Ｄ４へ向けて搬送される。このウエハＡ１５の単位ブロックＥ３、Ｅ４間の移動に並行して、単位ブロックＥ４に滞留されていたウエハＷ、即ち図中のウエハＡ８〜Ａ１９は、このウエハＡ１５を追い越さないように後段のモジュールへ搬送される。

図２８は搬送例４について示しており、搬送例３との差異は同じロット内で後発のウエハＷを先発のウエハＷよりも先に露光装置Ｄ４に搬送できるように設定されていることである。そのように設定を行っているので、モジュールＩＴＣ１に置き去りにされたウエハＡ１５以外のロットＡのウエハＷは、通常時と同様に後段のモジュールへ搬送され、露光装置Ｄ４で処理される。従って、図２８に示すようにウエハＡ１６〜Ａ２０のウエハＷが露光装置Ｄ４に搬入される。その後、さらに後続のウエハＡ２１〜Ａ２５のウエハＷも露光装置Ｄ４に搬入される。

ロットＢは、ロットＡのウエハＷよりも後で露光装置Ｄ４に搬入されるため、ロットＢは、異常が発生したモジュールＩＴＣ１の前段の温調モジュールＣＰＬまで搬送可能となる。保護膜形成モジュールＩＴＣ１の異常が解消されると、搬送例３で説明したようにウエハＡ１５はリワーク後、単位ブロックＥ３、Ｅ４間を搬送されてレジスト膜の形成、保護膜の形成を受け、露光装置Ｄ４へ搬送される。このウエハＡ１５に続いて、ロットＢのウエハＷが順に露光装置Ｄ４に搬送される。

このように保護膜及びレジスト膜の再形成を行う場合も、上記のレジスト膜の再形成を行う場合と同様の効果が得られる。上記の塗布、現像装置１についてもこの塗布、現像装置７のように保護膜形成モジュールＩＴＣを設け、当該モジュールが異常になったときに、リワーク後、レジスト膜及び保護膜の再形成を行うことができる。

ウエハＷなどの基板に形成する膜としては上記のレジスト膜や、保護膜に限られない。例えば前記反射防止膜形成モジュールにも本発明を適用してもよい。ただし、この反射防止膜は加熱モジュール２１による加熱処理後では溶剤による除去が困難になるので、上記のレジスト膜の例で示したようにこのような加熱を行う前に溶剤を供給し、当該膜を形成する前記薬液を基板から除去する。さらに薬液を基板に供給して絶縁膜であるＳＯＧ（Spin On Glass）膜を形成する装置にも本発明を適用することができる。ただし、このＳＯＧ膜は薬液塗布後、基板を回転させて当該薬液を振り切った後では溶剤による除去が困難になるので、上記のレジスト膜の例で示したように、このような振り切りを行う前に溶剤を供給する。それによって前記薬液を基板から除去する。さらに、下層膜を形成する装置にも本発明を適用することができる。この下層膜とは、反射防止膜の下層に形成される膜である。

また、上記の塗布、現像装置１、７において、リワーク後のウエハＷに塗布膜の再形成を行うにあたり、当該ウエハＷを、搬送アームＦにより異常を起こした液処理モジュールが設けられる単位ブロックの温調モジュールに搬送してもよい。そこで温度調整を行ってから、前記搬送アームＦによりウエハＷに塗布液を供給して再度の塗布膜の形成を行う。このように温度調整を行ってから再度の膜形成を行うことで、同じロットのウエハ間で均一性高く塗布膜を形成することができる。例えば塗布、現像装置１でこのように搬送を行うとすると、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａに異常が発生した場合、後続のウエハＷ２は、温調モジュールＣＰＬ３よりも前段側で待機する。前記レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３Ａでリワークが終わると、当該リワークを受けたウエハＷ１は前記温調モジュールＣＰＬ３で温調され、レジスト膜モジュールＣＯＴ３Ａにてレジスト膜の再形成を受ける。ウエハＷ１が温調モジュールＣＰＬ３から搬出された後、ウエハＷ２が温調モジュールＣＰＬ３に搬送される。

説明を容易にするために塗布液の流量異常及びポンプの圧力異常が塗布膜形成モジュールの異常であるものとして説明してきたが、当該異常としてはこのような例に限られない。例えば、上記の溶剤供給ノズル４７、４８の流量を監視したり、これらのノズル４７、４８から溶剤を供給するためのポンプの異常を監視してもよい。そして、この流量やポンプの異常が検出された場合には、上記のようにリワーク及びレジスト膜の再形成を行うことができる。また、ポンプの異常の検出は、既述のように圧力の検出に限られない。例えばシリンダの伸縮によりポンプ４０の流路４１３の収縮が起きるように構成し、このシリンダの伸び具合を監視することにより、ポンプ４０の異常の有無を検出してもよい。また、異常としては、前記ノズル４８の移動時の動作不良や塗布処理後のウエハＷを搬送アームＦに受け渡す時の昇降ピン３８の動作不良であってもよい。

また、このように薬液の流量や圧力に基づいてリワーク及び塗布膜の再形成を行うことには限られない。例えばノズルの支持部４５にノズル３２、３３の先端を撮像するカメラを設ける。レジスト液供給ノズル３２によりレジスト液がウエハＷに供給された後、レジスト液供給ノズル３２がウエハＷ上を待機部４４へと移動する間に、ノズル３３からレジスト液の液垂れが起きたら、前記リワーク及び塗布膜の再形成を行うようにしてもよい。

なお、リトライについては上記の例ではレジスト液を吐出せずに行うが、例えばノズル３２が待機部４４に移動し、待機部４４にレジスト液を吐出する。このときに流量異常及びポンプ異常が起きるか否かについて監視してもよい。なお、現像液を露光後のウエハＷに供給して、上記異常が起きた場合にリワーク、再処理を行うことも考えられる。この場合のリワークは純水をウエハＷに吐出し、既にウエハＷに供給された現像液を除去する動作であるが、リワークが開始される前に当該現像液によりウエハＷの現像が進んでしまうため、本発明は塗布膜の形成装置に適用することが好ましい。

Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＩＴＣ 保護膜形成モジュール
３２ レジスト液供給ノズル
３３ 溶剤供給ノズル
３４ スピンチャック
４０ ポンプ
４１ レジスト液供給部
５ 制御部
５１ プログラム

Claims (14)

1. 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置において、
   搬送機構により外部から受け渡された前記基板を保持する保持部と、
   前記保持部に保持された基板に、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
   前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、当該基板を前記搬送機構に受け渡すまでの間に前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する異常検出機構と、
   前記異常検出機構により異常が検出されたときに、前記保持部に保持された基板に前記塗布膜の溶剤を供給して、基板から塗布膜を除去するための溶剤供給部と、
   前記塗布膜が除去された基板に再度塗布液を供給して塗布膜を形成するように制御信号を出力し、前記塗布液供給部から前記基板への塗布液の供給を制御する制御部と、
   を備えたことを特徴とする塗布膜形成装置。
2. 前記制御部は、前記異常検出機構による異常の検出結果に基づいて、溶剤供給部から基板への溶剤の供給を制御するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成装置。
3. 前記異常検出機構は、前記基板に供給される塗布液の流量の異常及び前記塗布液供給部に設けられるポンプの動作の異常のうち少なくとも一方を検出することを特徴とする請求項１または２記載の塗布膜形成装置。
4. 前記制御部は、前記ポンプの動作の異常が検出されたときに基板に再度の塗布液の供給を行う前に、当該再度の塗布液の供給時に前記ポンプの異常が再度検出されるか否かを推定するために、当該ポンプが予め設定された確認動作を行うように制御信号を出力することを特徴とする請求項３に記載の塗布膜形成装置。
5. 基板にレジスト膜を形成し、前記露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する塗布、現像装置において、
   前記レジスト膜、レジスト膜の上側または下側に形成される積層膜のいずれかの互いに同種の塗布膜を各々形成する第１の塗布膜形成モジュール及び第２の塗布膜形成モジュールと、
   前記基板を複数格納するためのキャリアを載置する載置台と、
   前記キャリアに格納される基板を、前記第１の塗布膜形成モジュール、第２の塗布膜形成モジュールに各々振り分けて搬送する往路側搬送機構と、
   前記第１の塗布膜形成モジュール及び第２の塗布膜形成モジュールで処理され、更に露光された基板を、当該基板に前記現像液を供給して現像する現像モジュールを介して前記キャリアに戻すように搬送する復路側搬送機構と、
   を備え、
   前記第１の塗布膜形成モジュールは、基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であり、
   搬送機構により外部から受け渡された前記基板を保持する保持部と、
   前記保持部に保持された基板に、前記塗布液を供給する塗布液供給部と、
   前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、当該基板を前記搬送機構に受け渡すまでの間に前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する異常検出機構と、
   前記異常検出機構により異常が検出されたときに、前記保持部に保持された基板に前記塗布膜の溶剤を供給して、基板から塗布膜を除去するための溶剤供給部と、
   前記塗布膜が除去された基板に再度塗布液を供給して塗布膜を形成するように制御信号を出力し、前記塗布液供給部から前記基板への塗布液の供給を制御する制御部と、
   を備え、
   前記異常検出機構により当該第１の塗布膜形成モジュールに異常が検出されたときに、前記往路側搬送機構は、当該第１の塗布膜形成モジュールへ搬送されるように予め設定されていた後続の基板を、第２の塗布膜形成モジュールに搬送することを特徴とする塗布、現像装置。
6. 前記第１の塗布膜形成モジュールにて、基板に前記塗布膜の除去及び再度の塗布膜の形成が行われる間に、
   この基板が属する第１のロットの後で露光装置に搬入されるように設定された第２のロットに属し、第２の塗布膜形成モジュールで処理された基板が先に露光装置に搬入されることを防ぐために、
   当該第２のロットに属する基板を複数枚滞留させるバッファモジュールが設けられていることを特徴とする請求項５記載の塗布、現像装置。
7. 前記バッファモジュールは、前記塗布膜の除去及び再度の塗布膜形成を行った基板を含めた前記第１のロット内の基板について、予め設定された順番で前記露光装置に基板を搬送するために、当該第１のロット内の基板を複数枚滞留させることを特徴とする請求項６記載の塗布、現像装置。
8. 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
   搬送機構により外部から受け渡された基板を保持部に保持する工程と、
   前記保持部に保持された基板に、塗布液供給部から前記塗布液を供給する工程と、
   前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、前記搬送機構に受け渡すまでの間に異常検出機構により前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する工程と、
   前記異常検出機構により異常が検出されたときに、溶剤供給部により前記保持部に保持された基板に前記塗布膜の溶剤を供給して、基板から塗布膜を除去する工程と、
   前記塗布膜が除去された基板に、再度塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
   を備えたことを特徴とする塗布膜形成方法。
9. 塗布膜形成装置に発生する異常を検出する工程は、前記基板に供給される塗布液の流量の異常及び前記塗布液供給部に設けられるポンプの動作の異常のうち少なくとも一方を検出することを特徴とする請求項８記載の塗布膜形成方法。
10. 前記ポンプの動作の異常が検出されたときに基板に再度の塗布液の供給を行う前に、当該再度の塗布液の供給時に前記ポンプの異常が再度検出されるか否かを推定するために、当該ポンプが予め設定された確認動作を行うことを特徴とする請求項９記載の塗布膜形成方法。
11. 基板にレジスト膜を形成し、前記露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する塗布、現像方法において、
    第１の塗布膜形成モジュール及び第２の塗布膜形成モジュールにて、前記レジスト膜、レジスト膜の上側または下側に形成される積層膜のいずれかの互いに同種の塗布膜を各々形成する工程を行い、
    前記第１の塗布膜形成モジュールにおいては、
    基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成方法において、
    搬送機構により外部から受け渡された基板を保持部に保持する工程と、
    前記保持部に保持された基板に、塗布液供給部から前記塗布液を供給する工程と、
    前記保持部に保持された基板に前記塗布液が供給された後、当該基板を前記搬送機構に受け渡すまでの間に異常検出機構により前記塗布膜形成装置に発生する異常を検出する工程と、
    前記異常検出機構により異常が検出されたときに、溶剤供給部により前記保持部に保持された基板に前記塗布膜の溶剤を供給して、基板から塗布膜を除去する工程と、
    前記塗布膜が除去された基板に、再度塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、を行い、
    前記塗布、現像方法は、
    前記基板を複数格納するためのキャリアを載置台に載置する工程と、
    前記キャリアに格納される基板を、往路側搬送機構により前記第１の塗布膜形成モジュール、第２の塗布膜形成モジュールに各々振り分けて搬送する工程と、
    前記第１の塗布膜形成モジュール及び第２の塗布膜形成モジュールで処理され、更に露光された基板を、復路側搬送機構により当該基板に前記現像液を供給して現像する現像モジュールを介して前記キャリアに戻すように搬送する工程と、
    を備え、
    前記第１の塗布膜形成モジュールの前記異常検出機構により当該第１の塗布膜形成モジュールに異常が検出されたときに、前記往路側搬送機構は、当該第１の塗布膜形成モジュールへ搬送されるように予め設定されていた後続の基板を、第２の塗布膜形成モジュールに搬送する工程と、
    を備えることを特徴とする塗布、現像方法。
12. 前記第１の塗布膜形成モジュールにて、基板に前記塗布膜の除去及び再度の塗布膜の形成が行われる間に、この基板が属する第１のロットの後で露光装置に搬入されるように設定された第２のロットに属し、第２の塗布膜形成モジュールで処理された基板が先に露光装置に搬入されることを防ぐために、当該第２のロットに属する基板をバッファモジュールに複数枚滞留させる工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の塗布、現像方法。
13. 前記塗布膜の除去及び再度の塗布膜形成を行った基板を含めた前記第１のロット内の基板について、予め設定された順番で前記露光装置に基板を搬送するために、当該第１のロット内の基板を前記バッファモジュールに複数枚滞留させることを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像方法。
14. 基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項８ないし１０のいずれか一つに記載の塗布膜形成方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。

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