JP2008311250A - リフローシステムおよびリフロー方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を連続的に搬送しつつ基板に溶剤を供給してリフロー処理を行なう際に、レジストの乾燥不均一にともなう転写跡等の不都合の生じ難いリフローシステムおよびリフロー方法を提供すること。
【解決手段】所定パターンのレジスト層を有する基板Ｇを搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニット１１と、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する乾燥ユニット１２と、乾燥ユニット１２により乾燥された基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニット１３とを具備するリフローシステム。
【選択図】図１

Description

本発明は、レジストのリフロー処理を行うリフローシステムおよびリフロー方法に関する。

例えば半導体装置の製造プロセスにおいては、所定の層が形成された基板の表面にレジスト層を形成し、所定のパターンに対応して露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト層に形成された露光パターンを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンに対応したレジストマスクが用いられる。

ところで、近年、半導体装置の高集積化と微細化が益々進展しており、これにともなって半導体装置の製造工程が複雑化し、必要なマスクパターンが増加し、製造コストが増加する。このため、製造コストを大幅に低減すべく、フォトリソグラフィのためのマスクパターンの形成工程を統合させて全体の工程数を短縮させることが検討されている。

マスクパターンの形成工程数を削減する技術として、レジストに有機溶剤を浸透させることによりレジストを軟化させ、レジストのパターン形状を変化させることによって新たなマスクパターンを形成して、フォトリソグラフィによるマスクパターンの形成工程を低減することができるリフロー処理が提案されている（例えば、特許文献１）。

このようなリフロー処理は、レジスト層を形成した基板をシンナー雰囲気に曝すことにより行われるが、従来から、このような処理を密閉チャンバー内で行う装置が用いられている（例えば特許文献２参照）。

このようなリフロー処理をＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造に適用しようとする場合、ＦＰＤ用のガラス基板が益々大型化しており、リフロー装置も大型化、複雑化の傾向にあり、コストが高いという問題がある。

このような問題を解消するために、基板を連続して搬送している間に、基板にシンナーを供給してリフロー処理を行う、いわゆる平流しタイプのリフロー装置も検討されている。すなわち、このような平流し方式では、搬送路を搬送されている基板に対してシンナーを吐出して処理するので、大きなサイズの基板に対してもハンドリングが容易であり、装置の簡素化が可能となる。

しかしながら、平流し方式では、密閉チャンバー方式のように減圧処理ができないため、乾燥が不十分な状態で加熱処理ユニットに搬送されてプリベーク処理されるため、レジスト層から急激に溶剤が排出されて乾燥不均一が生じ、それに起因してローラー等の転写跡が発生するなどの不都合が生じるおそれがある。
特開２００２−３３４８３０号公報 特開２００３―１５８０５４号公報

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板を連続的に搬送しつつ基板に溶剤を供給してリフロー処理を行なう際に、レジストの乾燥不均一にともなう転写跡等の不都合の生じ難いリフローシステムおよびリフロー方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニットと、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する乾燥ユニットと、乾燥ユニットにより乾燥された基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットとを具備することを特徴とするリフローシステムを提供する。

上記第１の観点において、前記リフローユニットは、前記搬送路に形成されたリフロー処理空間に溶剤雰囲気を形成する溶剤雰囲気形成器を有し、前記溶剤雰囲気形成器は、前記リフロー処理空間に溶剤を供給する溶剤供給機構と、前記リフロー処理空間に供給された溶剤を吸引する吸引機構とを有する構成とすることができる。

また、前記乾燥ユニットは、基板を減圧状態で乾燥するものであってよく、その場合には、前記乾燥ユニットは、基板が搬入される搬入口および基板が搬出される搬出口を側壁部に有し、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバーの前記搬入口および搬出口を開閉するゲート部材と、前記チャンバー内を排気して減圧する減圧機構と、基板を水平方向に搬送して前記搬入口から前記チャンバー内に搬入し、前記チャンバー内で基板を水平状態で支持し、減圧処理後に基板を水平に搬送して前記搬出口から搬出する搬送機構とを有する構成とすることができる。前記搬送機構としては、前記チャンバー内で２つのプーリー部材に巻き掛けられたベルトを有し、基板を前記ベルト上に載置した状態で減圧処理を行うとともに、前記ベルトを動作させることにより基板の搬入および搬出を行うものを用いることができるし、基板を搬送する複数のコロを有するものとしてもよい。

上記第１の観点において、前記乾燥ユニットは、基板に気流を付与しながら乾燥するものであってもよい。この場合に、前記乾燥ユニットは、基板が搬送される搬送路と、搬送路に沿って設けられ、その中に気流が形成される気流形成部と、搬送路に沿って基板を搬送する搬送機構と
を有する構成を採用することができる。また、前記気流形成部は、基板の搬送方向とは反対向きに気流が形成されることが好ましい。

さらに、前記加熱処理ユニットは、前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱してベーク処理する構成であってよく、この場合に、前記加熱処理ユニットは、前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱する加熱エリアと、加熱後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を冷却する冷却エリアとを有する構成とすることができる。また、加熱処理ユニットとしては、加熱された熱板により基板を加熱してベーク処理するものを好適に用いることができる。

本発明の第２の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って一方向に搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニットと、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する乾燥ユニットと、乾燥ユニットにより乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間に基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットとを具備することを特徴とするリフローシステムを提供する。

上記第２の観点において、前記乾燥ユニットは、前記チャンバー内に基板を搬入した後、前記チャンバー内を減圧状態にして基板を減圧乾燥し、減圧乾燥後に前記チャンバー外に搬出する構成とすることができる。また、前記乾燥ユニットは、基板を搬送しながら基板に気流を付与す基板に気流を付与するものであってもよい。さらに、前記加熱処理ユニットは、加熱された熱板により基板を加熱してベーク処理するものを好適に用いることができる。

本発明の第３の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行う工程と、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する工程と、乾燥された基板を加熱してベーク処理を行う工程とを含むことを特徴とするリフロー方法を提供する。

本発明の第４の観点では、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って一方向に搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行う工程と、レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、乾燥後の基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する工程と、乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間にその基板を加熱してベーク処理する工程とを含むことを特徴とするリフロー方法を提供する。

上記第３、第４の観点において、前記乾燥は、前記チャンバー内に基板を搬入した後、前記チャンバー内を減圧状態にして基板を減圧乾燥し、減圧乾燥後に前記チャンバー外に搬出するものとすることができるし、基板を搬送しながら基板に気流を付与して行うものとすることもできる。また、前記加熱は、加熱された熱板により好適に行うことができる。

本発明の第５の観点では、コンピュータ上で動作し、リフローシステムを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第３または第４の観点のリフロー方法が行われるように、コンピュータに前記リフローシステムを制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。

本発明によれば、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行った後、乾燥を行い、その後基板を加熱してベーク処理を行うので、搬送している間に溶剤を供給されることによって溶剤を多く含んだレジスト層から急激な溶剤の放出が行われず、不均一な乾燥により転写跡が生じる等の不都合を抑制することができる。

また、所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行った後、基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、その後、基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する乾燥処理を行い、さらに、乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間に基板を加熱してベーク処理するようにしたので、転写跡が生じる等の不都合を抑制することができるとともに、上記平流しタイプのリフローユニットから搬出されたガラス基板を、そのまま連続的に搬送した状態で一連の処理を行うことができる。そのため、装置の簡略化を実現することができるとともに、極めて効率的な処理を行うことができる。

以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るリフローシステムを示す概略平面図である。ここでは、ＬＣＤ用のガラス基板Ｇの表面に形成された現像処理後のレジスト膜に気体状の溶剤を供給してリフロー処理を行い、乾燥してレジストパターンの形状を変化させるシステムを例にとって説明する。

このリフローシステム１００は、所定パターンのレジスト膜が形成されたガラス基板Ｇに対し、リフロー処理を含む一連の処理を施す処理ステーション１と、複数の処理前のガラス基板Ｇが収容されたカセットを載置し、そこから処理ステーション１にガラス基板Ｇを搬入する搬入部２と、空のカセットを載置し、処理ステーション２から搬出された処理済みのガラス基板をそのカセットに収容する搬出部３と、リフロー処理システム１００の各構成部を制御する制御部４とを備えている。

処理ステーション１は、ガラス基板Ｇに対してレジストのリフロー処理、およびその後処理を行うための複数のユニットを備えている。具体的には、ガラス基板Ｇのレジスト層に溶剤を供給してリフロー処理を施すためのリフローユニット１１と、リフローユニット１１でのリフロー処理後、ガラス基板Ｇを乾燥して溶剤を揮発させる乾燥ユニット１２と、乾燥後のガラス基板Ｇにプリベーク処理を施す加熱処理ユニット１３とを備えている。

リフローユニット１１は、ガラス基板Ｇ上にパターン形成されたレジストを溶剤雰囲気中で軟化させて流動化させ、パターンを変化させて新たなレジストパターンを形成するリフロー処理に用いられるユニットである。このリフローユニット１１の内部構成について、図２、３を参照しながら説明する。

図２に示すように、リフローユニット１１は、ガラス基板Ｇを連続的に搬送しながらリフロー処理を行う、いわゆる平流しタイプのものであり、筐体２１を有し、筐体２１内にはガラス基板Ｇが水平に搬送される搬送路２２が形成されている。筐体２１の一方の側壁には基板搬入口２１ａが形成され、その側壁と対向する側壁には基板搬出口２１ｂが形成されていて、基板搬入口２１ａから搬入されたガラス基板Ｇが搬送路２２を水平に搬送され、基板搬出口２１ｂから搬出されるようになっている。また、ガラス基板Ｇを搬送するための搬送機構として、ガラス基板Ｇの幅方向に延びる複数のローラー２３を備えている。複数のローラー２３は水平方向に配列されており、その一部は、回転駆動機構（図示せず）に接続されて回転駆動され、これによりガラス基板Ｇが水平方向に搬送される。各ローラー２３の内部には、温度調節媒体流路２３ａが設けられており、該温度調節用媒体流路２３ａに温度調節媒体を流通させることによって、ガラス基板Ｇの温度を調節できるようになっている。

筐体２１内には、搬送路２２に沿って、複数（図２では３個）の溶剤雰囲気形成器であるリフロー処理器２４が設けられている。

図３はリフロー処理器の概略構成を示す縦断面図である。図３に示すように、リフロー処理器２４は、ガラス基板Ｇが通過可能な角筒形状をなすケーシング２５を有しており、その天壁２６には溶剤供給部２７および溶剤吸引部２８が設けられている。また、ケーシング２５の搬送方向上流側側壁には基板搬入口２５ａが設けられており、搬送方向下流側側壁には基板搬出口２５ｂが設けられている。ケーシング２５の内部には、リフロー処理時に溶剤雰囲気となるリフロー処理空間Ｓが形成されている。このように、ケーシング２５の内部にリフロー処理空間Ｓを形成することにより溶剤の漏出が防止される。

リフロー処理器２４において、溶剤供給部２７および溶剤吸引部２８は、天板２６から外側（斜め上方）に突出して設けられている。溶剤供給部２７の内部には溶剤供給路２７ａが形成されており、この溶剤供給路２７ａの上端には複数の溶剤供給管３１が接続されていて、溶剤供給管３１は溶剤供給源３２に接続されている。溶剤供給路２７ａは、天壁２６に設けられた溶剤供給孔２６ａに連続しており、溶剤供給孔２６ａはリフロー処理空間Ｓに臨むようにガラス基板Ｇの幅方向に長尺に開口している。この溶剤供給孔２６ａ内には、例えば多孔質セラミックスなどの微細な気体流路を有する整流部材３３が設けられ、気化された溶剤を含む気体をガラス基板Ｇへ向けて均一に吹き出すことができるように構成されている。

また、溶剤吸引部２８は、内部に排気路２８ａを備えており、この排気路２８ａの上端には複数の排気管３４が接続されていて、排気管３４は吸引ポンプなどの吸引機構３５に接続されている。排気路２８ａは、天壁２６に設けられた排気孔２６ｂに連続しており、排気孔２６ｂはリフロー処理空間Ｓに臨むように基板Ｇの幅方向に長尺に開口している。

次に、乾燥ユニット１２について説明する。
図４は乾燥ユニット１２の概略構成を示す断面図である。この乾燥ユニット１２は、リフローユニット１１により溶剤雰囲気中でガラス基板Ｇに形成されたレジスト層のリフロー処理を行った後に、レジスト層に含まれる溶剤を均一に乾燥させるために減圧乾燥を行うものであり、ガラス基板Ｇを収容可能なチャンバー４１と、ガラス基板Ｇのチャンバー４１内への搬入、およびチャンバー４１外への搬出を行う搬送機構４２とを備えている。

チャンバー４１は、薄型の箱状に形成されてガラス基板Ｇを略水平状態で収容可能であり、搬送方向に対向する側面部にそれぞれ、ガラス基板Ｇが通過可能なスリット状をなす搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂを有しており、搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂはゲート部材４３および４４により開閉されるようになっている。

チャンバー４１の底面部には、このチャンバー４１内と連通する排気管４６が所定の間隔を有して複数設けられ、排気管４６は排気装置４７に接続されている。そして、ゲート部材４３、４４によって搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂを閉塞してチャンバー４１内を密封した状態で排気装置４７を作動させることにより、チャンバー４１内を所定値に減圧することが可能となっている。排気管４６および排気装置４７は、チャンバー４１内を減圧して、チャンバー４１内に収容されたガラス基板Ｇの溶剤が供給されたレジスト層を乾燥させるための減圧機構を構成している。

搬送機構４２は、ガラス基板Ｇを略水平に搬送し、搬入口４１ａからチャンバー４１内に搬入し、搬出口４１ｂからチャンバー４１外に搬出するものである。搬送機構４２は、チャンバー４１内でガラス基板Ｇを搬送するチャンバー内搬送部４２ａと、ガラス基板Ｇを搬入口４１ａから搬入してチャンバー内搬送部４２ａに搬送する搬入側搬送部４２ｂと、チャンバー内搬送部４２ａのガラス基板Ｇを搬出口４１ｂから搬出する搬出側搬送部４２ｃとを備えている。

内側搬送部４２ａは、チャンバー４１内に、搬入口４１ａ側端部および搬出口４１ｂ側端部にそれぞれ設けられた、円柱状をなすプーリー部材５０ａおよび５０ｂと、これらプーリー部材５０ａおよび５０ｂに掛け渡されたベルト５１とを有している。ベルト５１は、その上面が搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂの高さ範囲内に位置するように配置されている。プーリー部材５０ａおよび５０ｂのうちの少なくとも一方は、回転軸がモーター等の駆動源に接続されており、駆動源によりプーリー部材を介してベルト５１が作動され、ガラス基板Ｇが搬送される。

ベルト５１は、適宜の樹脂材料で構成されることが好ましく、例えばウレタン系材料またはテフロン（登録商標）等のフッ素系材料により構成されている。また、ベルト５１はガラス基板Ｇの幅と略等しい幅を有しており、また、プーリー部材５０ａおよび５０ｂ間の間隔は、ガラス基板Ｇの搬送方向長さよりも大きく設定されている。これにより、ベルト５１は、減圧乾燥処理時に、ガラス基板Ｇの裏面を略全面にわたって支持することができる。

チャンバー４１内には、プーリー部材５０ａおよび５０ｂの外側に、それぞれ、案内用コロ部材５４ａおよび５４ｂが回転可能に設けられている。これら案内用コロ部材５４ａおよび５４ｂは、ベルト５１の上面と同じ高さか若干高い高さとなるように設けられ、搬入側搬送部４２ｂからベルト５１へ、およびベルト５１から搬出側搬送部４２ｃへ確実に案内するようになっている。

プーリー部材５０ａおよび５０ｂに巻き掛けられたベルト５１の間の空間には、充填部材４５が、ベルト５１に接触しないように設けられている。これにより、チャンバー４１内の容積が小さくなり、減圧機構によってチャンバー４１内を迅速に減圧することできる。

プーリー部材５０ａおよび５０ｂ間には、ガラス基板Ｇの幅方向に延びる、ベルト５１の撓み防止するための補助用コロ部材５５がベルト５１を支持するように設けられている。

搬入側搬送部４２ｂおよび搬出側搬送部４２ｃは、それぞれ搬送方向に沿って複数のコロ部材５６を有している。搬入側搬送部４２ｂの外側コロ部材５６は、リフロー処理後のガラス基板Ｇをチャンバー４１内へ搬送する。一方、搬出側搬送部４２ｃの外側コロ部材５６は、減圧乾燥後のガラス基板を減圧乾燥ユニット１２から加熱ユニット１３へ搬送する。このように搬入側および搬出側がコロタイプとなっていることにより、アクチュエーター型やロボット型等の複雑な搬送機構を必要とすることなく、ガラス基板Ｇを搬送することができる。

チャンバー４１内のプーリー部材５０ａと案内用コロ部材５４ａとの間、およびプーリー部材５０ｂと案内用コロ部材５４ｂとの間にはそれぞれ、上方に向かって窒素ガスを供給する窒素ガス供給部６２が、ベルト５１の幅方向に延びるように設けられている。窒素ガス供給部６２は、減圧されたチャンバー４１内に窒素ガスを供給することにより、チャンバー４１内を素早く昇圧するとともに、ガラス基板Ｇのリフロー処理後のレジスト層が外部の空気に接触するのを抑制するためのものである。また、チャンバー４１内の側面部には、ベルト５１に付着した塵埃等を排出するため、局所排気管６３がベルト５１の間（ベルト５１の裏面側）にベルトの幅方向に沿って設けられ、この局所排気管６３は排気装置（図示せず）に接続されている。また、ベルト５１の表面側にも局所排気管６４が設けられている。この場合には、パーティクル対策として、局所排気管６４にイオナイザーを配備しておき、ベルト５１の表面を除電可能に構成しておくことが好ましく、局所排気管６４およびイオナイザーは、ベルト５１の作動時に作動し、ベルト５１の停止時に停止するように制御させることが好ましい。

次に、加熱処理ユニット１３について説明する。
図５は加熱処理ユニット１３の概略構成を示す断面図である。この加熱処理ユニット１３は、リフロー処理後のレジスト層を加熱してプリベーク処理を施すためのものであり、ガラス基板Ｇを連続的に搬送しながら加熱処理を行う、いわゆる平流しタイプのものであって、上記減圧乾燥ユニット１２で減圧乾燥された後のガラス基板Ｇに加熱処理を施す。この加熱処理ユニット１３は、筐体７１を有し、筐体７１内にはガラス基板Ｇが水平に搬送される搬送路７２が形成されている。筐体７１の一方の側壁には基板搬入口７１ａが形成され、その側壁と対向する側壁には基板搬出口７１ｂが形成されていて、基板搬入口７１ａから搬入されたガラス基板Ｇが搬送路７２を水平に搬送され、基板搬出口７１ｂから搬出されるようになっている。また、ガラス基板Ｇを搬送するための搬送機構として、ガラス基板Ｇの幅方向に延びる複数のローラー７３を備えている。複数のローラー７３は水平方向に配列されており、その一部は、図示しない回転駆動機構に接続されて回転駆動され、これによりガラス基板Ｇが水平方向に搬送される。

筐体７１内には、本来の加熱処理を行う加熱エリア１３ａと、加熱されたガラス基板Ｇを搬送可能な温度まで冷却する冷却エリア１３ｂとが設けられている。

加熱エリア１３ａには、ガラス基板Ｇを加熱するための複数のパネル形状のヒータ（熱板）７４と、これら複数のヒータ７４の間の隙間７５から搬送路７２の上方空間に所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置７６と、隙間７５から吸気を行うための吸気装置７７と、ローラー７３によって搬送されるガラス基板Ｇの裏面を加熱するためのＩＲ（赤外線）ヒータ７８とが設けられている。加熱ガス供給装置７６からの加熱ガスの供給は加熱ガス供給配管７９を介して行われ、吸気装置７７による吸引は吸気配管８０を介して行われる。

ガラス基板Ｇの表裏で温度差が発生するとガラス基板Ｇに反りが生じるので、ガラス基板Ｇの表裏の温度が同程度となるように、ヒータ７４とＩＲヒータ７８の出力を制御する。ヒータ７４からガラス基板Ｇの表面までの距離と、ＩＲヒータ７８からガラス基板Ｇの裏面までの距離は異なるので、ガラス基板Ｇの設定温度に対するヒータ７４とＩＲヒータ７８の出力の相関関係データを制御部４に記憶させておき、ガラス基板Ｇの設定処理温度に応じてヒータ７４とＩＲヒータ７８とを制御する。

加熱処理の際に加熱ガス供給装置７６から加熱ガスをガラス基板Ｇとヒータ７４との間に供給することにより、ガラス基板Ｇの加熱を促進することができる。また、このようにガラス基板Ｇとヒータ７４との間の空間に加熱ガスの供給排気を行うことによって、ガラス基板Ｇから発生する昇華物等を気流に乗せて、ガラス基板Ｇとヒータ７４との間の空間から排除することができる。

上記ＩＲヒータ７８は、ガラス基板Ｇのみならず、ローラー７３を加熱するように配置することが好ましい。これによりローラー７３からの熱伝達および熱輻射によってもガラス基板Ｇが加熱され、ガラス基板Ｇの加熱処理時間を短縮することができる。このため、ローラー７３は、蓄熱性材料（例えば、セラミックス等）で構成されているものを用いることが好ましい。

冷却エリア１３ｂには、ガラス基板Ｇを表面側から冷却するためにガラス基板Ｇの搬送路７２の上方に設けられた冷却板８１と、ガラス基板Ｇを裏面から冷却するためにガラス基板Ｇの裏面に冷却ガスを吹き付ける冷却ガス噴射装置８２とが設けられている。

冷却板８１は、その内部に冷却媒体を通すための配管が埋設されており、配管８４を介してチラー８３との間で冷媒が循環するように構成されている。冷却板８１の隙間から、冷却板８１とガラス基板Ｇとの間の空間の温まったガスを吸気する構成としてもよい。

また、冷却ガス噴射装置８２は、冷却ガスを供給する冷却ガス供給部８５と、冷却ガスを噴出する冷却ガス噴出ノズル８６と、冷却ガス供給部８５から冷却ガス噴出ノズル８６へ冷却ガスを導く冷却ガス配管８７とを有する。

なお、加熱エリア１３ａと冷却エリア１３ｂとは大きな温度差があるため、これらの間をシャッタ等により遮断可能な構成として熱影響を排除する構成としてもよい。

上記制御部４は、図１に示すように、リフローシステム１００の各構成部が接続されるマイクロプロセッサからなるプロセスコントローラ１４を有し、これにより各構成部が制御される。プロセスコントローラ１４には、オペレータがリフローシステム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、リフローシステム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１５が接続されている。

また、プロセスコントローラ１４には、リフローシステム１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ１４の制御にて実現するための制御プログラムや、リフローシステム１００の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部１６が接続されている。レシピは記憶部１６中の記憶媒体に記憶されている。記憶媒体はハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース１５からの指示等にて任意のレシピを記憶部１６から呼び出してプロセスコントローラ１４に実行させることで、プロセスコントローラ１４の制御下で、リフローシステム１００での所望の処理が行われる。

このように構成されるリフローシステム１００においては、所定のパターンにパターン形成されたレジスト層を有し、必要に応じて薄膜除去のための再現像処理やアドヒージョン処理等の所定の前処理が施されたガラス基板Ｇを複数収容したカセットを搬入部２に載置し、そこから適宜の搬送機構によりガラス基板Ｇを一枚ずつ処理ステーション１に搬入し、コロ等によりリフローユニット１１に搬送する。

リフローユニット１１においては、回転駆動機構（図示せず）を駆動させてローラー２３を回転させ、ガラス基板Ｇを搬送路２２に沿って搬送させ、筐体２１内に搬入する。筐体２１内において搬送路２２を搬送されているガラス基板Ｇは、リフロー処理器２４のケーシング２５内に形成されたリフロー処理空間Ｓを通過する間に、溶剤供給源３２から、溶剤供給管３１、溶剤供給部２７の溶剤供給路２７ａおよび天壁２６の溶剤供給孔２６ａを介して傾斜した状態でリフロー処理空間Ｓにシンナー等の溶剤を含む気体を供給する。そして、リフロー処理空間Ｓに供給された溶剤を含む気体は、天壁２６に形成された排気孔２６ｂから溶剤吸引部２８の排気路２８ａおよび排気管を経て吸引機構３５により吸引される。これによりリフロー処理空間Ｓには溶剤供給孔２６ａから排気口２６ｂへ向かう一方向の流れが形成され、溶剤を含む気体の流れにより、ガラス基板Ｇの表面にレジスト層が軟化して流動化し、変形レジストパターンが形成される。

このとき、このような平流しタイプのリフローユニット１１では、吸引機構３５は、リフロー処理空間Ｓに供給された溶剤を含む気体を吸引するのみであり、密閉チャンバー方式のように減圧処理ができないため、レジスト層に吸収された溶剤が十分に排出されない高溶剤濃度の状態でガラス基板Ｇが排出される。

従来はこの状態のままプリベーク処理を行っていたが、レジスト層中の溶剤濃度が高い状態でベーク処理を行うと、加熱によりレジスト層から急激に溶剤が排出されて乾燥不均一が生じ、それに起因してローラー等の転写跡が発生するなどの不都合が生じるおそれがある。

そこで、本実施形態では、リフローユニット１１に隣接して乾燥ユニット１２を設け、その乾燥ユニット１２において緩やかな乾燥を行うことにより、不均一な乾燥状態を形成させないようにする。

リフローユニット１１から搬出されたガラス基板Ｇは、乾燥ユニット１２の搬入側搬送部４２ｂに受け渡され、搬入口４１ａから搬入されてチャンバー内搬送部４２ａのベルト５１上に到達するまで搬送される。この際に、プーリー部材５０ｂを回転駆動させてベルト５１を作動させることにより、ベルト５１上に達したガラス基板Ｇは、搬入側搬送部４２ｂからチャンバー内搬送部４２ａに受け渡され、ベルト５１上を搬送されてチャンバー４１内に収容される。ガラス基板Ｇが、チャンバー４１内に収容されてベルト５１上に略全面にわたって載置された時点で、ベルト５１の作動を停止し、ゲート部材４３、４４によって搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂを閉塞してチャンバー４１内を密封する。

そして、この状態で排気装置４７を作動させてチャンバー４１内を所定値まで減圧する。これにより、ガラス基板Ｇの表面に形成されたレジスト層が緩やかに乾燥され、溶剤の急激な放出が生じず、不均一な乾燥に起因するレジスト層の転写跡が生じ難くなる。

また、この際にベルト５１がガラス基板Ｇを略全面に接して均等に支持し、ガラス基板Ｇの受け渡しの際にガラス基板Ｇを把持する機構やリフトピンを用いないので、これらに起因した転写跡が生じるおそれがなく、転写跡を一層生じ難くすることができる。

このようにして排気装置４７を所定時間作動させた時点で排気装置４７を停止し、減圧乾燥処理を停止する。そして、窒素ガス供給部６２によりチャンバー４１内に窒素ガスを供給してチャンバー４１内を昇圧するとともに、ゲート部材４３および４４を退避させて搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂを開放する。この状態でベルト５１を作動させるとともに搬出側搬送部４２ｃのコロ部材５６を駆動させることによりガラス基板Ｇをチャンバー４１から搬出し、加熱処理ユニット１３へ搬送される。

加熱処理ユニット１３においては、ガラス基板Ｇはローラー７３により搬送路７２を搬送されて、筐体７１内に搬入される。そして、ガラス基板Ｇは、搬送路７２を搬送されて加熱エリア１３ａを移動する間に、ヒータ７４およびＩＲヒータ７８により加熱されてプリベーク処理が施される。この際に加熱ガスをガラス基板Ｇとヒータ７４との間の空間に供給するので加熱が促進され、また、ガラス基板Ｇとヒータ７４との間の空間を排気するので昇華物等を速やかに排出することができる。

この加熱の際には、ガラス基板Ｇのレジスト層中の溶剤が既に乾燥ユニット１２によりある程度排出されているので、レジスト層に不均一な乾燥は生じず、転写跡が生じ難い。

このようにプリベーク処理された後のガラス基板Ｇは、さらに搬送路７２に沿って搬送されて、冷却エリア１３ｂにおいて室温近傍まで冷却されて筐体７１から排出される。その後、ガラス基板Ｇは、搬出部３に搬送され、そこに載置されたカセット内に収容される。そして、カセット内に所定枚数のガラス基板Ｇが収容された時点で、カセットを次工程の処理装置へ搬送する。

このように、平流しタイプのリフローユニットによりリフロー処理した後に、ベーク処理に先立って緩やかな乾燥を行うので、リフロー処理直後にベーク処理を行う場合のような急激な乾燥が回避され、転写跡等の不都合を生じ難くすることができる。また、リフローユニット１１、乾燥ユニット１２、加熱処理ユニット１３を一体としたシステムとしたので、リフロー処理からプリベーク処理までの工程を効率良く行うことができる。さらに、乾燥ユニット１２の搬送機構をコロ５６およびベルト５１を用いたものとし、加熱処理ユニットを平流しタイプとしたので、平流しタイプのリフローユニット１１から搬出されたガラス基板Ｇを、そのまま連続的に搬送した状態で一連の処理を行うことができ、装置の簡略化を実現することができるとともに、極めて効率的な処理を行うことができる。

次に、上記乾燥ユニット１２における搬送機構の他の例について説明する。図６は他の例の搬送機構を備えた乾燥ユニットを示す断面図である。図６の乾燥ユニットは、搬送機構の構成が異なる点と、ガラス基板Ｇを上下するためのリフト機構が設けられている点が図４の乾燥ユニットと相違しており、他の構成は図４の乾燥ユニットと同じであるため、図４の乾燥ユニットと同じものには同じ符号を付して説明を省略する。

ここでは、図４の搬送機構４２の内側搬送部４２ａをコロ搬送を主体とする内側搬送部４２ａ′に変更した搬送機構４２′を用いている。搬入側搬送部４２ｂおよび搬出側搬送部４２ｃは図４の搬送機構４２と同様に構成されている。

内側搬送部４２ａ′は、チャンバー４１内の搬送方向に沿って配列された複数のコロ９０を有している。このコロ９０を回転させることにより、ガラス基板Ｇをコロ搬送で搬送方向に送るようになっている。そして、搬入側搬送部４２ｂからコロ搬送で送られてくるガラス基板Ｇを同速度のコロ搬送でチャンバー４１内に引き込むとともに、チャンバー４１内で減圧乾燥処理の済んだガラス基板Ｇをチャンバー４１の外部の搬出側搬送部４２ｃへコロ搬送により送り出すようになっている。

内側搬送部４２ａ′を構成するコロ９０は、搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂに対応した高さ位置で搬送方向に沿って適当な間隔をおいて一列に配置されており、一部または全部のころ９０がチャンバー４１の外に設けられた搬送駆動部（図示せず）に接続されている。各コロ９０は、基板の裏面に外径の一様な円筒部または円柱部で接触する棒体として構成されており、その両端部がチャンバー４１の左右両側壁またはその近傍に設けられた軸受け（図示せず）に回転可能に支持されている。

チャンバー４１内には、ガラス基板Ｇを略水平に支持して上下するためのリフト機構９２が設けられている。このリフト機構９２は、チャンバー４１内に所定の配置パターン（例えばマトリクス状）で離散的に配置された多数本のリフトピン９３と、これらのリフトピン９３を所定の組またはグループ毎に内側搬送部４２ａ′の基板の搬送路よりも低い位置にて支持する複数の水平棒または水平板からなるピンベース９４と、各ピンベース９４を昇降移動させるためにチャンバー４１の下方に配置された昇降駆動源、例えばシリンダ９５とを有している。

具体的には、相隣接する２本のコロ９０の隙間にコロ９０と平行に一定間隔で複数本のリフトピン９３を鉛直に立てて一列に配置し、このようなリフトピン列を搬送方向に適当な間隔をおいて複数設け、各ピンベース９４に１組または複数組（図では２組）のリフトピン列を支持させる。そして、チャンバー４１の底壁をシール部材９６を介して気密状態で貫通し、かつ昇降移動可能な昇降駆動軸９７によって、チャンバー４１内側の各ピンベース９４を対応するシリンダ９５に接続している。

このような構成のリフト機構９２においては、全部のシリンダ９５を同一タイミングで同一ストロークで前進（上昇）または後退（下降）駆動を一斉に行わせることにより、昇降駆動軸９７およびピンベース９４を介して全リフトピン９３をピン先端の高さを揃えた状態で、搬送路よりも低い下降位置と、図示しているような搬送路より高い上昇位置との間で昇降移動させることができるようになっている。

各リフトピン９３は、本体部が剛性のある材料、例えばステンレス鋼からなり、先端部はＰＥＥＫやセラゾール（商品名）のような樹脂からなる円柱状の棒体として構成されている。この先端部は直径が０．８ｍｍ以下（好ましくは０．４〜０．６ｍｍ）と細く、先端が所定のＲ値（０．２〜０．３ｍｍ）で丸められている。

チャンバー４１の両端部における搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂ近傍の基板搬送路よりも低い位置に、コロ９０と平行に延材するように窒素ガス供給部９９が設けられている。この窒素ガス供給部９９は図４の窒素ガス供給部６２と同様、窒素ガスを吐出するようになっており、減圧状態のチャンバー４１内に窒素ガスを供給することにより、チャンバー４１内を迅速に昇圧するとともに、ガラス基板Ｇのリフロー処理後のレジスト層が外部の空気に接触するのを抑制する。

このようなコロ搬送タイプの乾燥ユニットにおいては、リフローユニット１１から搬出されたガラス基板Ｇは、乾燥ユニット１２の搬入側搬送部４２ｂに受け渡され、搬入口４１ａから搬入されて、内側搬送部４２ａ′のコロ９０上を搬送されて、チャンバー４１内に収容される。この際には、リフト機構９２のリフトピン９３は下降位置に待機している。そして、ガラス基板Ｇがチャンバー内に完全に収容された時点で、コロ９０の搬送動作を停止し、ゲート部材４３、４４によって搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂを閉塞してチャンバー４１内を密封する。

次いで、リフト機構９２のシリンダ９５によりリフトピン９３を一斉に所定ストロークだけ上昇させ、ガラス基板Ｇを水平姿勢のまま、図示したような搬送路よりも上の所定位置に持ち上げる。そして、この状態で排気装置４７を作動させてチャンバー４１内を所定値まで減圧する。これにより、ガラス基板Ｇの表面に形成されたレジスト層が緩やかに乾燥され、溶剤の急激な放出が生じず、不均一な乾燥に起因するレジスト層の転写跡が生じ難くなる。しかし、この乾燥処理の間、ガラス基板Ｇは複数のリフトピン９３に支持されることになるため、リフトピンに対応する転写跡が生じるおそれがある。しかし、リフトピン９３の先端が極めて細く、しかも丸まった形状を有しているので、接触面積が極めて小さく、その転写跡は実用上無視できる程度である。なお、リフトピン９３の先端部を樹脂とし本体を中空とすることで、熱伝導を一層少なくすることにより、このような転写跡を最小限に抑えることが可能となる。

このようにして排気装置４７を所定時間作動させた時点で排気装置４７を停止し、減圧乾燥処理を停止する。そして、窒素ガス供給部９９によりチャンバー４１内に窒素ガスを供給してチャンバー４１内を昇圧するとともに、ゲート部材４３および４４を退避させて搬入口４１ａおよび搬出口４１ｂを開放する。この状態でリフト機構９２のリフトピン９３を下降させて、ガラス基板Ｇを内側搬送部４２ａ′のコロ９０の上に載置した状態とし、コロ９０を駆動させるとともに搬出側搬送部４２ｃのコロ部材５６を駆動させることにより、ガラス基板Ｇをチャンバー４１から搬出し、さらに加熱処理ユニット１３へと搬送する。

次に、このようなリフロー、乾燥、プリベークを連続的に行うリフローシステムに適した乾燥ユニットの他の例について説明する。図７は乾燥ユニットの他の例を示す断面図である。

この乾燥ユニット１２′は、内部にガラス基板Ｇの搬送路１０２を有するチャンバー１０１が設けられており、このチャンバー１０１には搬送路１０２に沿って複数（図では３つ）の気流形成部１０３が設けられている。搬送路１０２は、気流形成部１０３においては浮上搬送区間１０４となっており、隣接する気流形成部１０３の間はコロ搬送区間１０５となっている。

ここでは、乾燥ユニット１２′にガラス基板Ｇが搬送されると、搬送されている基板Ｇの下面は、複数のコロ搬送区間１０５のうち、必ずいずれかに掛かるようになっており、コロの回転駆動によりガラス基板Ｇが搬送されるように構成されている。すなわち、一つの気流形成部１０３における浮上搬送区間１０４の基板搬送方向に沿った長さは、ガラス基板の搬送方向の長さよりも短くなるように構成されている。

浮上搬送区間１０４には、浮上ステージ１０６が配置されており、この浮上ステージ１０６には複数の通気孔（図示せず）が千鳥格子状に形成されている。これら通気孔には空気を噴出する噴出孔と空気を吸引する吸引孔が存在し、これらの空気の噴出と吸引により浮上ステージ１０６から所定距離浮上するようになっている。

各浮上ステージ１０６の下方には、噴出孔へ圧縮乾燥空気を供給し、吸気孔から浮上ステージ１０６の上方の空気を吸引し、浮上空気圧を制御する浮上空気圧制御機構１０７が設けられている。

また、搬送路１０２の搬送方向における複数箇所、好ましくは少なくともチャンバー１０１の前段部分を含む複数箇所にヒータ１０８が設けられ、搬送するガラス基板Ｇを加熱することが可能となっている。ヒータ１０８としては、例えばカーボンヒータ、プレートヒータ、赤外線ランプヒータ等を用いることができる。

気流形成部１０３は、搬送方向の下流側に設けられた給気路１０９と、上流側に設けられた吸引路１１０と、給気路１０９および吸引路１１０の間に設けられ、チャンバー１０１内に形成された流路１１１とを有している。給気路１０９には所定温度の圧縮乾燥空気を供給するための給気機構１１２が接続されており、吸引路１１０には流路１１１内の空気を吸引するための吸引機構１１３が接続されていて、これら給気機構１１２および吸引機構１１３には空気の供給量および吸引量ならびに供給する空気の温度を制御する気流制御部１１４が接続されている。そして、気流制御部１１４により制御しつつ給気機構１１２および吸引機構１１３を作動させることにより、流路１１１にガラス基板Ｇの搬送方向とは反対向きの所定の気流が形成されるようになっている。このようにガラス基板Ｇの搬送方向と反対方向の気流を形成することにより、搬送されるガラス基板Ｇの上面に効率良く乾燥空気の気流が形成され、高効率で溶剤の乾燥を行うことができる。

そして、このように気流形成部１０３を搬送方向に沿って複数設け、これら気流形成部１０３の各々を個別に設けられた気流制御部１１４により個別に制御可能となっており、気流形成部１０３毎にガラス基板Ｇに対する乾燥効果に差異を持たせる等、乾燥効果の調整が可能となっている。

上記給気路１０９には、複数の通気孔が形成された整流板１１５が設けられており、これにより供給された乾燥圧縮空気が整流されるようになっている。この整流板１１５は、例えば焼結金属により形成される。

上記搬送路１０２の複数のコロ搬送区間１０５には、基板搬送方向に沿って配列された複数のコロ１１６が設けられている。コロ１１６の下方にはそれぞれ排気室１１７が設けられ、排気室１１７の底部には排気路１１８が設けられていて、さらに排気路１１８には共通の排気装置１１９が接続されている。そして、排気装置１１９を作動させることによりコロ搬送区間１０５に下向きの気流が形成され、下流側の機構に悪影響を与えないようになっている。

このように構成された乾燥ユニット１２′においては、搬送路１０２に沿ってリフロー処理後のガラス基板Ｇがチャンバー１０１内に搬入される。このとき、まず、ガラス基板Ｇはヒータ１０８の上方を通過することにより加熱され、所定温度（例えば１００〜１２０℃）まで昇温し、ガラス基板上に形成されたレジスト膜中の溶剤が揮発しやすい状態とされる。次いで、ガラス基板Ｇはコロ搬送区間１０５により搬送路１０２を移動し、最初の気流形成部１０３の流路１１１に進入する。流路１１１には、ガラス基板Ｇの搬送方向と反対方向に乾燥空気の気流が形成されており、ガラス基板Ｇの上面に効率良く乾燥空気の気流が当たり、レジスト膜中の溶剤が高効率で蒸発する。このとき、上述したように、ガラス基板Ｇはヒータ１０８により昇温して、蒸発しやすい状態であるため、蒸発が一層効果的に進行する。また、このような気流による乾燥は、ベーク処理のような溶剤の急激な蒸発をともなわないため、均一な乾燥を行うことができる。さらに、このとき気流形成部１０３の流路１１１において、ガラス基板Ｇは浮上空気により浮上した状態で搬送方向に移動されるため、コロ搬送の場合のような乱流が生じ難く、より均一な乾燥を行うことができる。そして、このようにしてレジスト膜から蒸発した溶剤は吸引路１１０を経て速やかに吸引排気される。

ガラス基板Ｇは、先端側から順に乾燥処理がなされていき、複数の気流形成部１０３に順次搬送されて乾燥空気の気流による乾燥処理が連続的に行われる。このとき、気流形成部１０３ごとに乾燥条件を変化させることにより、ガラス基板Ｇのレジスト膜の乾燥を段階的に行ってより適切な乾燥状態を得ることができる。

このような乾燥空気の気流による乾燥処理を適用することにより、減圧乾燥のようなチャンバ内を減圧にするためのポンプ等の排気装置や、チャンバ開閉のための機構が不要となり、装置構成をより簡易かつ安価にすることができる。

また、この乾燥ユニット１２′は、平流しタイプであるから、他のユニットとともに完全平流しのシステムとして構築することができ、スループットを高めることができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、リフローユニットとして、ガラス基板の搬送方向に溶剤を含む気体の流れを形成した例を示したが、これに限らず、逆向きの流れを形成してもよいし、溶剤を含む気体の供給点の両側へ向かう流れを形成してもよい。また、平流しタイプのリフローユニットとしては、上記実施形態のように溶剤雰囲気形成器であるリフロー処理器を複数用いるものに限らず、例えばガラス基板の搬送路全体を溶剤雰囲気とするものであってもよい。

乾燥ユニットとしては、上記実施形態のようなベルト搬送タイプやコロ搬送タイプのものに限るものではなく、また、減圧乾燥や気流乾燥に限るものでもない。さらに、乾燥ユニットとしては、上記例のような間欠的にガラス基板を搬送可能なものや平流しタイプのものに限らず、例えば、図８に示すように、上部チャンバー２０１と下部チャンバー２０２とを有し、その中にガラス基板Ｇを載置する支持ピン２０３ａを有する載置台２０３を配置し、下部チャンバー２０２の底部に排気路２０４を設け真空ポンプ２０６によりチャンバー内を排気するタイプの減圧乾燥ユニットであってもよい。

また、加熱処理ユニットとしても上記実施形態のような平流しタイプのものに限らず、例えば図９に示すように、容器２１１内にヒータ２１４が内蔵された加熱プレート２１３を配置し、その上に形成されたピン２１３ａ上にガラス基板Ｇを載置し、容器２１１の上に蓋２１２を設けた状態で、容器２１１と蓋２１２の間の隙間２１６から蓋２１２の中央に形成された排出口２１５に至る気流を形成した状態で加熱するチャンバータイプの加熱処理ユニットであってもよい。

さらにまた、リフロー処理後に加熱処理に先立って行われる乾燥処理は、減圧乾燥処理に限らず、加熱をともなわない乾燥であればよく、例えば送風乾燥等、他の乾燥方式であってもよい。

さらにまた、上記実施形態では基板としてＦＰＤ用のガラス基板を用いた例について示したが、半導体ウエハ等の他の基板のガス処理にも適用可能である。

本発明の一実施形態に係るリフローシステムを示す概略平面図。 図１のリフローシステムに搭載されたリフローユニットの概略構成を示す断面図。 リフローユニットに用いられるリフロー処理器の概略構成を示す縦断面図。 図１のリフローシステムに搭載された乾燥ユニットの概略構成を示す断面図。 図１のリフローシステムに搭載された加熱処理ユニットの概略構成を示す断面図。 図１のリフローシステムに搭載された乾燥ユニットにおいて、他の例の搬送機構を備えた例を示す断面図。 乾燥ユニットの変形例を示す断面図。 乾燥ユニットの他の変形例を示す断面図。 加熱処理ユニットの変形例を示す断面図。

符号の説明

１；処理ステーション
２；搬入部
３；搬出部
４；制御部
１１；リフローユニット
１２、１２′；乾燥ユニット
１３；加熱処理ユニット
１４；プロセスコントローラ
１５；ユーザーインターフェース
１６；記憶部
２４；リフロー処理器
１００；リフローシステム
Ｇ；ガラス基板

Claims (22)

1. 所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニットと、
   レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する乾燥ユニットと、
   乾燥ユニットにより乾燥された基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットと
   を具備することを特徴とするリフローシステム。
2. 前記リフローユニットは、前記搬送路に形成されたリフロー処理空間に溶剤雰囲気を形成する溶剤雰囲気形成器を有し、前記溶剤雰囲気形成器は、前記リフロー処理空間に溶剤を供給する溶剤供給機構と、前記リフロー処理空間に供給された溶剤を吸引する吸引機構とを有することを特徴とするリフローシステム。
3. 前記乾燥ユニットは、基板を減圧状態で乾燥することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリフローシステム。
4. 前記乾燥ユニットは、
   基板が搬入される搬入口および基板が搬出される搬出口を側壁部に有し、基板を収容するチャンバーと、
   前記チャンバーの前記搬入口および搬出口を開閉するゲート部材と、
   前記チャンバー内を排気して減圧する減圧機構と、
   基板を水平方向に搬送して前記搬入口から前記チャンバー内に搬入し、前記チャンバー内で基板を水平状態で支持し、減圧処理後に基板を水平に搬送して前記搬出口から搬出する搬送機構と
   を有することを特徴とする請求項３に記載のリフローシステム。
5. 前記搬送機構は、前記チャンバー内で２つのプーリー部材に巻き掛けられたベルトを有し、基板を前記ベルト上に載置した状態で減圧処理を行うとともに、前記ベルトを動作させることにより基板の搬入および搬出を行うことを特徴とする請求項４に記載のリフローシステム。
6. 前記搬送機構は、基板を搬送する複数のコロを有することを特徴とする請求項４に記載のリフローシステム。
7. 前記乾燥ユニットは、基板に気流を付与しながら乾燥することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリフローシステム。
8. 前記乾燥ユニットは、
   基板が搬送される搬送路と、
   搬送路に沿って設けられ、その中に気流が形成される気流形成部と、
   搬送路に沿って基板を搬送する搬送機構と
   を有することを特徴とする請求項７に記載のリフローシステム。
9. 前記気流形成部は、基板の搬送方向とは反対向きに気流が形成されることを特徴とする請求項８に記載のリフローシステム。
10. 前記加熱処理ユニットは、
    前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱してベーク処理することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のリフローシステム。
11. 前記加熱処理ユニットは、前記乾燥ユニットで乾燥された後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を加熱する加熱エリアと、加熱後の基板を搬送路に沿って搬送している間に基板を冷却する冷却エリアとを有することを特徴とする請求項１０に記載のリフローシステム。
12. 前記加熱処理ユニットは、加熱された熱板により基板を加熱してベーク処理することを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のリフローシステム。
13. 所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って一方向に搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行うリフローユニットと、
    レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する乾燥ユニットと、
    乾燥ユニットにより乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間に基板を加熱してベーク処理する加熱処理ユニットと
    を具備することを特徴とするリフローシステム。
14. 前記乾燥ユニットは、前記チャンバー内に基板を搬入した後、前記チャンバー内を減圧状態にして基板を減圧乾燥し、減圧乾燥後に前記チャンバー外に搬出することを特徴とする請求項１３に記載のリフローシステム。
15. 前記乾燥ユニットは、基板を搬送しながら基板に気流を付与することを特徴とする請求項１３に記載のリフローシステム。
16. 前記加熱処理ユニットは、加熱された熱板により基板を加熱してベーク処理することを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載のリフローシステム。
17. 所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行う工程と、
    レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を乾燥する工程と、
    乾燥された基板を加熱してベーク処理を行う工程と
    を含むことを特徴とするリフロー方法。
18. 所定パターンのレジスト層を有する基板を搬送路に沿って一方向に搬送している間に基板に溶剤を供給してレジスト層のリフロー処理を行う工程と、
    レジスト層にリフロー処理を施した後の基板を前記一方向に搬送してチャンバー内に搬入し、その中で基板を乾燥し、乾燥後の基板を前記一方向に搬送して前記チャンバーから搬出する工程と、
    乾燥された基板を搬送路に沿って前記一方向に搬送している間にその基板を加熱してベーク処理する工程と
    を含むことを特徴とするリフロー方法。
19. 前記乾燥は、前記チャンバー内に基板を搬入した後、前記チャンバー内を減圧状態にして基板を減圧乾燥し、減圧乾燥後に前記チャンバー外に搬出するものであることを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載のリフロー方法。
20. 前記乾燥は、基板を搬送しながら基板に気流を付与して行うことを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載のリフロー方法。
21. 前記加熱は、加熱された熱板により行われることを特徴とする請求項１７から請求項２０のいずれか１項に記載のリフロー方法。
22. コンピュータ上で動作し、リフローシステムを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１７から請求項２１のいずれかのリフロー方法が行われるように、コンピュータに前記リフローシステムを制御させることを特徴とする記憶媒体。

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