JP2008287266A - アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 182
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 374
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 249
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 206
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 167
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 136
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 22
- 101150096622 Smr2 gene Proteins 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 20
- 101100441244 Caenorhabditis elegans csp-1 gene Proteins 0.000 description 17
- 101100441252 Caenorhabditis elegans csp-2 gene Proteins 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
【解決手段】各画素領域に、トランジスタと、該トランジスタに接続し、容量の一方電極として機能しうる容量電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、上記容量電極の下層にあって、上記容量の他方電極として機能しうる導電体を備え、各トランジスタのゲート電極および上記導電体を覆うゲート絶縁膜は、上記導電体と重畳する導電体上領域の中に、膜厚の小さくなった薄膜部を有しており、該薄膜部の少なくとも一部が上記容量電極と重畳している。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1について図1〜図4および図9に基づいて説明すれば以下のとおりである。
本発明の実施の形態2について図5〜図8および図10に基づいて説明すれば以下のとおりである。
本アクティブマトリクス基板を図22のように構成することもできる。図23は図22のA1−A2断面図である。図22に示すように、本アクティブマトリクス基板は、1つの画素領域に、TFT212と、第1の画素電極217aおよび第2の画素電極217b容量電極)と、コンタクトホール211と、制御容量電極252(導電体)と、互いに直交するように図中左右方向に形成された走査信号線216および図中上下方向に形成されたデータ信号線215とを備える。
11a・11b コンタクトホール
12a 第1のTFT
12b 第2のTFT
15 データ信号線
16 走査信号線
17a 第1の画素電極
17b 第2の画素電極
31a 第1の薄膜部
31b 第2の薄膜部
52a 第1の保持容量配線
52b 第2の保持容量配線
107a 第1のドレイン引き出し電極
107b 第2のドレイン引き出し電極
Claims (43)
- トランジスタに電気的に接続された容量電極と、該容量電極と容量を形成する導電体と、上記容量電極の下層に配され、上記導電体およびトランジスタのゲート電極を覆うゲート絶縁膜とを備え、
上記ゲート絶縁膜には、複数のゲート絶縁層からなる厚膜部と、導電体と重畳する領域の中に位置し、厚膜部における複数のゲート絶縁層の少なくとも1つが除去あるいは薄くされた薄膜部とが含まれ、該薄膜部の少なくとも一部が上記容量電極と重畳していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記薄膜部は、上記領域の中央部分に局所的に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記薄膜部の全部が上記容量電極と重畳していることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記容量電極は、トランジスタのドレイン電極に接続された画素電極であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記容量電極は、トランジスタのドレイン電極から引き出されたドレイン引き出し電極であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記導電体は保持容量配線の一部であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記導電体は、走査方向の前段あるいは後段にあたる走査信号線の一部であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記薄膜部上に、上記トランジスタのチャネル部分を覆う第1の層間絶縁膜を介して画素電極が形成されていることを特徴とする請求項4に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記薄膜部上に、ドレイン引き出し電極が直接形成されていることを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記薄膜部上に、半導体層を介して上記ドレイン引き出し電極が形成されていることを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記薄膜部上に、上記ドレイン引き出し電極と画素電極とが接触するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする請求項9または10に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記コンタクトホール以外の部分では、画素電極とゲート絶縁膜との間に、上記トランジスタのチャネル部分を覆う第1の層間絶縁膜と、上記薄膜部より膜厚の大きな第2の層間絶縁膜とが配されていることを特徴とする請求項11に記載のアクティブマトリクス基板。
- 有機物を含むゲート絶縁層を備えることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 少なくとも1つのゲート絶縁層が平坦化膜であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記厚膜部においては、最下層のゲート絶縁層が平坦化膜であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記厚膜部には最下層のゲート絶縁層としてスピンオンガラス(SOG)材料からなるSOG膜が形成される一方、薄膜部には該SOG膜が形成されていないことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記平坦化膜の基板面に接する部分の厚みが、基板面に形成される導電体の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項15に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記有機物を含むゲート絶縁層の厚みが、1.0〔μm〕以上5.0〔μm〕以下であることを特徴とする請求項13に記載のアクティブマトリクス基板。
- ゲート絶縁膜上に上記トランジスタのチャネル部分を覆う第1の層間絶縁膜が設けられ、厚薄部でのゲート絶縁膜および第1の層間絶縁膜の厚みの和が、1.65〔μm〕以上5.65〔μm〕以下であることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記導電体は、上記画素電極のエッジと重なるように環状に形成された保持容量配線であることを特徴とする請求項4に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記容量電極として画素電極を備えるとともに、該画素電極は、トランジスタのソース電極に接続するデータ信号線に沿うようなエッジとこれに対向するようなエッジとを有しており、
上記保持容量配線が、上記2つのエッジそれぞれと重畳するように形成されていることを特徴とする請求項6に記載のアクティブマトリクス基板。 - トランジスタに接続された画素電極と、上記トランジスタのドレイン電極と同層に形成され、該画素電極と容量を形成する導電体と、上記画素電極の下層で導電体の上層となる層に配された絶縁膜とを備え、
上記絶縁膜は、導電体と重畳する領域の中に、膜厚の小さくなった薄膜部を有し、薄膜部の少なくとも一部が上記画素電極と重畳していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記絶縁膜は、上記トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜であることを特徴とする請求項22に記載のアクティブマトリクス基板。
- トランジスタに接続された画素電極と、これに隣接する画素電極と、上記トランジスタのドレイン電極と同層に形成され、これら2つの画素電極それぞれと容量を形成する導電体と、上記2つの画素電極の下層で導電体の上層となる層に配された絶縁膜とを備え、
上記絶縁膜は、導電体と重畳する領域の中に、膜厚の小さくなった薄膜部を有し、該薄膜部は、上記2つの画素電極の少なくとも一方と重なっていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記2つの画素電極の一方および上記導電体がなす容量と、他方および該導電体がなす容量とが直列に接続されていることを特徴とする請求項24記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記トランジスタのドレイン電極と上記導電体とが同一材料で形成されていることを特徴とする請求項22または24に記載のアクティブマトリクス基板。
- 各画素領域に、第1のトランジスタに電気的に接続された第1の容量電極と、第2のトランジスタに電気的に接続された第2の容量電極とが設けられたアクティブマトリクス基板であって、
第1の容量電極と容量を形成する第1の導電体と、第2の容量電極と容量を形成する第2の導電体と、上記第1および第2の容量電極の下層に配され、第1および第2のトランジスタのゲート電極並びに第1および第2の導電体を覆うゲート絶縁膜とを備え、
上記ゲート絶縁膜には、複数のゲート絶縁層からなる厚膜部と、第1の導電体と重畳する領域の中に位置し、厚膜部における複数のゲート絶縁層の少なくとも1つが除去あるいは薄くされた第1の薄膜部と、第2の導電体と重畳する領域の中に位置し、厚膜部における複数のゲート絶縁層の少なくとも1つが除去あるいは薄くされた第2の薄膜部とが含まれ、
該第1の薄膜部の少なくとも一部が上記第1の容量電極と重畳し、第2の薄膜部の少なくとも一部が上記第2の容量電極と重畳していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記第1の薄膜部は、第1の導電体と重畳する領域の中央部分に局所的に形成され、上記第2の薄膜部は、第2の導電体と重畳する領域の中央部分に局所的に形成されていることを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1の薄膜部の全体が第1の容量電極と重畳し、第2の薄膜部の全体が第2の容量電極と重畳していることを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1の容量電極は、第1のトランジスタのドレイン電極に接続する第1の画素電極であり、上記第2の容量電極は、第2のトランジスタのドレイン電極に接続する第2の画素電極であり、第1および第2の画素電極が1つの画素領域に形成されていることを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1の容量電極は、第1のトランジスタのドレイン電極から引き出された第1のドレイン引き出し電極であり、上記第2の容量電極は、第2のトランジスタのドレイン電極から引き出された第2のドレイン引き出し電極であることを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1および第2の導電体はそれぞれ第1および第2の保持容量配線の一部であるとともに、各保持容量配線を個別に電位制御することができ、この電位制御によって上記第1および第2の画素電極の電位が個別に制御されることを特徴とする請求項30に記載のアクティブマトリクス基板。
- 各画素領域に、上記第1のトランジスタのドレイン電極に接続する第1の画素電極と、上記第2のトランジスタのドレイン電極に接続する第2の画素電極とを備え、
上記第1および第2の導電体はそれぞれ第1および第2の保持容量配線の一部であるとともに、各保持容量配線を個別に電位制御することができ、この電位制御によって上記第1および第2の画素電極の電位を個別に制御することを特徴とする請求項31に記載のアクティブマトリクス基板。 - 上記第1の保持容量配線が、上記各トランジスタがオフされた後に電位が上昇してその状態が次フレームで上記各トランジスタがオフされるまで続くように電位制御されるとともに、上記第2の保持容量配線が、上記各トランジスタがオフされた後に電位が下降してその状態が次フレームで上記各トランジスタがオフされるまで続くように電位制御されるか、あるいは、
上記第1の保持容量配線が、上記各トランジスタがオフされた後に電位が下降してその状態が次フレームで上記各トランジスタがオフされるまで続くように電位制御されるとともに、上記第2の保持容量配線が、上記各トランジスタがオフされた後に電位が上昇してその状態が次フレームで上記各トランジスタがオフされるまで続くように電位制御されることを特徴とする請求項32または33に記載のアクティブマトリクス基板。 - 上記第1の保持容量配線の電位が上昇するのと、第2の保持容量配線の電位が下降するのとが一水平期間ずれているか、あるいは、上記第1の保持容量配線の電位が下降するのと、第2の保持容量配線の電位が上昇するのとが一水平期間ずれていることを特徴とする請求項34に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1および第2の薄膜部上にはそれぞれ、直接、あるいは半導体層を介して、あるいは各トランジスタのチャネル部分を覆う第1の層間絶縁膜を介して、第1および第2の容量電極が形成されていることを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 有機物を含むゲート絶縁層を備えることを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記厚膜部には最下層のゲート絶縁層としてスピンオンガラス(SOG)材料からなるSOG膜が形成される一方で、上記第1および第2の薄膜部では該SOG膜が形成されていないことを特徴とする請求項27に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記ゲート絶縁層は、第1トランジスタが有する半導体層と重畳する領域および第2トランジスタが有する半導体層と重畳する領域それぞれに、膜厚の小さくなった薄膜部を有することを特徴とする請求項27記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記ゲート絶縁膜における上記薄膜部のエッジ近傍が順テーパ形状であることを特徴とする請求項1または27記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記ゲート絶縁層には、トランジスタの半導体層と重畳する領域の中に位置し、厚膜部における複数のゲート絶縁層の少なくとも1つが除去あるいは薄くされた薄膜部が含まれることを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1〜41のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする表示装置。
- 請求項42に記載の表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えていることを特徴とするテレビジョン受像機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008144784A JP2008287266A (ja) | 2006-03-15 | 2008-06-02 | アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006071869 | 2006-03-15 | ||
JP2006199835 | 2006-07-21 | ||
JP2008144784A JP2008287266A (ja) | 2006-03-15 | 2008-06-02 | アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007557750A Division JP4541421B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-12-05 | 液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008287266A true JP2008287266A (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=38522218
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007557750A Expired - Fee Related JP4541421B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-12-05 | 液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
JP2008144784A Pending JP2008287266A (ja) | 2006-03-15 | 2008-06-02 | アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007557750A Expired - Fee Related JP4541421B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-12-05 | 液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8304769B2 (ja) |
EP (2) | EP2037319A3 (ja) |
JP (2) | JP4541421B2 (ja) |
KR (2) | KR101153528B1 (ja) |
CN (1) | CN101401030B (ja) |
DE (1) | DE112006003807T5 (ja) |
GB (1) | GB2449403B (ja) |
HK (1) | HK1126286A1 (ja) |
WO (1) | WO2007108181A1 (ja) |
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- 2006-12-05 WO PCT/JP2006/324267 patent/WO2007108181A1/ja active Application Filing
- 2006-12-05 EP EP08021517A patent/EP2037319A3/en not_active Ceased
- 2006-12-05 JP JP2007557750A patent/JP4541421B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-05 GB GB0816673A patent/GB2449403B/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-05 KR KR1020117002404A patent/KR101153528B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-05 US US12/224,679 patent/US8304769B2/en active Active
- 2006-12-05 KR KR1020087023871A patent/KR101035737B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-05 DE DE112006003807T patent/DE112006003807T5/de not_active Ceased
- 2006-12-05 CN CN200680053843.1A patent/CN101401030B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-05 EP EP06834022A patent/EP1998220A4/en not_active Withdrawn
-
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- 2008-06-02 JP JP2008144784A patent/JP2008287266A/ja active Pending
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---|---|
WO2007108181A1 (ja) | 2007-09-27 |
EP1998220A4 (en) | 2009-05-13 |
KR101153528B1 (ko) | 2012-06-11 |
KR20110017015A (ko) | 2011-02-18 |
US8304769B2 (en) | 2012-11-06 |
EP2037319A2 (en) | 2009-03-18 |
HK1126286A1 (en) | 2009-08-28 |
GB0816673D0 (en) | 2008-10-22 |
JP4541421B2 (ja) | 2010-09-08 |
KR101035737B1 (ko) | 2011-05-20 |
EP1998220A1 (en) | 2008-12-03 |
CN101401030B (zh) | 2011-01-12 |
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EP2037319A3 (en) | 2009-05-13 |
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JPWO2007108181A1 (ja) | 2009-08-06 |
KR20080103589A (ko) | 2008-11-27 |
DE112006003807T5 (de) | 2009-03-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130312 |