JP5301567B2 - アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 - Google Patents
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Description
図1は実施の形態1にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図1に示すように、本液晶パネルは、列方向(図中上下方向)に延伸するデータ信号線(15x・15y)、行方向(図中左右方向)に延伸する走査信号線(16x・16y)、行および列方向に並べられた画素(101〜104)、保持容量配線(18p・18q)、および共通電極(対向電極)comを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素101・102が含まれる画素列と、画素103・104が含まれる画素列とが隣接し、画素101・103が含まれる画素行と、画素102・104が含まれる画素行とが隣接している。
図19は実施の形態2にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図19に示すように、本液晶パネルでは、列方向(図中上下方向)に延伸するデータ信号線(15x・15y)、行方向(図中左右方向)に延伸する走査信号線(16x・16y)、行および列方向に並べられた画素(101〜104)、保持容量配線(18p・18q)、および共通電極(対向電極)comを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素101・102が含まれる画素列と、画素103・104が含まれる画素列とが隣接し、画素101・103が含まれる画素行と、画素102・104が含まれる画素行とが隣接している。
図31は実施の形態3にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図31に示すように、本液晶パネルでは、列方向(図中上下方向)に延伸するデータ信号線(15x・15y)、行方向(図中左右方向)に延伸する走査信号線(16x・16y)、行および列方向に並べられた画素(101〜104)、保持容量配線(18p〜18s)、および共通電極(対向電極)comを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素101・102が含まれる画素列と、画素103・104が含まれる画素列とが隣接し、画素101・103が含まれる画素行と、画素102・104が含まれる画素行とが隣接している。
図36は実施の形態4にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図36に示すように、本液晶パネルでは、列方向(図中上下方向)に延伸するデータ信号線(15x・15y)、行方向(図中左右方向)に延伸する走査信号線(16x・16y)、行および列方向に並べられた画素(101〜104)、保持容量配線(18p〜18s)、および共通電極(対向電極)comを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素101・102が含まれる画素列と、画素103・104が含まれる画素列とが隣接し、画素101・103が含まれる画素行と、画素102・104が含まれる画素行とが隣接している。
12a・12c・12A・12C トランジスタ
15x・15y・15z データ信号線
16x・16y 走査信号線
17a・17b・17c・17d 画素電極
17A・17B・17C・17D 画素電極
17a′・17b′・17c′・17d′ 画素電極
17A′・17B′・17C′・17D′ 画素電極
18p・18q・18r・18s 保持容量配線
21 有機ゲート絶縁膜
22 無機ゲート絶縁膜
24 半導体層
25 無機層間絶縁膜
26 有機層間絶縁膜
27a ドレイン引き出し配線
37a・37b・38a・38b 容量電極
39b・39b′ 保持容量電極
51a 薄膜部
84 液晶表示ユニット
601 テレビジョン受像機
800 液晶表示装置
Claims (32)
- 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1および第2画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
上記第1画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、
上記第1および第2画素電極のうちの一方の画素電極に電気的に接続された第1および第2容量電極を備え、
上記第1および第2画素電極のうちの他方の画素電極と上記第1容量電極との間で容量が形成され、該他方の画素電極と上記第2容量電極との間で容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記トランジスタの一方の導通電極と、上記第1容量電極と、上記第2容量電極とが同層に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1容量電極の少なくとも一部が、上記トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜を介して上記他方の画素電極と重なり、上記第2容量電極の少なくとも一部が、上記層間絶縁膜を介して上記他方の画素電極と重なっていることを特徴とする請求項1または2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1および第2画素電極の外周は複数の辺からなるとともに、上記第1画素電極の一辺と上記第2画素電極の一辺とが隣接しており、上記第1および第2容量電極それぞれが、この隣接する2辺の間隙と上記第1画素電極と上記第2画素電極とに重なるように配されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記トランジスタの一方の導通電極がコンタクトホールを介して上記第1画素電極に接続されるとともに、該導通電極が、これから引き出された引き出し配線を介して上記第1容量電極に接続され、
上記第1画素電極と上記第2容量電極とがコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。 - 上記トランジスタの一方の導通電極と上記第1画素電極とがコンタクトホールを介して接続されるとともに、上記第1画素電極と上記第1容量電極とがコンタクトホールを介して接続され、
上記第1画素電極と上記第2容量電極とがコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。 - 上記トランジスタの一方の導通電極がコンタクトホールを介して上記第1画素電極に接続され、
上記第2画素電極と上記第1容量電極とがコンタクトホールを介して接続されるとともに、上記第2画素電極と上記第2容量電極とがコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。 - 走査信号線の延伸方向を行方向として、上記第1および第2画素電極が列方向に並べられていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 行方向に隣り合う2つの画素領域について、その一方の画素領域における上記第1画素電極と、他方の画素領域における上記第2画素電極とが行方向に隣接していることを特徴とする請求項8に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1画素電極が上記第2画素電極を取り囲んでいることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第2画素電極が上記第1画素電極を取り囲んでいることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1画素電極あるいはこれに電気的に接続された導電体と容量を形成するとともに、上記第2画素電極あるいはこれに電気的に接続された導電体と容量を形成する保持容量配線をさらに備えることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記保持容量配線は、上記画素領域の中央を横切るように上記走査信号線と同方向に延伸していることを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1容量電極および上記第2容量電極それぞれが、上記保持容量配線と容量を形成していることを特徴とする請求項12に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、上記第1容量電極と重畳する部分の少なくとも一部と、上記第2容量電極と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項3に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記層間絶縁膜は、上記第1容量電極の一部および上記第2容量電極の一部と重なる領域を含む、上記有機絶縁膜が除去されてなる薄膜部を有し、
上記第1および第2容量電極は、走査信号線の延伸方向に並んで配されるとともに、
上記第1容量電極は上記薄膜部の1辺を跨ぎ、上記第2容量電極は該1辺に対向する辺を跨いでいることを特徴とする請求項15に記載のアクティブマトリクス基板。 - 上記薄膜部は、上記第1および第2画素電極のいずれか一方と重なっていることを特徴とする請求項16に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1および第2画素電極の間隙が配向規制構造物として機能することを特徴とする請求項1〜17のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 上記第1画素電極が上記第2画素電極を取り囲んでおり、
上記第2画素電極の外周には互いに平行な2つの辺が含まれるとともに、上記第1画素電極の外周には上記2つの辺の一方と第1間隙を介して対向する辺と、他方と第2間隙を介して対向する辺とが含まれ、
上記第1容量電極が、上記第1画素電極と上記第1間隙と上記第2画素電極とに重なるように配されるとともに、上記第2容量電極が、上記第2画素電極と上記第2間隙と上記第1画素電極とに重なるように配されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1、第2および第3画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
上記第1画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、
上記第3画素電極は、上記第1画素電極に電気的に接続され、
上記第1画素電極に電気的に接続された第1容量電極と、上記第3画素電極に電気的に接続された第2容量電極とを備え、
上記第1容量電極と上記第2画素電極との間で容量が形成され、上記第2容量電極と上記第2画素電極との間で容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1、第2および第3画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
上記第1画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、
上記第3画素電極は、上記第1画素電極に電気的に接続され、
上記第2画素電極に電気的に接続された第1および第2容量電極を備え、
上記第1容量電極と上記第1画素電極との間で容量が形成され、上記第2容量電極と上記第3画素電極との間で容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1、第2および第3画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
上記第2画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、
上記第2画素電極に電気的に接続された第1および第2容量電極を備え、
上記第1容量電極と上記第1画素電極との間で容量が形成され、上記第2容量電極と上記第3画素電極との間で容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1、第2および第3画素電極が設けられたアクティブマトリクス基板であって、
上記第2画素電極は、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続され、
上記第1画素電極に電気的に接続された第1容量電極と、上記第3画素電極に電気的に接続された第2容量電極とを備え、
上記第1容量電極と上記第2画素電極との間で容量が形成され、上記第2容量電極と上記第2画素電極との間で容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 上記画素領域に第1および第2保持容量配線をさらに備え、
上記第1容量電極が上記第1保持容量配線と容量を形成し、上記第2容量電極が上記第2保持容量配線と容量を形成していることを特徴とする請求項20〜23のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1および第2画素電極が設けられ、上記第1画素電極が上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
上記第1および第2画素電極のうちの一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、他方の画素電極と容量を形成する第1容量電極と、上記一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、上記他方の画素電極と容量を形成する第2容量電極とを形成する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡、および上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡の少なくとも一方を検出する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡が検出された場合には、上記第1容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断し、上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡が検出された場合には、上記第2容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素領域に、第1および第2画素電極が設けられ、上記第1画素電極が上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
上記第1および第2画素電極のうちの一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、他方の画素電極および保持容量配線と容量を形成する第1容量電極と、上記一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、上記他方の画素電極および上記保持容量配線と容量を形成する第2容量電極とを形成する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡、上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡、上記第1容量電極と上記保持容量配線との短絡、上記第2容量電極と上記保持容量配線との短絡の少なくともいずれか一つを検出する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡あるいは上記第1容量電極と上記保持容量配線との短絡が検出された場合には、上記第1容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断し、上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡あるいは上記第2容量電極と上記保持容量配線との短絡が検出された場合には、上記第2容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断する工程とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素に、第1および第2画素電極が設けられ、上記第1画素電極が上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続された液晶パネルの製造方法であって、
上記第1および第2画素電極のうちの一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、他方の画素電極と容量を形成する第1容量電極と、上記一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、上記他方の画素電極と容量を形成する第2容量電極とを形成する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡、および上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡の少なくとも一方を検出する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡が検出された場合には、上記第1容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断し、上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡が検出された場合には、上記第2容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断する工程とを含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 走査信号線と、データ信号線と、走査信号線およびデータ信号線に接続されたトランジスタとを備え、1つの画素に、第1および第2画素電極が設けられ、上記第1画素電極が上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続された液晶パネルの製造方法であって、
上記第1および第2画素電極のうちの一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、他方の画素電極および保持容量配線と容量を形成する第1容量電極と、上記一方の画素電極に電気的に接続されるとともに、上記他方の画素電極および上記保持容量配線と容量を形成する第2容量電極とを形成する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡、上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡、上記第1容量電極と上記保持容量配線との短絡、上記第2容量電極と上記保持容量配線との短絡の少なくともいずれか一つを検出する工程と、
上記第1容量電極と上記他方の画素電極との短絡あるいは上記第1容量電極と上記保持容量配線との短絡が検出された場合には、上記第1容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断し、上記第2容量電極と上記他方の画素電極との短絡あるいは上記第2容量電極と上記保持容量配線との短絡が検出された場合には、上記第2容量電極を、上記一方の画素電極との接続箇所および短絡箇所の間で切断する工程とを含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 請求項1〜24のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板を備えた液晶パネル。
- 請求項29に記載の液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする液晶表示ユニット。
- 請求項30に記載の液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
- 請求項31に記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010542044A JP5301567B2 (ja) | 2008-12-10 | 2009-07-23 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008314685 | 2008-12-10 | ||
JP2008314685 | 2008-12-10 | ||
JP2010542044A JP5301567B2 (ja) | 2008-12-10 | 2009-07-23 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
PCT/JP2009/063207 WO2010067639A1 (ja) | 2008-12-10 | 2009-07-23 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010067639A1 JPWO2010067639A1 (ja) | 2012-05-17 |
JP5301567B2 true JP5301567B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=42242632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010542044A Expired - Fee Related JP5301567B2 (ja) | 2008-12-10 | 2009-07-23 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8659712B2 (ja) |
EP (1) | EP2357520A4 (ja) |
JP (1) | JP5301567B2 (ja) |
KR (1) | KR101247092B1 (ja) |
CN (1) | CN102209930B (ja) |
BR (1) | BRPI0922157A2 (ja) |
RU (1) | RU2478224C2 (ja) |
WO (1) | WO2010067639A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102566157B (zh) * | 2010-12-16 | 2014-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和液晶显示器 |
US9213208B2 (en) * | 2012-02-27 | 2015-12-15 | Kyocera Corporation | Liquid crystal display device comprising voltage fluctuations |
US8981374B2 (en) * | 2013-01-30 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6335112B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2018-05-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | センサ付き表示装置及びセンサ装置 |
CN106233366A (zh) * | 2014-04-22 | 2016-12-14 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和具备其的显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0438138B1 (en) * | 1990-01-17 | 1995-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid-crystal display device of active matrix type |
JPH0566415A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Toshiba Corp | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH06102537A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
US5726720A (en) * | 1995-03-06 | 1998-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus in which an insulating layer between the source and substrate is thicker than the insulating layer between the drain and substrate |
US5953088A (en) * | 1997-12-25 | 1999-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes |
JP3980156B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2007-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100654159B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법 |
JP3645184B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2005-05-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその欠陥修正方法 |
KR100380141B1 (ko) * | 2000-09-25 | 2003-04-11 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
WO2002065203A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides et procede de reparation de celui-ci |
KR100917766B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-09-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100961945B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
JP4108078B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び表示装置 |
EP2166405A3 (en) * | 2008-09-18 | 2010-08-25 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display unit |
-
2009
- 2009-07-23 KR KR1020117010869A patent/KR101247092B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-07-23 CN CN200980144675.0A patent/CN102209930B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-23 JP JP2010542044A patent/JP5301567B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-07-23 RU RU2011115222/28A patent/RU2478224C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-07-23 WO PCT/JP2009/063207 patent/WO2010067639A1/ja active Application Filing
- 2009-07-23 BR BRPI0922157A patent/BRPI0922157A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-07-23 EP EP09831745A patent/EP2357520A4/en not_active Withdrawn
- 2009-07-23 US US13/123,718 patent/US8659712B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2357520A4 (en) | 2012-05-30 |
JPWO2010067639A1 (ja) | 2012-05-17 |
KR20110073571A (ko) | 2011-06-29 |
WO2010067639A1 (ja) | 2010-06-17 |
US8659712B2 (en) | 2014-02-25 |
RU2478224C2 (ru) | 2013-03-27 |
KR101247092B1 (ko) | 2013-03-25 |
EP2357520A1 (en) | 2011-08-17 |
RU2011115222A (ru) | 2013-01-20 |
BRPI0922157A2 (pt) | 2015-12-29 |
US20110194031A1 (en) | 2011-08-11 |
CN102209930A (zh) | 2011-10-05 |
CN102209930B (zh) | 2014-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130619 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |