JP2008021669A - 半導体デバイス加工用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層14に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム11上に粘着剤層12を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着剤層12が非粘着化された部分3と粘着性を有する部分2とからなり、前記非粘着化された部分3が半導体デバイスの捺印加工部分5に貼着される部分であり、前記粘着性を有する部分2が半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分である半導体デバイス加工用粘着テープ。
【選択図】図6
Description
また、近年、半導体素子の小型化の一形態としてパターン回路面側にバンプと呼ばれる電極を有するフリップチップ方式のパッケージの製造が各社で行われている。このようなフリップチップ方式の場合、半導体素子を保護することを目的として裏面側に硬化樹脂層からなる保護膜を設けるという方式がしばしば用いられている。
(1)レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着剤層が非粘着化された部分と粘着性を有する部分とからなり、前記非粘着化された部分が半導体デバイスの捺印加工部分に貼着される部分であり、前記粘着性を有する部分が半導体デバイスの捺印部分以外に貼着される部分であることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ、
(2)前記粘着剤層の非粘着化された部分のみが表面に離型剤が塗布されてなることを特徴とする(1)項に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ、および、
(3)前記半導体デバイス加工用テープの粘着剤層が放射線硬化性樹脂で構成され、かつ、前記粘着剤層において、半導体デバイスへ貼着される前に前記非粘着化された部分のみが放射線硬化処理されてなることを特徴とする(1)項に記載の半導体デバイス加工用テープ、
を提供するものである。
図1は本発明の半導体デバイス加工用粘着テープの一例を示す断面図である。
本発明の半導体デバイス固定用粘着テープは、基材フィルム1と、その上に設けられた粘着性を有する粘着剤層2および少なくとも表面が非粘着性の非粘着性層3を有する構造の粘着テープである。本発明の粘着テープは、レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着され、ダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられるものであって、粘着剤層のうち、半導体デバイスの捺印(以下「レーザーマーク」ともいう)部分に貼着される部分が非粘着性層3であり、かつ粘着剤層上における捺印加工部分以外の半導体デバイスに貼着される部分は粘着性を有する粘着剤層2である。
光重合開始剤の添加量は、前記放射線重合性化合物100質量部に対して0.5〜10質量部とするのが良い。
半導体デバイス加工用テープの粘着剤層上における半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分の粘着剤層2はダイシング中に半導体デバイスの飛散を抑制するのに十分な粘着性を有するものである。粘着剤層2の粘着力は0.1〜1.0N/mmであることが好ましい。
非粘着性層3は、アッシュを付着させない程度に粘着性が十分低ければよく、その粘着力は0.04N/mm以下であることが好ましい。
非粘着性層3の厚さは特に制限されるものではないが、上記の粘着剤層2の厚さと同程度であることが好ましく、通常3〜80μm、より好ましくは5〜50μm程度である。
なお、非粘着性層3がテープの表面における範囲は、半導体デバイスにおけるレーザーアッシュ5を有する捺印加工部分の形状と完全に一致する必要はなく、貼合の際、本発明の目的が実現できる範囲で、捺印加工全体を覆うことができればよい。
図4は従来のダイシング用粘着テープの適用工程を断面により示す説明図である。図4(a)は、半導体デバイスに貼付前の従来のダイシング用粘着テープを示すもので、ダイシング用粘着テープは基材フィルム11上に、粘着剤層12が形成されてなるものである。一方、半導体デバイスの硬化樹脂層14の表面にはレーザー光により、捺印加工され、レーザーアッシュ15が堆積されている。次いで、図4(b)に示すように半導体デバイスにダイシング用粘着テープを貼着し、(c)示すようにダイシング用粘着テープを剥離すると、レーザーアッシュ15は、基材フィルム11上の粘着剤層12に付着する。
粘着剤組成物(A)
2−エチルヘキシルアクリレート(75mol%)、メタクリル酸(1mol%)、2−ヒドロキシエチルアクリレート(24mol%)の共重合体に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反応温度および反応時間を調整して、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物を得た。この化合物100質量部に対して、ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製:コロネートLを0.5質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製:イルガキュアー184を0.5質量部加えて合し、放射線硬化性粘着剤組成物(A)を調製した。
上記粘着剤組成物(A)の調製において、ポリイソシアネートとして用いたコロネートLの配合量を10.0質量部とした以外は同様にして粘着剤組成物(B)を調製した。
粘着剤層中の、半導体デバイスの捺印加工部分の硬化樹脂面に貼着される部分に粘着剤組成物(B)、前記捺印加工部以外の硬化樹脂面に貼着される部分に粘着剤組成物(A)を、それぞれ厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が20μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥し、半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
粘着剤組成物(A)を、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が20μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥した後、粘着剤層中の半導体デバイスの捺印加工部分の硬化樹脂面に貼着される部分にカルナバワックスを塗布することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
粘着剤組成物(A)を、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が20μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥した後、遮光板を利用し、粘着剤層中の半導体デバイスの捺印加工部分の硬化樹脂面に貼着される部分にのみ硬化反応に十分な量の紫外線(500mJ/cm2)を照射することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
粘着剤組成物(A)を、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が20μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
粘着剤組成物(B)を、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムに、乾燥膜厚が20μmとなるように塗布し、110℃で3分間乾燥することにより半導体デバイス加工用粘着テープを作製した。
<試験工程>
(1)6×6cmの基板上に設置された25個の半導体チップを、硬化樹脂(日立化成工業(株)製CEL−7700)で一括封止した半導体デバイスの硬化樹脂表面にレーザーマーキング装置(キーエンス社製レーザーマーカMD−H9800)を用いてレーザー光(YAGレーザー)により印字を行った。印字はレーザー光によって直径50μm×深さ15μmのドットを連続で形成することによって行った。
ダイシングブレード:ディスコ社NBC−ZB1010S3
ブレード送り速度:50mm/sec
ブレード回転数:40000rpm
粘着テープへの切り込み量:100μm
この際のチップ飛びを下記の要領に従って評価した。
ダイシング時において、実際のチップおよび端材チップ飛びがまったく見られなかったものを○とし、チップ飛びが発生したものを×とした。
<捺印視認性>
ピックアップした半導体デバイスにおける捺印の視認性が、ダイシングテープ貼合前のものと比較して目視で悪化しなかったものを○とし、視認性が悪化したものを×とした。
<レーザーアッシュ剥離>
半導体デバイスを剥離したダイシングテープの粘着剤表面における、半導体デバイスの捺印加工部分が貼着されていた部分を顕微鏡で観察した際、粘着剤表面にレーザーアッシュが付着していないものを○、付着しているものを×とした。
2 粘着剤層(粘着性を有する部分)
3 非粘着性層(非粘着化された部分)
4 硬化樹脂層
5 レーザーアッシュ
7 レーザーマーク
6 硬化樹脂面が貼合される領域
11 基材フィルム
12 粘着剤層
14 硬化樹脂層
15 レーザーアッシュ
17 レーザーマーク
Claims (3)
- レーザー光により捺印加工された硬化樹脂層に対して貼着されてダイシング時の半導体デバイスの支持固定に用いられる、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体デバイス加工用粘着テープであって、前記粘着剤層が非粘着化された部分と粘着性を有する部分とからなり、前記非粘着化された部分が半導体デバイスの捺印部分に貼着される部分であり、前記粘着性を有する部分が半導体デバイスの捺印加工部分以外に貼着される部分であることを特徴とする半導体デバイス加工用粘着テープ。
- 前記粘着剤層の非粘着化された部分のみが表面に離型剤が塗布されてなることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
- 前記粘着剤層が放射線硬化性樹脂で構成され、かつ、半導体デバイスへ貼着される前に、前記粘着剤層において半導体デバイスの捺印部分に貼着される部分のみが放射線硬化処理され非粘着化されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス加工用粘着テープ。
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