KR102494629B1 - 다이싱용 점착 테이프, 다이싱용 점착 테이프의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법 - Google Patents

다이싱용 점착 테이프, 다이싱용 점착 테이프의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자용 기판의 활성면에 대하여 부착한 경우라도, 반도체 칩을 떼어 내기 쉬운 다이싱용 점착 테이프 등을 제공할 수 있다.
다이싱용 점착 테이프(1)는, 기재(2)와, 기재(2) 중 적어도 일방의 표면측에 마련되는 점착제층(3)을 가지고, 점착제층(3)은 적어도, 관능기로서 수산기, 카르복실기 중 어느 하나를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머와, 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 관능기와 반응하는 가교제를 구비한다.

Description

다이싱용 점착 테이프, 다이싱용 점착 테이프의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법{ADHESIVE TAPE FOR DICING, METHOD FOR MANUFACTURING THE ADHESIVE TAPE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP}
본 발명은, 소자용 기판의 다이싱에 이용되는 다이싱용 점착 테이프, 다이싱용 점착 테이프의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지 등의 반도체 관련 재료나 반도체 웨이퍼 등의 반도체 소자용 기판은, 예를 들면 회전날을 이용하여 절단되어, 작은 조각의 반도체 소자나 IC 부품으로 분리되고 있다.
예를 들면, 실리콘, 게르마늄, 갈륨-비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는, 대경(大徑)의 상태로 제조된 후, 미리 정해진 두께가 될 때까지 이면이 연삭(백 그라인드(back grind) 처리)되고, 또한 필요에 따라 이면 처리(에칭 처리, 폴리싱 처리 등)이 실시된다.
계속해서, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 다이싱용 점착 테이프를 부착하는 마운트 공정, 반도체 웨이퍼에 점착 테이프를 부착한 상태에서 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 다이싱하는 다이싱 공정, 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정 공정, 이후에 행해지는 반도체 칩의 픽업을 용이하게 하기 위해 점착 테이프를 잡아 늘리는 익스펜드 공정, 반도체 칩을 점착 테이프로부터 떼어 내는 픽업 공정 등이 행해진다.
그리고, 상기 픽업 공정에 있어서는, 다이싱용 점착 테이프를 어느 정도 붙인 상태로 하고, 1 또는 복수의 밀어 올림용 핀(니들)을 이용하여, 다이싱용 점착 테이프에 대하여 기재가 위치하는 측으로부터 반도체 칩을 들어 올려, 반도체 칩과 다이싱용 점착 테이프와의 박리를 조장한 상태에서, 콜릿을 이용하여 진공 흡착 등에 의해 반도체 칩을 집어 올리는 방식이 채용되고 있다.
종래, 반도체 칩을 제작하기 위해 사용되는 다이싱용 점착 테이프로서, 방사선 경화성의 점착제층을 가지는 점착 테이프가 알려져 있다. 예를 들면, 직쇄 알킬기의 탄소수가 14~18인 (메타)아크릴계 폴리머를 가지는 방사선 경화성의 점착제층을 포함하는 점착 테이프가 알려져 있다(특허 문헌 1 참조).
또한, 다이싱용 점착 테이프로서, 수산기값이 15~60mgKOH/g인 아크릴 중합체를 가지는 방사선 경화성의 점착제층을 포함하는 점착 테이프가 알려져 있다(특허 문헌 2 참조).
일본 공개특허 특개2010-232629호 공보 일본 공개특허 특개2012-216842호 공보
그런데, 최근, 반도체 제조 공정에 있어서는, 반도체 칩의 생산 효율의 향상이나, 반도체 웨이퍼의 박막화(예를 들면, 100㎛ 이하)에 기인하는 파손 방지를 목적으로 하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭한 후, 또는 이면의 연삭 및 이면 처리 후에, 단시간의 동안에 반도체 웨이퍼의 연삭면에 대하여 다이싱용 점착 테이프를 부착하는 경우가 있다.
즉, 반도체 웨이퍼를 절단하여 제작하는 반도체 칩의 생산성을 향상시키기 위해, 반도체 칩의 제작 과정에 있어서, 백 그라인드 처리를 행한 후, 즉시, 인라인에서 반도체 웨이퍼의 다이싱을 행하는 경우가 증가하고 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 반도체 웨이퍼를 박막화한 후, 단기간의 동안에, 이 반도체 웨이퍼의 연삭면에 대하여 다이싱용 점착 테이프가 부착된다.
또한, 상기 서술한 반도체 웨이퍼의 박막화에 따라, 반도체 웨이퍼가 자중(自重)에 의해 휘어지기 쉬워지고 있으며, 취급 시나 반송용 케이스 내에 있어서의 보관 시에 파손되기 쉽다고 하는 문제도 많아지고 있다. 이 문제를 개선하여, 작업성을 향상시킨다고 하는 관점에서도, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭한 직후에, 인라인에서 다이싱하는 방법을 채용하는 케이스가 증가하고 있다. 반도체 웨이퍼의 연삭면에 부착한 다이싱용 점착 테이프는, 반도체 웨이퍼의 지지체의 기능을 가지기 때문에, 다이싱용 점착 테이프가 부착된 반도체 웨이퍼는, 반송용 케이스에 보관되지 않고, 그대로 인라인에서 다이싱된다. 이에 따라, 상기 서술한 박막화한 반도체 웨이퍼의 파손을 억제할 수 있다.
이와 같이, 반도체 웨이퍼를 연삭한 직후에 연삭면에 점착 테이프를 부착하는 경우가 많아지고 있지만, 종래의 다이싱용 점착 테이프에서는 이하와 같은 문제가 있었다. 즉, 반도체 웨이퍼 등의 반도체 소자용 기판의 연삭 직후의 표면은 활성인 원자가 존재하는 활성면으로 되어 있으며, 이 활성면에 종래의 다이싱용 점착 테이프를 부착하면, 반도체 소자용 기판에 대한 점착 테이프의 점착력이 과도하게 커지고, 그 결과, 점착 테이프에 방사선을 조사하여 점착제층을 경화시켜도, 점착 테이프로부터 반도체 칩을 떼어 내기 어려워진다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 반도체 소자용 기판의 활성면에 대하여 부착한 경우라도, 얻어진 반도체 칩을 떼어 내기 쉬운 다이싱용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명자들이 예의 검토한 결과, 특정 범위의 중량 평균 분자량 및 수산기값을 가지고, 또한 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지는 방사선 경화성 올리고머와, 아크릴산 에스테르계 공중합체를 주성분으로 병용한 점착제층을 구비한 점착 테이프를 이용하면, 점착제층과 연삭 직후의 반도체 소자용 기판 표면의 활성면과의 사이의 과도한 상호 작용이 억제되어, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩이 점착 테이프로의 방사선 조사에 의한 점착제층의 효과적인 경화·수축과 더불어 점착제층으로부터 떼어 내기 쉬워지는 것을 발견하여, 본 발명을 달성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 다이싱용 점착 테이프는, 기재와, 상기 기재 중 적어도 일방의 표면측에 마련되는 점착제층을 가지고, 상기 점착제층은 적어도, 관능기로서 수산기, 카르복실기 중 어느 하나를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 당해 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 당해 관능기와 반응하는 가교제와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머를 구비하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 점착제층은, 방사선이 조사되어 경화된 후의 저장 탄성률이 1.0×106Pa 이상 7.0×108Pa 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 점착제층은, 상기 아크릴산 에스테르계 공중합체를 100질량부로 하였을 때에, 상기 방사선 경화성 올리고머를 80질량부 이상 180질량부 이하 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다이싱용 점착 테이프의 제조 방법은, 기재를 준비하는 기재 준비 공정과, 점착제층을 형성하기 위한 도포 용액이며 적어도, 관능기로서 수산기, 카르복실기 중 어느 하나를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 당해 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 당해 관능기와 반응하는 가교제와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머를 포함하는 도포 용액을 제작하는 도포 용액 제작 공정과, 상기 도포 용액을 이용하여, 상기 기재 중 적어도 일방의 표면측에 상기 점착제층을 형성하는 점착제층 형성 공정과, 상기 아크릴산 에스테르계 공중합체와 상기 가교제를 가교시키는 처리를 포함하고, 형성한 상기 점착제층을 열경화시키는 열경화 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 칩의 제조 방법은, 다이싱용 점착 테이프를, 복수의 반도체 소자가 기판 상에 형성된 소자용 기판에 대하여 부착하는 부착 공정과, 상기 다이싱용 점착 테이프가 부착된 상기 소자용 기판을, 복수의 반도체 칩으로 절단하는 절단 공정과, 상기 반도체 칩에 부착된 상기 다이싱용 점착 테이프에 대하여 방사선을 조사하여, 당해 다이싱용 점착 테이프의 점착력을 저하시키는 조사 공정과, 상기 반도체 칩을, 점착력이 저하된 상기 다이싱용 점착 테이프로부터 떼어 내는 박리 공정을 포함하고, 상기 다이싱용 점착 테이프는, 기재와, 상기 기재 중 적어도 일방의 표면측에 마련되는 점착제층을 가지며, 상기 점착제층은 적어도, 관능기로서 수산기, 카르복실기 중 어느 하나를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 당해 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 당해 관능기와 반응하는 가교제와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 소자용 기판의 활성면에 대하여 부착한 경우라도, 반도체 칩을 떼어 내기 쉬운 다이싱용 점착 테이프 등을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태가 적용되는 점착 테이프의 구성의 일례를 나타낸 도이다.
도 2는 점착 테이프의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다.
도 3은 반도체 칩의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다.
도 4의 (a)~(d)는, 점착 테이프를 사용한 반도체 칩의 제조예를 나타낸 도이다.
도 5는 실시예 및 비교예에 대해 나타낸 도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한 그 요지의 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다. 또한 사용하는 도면은 본 실시 형태를 설명하기 위한 것으로, 실제의 크기를 나타내는 것은 아니다.
<점착 테이프의 구성>
도 1은, 본 실시 형태가 적용되는 점착 테이프(1)의 구성의 일례를 나타낸 도이다. 본 실시 형태의 점착 테이프(1)는, 소자용 기판의 일례로서의 반도체 웨이퍼의 다이싱의 용도로 사용된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)는, 기재(2)와 점착제층(3)이 적층된 구조를 가지고 있다.
또한, 도면에 나타내는 것은 생략하지만, 점착 테이프(1)는, 기재(2)와 점착제층(3)의 사이에 필요에 따라 앵커 코트층을 구비하고 있어도 된다. 또한, 점착제층(3)의 기재(2)와는 반대의 표면측(일방의 표면측)에, 박리 라이너를 구비하고 있어도 된다.
<기재>
기재(2)는, 점착제층(3)의 지지체가 되는 것이다. 또한, 기재(2)는, 방사선 투과성을 가지는 것이 요구된다.
이러한 기재(2)에 사용되는 재료로서는, 플라스틱제, 금속제, 지제(紙製)의 것을 이용할 수 있지만, 본 실시 형태에서는, 방사성을 투과하기 쉽다고 하는 관점에서, 플라스틱제의 것을 적합하게 사용할 수 있다. 플라스틱제의 기재(2)의 재료로서는, 예를 들면, 폴리올레핀계 수지(저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상(狀) 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등), 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머계 수지, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체(랜덤 공중합체, 교호 공중합체 등), 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르계 수지(폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌나프탈레이트 등), 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리에테르케톤계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리스티렌계 수지(폴리스티렌 등), 폴리염화비닐계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아세트산 비닐계 수지, 염화비닐-아세트산 비닐 공중합체, 폴리카보네이트계 수지, 불소계 수지, 실리콘계 수지, 셀룰로오스계 수지나, 이들 수지의 가교체 등을 이용할 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 또한 이들 재료는, 관능기를 가지고 있어도 된다. 또한 이들 재료에, 기능성 모노머나 개질성 모노머가 그래프트되어 있어도 된다. 또한, 기재(2)의 표면과 이 기재(2)에 인접하는 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 기재(2)의 표면에 대하여, 표면 처리를 실시해도 된다. 이러한 표면 처리로서는, 예를 들면, 코로나 방전 처리, 오존 폭로 처리, 고압 전격 폭로 처리, 이온화 방사선 처리 등을 들 수 있다. 또한, 밑칠제에 의한 코팅 처리, 프라이머 처리, 매트 처리, 가교 처리 등을 기재(2)에 실시해도 된다.
기재(2)로서는, 단층 구조의 것 및 적층 구조의 것 어느 것도 사용할 수 있다. 또한, 기재(2)에는, 필요에 따라, 충전제, 난연제, 노화 방지제, 대전 방지제, 연화제, 자외선 흡수제, 산화 방지제, 가소제, 계면활성제 등의 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 기재의 두께는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 10~300㎛가 바람직하고, 30~200㎛가 보다 바람직하다.
<점착제층>
점착제층(3)은, 점착성을 가지고, 점착 테이프(1)와 피착체의 사이에서 점착력을 발휘시키는 기능층이다. 또한, 본 실시 형태의 점착제층(3)은, 방사선이 조사되면 경화·수축하여 점착력이 저하되는 성질을 가진다.
이에 따라, 점착 테이프(1)를 반도체 웨이퍼의 다이싱에 이용한 경우에, 반도체 웨이퍼에 대하여 점착 테이프(1)가 양호한 점착성을 가진다. 또한, 다이싱에 의해 반도체 웨이퍼를 등간격마다 절단하면 개개의 반도체 칩이 형성되지만, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사함으로써, 이 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 쉬워진다. 방사선으로서는, 예를 들면, X선, 전자선, 자외선 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 실시 형태에서는, 자외선을 보다 적합하게 이용할 수 있다.
본 실시 형태의 점착제층(3)은, 점착제로서의 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 방사선 경화성 올리고머를 포함한다. 또한, 점착제층(3)은, 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 관능기와 반응하는 가교제와, 광중합 개시제를 포함한다. 또한, 점착제층(3)은, 필요에 따라, 착색제 등을 포함하고 있어도 된다.
점착제층(3)은, 방사선이 조사되어 경화된 후의 저장 탄성률이 1.0×106Pa 이상 7.0×108Pa 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
저장 탄성률이 1.0×106Pa 미만이면, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사해도, 점착력이 저하되기 어려워진다. 그 결과, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 어려워진다.
또한, 저장 탄성률이 7.0×108Pa보다 크면, 점착제층(3)이 굳어, 굽힘 탄성률이 너무 높아지기 때문에, 점착 테이프(1)를 개재하여 반도체 칩을 밀어 올려 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 냈을 때에, 반도체 칩이 얇은 경우, 찢어질 우려가 있다.
또한, 점착제층(3)의 두께는, 3㎛~50㎛의 범위가 바람직하고, 5㎛~20㎛의 범위가 보다 바람직하다.
점착제층(3)의 두께가 3㎛ 미만인 경우에는, 점착 테이프(1)의 점착력이 과도하게 저하될 우려가 있다. 이 경우, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 점착 테이프(1)가 반도체 칩을 충분히 보지(保持)할 수 없어, 반도체 칩이 비산할 우려가 있다.
한편, 점착제층(3)의 두께가 50㎛보다 두꺼운 경우에는, 다이싱 시의 진동이 점착제층(3)에 전달되기 쉽고, 진동 폭이 커져, 반도체 웨이퍼의 다이싱 중에 이 반도체 웨이퍼가 기준 위치로부터 이탈될 우려가 있다. 이 경우, 반도체 칩에 이지러짐(칩핑)이 발생하거나, 개개의 반도체 칩마다 크기의 편차가 발생할 우려가 있다.
(아크릴산 에스테르계 공중합체)
아크릴산 에스테르계 공중합체는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, (메타)아크릴계 폴리머를 주제(主劑)로 한 점착제이다. (메타)아크릴계 폴리머는, 예를 들면, 직쇄 및/또는 분기 알킬기 함유 (메타)아크릴계 모노머와, 관능기를 가지는 (메타)아크릴계 모노머와, 필요에 따라 그 외의 모노머를 공중합시킴으로써 얻어진다.
아크릴산 에스테르계 공중합체로서는, 관능기로서 수산기, 카르복실기 중 어느 하나를 가지는 것을 적합하게 사용할 수 있다.
직쇄 또는 분기 알킬기 함유 (메타)아크릴계 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 s-부틸, (메타)아크릴산 t-부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 헵틸, (메타)아크릴산 옥틸, (메타)아크릴산 이소옥틸, (메타)아크릴산 2-에틸헥실, (메타)아크릴산 노닐, (메타)아크릴산 이소노닐, (메타)아크릴산 데실, (메타)아크릴산 이소데실, (메타)아크릴산 운데실, (메타)아크릴산 도데실, (메타)아크릴산 트리데실, (메타)아크릴산 테트라데실, (메타)아크릴산 미리스틸, (메타)아크릴산 펜타데실, (메타)아크릴산 헥사데실, (메타)아크릴산 헵타데실, (메타)아크릴산 옥타데실 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 병용해도 된다. 그 중에서도 본 실시 형태에서는, 탄소수가 4 이상이며 12 이하인 알킬기를 함유하는 (메타)아크릴계 모노머를 적합하게 이용할 수 있고, 탄소수가 8인 알킬기를 함유하는 (메타)아크릴산 2-에틸헥실을 더 적합하게 이용할 수 있다.
수산기 함유 (메타)아크릴계 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
카르복실기 함유 (메타)아크릴계 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 이타콘산, 계피산, 푸마르산, 프탈산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
본 실시 형태에 있어서, 아크릴산 에스테르계 공중합체는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 한에 있어서는, 필요에 따라 다른 공중합 모노머 성분을 함유해도 된다. 이와 같은 다른 공중합 모노머 성분으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물기 함유 모노머나, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드 등의 아미드계 모노머나, (메타)아크릴산 아미노에틸, (메타)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸 등의 아미노기 함유 모노머나, (메타)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 모노머나, 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 등의 올레핀계 모노머나, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 스티렌계 모노머나, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐 에스테르계 모노머나, 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르 등의 비닐에테르계 모노머나, 염화비닐, 염화비닐리덴 등의 할로겐 원자 함유 모노머나, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸 등의 알콕시기 함유 모노머나, N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈 등의 질소 원자 함유 환을 가지는 모노머 등을 들 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 아크릴산 에스테르계 공중합체는, 측쇄에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 수산기를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체를 합성하고, 그 후, 합성한 아크릴산 에스테르계 공중합체의 수산기와 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜, 측쇄에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합으로서 작용하는 메타크릴로일기를 도입한 아크릴산 에스테르계 공중합체 등을 들 수 있다.
(방사선 경화성 올리고머)
방사선 경화성 올리고머는, 방사선이 조사되면, 경화되는 성질을 가진다. 방사선 경화성 올리고머로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 에폭시아크릴레이트계 올리고머, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 폴리에스테르아크릴레이트계 올리고머 등을 이용할 수 있다. 에폭시아크릴레이트는, 에폭시 화합물과 카르본산의 부가 반응에 의해 합성된다. 우레탄아크릴레이트는, 예를 들면, 폴리올과 폴리이소시아네이트의 부가 반응물에, 말단에 남는 이소시아네이트기를 히드록시기 함유 아크릴레이트와 반응시켜 아크릴기를 분자 말단에 도입하여 합성된다. 폴리에스테르아크릴레이트는, 폴리에스테르폴리올과 아크릴산의 반응에 의해 합성된다.
본 실시 형태에 있어서는, 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 적합하게 이용할 수 있다. 이 방사선 경화성 올리고머의 경화에 의해, 점착제층(3)의 점착력이 저하된다.
점착제층(3)은, 아크릴산 에스테르계 공중합체를 100질량부로 하였을 때에, 방사선 경화성 올리고머를 80질량부 이상 180질량부 이하 포함하는 것이 바람직하다.
방사선 경화성 올리고머의 함유량이 80질량부 미만이면, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사해도 점착제층(3)이 충분히 경화·수축되지 않아, 점착력이 저하되기 어려워진다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 어려워짐과 함께, 이 떼어 낼 때, 반도체 칩이 일부 결손될 우려가 있다.
또한, 방사선 경화성 올리고머의 함유량이 180질량부를 초과하면, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사하였을 때에, 경화된 올리고머량 증대의 영향에 의해 점착제층(3)이 굳어, 굽힘 탄성률이 매우 높아지게 되기 때문에, 점착 테이프(1)를 개재하여 반도체 칩을 밀어 올려 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 낼 때에, 반도체 칩이 얇은 경우, 찢어질 우려가 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 방사선 경화성 올리고머로서는, 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 수산기값이란, 대상물 1g 중에 포함되는 OH기를 아세틸화하기 위해 필요로 하는 수산화 칼륨의 양(mg)이다.
여기서, 방사선 경화성 올리고머의 수산기값이 3mgKOH/g보다 크면, 특히 연삭 직후의 반도체 웨이퍼에 점착 테이프(1)를 부착하는 경우에, 반도체 웨이퍼에 대한 점착제층(3)의 점착력이 과도하게 커진다. 그 결과, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사해도, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 어려워질 우려나, 반도체 칩이 결손될 우려가 있다.
즉, 반도체 칩의 제작 과정에 있어서, 연삭에 의해 반도체 웨이퍼를 박막화하면, 이 반도체 웨이퍼의 표면에는, 경시(經時)적으로 자연 산화막이 형성된다. 여기서, 반도체 칩의 생산성을 향상시키기 위해, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 박막화한 후 바로 연삭면에 점착 테이프(1)를 부착하는 공정을 행하는 경우, 연삭된 반도체 웨이퍼의 표면은, 미산화 상태임과 함께, 활성인 원자(예를 들면 규소 원자 등)가 존재하는 활성면으로 되어 있다. 이 활성면의 활성 원자와, 방사선 경화성 올리고머의 수산기가 결합하면, 점착제층(3)의 점착력이 과도하게 커진다.
그 결과, 방사선 조사 후에도, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 어려워짐과 함께, 이 때, 반도체 칩이 일부 결손될 우려가 있다.
이에 비해, 방사선 경화성 올리고머의 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 것을 사용하는 경우, 반도체 웨이퍼의 활성면의 활성 원자와 결합하는 수산기(방사선 경화성 올리고머의 수산기)가 적어, 방사선 조사 후의 점착제층(3)의 점착력이 과도하게 커지는 것이 억제된다. 그 결과, 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 쉬워진다. 방사선 경화성 올리고머의 수산기값은 0mgKOH/g이 바람직하다.
또한, 방사선 경화성 올리고머로서는, 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
방사선 경화성 올리고머가 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지지 않는 경우에는, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사해도 점착제층(3)이 충분히 경화·수축되지 않아, 점착력이 저하되기 어려워진다. 그 결과, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 어려워진다.
또한, 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지는 방사선 경화성 올리고머를 사용하는 경우, 이에 더해, 본원 발명의 효과를 방해하지 않는 한에 있어서는, 분자 중의 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 2개 가지는 방사선 경화성 올리고머를 아울러 이용해도 된다. 이 경우에도, 방사선 경화성 올리고머의 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 방사선 경화성 올리고머로서는, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하인 것을 사용하는 것이 바람직하다.
중량 평균 분자량(Mw)이 500 미만인 방사선 경화성 올리고머를 사용하는 경우, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사하였을 때에 점착제층(3)이, 올리고머끼리의 가교 밀도가 높아지는 영향에 의해, 굳어, 굽힘 탄성률이 높아지기 때문에, 점착 테이프(1)를 개재하여 반도체 칩을 밀어 올려 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 낼 때에, 반도체 칩이 얇은 경우, 찢어질 우려가 있다.
또한, 중량 평균 분자량(Mw)이 6000보다 큰 방사선 경화성 올리고머를 사용하는 경우, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사하였을 때에 점착제층(3)이 경화·수축되는 정도가 작아, 점착제층(3)의 점착력이 저하되기 어려워진다. 그 결과, 반도체 웨이퍼의 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 어려워진다.
(가교제)
가교제로서는, 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 관능기와 반응하는 것을 적합하게 사용할 수 있다. 아크릴산 에스테르계 공중합체의 관능기가 수산기인 경우에는 이소시아네이트계 가교제, 아크릴산 에스테르계 공중합체의 관능기가 카르복실기인 경우에는 에폭시계 가교제를 적합하게 이용할 수 있다.
또한, 가교제의 첨가량은, 가교제 중의, 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 관능기와 반응하는 관능기의 총량이, 아크릴산 에스테르계 공중합체의 관능기에 대하여, 1mol당량 이상이 되는 양이 바람직하다.
(광중합 개시제)
광중합 개시제는, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사하였을 때에 라디칼을 생성하고, 방사선 탄소-탄소 이중 결합을 개열시켜 중합 반응을 개시시키는 역할을 가진다.
광중합 개시제로서는, 예를 들면, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 폴리비닐벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1, 벤질디메틸케탈, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤, 벤질, 벤조인, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 2-나프탈렌술포닐클로라이드, 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
<앵커 코트층>
상기 서술한 바와 같이, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)에서는, 점착 테이프(1)의 제조 조건이나 제조 후의 점착 테이프(1)의 사용 조건 등에 따라, 기재(2)와 점착제층(3)의 사이에, 기재의 종류에 맞춘 앵커 코트층을 마련해도 된다. 앵커 코트층을 마련함으로써, 기재(2)와 점착제층(3)과의 밀착력이 향상된다.
<박리 라이너>
또한, 점착제층(3)의 기재(2)와는 반대의 표면측(일방의 표면측)에는, 필요에 따라 박리 라이너를 마련해도 된다. 박리 라이너로서 사용할 수 있는 것은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지나, 종이류 등을 들 수 있다. 또한, 박리 라이너의 표면에는, 점착제층(3)의 박리성을 높이기 위해, 실리콘계 박리 처리제, 장쇄(長鎖) 알킬계 박리 처리제, 불소계 박리 처리제 등에 의한 박리 처리를 실시해도 된다. 박리 라이너의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 10㎛ 이상 200㎛ 이하의 것을 적합하게 사용할 수 있다.
<점착 테이프의 제조 방법>
도 2는, 점착 테이프(1)의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다.
먼저, 기재(2)를 준비한다(단계 101: 기재 준비 공정).
이어서, 점착제층(3)을 형성하기 위한 점착제층(3)용의 도포 용액(점착제층 형성용 도포 용액)을 제작한다(단계 102: 도포 용액 제작 공정). 도포 용액은, 점착제층(3)의 성분인 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 방사선 경화성 올리고머와, 가교제를 포함한다. 그리고, 이들을 용매에 투입하여, 교반을 행함으로써 도포 용액을 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 톨루엔이나 아세트산 에틸 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.
그리고, 단계 102에서 제작한 점착제층(3)용의 도포 용액을 이용하여, 기재(2) 상에 점착제층(3)을 형성한다(단계 103: 점착제층 형성 공정).
기재(2) 상에 점착제층(3)을 형성하는 방법으로서는, 기재(2) 상에 점착제층(3)용의 도포 용액을 직접 도포하여 건조시키는 방법, 혹은, 박리 라이너 상에 점착제층(3)용의 도포 용액을 도포하여 건조하고, 그 후, 점착제층(3) 상에 기재(2)를 접합하는 방법 중 어느 방법을 이용할 수 있다.
계속해서, 형성된 점착제층(3)을 예를 들면 40℃~60℃의 환경하에서 에이징하여 아크릴산 에스테르계 공중합체와 가교제를 가교시킴으로써 열경화시킨다(단계 104: 열경화 공정).
이상 상세하게 설명한 본 실시 형태에 의하면, 점착제층(3)에 포함되는 아크릴산 에스테르계 공중합체의 관능기(수산기, 카르복실기 중 어느 하나의 관능기)는, 가교제의 관능기와 반응하고 있다. 또한, 점착제층(3)에 포함되는 방사선 경화성 올리고머는, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하이다.
본 실시 형태의 점착 테이프(1)는, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체 칩을 형성하는 경우에 이용할 수 있다. 특히, 표면에 활성면을 가지는 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체 칩을 형성하는 경우에 적합하게 이용할 수 있다.
즉, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)에 의하면, 활성면을 가지는 반도체 웨이퍼에 점착 테이프(1)를 부착한 경우에, 점착 테이프(1)에 방사선을 조사하여 점착제층(3)을 경화시킴으로써, 점착제층(3)의 점착력이 충분히 저감된다. 이 경우, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내기 쉬워진다.
따라서, 반도체 웨이퍼를 연삭하여 활성면으로 되어 있는 반도체 웨이퍼의 표면에 대하여 본 실시 형태의 점착 테이프(1)를 부착한 경우라도, 다이싱이나, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩의 픽업을 양호하게 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)는, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층되어 있는 형태여도 된다. 또한, 이들 형태의 점착 테이프(1)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.
<반도체 칩의 제조 방법>
도 3은, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)를 사용한 반도체 칩의 제조 방법에 대하여 설명한 플로우 차트이다. 또한, 도 4의 (a)~(d)는, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)를 사용한 반도체 칩의 제조예를 나타낸 도이다.
먼저, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 실리콘을 주성분으로 하는 기판(101) 상에 복수의 집적 회로(102)를 탑재한 반도체 웨이퍼(100)를 준비한다(단계 201: 준비 공정).
계속해서, 반도체 웨이퍼(100)의 집적 회로(102)가 탑재된 면과는 반대측의 면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼(100)를 미리 정해진 두께로 한다(단계 202: 연삭 공정). 이 때, 도면에 나타내고 있지 않지만 반도체 웨이퍼(100)의 집적 회로(102)가 탑재된 면에는 보호 테이프가 부착된다. 보호 테이프는 절단(다이싱) 공정 전에 떼어 내진다.
그리고, 반도체 웨이퍼(100)의 연삭면이 점착 테이프(1)의 점착제층(3)과 대향하도록, 반도체 웨이퍼(100)에 대하여 점착 테이프(1)를 부착한다(단계 203: 부착 공정). 단계 202에서 반도체 웨이퍼(100)를 연삭한 직후에 점착 테이프(1)를 부착함으로써, 반도체 웨이퍼(100)의 표면에 활성인 원자가 존재하는 상태에서, 반도체 웨이퍼(100)에 점착 테이프(1)가 부착된다.
여기서, 부착 공정에서는, 일반적으로, 점착 테이프(1)를 가압하는 가압 롤 등을 이용하여, 반도체 웨이퍼(100)에 점착 테이프(1)를 부착한다. 또한, 가압 가능한 용기(예를 들면, 오토클레이브 등) 중에서 반도체 웨이퍼(100)와 점착 테이프(1)를 겹쳐 쌓아, 용기 내를 가압함으로써, 반도체 웨이퍼(100)에 점착 테이프(1)를 부착해도 된다. 또한, 감압 챔버(진공 챔버) 내에서, 반도체 웨이퍼(100)에 점착 테이프(1)를 부착해도 된다.
계속해서, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 점착 테이프(1)와 반도체 웨이퍼(100)를 접합한 상태에서, 절단 예정 라인(X)을 따라, 반도체 웨이퍼(100)를 다이서 등에 의해 절단한다(단계 204: 절단 공정). 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 이 예에서는, 반도체 웨이퍼(100)를 전부 깊이 자르는 이른바 풀 컷팅을 행하고 있다.
여기서, 절단 공정에서는, 일반적으로, 마찰열의 제거나 절단 부스러기의 부착의 방지를 위해 점착 테이프가 부착된 반도체 웨이퍼에 세정수를 공급하면서, 예를 들면 회전하는 블레이드를 이용하여 반도체 웨이퍼(100)를 미리 정해진 크기로 절단한다. 또한, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체 칩의 픽업을 용이하게 하기 위해, 절단 공정 후에, 점착 테이프(1)의 잡아 당김(익스펜드)을 행해도 된다.
계속해서, 점착 테이프(1)에 대하여 방사선을 조사함으로써, 점착제층(3)을 경화·수축시켜, 점착제층(3)의 점착력을 저하시킨다(단계 205: 조사 공정).
계속해서, 도 4의 (d)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(100)를 절단하는 것에 의해 형성된 반도체 칩(200)을 점착 테이프(1)로부터 떼어 내는 이른바 픽업을 행한다(단계 206: 박리 공정).
이 픽업 방법으로서는, 예를 들면, 반도체 칩(200)을 점착 테이프(1)측으로부터 니들(300)에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(200)을, 픽업 장치(도시 생략)를 이용하여 점착 테이프(1)로부터 떼어 내는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 도 4의 (a)~(d)에서 설명한 방법은, 점착 테이프(1)를 이용한 반도체 칩(200)의 제조 방법의 일례이며, 점착 테이프(1)의 사용 방법은, 상기의 방법에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시 형태의 점착 테이프(1)는, 다이싱에 있어서, 반도체 웨이퍼(100)에 부착되는 것이면, 상기의 방법에 한정되지 않고 사용할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예를 이용하여 보다 상세하게 설명한다. 본 발명은, 그 요지를 벗어나지 않는 한 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
도 1에 나타내는 점착 테이프(1)를 제작하여, 평가를 행했다.
〔점착 테이프 (1)의 제작〕
(실시예 1)
본 실시예에서는, 기재(2)로서, 두께가 90㎛의 폴리올레핀(PO)계 필름을 이용했다.
이어서, 기재(2)의 일방의 표면측에 점착제층(3)을 아래와 같이 하여 형성했다.
먼저, 50질량부의 아크릴산 2-에틸헥실과, 3질량부의 아크릴산 2-히드록시에틸과, 37질량부의 메타크릴산 메틸과, 10질량부의 N-비닐-2-피롤리돈을 아세트산 에틸 용매 중에서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 개시제로서 라디칼 공중합시킴으로써, 수산기를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체(고형분 농도: 35질량%)를 제작했다. 여기서, 메타크릴산 메틸은, 점착제층(3)의 경도을 조정하기 위해 사용했다.
계속해서, 아세트산 에틸에, 제작한 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 방사선 경화성 우레탄아크릴레이트계 올리고머와, 이소시아네이트계 가교제로서의 토소사제(製)의 코로네이트(등록 상표) L과, 광중합 개시제로서의 BASF재팬사제의 이르가큐어(등록 상표) 369를 용해시켜, 점착제층(3)용의 도포 용액을 제작했다.
여기서, 도포 용액의 배합 조성은, 아크릴산 에스테르계 공중합체 100질량부(고형분)에 대하여, 방사선 경화성 우레탄아크릴레이트계 올리고머가 120질량부(고형분), 코로네이트 L이 7.5질량부(고형분), 이르가큐어 369가 1.0질량부(고형분), 아세트산 에틸이 343질량부가 되도록 했다.
방사선 경화성 우레탄아크릴레이트계 올리고머는, 중량 평균 분자량(Mw)이 1000, 수산기값이 1mgKOH/g, 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 수가 6개인 것을 이용했다.
그리고, 건조 후의 점착제층(3)의 두께가 10㎛가 되도록, 박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에스테르 필름)의 박리 처리면 측에 상기 도포 용액을 도포하여 100℃의 온도에서 3분간 가열함으로써 건조시킨 후에, 점착제층(3) 상에 기재(2)를 접합하여, 점착 테이프(1)를 제작했다. 그 후, 점착 테이프(1)를 40℃의 온도에서 72시간 보존하여 점착제층(3)을 경화시켰다.
이상의 공정에 의해 본 실시예의 점착 테이프(1)를 제작했다.
(실시예 2~12)
실시예 1에 비하여, 도 5에 나타내는 바와 같이 방사선 경화성 우레탄 올리고머에 대해 변경을 행한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 테이프(1)를 제작했다.
(실시예 13)
실시예 1에 비하여, 아크릴산 에스테르계 공중합체에 대해, 3질량부의 아크릴산 2-히드록시에틸을 1질량부의 메타크릴산으로 변경함으로써 카르복실기를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체로 하고, 가교제에 대해, 이소시아네이트계 가교제인 코로네이트 L: 7.5질량부를 에폭시계 가교제인 교에이사화학사제의 에포라이트40E: 2.5질량부로 변경을 행한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 테이프(1)를 제작했다.
[비교예]
(비교예 1~4)
실시예 1에 비하여, 도 5에 나타내는 바와 같이 방사선 경화성 우레탄 올리고머에 대해 변경을 행한 것 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 테이프를 제작했다. 이 중 비교예 1에서는, 방사선 경화성 올리고머의 분자 중에 있어서의 방사선 중합성 탄소-탄소결합의 수가, 하한값을 하회하는 2개이다. 또한, 비교예 2에서는, 방사선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)이, 하한값을 하회하는 200이다. 또한, 비교예 3에서는, 방사선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)이, 상한값을 상회하는 6500이다. 또한, 비교예 4에서는, 방사선 경화성 올리고머의 수산기값이, 상한값을 상회하는 5mgKOH/g이다.
〔평가 방법〕
(1) 점착력 시험 실시예 1~13 및 비교예 1~4의 점착 테이프에 대해, 점착력 시험을 행했다.
구체적으로는, 경면 연마한 직후의 반도체 웨이퍼에 대해, 점착 테이프를 부착하고, 온도 23℃ 및 습도 50%의 분위기하에서 7일간 보지했다. 또한, 반도체 웨이퍼의 연삭면에 자연 산화막이 형성되기 전에 점착 테이프를 부착하기 위해, 반도체 웨이퍼의 연삭 후 5분 이내에 점착 테이프를 부착했다.
계속해서, 점착 테이프에 대해 자외선(적산 광량: 300mJ/cm2)을 조사했다. 그리고, 23±3℃의 환경하에 있어서, 점착 테이프의 표면을 따르는 방향으로 힘을 가해 인장 속도 300m/분으로 점착 테이프를 잡아 당기고, 반도체 웨이퍼로부터 점착 테이프를 떼어 내, 반도체 웨이퍼에 대한 점착력의 평가를 행했다. 즉, 점착력에 대해서는, 반도체 웨이퍼로부터 점착 테이프를 떼어 내기 위해 필요로 한 힘이 0.15N/10㎜ 이하일 때에 ○의 평가로 하고, 0.15N/10㎜보다 클 때에 ×의 평가로 했다. 또한, ○의 평가를 합격으로 했다.
(2) 픽업 시험
실시예 1~13 및 비교예 1~4의 점착 테이프에 대해, 픽업 시험을 행했다.
구체적으로는, 주식회사 디스코제의 DAG810(제품명)을 이용하여 반도체 웨이퍼를 연삭하여 50㎛의 두께로 한 후, 활성인 원자가 존재하는 반도체 웨이퍼의 표면에 대하여 점착 테이프를 부착했다. 그 후, 주식회사 디스코제의 DFD651(제품명, 공급 속도: 50㎜/min)을 이용하여 다이싱을 행하여, 개개의 크기가 100㎜2의 반도체 칩을 형성한 후, 점착 테이프의 기재측으로부터 자외선(적산 광량: 300mJ/cm2)을 조사했다. 그리고, 점착 테이프의 잡아 늘림(익스펜드)을 행한 후에, 다이토일렉트론 주식회사제의 WCS-700(제품명, 핀의 수: 5개)을 이용하여 반도체 웨이퍼의 픽업을 행하여, 픽업성을 평가했다.
즉, 임의의 반도체 소자 50개에 대해 픽업을 행하고, 모든 반도체 소자에 대해 찢어짐 없이 픽업이 성공하였을 때에 ◎의 평가로 했다. 또한, 1개 이상 5개 이하의 반도체 소자에 대해 찢어짐이 발생하였지만, 나머지의 반도체 소자에 대해서 찢어짐 없이 픽업이 성공하였을 때에 ○의 평가로 했다. 또한, 6개 이상의 반도체 소자에 대해 찢어짐이 발생하였을 때에 ×의 평가로 했다. 또한, ○ 또는 ◎의 평가를 합격으로 했다.
(3) 저장 탄성률의 측정
실시예 1~13 및 비교예 1~4의 점착 테이프에 대해, 각각의 점착제층의 방사선 조사·경화 후의 저장 탄성률을 측정했다.
구체적으로는, 조제한 각각의 점착제층을 건조 후의 두께가 500㎛가 되도록 도포·건조시킨 시료를 제작하고, 점착제층에 자외선(적산 광량: 300mJ/cm2)을 조사한 후, 주식회사 히타치하이테크사이언스사제의 점탄성 측정 장치 DMA6100(제품명)를 이용해, 동적 점탄성을 측정하여, 저장 탄성률을 구했다. 측정 조건은, 주파수 1Hz, 승온 속도 2℃/분으로 하여 23℃의 수치를 저장 탄성률로 했다.
〔평가 결과〕
평가 결과를 도 5에 나타낸다.
실시예 1~13의 점착 테이프에 대해서는, 점착력 시험에 있어서의 점착력은, 모두 ○로 양호한 결과로 합격이었다.
또한, 실시예 1~13의 점착 테이프에 대해서는, 픽업 시험에 있어서의 픽업성은, ◎ 또는 ○로 양호한 결과로 모두 합격이었다.
또한, 실시예를 상세하게 비교하면, 실시예 5는 방사선 경화성 올리고머의 수산기값이 3mgKOH/g으로 상한값이기 때문에, 픽업성이 조금 뒤떨어지고 있었다(반도체 소자의 찢어짐 수: 1개).
또한, 실시예 8은 방사선 경화성 올리고머의 함유량이 50질량부로 비교적 적기 때문에, 저장 탄성률이 7.0×105Pa로 약간 낮아, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다(반도체 소자의 찢어짐 수: 2개).
또한, 실시예 9는 방사선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)이 800으로 약간 작고, 함유량이 170질량부로 약간 많기 때문에, 저장 탄성률이 1.0×109Pa으로 약간 높아, 픽업성이 조금 뒤떨어지고 있었다(반도체 소자의 찢어짐 수: 1개).
또한, 실시예 11은 방사선 경화성 올리고머의 함유량이 180질량부로 약간 많기 때문에, 저장 탄성률이 7.5×108Pa로 조금 높아, 픽업성이 조금 뒤떨어지고 있었다(반도체 소자의 찢어짐 수: 1개).
또한, 실시예 12는 방사선 경화성 올리고머의 함유량이 190질량부로 비교적 많기 때문에, 저장 탄성률이 1.0×109Pa로 약간 높고, 픽업성이 약간 뒤떨어지고 있었다(반도체 소자의 찢어짐 수: 2개).
이에 비해, 비교예 1, 비교예 3, 4의 점착 테이프에 대해서는, 점착력 시험에 있어서, 점착제층의 점착력이 과도하게 커 ×의 평가로 불합격이었다.
또한, 비교예 1~4의 점착 테이프에 대해서는, 픽업 시험에 있어서의 픽업성에 대해, 모두 ×의 평가로 불합격이었다.
즉, 비교예 1은, 방사선 경화성 올리고머의 분자 중에 있어서의 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 수가 하한값을 하회하는 2개이며, 방사선 조사 후에 점착제층이 충분히 경화·수축되지 않아 점착력이 충분히 저하되지 않았기 때문에, 개편화(個片化)된 반도체 칩을 점착 테이프로부터 떼어 내기 어려워져, 픽업성이 저하되었다.
또한, 비교예 2에서는, 방사선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)이 하한값을 하회하는 200이며, 방사선 조사 후에 점착력은 저하되었지만, 올리고머끼리의 가교 밀도가 높아지는 영향에 의해 굳어, 굽힘 탄성률이 높아지기 때문에, 개편화된 반도체 칩을 점착 테이프로부터 떼어 낼 때에 찢어짐이 발생하여, 픽업성이 저하되었다.
또한, 비교예 3에서는, 방사선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)이, 상한값을 상회하는 6500이며, 방사선 조사 후에 점착제층이 충분히 경화·수축되지 않아 점착력이 충분히 저하되지 않았기 때문에, 개편화된 반도체 칩을 점착 테이프로부터 떼어 내기 어려워져, 픽업성이 저하되었다.
또한, 비교예 4에서는, 방사선 경화성 올리고머의 수산기값이, 상한값을 상회하는 5mgKOH/g이며, 경면 연마한 직후의 반도체 웨이퍼에 대하여 점착 테이프를 부착하였을 때에 점착력이 과도하게 커져, 방사선 조사해도 점착력이 충분히 저하되지 않았기 때문에, 개편화된 반도체 칩을 점착 테이프로부터 떼어 내기 어려워져, 픽업성이 저하되었다.
실시예 1~13 및 비교예 1~4의 결과에 의해, 아크릴산 에스테르계 공중합체가, 관능기로서 수산기, 카르복실기 중 어느 하나를 가지는 것, 및, 방사선 경화성 올리고머가, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 것을 필요로 하는 것이 확인되었다.
1 점착 테이프
2 기재
3 점착제층

Claims (5)

  1. 기재와,
    상기 기재 중 적어도 일방의 표면측에 마련되는 점착제층을 가지고,
    상기 점착제층은 적어도, 관능기로서 수산기를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머와, 당해 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 당해 관능기로서 수산기와 반응하는 관능기를 가지는 가교제를 구비하고,
    상기 가교제의 상기 관능기의 총량은, 상기 아크릴산 에스테르계 공중합체의 상기 관능기로서 수산기에 대하여 1mol당량 이상이며,
    상기 점착제층은, 방사선이 조사되어 경화된 후의 저장 탄성률이 1.0×106Pa 이상 7.0×108Pa 이하인 다이싱용 점착 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층은, 상기 아크릴산 에스테르계 공중합체를 100질량부로 하였을 때에, 상기 방사선 경화성 올리고머를 80질량부 이상 180질량부 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 테이프.
  3. 기재를 준비하는 기재 준비 공정과,
    점착제층을 형성하기 위한 도포 용액이며 적어도, 관능기로서 수산기를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머와, 당해 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 당해 관능기로서 수산기와 반응하는 관능기를 가지는 가교제를 포함하는 도포 용액을 제작하는 도포 용액 제작 공정과,
    상기 도포 용액을 이용하여, 상기 기재 중 적어도 일방의 표면측에 상기 점착제층을 형성하는 점착제층 형성 공정과,
    상기 아크릴산 에스테르계 공중합체와 상기 가교제를 가교시키는 처리를 포함하고, 형성한 상기 점착제층을 열경화시키는 열경화 공정을 포함하고,
    상기 가교제의 상기 관능기의 총량은, 상기 아크릴산 에스테르계 공중합체의 상기 관능기로서 수산기에 대하여 1mol당량 이상이며,
    상기 점착제층은, 방사선이 조사되어 경화된 후의 저장 탄성률이 1.0×106Pa 이상 7.0×108Pa 이하인 다이싱용 점착 테이프의 제조 방법.
  4. 다이싱용 점착 테이프를, 복수의 반도체 소자가 기판 상에 형성된 소자용 기판에 대하여 부착하는 부착 공정과,
    상기 다이싱용 점착 테이프가 부착된 상기 소자용 기판을, 복수의 반도체 칩으로 절단하는 절단 공정과,
    상기 반도체 칩에 부착된 상기 다이싱용 점착 테이프에 대하여 방사선을 조사하여, 당해 다이싱용 점착 테이프의 점착력을 저하시키는 조사 공정과,
    상기 반도체 칩을, 점착력이 저하된 상기 다이싱용 점착 테이프로부터 떼어 내는 박리 공정을 포함하고,
    상기 다이싱용 점착 테이프는, 기재와, 상기 기재 중 적어도 일방의 표면측에 마련되는 점착제층을 가지며,
    상기 점착제층은 적어도, 관능기로서 수산기를 가지는 아크릴산 에스테르계 공중합체와, 중량 평균 분자량(Mw)이 500 이상 6000 이하이며 분자 중에 방사선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지고 수산기값이 3mgKOH/g 이하인 방사선 경화성 올리고머와, 당해 아크릴산 에스테르계 공중합체가 가지는 당해 관능기로서 수산기와 반응하는 관능기를 가지는 가교제를 구비하고,
    상기 가교제의 상기 관능기의 총량은, 상기 아크릴산 에스테르계 공중합체의 상기 관능기로서 수산기에 대하여 1mol당량 이상이며,
    상기 점착제층은, 방사선이 조사되어 경화된 후의 저장 탄성률이 1.0×106Pa 이상 7.0×108Pa 이하인 반도체 칩의 제조 방법.
  5. 삭제
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