JP2010198219A - メモリコントローラおよび半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】論理アドレス/物理アドレス変換テーブル16と、各メモリセル31からデータを読み出すアクセス回数を論理アドレスと対応して記憶するアクセス回数記憶部15と、所定のアクセス回数ごとに各メモリセル31に記憶されているデータの記憶状態を確認する記憶状態確認部13と、データの記憶状態が所定の劣化状態の場合に各メモリセル31に記憶されたデータを記憶しなおすリフレッシュ処理を行うリフレッシュ処理部12と、を有する。
【選択図】図1
Description
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態のメモリコントローラ10および半導体記憶装置2について説明する。
半導体記憶装置2の電源が入る、例えばホスト3と接続されると、メモリコントローラ10はROM19等の不揮発性記憶部に記憶されている情報をRAM14およびCPU11に転送する。このため、CPU11は、記憶状態確認部13およびリフレッシュ処理部12としての機能を具備する。もちろん、メモリコントローラ10が、CPU11から独立した記憶状態確認部13および/またはリフレッシュ処理部12を有していてもよい。
ホスト3からの処理終了の指示があるまで、メモリコントローラ10は以下に説明する所定の処理を繰り返す。
ホスト3から論理アドレスにもとづいて特定されたメモリセルに記憶されているデータの読み出し指示(コマンド)があった場合に、メモリコントローラ10は、論物変換テーブル16にもとづいて論理アドレスを物理アドレスに変換し、論理アドレスに対応した物理アドレスに該当するメモリセル31からデータを読み出して、復号処理を行い、ホスト3に出力する。
なお、アクセス回数記憶部15は、アクセス回数の多い論理ブロックのみを対象にアクセス回数を記憶、すなわちカウントし、記憶状態確認部13およびリフレッシュ処理部12はアクセス回数記憶部15がアクセス回数を記憶している論理ブロックのみを対象に、それぞれの処理を行ってもよい。
所定のアクセス回数ごとに、記憶状態確認部13は、その論理ブロックに属するメモリセルに記憶されているデータの記録状態を確認する。記録状態が所定の劣化状態、すなわち復号処理のときに所定数以上の誤り発生がない場合には、所定のアクセス回数を経過していてもリフレッシュ処理部12はリフレッシュ処理を行わない。
データの記憶状態が所定の劣化状態の場合に、リフレッシュ処理部12は、リフレッシュ処理を行う。リフレッシュ処理は論理ブロック情報を論物変換テーブル16により物理ブロック情報に変換して、物理ブロック単位で行われる。
ホスト3から電源遮断に先行して、「Cache Flushコマンド」等のコマンド信号による終了指示があった場合には、メモリコントローラ10はコマンド信号をトリガにメモリコントローラ10はアクセス回数記憶部15に記憶されているアクセス回数情報を不揮発記憶部に転送する。
次に、図5および図6を参照して本発明の第2の実施の形態のメモリコントローラ10Bおよび半導体記憶装置2Bについて説明する。第2の実施の形態のメモリコントローラ10Bおよび半導体記憶装置2Bは第1の実施の形態のメモリコントローラ10および半導体記憶装置2と類似しているため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
ここで、アクセス回数記憶部15Bの容量は、例えば、連続した4個の論理ブロックの大きさが4MBバイト、半導体メモリ部30の容量が4Gバイト、そして、アクセス回数が1k回ごとの桁上がり、すなわち所定の回数をカウントするために2バイト必要な場合には2kバイトとなる。すなわち、k個の論理ブロックを一つの論理ブロックグループとすることにより、アクセス回数記憶部15Bの容量を(1/k)に低減することができる。
2、2B…半導体記憶装置
3…ホスト
10、10B…メモリコントローラ
11…CPU
12、12B…リフレッシュ処理部
13、13B…記憶状態確認部
14…RAM
15、15B…アクセス回数記憶部
16…論理アドレス/物理アドレス変換テーブル(論物変換テーブル)
17…バス
20…ECC部
30…NAND型フラッシュメモリ部
31…メモリセル
32…ワード線
40、40A、40B…論理ブロック
41…物理ブロック
Claims (5)
- 複数のメモリセルを有するNAND型フラッシュメモリ部にデータを記憶し読み出しするための制御を行うメモリコントローラであって、
各メモリセルの前記NAND型フラッシュメモリ部における位置を示す物理アドレスと、前記各メモリセルの論理空間における位置を示す論理アドレスとを変換する論理アドレス/物理アドレス変換テーブルと、
前記各メモリセルから前記データを読み出すアクセス回数を、前記論理アドレスと対応して記憶するアクセス回数記憶部と、
所定の前記アクセス回数ごとに前記各メモリセルに記憶されているデータの記憶状態を確認する記憶状態確認部と、
前記データの前記記憶状態が所定の劣化状態の場合に、前記各メモリセルに記憶された前記データを、記憶しなおすリフレッシュ処理を行うリフレッシュ処理部と、を有することを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記リフレッシュ処理部が、所定数の前記メモリセルからなるデータ消去単位である物理ブロック単位で、前記リフレッシュ処理を行い、
前記アクセス回数記憶部および前記記憶状態確認部が、前記物理ブロックと同じ大きさの論理ブロック単位で、それぞれの処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 - 前記リフレッシュ処理部が、所定数の前記メモリセルからなるデータ消去単位である物理ブロック単位で、前記リフレッシュ処理を行い、
前記アクセス回数記憶部および前記記憶状態確認部が、前記物理ブロックと同じ大きさの論理ブロックを複数有する論理ブロックグループ単位で、それぞれの処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のメモリコントローラ。 - 前記記憶状態確認部が確認した前記データの記憶状態が前記所定の劣化状態の場合に、ホストから前記リフレッシュ処理の指示があったときに、前記リフレッシュ処理部がリフレッシュ処理を行うことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のメモリコントローラ。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のメモリコントローラを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012146129A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Mega Chips Corp | メモリアクセス制御装置 |
US8760921B2 (en) | 2012-08-28 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device and control method of nonvolatile memory |
US8804435B2 (en) | 2011-12-09 | 2014-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
JP2014525634A (ja) * | 2011-08-31 | 2014-09-29 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリリフレッシュ法および装置 |
JP2015118423A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | リフレッシュ装置及び電子機器 |
JP2016024779A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 株式会社東芝 | 情報処理装置、データアクセス方法およびプログラム |
JP2016085677A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 富士通株式会社 | メモリ管理方法、メモリ管理プログラム及び情報処理装置 |
JP2016151922A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | メモリ制御装置及びメモリ制御方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8988800B1 (en) | 2009-09-15 | 2015-03-24 | Marvell International Ltd. | Error correction for storage devices |
US8402217B2 (en) | 2009-09-15 | 2013-03-19 | Marvell International Ltd. | Implementing RAID in solid state memory |
US8612669B1 (en) | 2010-06-28 | 2013-12-17 | Western Digital Technologies, Inc. | System and method for performing data retention in solid-state memory using copy commands and validity and usage data |
JP2013069183A (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | コントローラおよびメモリシステム |
US9081663B2 (en) * | 2011-11-18 | 2015-07-14 | Stec, Inc. | Optimized garbage collection algorithm to improve solid state drive reliability |
TWI506642B (zh) * | 2012-12-07 | 2015-11-01 | Phison Electronics Corp | 記憶體修復方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
US20140173239A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-19 | Apple Inc. | Refreshing of memory blocks using adaptive read disturb threshold |
US9342401B2 (en) | 2013-09-16 | 2016-05-17 | Sandisk Technologies Inc. | Selective in-situ retouching of data in nonvolatile memory |
KR102110767B1 (ko) | 2013-12-24 | 2020-06-09 | 삼성전자 주식회사 | 메모리 컨트롤러 구동방법 및 메모리 컨트롤러 |
US9230689B2 (en) * | 2014-03-17 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Finding read disturbs on non-volatile memories |
US20150317204A1 (en) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Lsi Corporation | Systems and Methods for Efficient Data Refresh in a Storage Device |
US9431052B2 (en) | 2014-06-26 | 2016-08-30 | Marvell World Trade Ltd. | Two dimensional magnetic recording systems, devices and methods |
WO2016033539A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Memory Technologies Llc | Control for authenticated accesses to a memory device |
KR102250423B1 (ko) | 2015-01-13 | 2021-05-12 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 |
KR102277521B1 (ko) | 2015-01-23 | 2021-07-16 | 삼성전자주식회사 | 저장 장치 및 그것의 리드 리클레임 및 읽기 방법 |
KR102606490B1 (ko) | 2016-06-30 | 2023-11-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 |
KR102634813B1 (ko) * | 2016-10-10 | 2024-02-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US10839935B2 (en) * | 2019-02-05 | 2020-11-17 | International Business Machines Corporation | Dynamic redundancy for memory |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07219720A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-08-18 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体メモリ装置ならびにその制御方法 |
JPH0816482A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 |
JPH08279295A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム |
JP2008090778A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリ用メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、不揮発性メモリのメモリ制御方法 |
JP2008181380A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | メモリシステムおよびその制御方法 |
JP2008287404A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 読み出しによる非アクセスメモリセルのデータ破壊を検出及び回復する装置、及びその方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100483552C (zh) * | 2002-10-28 | 2009-04-29 | 桑迪士克股份有限公司 | 在非易失性存储***中执行自动磨损平衡的方法 |
US7039788B1 (en) * | 2002-10-28 | 2006-05-02 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for splitting a logical block |
JP4256198B2 (ja) | 2003-04-22 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | データ記憶システム |
US8000134B2 (en) * | 2006-05-15 | 2011-08-16 | Apple Inc. | Off-die charge pump that supplies multiple flash devices |
JP5661227B2 (ja) * | 2007-02-07 | 2015-01-28 | 株式会社メガチップス | メモリコントローラ |
EP2077559B1 (en) * | 2007-12-27 | 2012-11-07 | Hagiwara Solutions Co., Ltd. | Refresh method of a flash memory |
JP2010092528A (ja) | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2009
- 2009-02-24 JP JP2009041203A patent/JP5185156B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-09-01 US US12/551,898 patent/US9229851B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-23 KR KR1020100016092A patent/KR20100097041A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07219720A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-08-18 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体メモリ装置ならびにその制御方法 |
JPH0816482A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 |
JPH08279295A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶部を含む記憶システム |
JP2008090778A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性メモリ用メモリコントローラ、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶システム、不揮発性メモリのメモリ制御方法 |
JP2008181380A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Toshiba Corp | メモリシステムおよびその制御方法 |
JP2008287404A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 読み出しによる非アクセスメモリセルのデータ破壊を検出及び回復する装置、及びその方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012146129A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Mega Chips Corp | メモリアクセス制御装置 |
JP2014525634A (ja) * | 2011-08-31 | 2014-09-29 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリリフレッシュ法および装置 |
US9666299B2 (en) | 2011-12-09 | 2017-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
US8804435B2 (en) | 2011-12-09 | 2014-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
US9466370B2 (en) | 2011-12-09 | 2016-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage device |
US9953716B2 (en) | 2011-12-09 | 2018-04-24 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor storage device |
US10269436B2 (en) | 2011-12-09 | 2019-04-23 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor storage device |
US10762969B2 (en) | 2011-12-09 | 2020-09-01 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor storage device |
US11069414B2 (en) | 2011-12-09 | 2021-07-20 | Toshiba Memory Corporation | Non-volatile semiconductor storage device |
US11631468B2 (en) | 2011-12-09 | 2023-04-18 | Kioxia Corporation | Non-volatile semiconductor storage device |
US8760921B2 (en) | 2012-08-28 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device and control method of nonvolatile memory |
JP2015118423A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | リフレッシュ装置及び電子機器 |
JP2016024779A (ja) * | 2014-07-24 | 2016-02-08 | 株式会社東芝 | 情報処理装置、データアクセス方法およびプログラム |
JP2016085677A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 富士通株式会社 | メモリ管理方法、メモリ管理プログラム及び情報処理装置 |
JP2016151922A (ja) * | 2015-02-18 | 2016-08-22 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | メモリ制御装置及びメモリ制御方法 |
Also Published As
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