JP2008147572A - シールドケース付パッケージ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- -1 white and white Chemical compound 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B1/00—Details
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15158—Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
- H01L2924/15162—Top view
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板16の一面側に搭載された電子部品を封止する封止樹脂層22が、横断面形状がコ字状の金属製のシールドケース14によって覆われたシールドケース付パッケージ10であって、シールドケース14の端部の一部が基板16の他面側に曲折されて曲折部14aに形成され、且つ曲折部14aが基板16の他面側に当接して、基板16にシールドケース14が装着されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
図4に示すシールドケース付パッケージは、基板100の一面側を覆う金属製のシールドケース102の下端側に形成された爪部104,104・・の各々が、基板100の側面に形成された凹部106,106・・のうち、対応する凹部106に嵌め合わされている。
かかる図4に示すシールドケース付パッケージでは、図5の横断面図に示す様に、基板100の一面側に搭載された半導体素子等の電子部品108,108・・を覆うシールケース102の爪部104が、基板100の側面に形成された凹部106に嵌め合わされていると共に、凹部106の壁面に形成されためっき層110に、はんだ112によってはんだ付けされている。
尚、基板100の他面側には、複数の外部接続端子としてのはんだボール114,114・・が設けられている。
しかし、従来のシールドケース付パッケージでは、図6に示す様に、側面に凹部106,106・・が形成された基板100を用いることが必要であるため、基板100の一面側に搭載された電子部品108,108・・を樹脂封止することは困難である。
つまり、図6に示す基板100を工業的に製造するには、図7に示す様に、複数の基板100,100・・が形成される大型の原基板200を形成した後、凹部106,106・・を形成する箇所に、楕円状貫通孔202,202・・を形成し、楕円状貫通孔202,202・・の内壁面に無電解めっき等によってめっき層110を形成する。
次いで、楕円状貫通孔202,202・・で囲まれた領域内に、種々の電子部品を搭載した後、楕円状貫通孔202,202・・の中心を通過するライン204,204・・に従って原基板200を切断して、図6に示す基板100を得ることができる。
その後、基板100にシールドケース102を被着し、基板100の側面に形成された凹部106,106・・の各々に、対応するシールドケース102の下端側に形成した爪部104を嵌め合わせてはんだ付けする。
この様に、基板100の一面側に搭載した電子部品108,108・・が樹脂封止されていないため、金属製のシールドケース102と電子部品108,108・・との接触を防止すべく、シールドケース102と電子部品108,108・・との間の必ず空間部を確保することを要し、パッケージの小型化の要請に対して限界が存在する。
また、電子部品108と基板100との電気的接続には、シールドケース102との接触するおそれのあるボンディングワイヤを用いることができず、フリップチップ接続方式しか用いることができなかった。このため、シールドケース付パッケージでも、電子部品108と基板100との電気的接続にボンディングワイヤを用いることが要請されている。
そこで、本発明は、従来のシールドケース付パッケージでは、基板の一面側に搭載した電子部品を樹脂封止できないという課題を解決し、基板の一面側に搭載された電子部品を樹脂封止して、パッケージの小型化を図ることができ且つ電子部品と基板とをボンディングワイヤを用いて電気的に接続できるシールドケース付パッケージを提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、基板の一面側に搭載された電子部品を封止する封止樹脂層が、横断面形状がコ字状の金属製のシールドケースによって覆われたシールドケース付パッケージであって、前記シールドケースの端部の少なくとも一部が前記基板の他面側に曲折されて曲折部に形成され、且つ前記曲折部が前記基板の他面側に当接して、前記基板にシールドケースが装着されていることを特徴とするシールドケース付パッケージにある。
また、シールドケースの曲折部が当接する基板の他面側の部分に、金属から成る接続パッド部を形成することによって、シールドケースの曲折部と基板の接続パッド部とをはんだ付けして、シールドケースを基板に強固に装着できる。
更に、基板の一面側に搭載した電子部品と前記基板の一面側に形成したボンディングパッドとをボンディングワイヤによって電気的に接続し、且つ前記ボンディングワイヤを封止樹脂層に封止することによって、ボンディングワイヤとシールドケースとの接触を確実に防止できる。
ここで、シールドケースの内面と封止樹脂層の表面とが密着するように、前記シールドケースを基板に装着することによって、シールドケース付パッケージの小型化を図ることができる。
尚、基板の一面側に形成したボンディングパッドとボンディングワイヤによって電気的に接続する電子部品として、半導体素子を好適に用いることができる。
このため、シールドケースと電子部品との接触を確実に防止でき、電子部品とシールドケースとの間に空間部を形成することを要せず、シールドケース付パッケージの小型化を図ることができる。
また、基板の一面側に搭載した電子部品と基板とをボンディングワイヤによって電気的に接続しても、電子部品及びボンディングワイヤを封止する樹脂封止層を形成することができ、ボンディングワイヤとシールドケースとの接触を確実に防止できる。
かかるシールドケース付パッケージ10の横断面図を図2に示す。パッケージ本体12は、基板16の一面側に、半導体素子18aやコンデンサ18b等の電子部品が搭載されており、半導体素子18aの電極(図示せず)と基板16の一面側に形成されたボンディングパッド部(図示せず)とは、金のボンディングワイヤ20,20によって電気的に接続されている。これらの電子部品及びボンディングワイヤ20,20は、封止樹脂層22を形成する封止樹脂によって封止されている。
図2に示すシールドケース14の曲折部14aは、「レ」字状に折り込まれており、基板16の接続パッド部24,24に当接したとき、接続パッド部24,24を弾発するバネ性を呈することができ、シールドケース14を確実に基板16に装着できる。
この曲折部14aと接続パッド部24,24との当接箇所を、はんだ付けすることによって、シールドケース14を更に一層強固に基板16に装着できる。
尚、基板16の他面側には、シールドケース付パッケージ10の外部接続端子としてのはんだボール26,26・・が装着されている。
かかるパッケージ本体12は、複数枚の基板16を形成できる大型の原基板を形成する。この原基板には、図7に示す楕円状貫通孔202,202・・等の貫通孔は形成しない。
この原基板の一面側に、各基板16に該当する部分の一面側の所定箇所に半導体素子18aやコンデンサ18b等の電子部品を搭載した後、搭載した半導体素子18aと基板16に該当する部分とをボンディングワイヤ20によって電気的に接続する。
次いで、各基板16に該当する部分を樹脂モールドし、各基板16に該当する部分に搭載した電子部品及びボンディングワイヤ20を封止する封止樹脂層22を形成する。その後、原基板を切断することによって、所定形状のパッケージ本体12を形成できる。
尚、基板16の裏面側に形成する接続パッド部24,24は、外部接続端子としてのはんだボールを装着する端子接続パッド(図示せず)を基板16の裏面側に形成するとき、同時に形成することが好ましい。
更に、パッケージ本体12を基板16に更に強固に固定しようとする場合には、パッケージ本体12の各曲折部14aと基板16の各接続パッド部24との当接部とを、はんだ付けすることが好ましい。
ここで、図1及び図2に示すシールドケース14では、その下端部の一方側に、曲折部14aが1個形成されているが、複数個の曲折部14aを形成してもよい。この様に、下端部の一方側に複数個の曲折部14aを形成したシールドケース14では、基板16に確実にシールドケース14を装着できる。
また、図3に示すシールドケース14の様に、その下端部の一方側の端縁に沿って曲折部14aを形成してもよい。この場合、パッケージ本体12をシールドケース14の一方側から挿入して装着する際に、パッケージ本体12の過挿入を防止すべく、シールドケース14の他方側にストッパ14bを形成することが好ましい。
図1〜図3についての説明では、搭載した半導体素子18aと基板16とをボンディングワイヤ20によって電気的に接続しているが、半導体素子18aと基板16とをフリップチップ接続方式で電気的に接続してもよいことは勿論のことである。
12 パッケージ本体
14 シールドケース
14a 曲折部
16 基板
18b コンデンサ
18a 半導体素子
20 ボンディングワイヤ
22 封止樹脂層
24 接続パッド部
26 はんだボール
Claims (6)
- 基板の一面側に搭載された電子部品を封止する封止樹脂層が、横断面形状がコ字状の金属製のシールドケースによって覆われたシールドケース付パッケージであって、
前記シールドケースの端部の少なくとも一部が前記基板の他面側に曲折されて曲折部に形成され、且つ前記曲折部が前記基板の他面側に当接して、前記基板にシールドケースが装着されていることを特徴とするシールドケース付パッケージ。 - 曲折部が、基板の他面側に当接したとき、前記基板の他面側を弾発するバネ性を呈する曲折部である請求項1記載のシールドケース付パッケージ。
- シールドケースの曲折部が当接する基板の他面側の部分に、金属から成る接続パッド部が形成されている請求項1又は請求項2記載のシールドケース付パッケージ。
- 基板の一面側に搭載された電子部品と前記基板の一面側に形成されたボンディングパッドとがボンディングワイヤによって電気的に接続され、且つ前記ボンディングワイヤが封止樹脂層に封止されている請求項1〜3のいずれか一項記載のシールドケース付パッケージ。
- 基板の一面側に形成されたボンディングパッドとボンディングワイヤによって電気的に接続されている電子部品が、半導体素子である請求項4項記載のシールドケース付パッケージ。
- シールドケースの内面と封止樹脂層の表面とが密着されるように、前記シールドケースが基板に装着されている請求項1〜5のいずれか一項記載のシールドケース付パッケージ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006335958A JP4972391B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | シールドケース付パッケージおよびシールドケース付パッケージの製造方法 |
US12/000,105 US7911042B2 (en) | 2006-12-13 | 2007-12-07 | Package having shield case |
KR1020070129090A KR20080055670A (ko) | 2006-12-13 | 2007-12-12 | 차폐케이스를 구비한 패키지 |
TW096147389A TW200828531A (en) | 2006-12-13 | 2007-12-12 | Package having shield case |
CNA2007101948694A CN101202275A (zh) | 2006-12-13 | 2007-12-13 | 具有屏蔽壳的封装 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006335958A JP4972391B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | シールドケース付パッケージおよびシールドケース付パッケージの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147572A true JP2008147572A (ja) | 2008-06-26 |
JP2008147572A5 JP2008147572A5 (ja) | 2009-12-17 |
JP4972391B2 JP4972391B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=39517334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006335958A Expired - Fee Related JP4972391B2 (ja) | 2006-12-13 | 2006-12-13 | シールドケース付パッケージおよびシールドケース付パッケージの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7911042B2 (ja) |
JP (1) | JP4972391B2 (ja) |
KR (1) | KR20080055670A (ja) |
CN (1) | CN101202275A (ja) |
TW (1) | TW200828531A (ja) |
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- 2006-12-13 JP JP2006335958A patent/JP4972391B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-07 US US12/000,105 patent/US7911042B2/en active Active
- 2007-12-12 KR KR1020070129090A patent/KR20080055670A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-12-12 TW TW096147389A patent/TW200828531A/zh unknown
- 2007-12-13 CN CNA2007101948694A patent/CN101202275A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW200828531A (en) | 2008-07-01 |
JP4972391B2 (ja) | 2012-07-11 |
CN101202275A (zh) | 2008-06-18 |
US7911042B2 (en) | 2011-03-22 |
US20080157296A1 (en) | 2008-07-03 |
KR20080055670A (ko) | 2008-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091029 |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |