JP2011035058A - 高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板 - Google Patents

高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2011035058A
JP2011035058A JP2009177977A JP2009177977A JP2011035058A JP 2011035058 A JP2011035058 A JP 2011035058A JP 2009177977 A JP2009177977 A JP 2009177977A JP 2009177977 A JP2009177977 A JP 2009177977A JP 2011035058 A JP2011035058 A JP 2011035058A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency module
shield case
sealing member
shield
module according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009177977A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Tokuno
真一 得能
Seiichi Yamamoto
誠一 山本
Masahiko Kushino
正彦 櫛野
Masahiro Murakami
雅啓 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2009177977A priority Critical patent/JP2011035058A/ja
Publication of JP2011035058A publication Critical patent/JP2011035058A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】小型化および低背化を図ることが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール100は、グランド端子12を含む外部接続端子11が下面上に形成されたモジュール基板10と、モジュール基板10の上面上に実装された複数の電子部品20と、絶縁性樹脂から構成され、モジュール基板10の上面上に電子部品20を封止するように形成された封止部材30と、電子部品20の上方に配置されたシールドケース40とを備えている。このシールドケース40は、天板部41と、天板部41から下方に向かって延びる垂下部43とを有しており、垂下部43の先端部は、グランド端子12の近傍に位置している。
【選択図】図1

Description

本発明は、高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板に関する。
近年、情報通信機器などの電子機器の分野では、機器の小型化、高機能化の要求がますます強くなってきている。このため、機器の内部に搭載される電子部品の小型化、高機能化、高密度実装化が図られており、また、それら電子部品をモジュール化して更なる高機能化、高密度実装化が図られている。
このような電子機器に搭載されるモジュールとして、従来、高周波ノイズなどを遮蔽(シールド)するための金属ケース(シールドケース)が装着された高周波モジュールが知られている(たとえば、特許文献1参照)。
図32は、上記特許文献1に記載された従来の高周波モジュールを示した斜視図である。図32を参照して、従来の高周波モジュール800は、電子部品810が実装された基板820と、高周波ノイズなどを遮蔽(シールド)するための金属ケース830とを備えている。この金属ケース830は、L字状に折り曲げられた半田付け端子831を有している。また、基板820の電子部品実装面820aには、金属ケース830の半田付け端子831に対応したランド(半田付け用パッド)821が設けられている。そして、このランド821に金属ケース830の半田付け端子831が半田接合されることにより、電子部品810を覆うように金属ケース830が基板820に取り付けられている。
特開2004−95973号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載された従来の高周波モジュール800の構造では、金属ケース830を基板820に取り付けるために、基板820の電子部品実装面820aにランド(パッド)821を設ける必要がある。このため、基板820にランド821を形成する領域を確保しなければならないため、モジュールの基板サイズが大きくなるという不都合がある。また、基板サイズが大きくなることに伴い、モジュールの外形サイズも大きくなるという不都合もある。このため、上記した従来の高周波モジュールの構造では、モジュールの小型化を図ることが困難になるという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、小型化および低背化を図ることが可能な高周波モジュールおよびその高周波モジュールが実装されたプリント配線基板を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による高周波モジュールは、上面および下面を有し、下面上に、接地端子を含む外部接続端子が形成された配線基板と、配線基板の上面上に実装された電子部品と、絶縁性樹脂から構成され、配線基板の上面上に、電子部品を封止するように形成された封止部材と、電子部品の上方に配置されたシールドケースとを備えている。
この第1の局面による高周波モジュールでは、上記のように、絶縁性樹脂から構成される封止部材で電子部品を封止することによって、配線基板の上面上に実装された電子部品を保護することができる。また、封止部材で封止された電子部品の上方にシールドケースを配することによって、上記した従来の高周波モジュールの構造とは異なり、シールドケースを配線基板に取り付ける必要がない。このため、配線基板に、シールドケースを取り付けるための接続ランドを設ける必要がないので、その分、配線基板のサイズを小型化することができる。これにより、モジュールの外形サイズも小型化することができる。
また、第1の局面では、上記のように構成することによって、封止部材でシールドケースを支持することができるので、シールドケースの厚みを小さくした場合でも、シールドケースの強度や歪みが問題となることはない。このため、シールドケースの厚みを小さくすることによって、モジュールの低背化を図ることができる。また、電子部品を封止部材で封止することによって、上記した従来の高周波モジュールでは必要であった、金属ケースの半田付け端子を半田付けする際に設けられていた厚み方向のクリアランスを削減することができる。このため、これによっても、モジュールの低背化を図ることができる。
なお、第1の局面による高周波モジュールでは、上記のように、配線基板に接続ランドを設ける必要がないので、基板サイズを同じにした場合には、電子部品の実装領域を増やすことができる。このため、電子部品の実装領域が小さく、従来では表裏両面実装を必要としていた場合でも、片面実装で、電子部品を同じ基板サイズに収めることができる。そして、電子部品を片面実装で搭載することにより、両面実装で搭載する場合に比べて、モジュールの厚みを小さくすることができるので、低背化を容易に図ることができる。
上記第1の局面による高周波モジュールにおいて、好ましくは、シールドケースは、天板部と、天板部から下方に向かって延びる垂下部とを含み、垂下部における天板部とは反対側の端部が、接地端子の近傍に位置している。このように構成すれば、高周波モジュールをメイン基板(実装基板)上に実装する際に、配線基板の接地端子が接続される接地用の接続ランドに、配線基板の接地端子とともに、シールドケースの垂下部も電気的に接続することができる。これにより、シールドケースをグランド接続することができるので、容易に、接地シールド効果(電磁シールド効果)を得ることができる。また、シールドケースの垂下部を、半田などの導電性材料を用いてメイン基板の接地用の接続ランドと電気的に接続すれば、シールドケースをグランド接続しながら、シールドケースを固定することもできる。これにより、シールドケースの耐衝撃性を向上させることもできる。
上記第1の局面による高周波モジュールにおいて、好ましくは、シールドケースは、金属板から構成されているとともに、金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含み、垂下部は、複数の側壁部の少なくとも一部に形成されている。このように構成すれば、シールドケースの強度を向上させることができるとともに、側壁部によって、シールド効果を向上させることができる。
この場合において、好ましくは、垂下部は、側壁部よりも下方に突出するように形成されている。このように構成すれば、側壁部の端部が外部接続端子の近傍に位置するのを抑制することができるので、接地端子以外の外部接続端子とシールドケースとが電気的に接続されるのを抑制することができる。これにより、接地端子以外の外部接続端子とシールドケースとが電気的に接続されることに起因する信頼性の低下を抑制することができる。
上記金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含むシールドケースを備えた構成において、好ましくは、封止部材における上面周縁部には、切欠部が形成されている。このように構成すれば、金属板を折り曲げることにより、シールドケースの内側が盛り上がった場合でも、切欠部によって、盛り上がり部分と封止部材とが干渉するのを抑制することができる。これにより、盛り上がり部分と封止部材との干渉に起因するモジュール高さのバラツキなどを抑制することができる。
上記金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含むシールドケースを備えた構成において、封止部材は、平面的に見て、矩形形状を有しているとともに、シールドケースの天板部は、平面的に見て、封止部材に対応する矩形形状を有しており、シールドケースの側壁部は、封止部材の隣り合う2つの側面に対応するように、天板部の隣り合う2辺にのみ形成されている。ここで、シールドケースを装着する際に、シールドケースと封止部材とのクリアランス(隙間)が小さいと、シールドケースを、機械で効率よく搭載することが困難となる。一方、クリアランス(隙間)が大きくなると、機械で効率よく搭載することが可能となるものの、外形サイズが大きくなるため、小型化を図ることが困難となる。しかしながら、上記のように構成すれば、シールドケースと封止部材とのクリアランスを考慮することなく、容易に、シールドケースを、機械で効率よく搭載することができ、かつ、外形サイズが大きくなるのを抑制することができる。
この場合において、好ましくは、互いに隣り合う2つの側壁部が形成されたシールドケースを2つ備え、2つのシールドケースの一方を180°回転させることにより、2つのシールドケースが重なるように装着されている。このように構成すれば、封止部材の4つの側面の全てを、シールドケースの側壁部で覆うことができる。これにより、機械での搭載効率を向上させながら、シールド効果を向上させることができる。また、シールドケースの強度の低下も抑制することができる。
上記第1の局面による高周波モジュールにおいて、封止部材の上面上には接着層が形成されており、シールドケースは、この接着層を介して封止部材に固定されているのが好ましい。このように構成すれば、シールドケースが脱落するのを容易に抑制することができる。
この発明の第2の局面によるプリント配線基板は、メイン基板と、このメイン基板上に実装された、上記第1の局面による高周波モジュールとを備えるプリント配線基板である。このように構成すれば、小型化および低背化された高周波モジュールが実装されたプリント配線基板を容易に得ることができる。このため、このようなプリント配線基板を、携帯電話機などの電子機器に搭載することによって、電子機器の小型化、薄型化を図ることができる。
上記第2の局面によるプリント配線基板において、好ましくは、メイン基板上には、高周波モジュールの接地端子が電気的に接続される接地用の接続ランドが形成されており、高周波モジュールがメイン基板上に実装された状態で、接地端子とともに、シールドケースも、接続ランドに電気的に接続されている。このように構成すれば、接地シールド効果(電磁シールド効果)を有する高周波モジュールが実装されたプリント配線基板を容易に得ることができる。
この場合において、好ましくは、接続ランドは、高周波モジュールの実装領域からその外側に延びるように形成されている。このように構成すれば、高周波モジュールをメイン基板上に実装する際に、接地用の接続ランドに、半田などの導電性材料を用いて、シールドケースの垂下部を容易に電気的に接続することができる。
この発明の第3の局面による高周波モジュールは、上面および下面を有し、下面上に、接地端子を含む外部接続端子が形成された配線基板と、配線基板の上面上に実装された電子部品と、絶縁性樹脂から構成され、配線基板の上面上に、電子部品を封止するように形成された封止部材と、電子部品の上方に配置されたシールドケースとを備えている。上記電子部品は、筐体部が接地端子と電気的に接続された高背部品を含んでおり、高背部品は、その上面の少なくとも一部が封止部材から露出されている。そして、上記シールドケースが、封止部材から露出された高背部品の筐体部と電気的に接続されている。
この第3の局面による高周波モジュールでは、上記のように、絶縁性樹脂から構成される封止部材で電子部品を封止することによって、配線基板の上面上に実装された電子部品を保護することができる。また、封止部材で封止された電子部品の上方にシールドケースを配することによって、上記した従来の高周波モジュールの構造とは異なり、シールドケースを配線基板に取り付ける必要がない。このため、配線基板に、シールドケースを取り付けるための接続ランドを設ける必要がないので、その分、配線基板のサイズを小型化することができる。これにより、モジュールの外形サイズも小型化することができる。
また、第3の局面では、上記のように構成することによって、封止部材でシールドケースを支持することができるので、シールドケースの厚みを小さくした場合でも、シールドケースの強度や歪みが問題となることはない。このため、シールドケースの厚みを小さくすることによって、モジュールの低背化を図ることができる。また、電子部品を封止部材で封止することによって、上記した従来の高周波モジュールでは必要であった、金属ケースの半田付け端子を半田付けする際に設けられていた厚み方向のクリアランスを削減することができる。このため、これによっても、モジュールの低背化を図ることができる。
さらに、第3の局面では、封止部材から露出された高背部品の筐体部とシールドケースとを電気的に接続することによって、シールドケースをグランド接続することができるので、容易に、接地シールド効果(電磁シールド効果)を得ることができる。
なお、第3の局面による高周波モジュールでは、上記のように、配線基板に接続ランドを設ける必要がないので、基板サイズを同じにした場合には、電子部品の実装領域を増やすことができる。このため、電子部品の実装領域が小さく、従来では表裏両面実装を必要としていた場合でも、片面実装で、電子部品を同じ基板サイズに収めることができる。そして、電子部品を片面実装で搭載することにより、両面実装で搭載する場合に比べて、モジュールの厚みを小さくすることができるので、低背化を容易に図ることができる。
上記第3の局面による高周波モジュールにおいて、高背部品を、水晶振動子とすることができる。
上記第3の局面による高周波モジュールにおいて、好ましくは、シールドケースは、金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含む。このように構成すれば、シールドケースの強度を向上させることができるとともに、側壁部によって、シールド効果を向上させることができる。
この場合において、好ましくは、封止部材における上面周縁部には、切欠部が形成されている。このように構成すれば、金属板を折り曲げることにより、シールドケースの内側が盛り上がった場合でも、切欠部によって、盛り上がり部分と封止部材とが干渉するのを抑制することができる。これにより、盛り上がり部分と封止部材との干渉に起因するモジュール高さのバラツキなどを抑制することができる。
上記金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含むシールドケースを備えた構成において、封止部材は、平面的に見て、矩形形状を有しているとともに、シールドケースの天板部は、平面的に見て、封止部材に対応する矩形形状を有しており、シールドケースの側壁部は、封止部材の隣り合う2つの側面に対応するように、天板部の隣り合う2辺にのみ形成されている。このように構成すれば、容易に、シールドケースを、機械で効率よく搭載することができる。
この場合において、好ましくは、互いに隣り合う2つの側壁部が形成されたシールドケースを2つ備え、2つのシールドケースの一方を180°回転させることにより、2つのシールドケースが重なるように装着されている。このように構成すれば、封止部材の4つの側面の全てを、シールドケースの側壁部で覆うことができるので、機械での搭載効率を向上させながら、シールド効果を向上させることができる。
上記第3の局面による高周波モジュールにおいて、好ましくは、封止部材の上面上に接着層が形成されており、シールドケースは、この接着層を介して、封止部材に固定されている。このように構成すれば、シールドケースが脱落するのを容易に抑制することができる。
この発明の第4の局面による高周波モジュールは、配線基板と、配線基板の上面上に実装された電子部品と、絶縁性樹脂から構成され、配線基板の上面上に、電子部品を封止するように形成された封止部材と、必要に応じて装着されるシールドケースとを備えている。
この第4の局面による高周波モジュールでは、上記のように、必要に応じて装着されるシールドケースを備えることによって、シールドケースが不要な場合には、シールドケースを装着しないように構成することにより、モジュールの低背化を図ることができる。また、シールドケースが不要となる分、部品点数を削減することができるので、その分、コストダウンを図ることもできる。シールドケースを装着した場合においては、上記第1および第3の局面による高周波モジュールと同様のモジュールを構成することができるので、この場合においても、モジュールの小型化および低背化を図ることができる。
上記第4の局面による高周波モジュールにおいて、シールドケースは、天板部と、天板部から下方に向かって延びる垂下部とを含み、垂下部における天板部とは反対側の端部が、接地端子の近傍に位置しているのが好ましい。
上記第4の局面による高周波モジュールにおいて、上記シールドケースは、メイン基板にシールド機能を有するケースが装着されている場合には、装着されず、メイン基板にシールド機能を有するケースが装着されていない場合には、装着されるように構成されているのが好ましい。
以上のように、本発明によれば、小型化および低背化を図ることが可能な高周波モジュールおよびその高周波モジュールが実装されたプリント配線基板を容易に得ることができる。
本発明の第1実施形態による高周波モジュールの側面図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの斜視図(シールドケースが装着されていない状態のモジュールを示した図)である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの分解斜視図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの電子部品の実装状態を示した平面図(シールドケースおよび封止部材を省略して記載した図)である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールを裏面側から見た平面図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールのシールドケースの展開図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの側面図(シールドケースを装着した状態の側面図)である。 本発明の第1実施形態によるプリント配線基板の一部を示した側面図(図7の高周波モジュールの別側面から見た図)である。 本発明の第1実施形態によるプリント配線基板におけるメイン基板の接続ランドを説明するための平面図である。 シールド機能を有する金属ケースが装着されたメイン基板を備えたプリント配線基板の斜視図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための図である。 本発明の第1実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための図である。 本発明の第2実施形態による高周波モジュールの斜視図(シールドケースが装着されていない状態のモジュールを示した図)である。 本発明の第2実施形態による高周波モジュールの側面図である。 本発明の第2実施形態による高周波モジュールのシールドケースの展開図である。 本発明の第2実施形態による高周波モジュールが実装されたプリント配線基板の側面図である。 本発明の第3実施形態による高周波モジュールの側面図である。 本発明の第3実施形態による高周波モジュールの平面図である。 本発明の第3実施形態による高周波モジュールの一部を拡大して示した断面図である。 本発明の第3実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための側面図である。 本発明の第3実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための側面図である。 本発明の第4実施形態による高周波モジュールの側面図である。 本発明の第4実施形態による高周波モジュールの斜視図である。 本発明の第4実施形態による高周波モジュールのシールドケースの展開図である。 本発明の第4実施形態による高周波モジュールを上面から見た平面図である。 天板部の4辺のそれぞれに側壁部が形成されている高周波モジュールを上面から見た平面図である。 本発明の第4実施形態による高周波モジュールにおけるシールドケースの搭載方法を説明するための平面図である。 本発明の第5実施形態による高周波モジュールの側面図である。 本発明の第5実施形態による高周波モジュールの分解斜視図である。 本発明の第5実施形態による高周波モジュールを上面から見た平面図である。 特許文献1に記載された従来の高周波モジュールを示した斜視図である。
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態による高周波モジュールの側面図である。図2は、本発明の第1実施形態による高周波モジュールの斜視図である。図3は、本発明の第1実施形態による高周波モジュールの分解斜視図である。図4〜図7は、本発明の第1実施形態による高周波モジュールの構造を説明するための図である。なお、図2は、シールドケースが装着されていない状態のモジュールを示している。まず、図1〜図7を参照して、本発明の第1実施形態による高周波モジュール100の構造について説明する。
第1実施形態による高周波モジュール100は、1セグモジュール(地上デジタルテレビ1セグメント放送受信用モジュール)として機能するように構成されており、図1〜図3に示すように、モジュール基板10と、モジュール基板10の上面上に実装された複数の電子部品20と、これら電子部品20を封止する封止部材30と、高周波ノイズなどを遮蔽(シールド)するためのシールドケース40とを備えている。なお、モジュール基板10は、本発明の「配線基板」の一例である。
高周波モジュール100を構成するモジュール基板10は、約0.4μmの厚みt1(図1参照)を有する多層プリント基板(有機プリント基板)から構成されている。このモジュール基板10は、図4に示すように、平面的に見て、4つの辺(外縁)を有する正方形形状に形成されている。具体的には、モジュール基板10は、X方向の幅Wが約6mmに形成されているとともに、Y方向の長さLも約6mmに形成されている。また、モジュール基板10の上面上には、所定の配線パターンに形成され、電子部品20が電気的に接続される配線導体(図示せず)が形成されている。一方、モジュール基板10の下面上には、図5に示すように、複数の外部接続端子11が形成されている。これら外部接続端子11は、ヴィアホール(図示せず)やスルーホール(図示せず)などを介して、上記した配線導体(図示せず)と電気的に接続されている。
ここで、第1実施形態では、モジュール基板10の下面上の四隅に配置された外部接続端子11がグランド端子(接地端子)12(11)となっている。
モジュール基板10の上面上に実装される複数の電子部品20は、図2および図4に示すように、半導体素子(IC)などの能動部品、および、抵抗素子、インダクタ素子、コンデンサ素子などの受動部品等を含んでいる。具体的には、複数の電子部品20は、RF−IC(Radio Frequency Integrated Circuit)21、OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)復調IC22、水晶振動子23、バンドバスフィルタ24および受動部品25(抵抗素子、キャパシタ素子、インダクタ素子など)を含んでいる。すなわち、第1実施形態による高周波モジュール100は、チューナとして動作させるための主要電子部品を全て内蔵している。そして、これらの電子部品20が、モジュール基板10の上面上の所定領域に表面実装されることによって、モジュール基板10の配線導体(図示せず)およびヴィアホール(図示せず)などを介して互いに電気的に接続されている。これにより、一種の集積回路が形成され、チューナモジュール(ワンセグモジュール)として機能するように構成されている。なお、第1実施形態では、上記電子部品20は、モジュール基板10に片面実装されている。
また、上記水晶振動子23は、縦1.6mm×横1.2mmの大きさを有しており、実装後の取り付け高さは、約0.35mm〜約0.45mmとなっている。また、RF−IC21は、縦2.1mm×横2.1mmの大きさを有している。このRF−IC21は、モジュール基板10の上面上に、水晶振動子23と並設されており、水晶振動子23よりも小さい高さ(実装後の取付高さ)を有している。具体的には、RF−IC21は、約0.2mm〜約0.3mmの高さ(実装後の取付高さ)を有している。また、OFDM復調IC22は、縦2.9mm×横2.7mmの大きさを有しており、実装後の取付高さは、約0.2mm〜約0.3mmである。なお、第1実施形態では、上記水晶振動子23が最も背の高い高背部品となっている。
また、受動部品25は、チップ型電子部品(チップ部品)から構成されている。この受動部品25は、セラミックス焼結体を素体とし、その両端部に外部端子電極(図示せず)を有している。受動部品25の大きさは、たとえば、通称0603部品の場合、縦0.6mm×横0.3mm×高さ0.3mmであり、通称0402部品の場合、縦0.4mm×横0.4mm×高さ0.2mmである。
封止部材30は、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂から構成されており、モジュール基板10の上面上に、複数の電子部品20を封止するように形成されている。この封止部材30は、平面的に見て、モジュール基板10と同じ正方形形状を有している。また、封止部材30の4つの側面は、それぞれ、モジュール基板10の4つの側面と、同一面となっている。また、封止部材30は、電子部品20を封止することによって、電子部品20を保護する機能を有している。
また、図1〜図3に示すように、第1実施形態では、モジュール基板10の上面上に実装されている電子部品全体が樹脂封止されている。このため、上記封止部材30の厚みt2(図1参照)は、約0.6mmとなっている。
シールドケース40は、0.1mm以下(たとえば、約0.08mm)の厚みを有する金属板を折り曲げ加工することによって形成されている。このシールドケース40は、図3および図6に示すように、平板状の天板部41と、天板部41の各辺より折り目41a(図6参照)を介して一体に形成された側壁部42とを有している。また、シールドケース40の天板部41は、封止部材30(図3参照)の上面と対応する正方形形状に形成されている。なお、シールドケース40の側壁部42は、天板部41の4辺のそれぞれに形成されている。また、シールドケース40を構成する金属板には、たとえば、洋白(銅−亜鉛−ニッケル合金)などを用いることができる。
ここで、第1実施形態では、図1、図3および図7に示すように、上記シールドケース40は、天板部41から下方に向かって延びる垂下部43をさらに備えている。この垂下部43は、側壁部42におけるモジュール基板10のグランド端子12と対応する位置に、一体に形成されている。具体的には、上記垂下部43は、互いに対向する一対の側壁部42の両端に、側壁部42より下方に突出するように形成されている。
また、シールドケース40の側壁部42は、図6に示すように、封止部材30の側面の少なくとも一部を覆うように、長さL1が約0.5mm〜約0.8mmに形成されている。一方、垂下部43は、モジュール基板10の裏面より下方に突出しない範囲内で、よりグランド端子12に近づくように、長さL2が約0.9mm〜約1.1mmに形成されている。なお、垂下部43の幅W1は、グランド端子12以外の外部接続端子11と電気的に接続しないように、グランド端子12の幅より小さく形成されている。
そして、上記のように構成されたシールドケース40は、封止部材30の上面に形成された熱硬化性の接着層50を介して、封止部材30を覆うように固定されている。このため、図7に示すように、シールドケース40が装着された状態で、垂下部43の先端(天板部41とは反対側の端部)が、グランド端子12の近傍に位置した状態となっている。
第1実施形態による高周波モジュール100では、上記のように、絶縁性樹脂から構成される封止部材30で電子部品20を封止することによって、モジュール基板10の上面上に実装された電子部品20を保護することができる。また、封止部材30で封止された電子部品20の上方に、封止部材30を覆うようにシールドケース40を配することによって、上記した従来の高周波モジュールの構造とは異なり、シールドケース40をモジュール基板10に取り付ける必要がない。このため、モジュール基板10に、シールドケース40を取り付けるための接続ランドを設ける必要がないので、その分、モジュール基板10のサイズを小型化することができる。これにより、モジュールの外形サイズも小型化することができる。
また、第1実施形態では、上記のように構成することによって、封止部材30でシールドケース40を支持することができるので、シールドケース40の厚みを小さくした場合でも、シールドケース40の強度や歪みが問題となることはない。このため、シールドケース40の厚みを小さくすることによって、モジュールの低背化を図ることができる。また、電子部品20を封止部材30で封止することによって、上記した従来の高周波モジュールでは必要であった、金属ケースの半田付け端子を半田付けする際に設けられていた厚み方向のクリアランスを削減することができる。このため、これによっても、モジュールの低背化を図ることができる。
なお、第1実施形態による高周波モジュール100では、上記のように、モジュール基板10に接続ランドを設ける必要がないので、基板サイズを同じにした場合には、電子部品20の実装領域を増やすことができる。このため、電子部品20の実装領域が小さく、従来では表裏両面実装を必要としていた場合でも、片面実装で、電子部品20を同じ基板サイズに収めることができる。そして、電子部品20を片面実装で搭載することにより、両面実装で搭載する場合に比べて、モジュールの厚みを小さくすることができるので、低背化を容易に図ることができる。
また、第1実施形態では、シールドケース40に、天板部41から下方に向かって延びる垂下部43を形成するとともに、その先端が、グランド端子12の近傍に位置するように構成することによって、高周波モジュール100を後述するメイン基板(実装基板)上に実装する際に、モジュール基板10のグランド端子12が接続される接地用の接続ランドに、モジュール基板10のグランド端子12とともに、シールドケース40の垂下部43も電気的に接続することができる。これにより、シールドケース40をグランド接続することができるので、容易に、接地シールド効果(電磁シールド効果)を得ることができる。また、シールドケース40の垂下部43を、半田などの導電性材料を用いてメイン基板の接地用の接続ランドと電気的に接続すれば、シールドケースをグランド接続しながら、シールドケースを固定することもできる。これにより、シールドケースの耐衝撃性を向上させることもできる。
また、第1実施形態では、シールドケース40を、金属板から構成するとともに、その金属板を折り曲げることによって複数の側壁部42を形成し、この側壁部42の両端に、上記垂下部43を形成することによって、シールドケース40の強度を向上させることができるとともに、側壁部42によって、シールド効果を向上させることができる。
また、第1実施形態では、垂下部43を、側壁部42よりも下方に突出するように形成することによって、側壁部42の端部が外部接続端子11の近傍に位置するのを抑制することができるので、グランド端子12以外の外部接続端子11とシールドケース40とが電気的に接続されるのを抑制することができる。これにより、グランド端子12以外の外部接続端子11とシールドケース40とが電気的に接続されることに起因する信頼性の低下を抑制することができる。
さらに、第1実施形態では、シールドケース40を、封止部材30の上面上に形成された接着層50を介して、封止部材30に固定することによって、シールドケース40が脱落するのを容易に抑制することができる。
なお、上記シールドケース40は、電磁シールドの要・不要により、必要に応じて装着することができる。また、シールドケース40を上記のように構成することによって、シールドケースが必要なときに、容易に、装着することができる。すなわち、シールドケースが装着されていない図2の状態を、モジュールとして完成された状態とし、シールドケース40はオプションとして、必要に応じて装着するように容易に構成することができる。
図8は、本発明の第1実施形態によるプリント配線基板の一部を示した側面図である。図9は、本発明の第1実施形態によるプリント配線基板におけるメイン基板の接続ランドを説明するための平面図である。図10は、シールド機能を有する金属ケースが装着されたメイン基板を備えたプリント配線基板の斜視図である。なお、図9では、高周波モジュールのグランド端子と対応する接続ランド以外の接続ランドは省略している。次に、図8〜図10を参照して、本発明の第1実施形態によるプリント配線基板について説明する。
第1実施形態によるプリント配線基板は、図8に示すように、メイン基板60上に、上記した第1実施形態による高周波モジュール100が実装された構成を有している。また、メイン基板60の上面上には、高周波モジュール100の外部接続端子11が電気的に接続される接続ランド61が形成されている。
ここで、第1実施形態では、図9に示すように、高周波モジュール100のグランド端子12と電気的に接続される接地用の接続ランド61は、一方向の延ばされて、シールドケース40の垂下部43と電気的に接続される接続ランドを兼ねるように構成されている。具体的には、接地用の接続ランド61は、高周波モジュールの実装領域63からその外側に延びるように形成されている。
そして、図8に示すように、高周波モジュール100がメイン基板60上に実装された状態で、グランド端子12とともに、シールドケース40(垂下部43)も、接地用の接続ランド61に、半田などの導電性材料62で電気的に接続されている。
なお、図10に示すように、メイン基板60上にシールド機能を有する金属ケース70が装着されている場合には、この金属ケース70内に高周波モジュール100を実装すれば、高周波モジュール100にシールドケース40が装着されている必要はない。このように、高周波モジュール100のシールドケース40は、電磁シールドの要・不要によって、装着するか否かを決定することができる。
メイン基板60上に金属ケース70が装着されている場合でも、高周波モジュール100にシールドケース40が装着されていてもよいが、シールドケース40を装着しなければ、その分、部品点数を削減することができるので、コストダウンを図ることができる。
第1実施形態によるプリント配線基板では、上記のように、メイン基板60上に、第1実施形態による高周波モジュール100を実装することによって、小型化および低背化された高周波モジュールが実装されたプリント配線基板を容易に得ることができる。このため、このようなプリント配線基板を、携帯電話機などの電子機器に搭載することによって、電子機器の小型化、薄型化を図ることができる。
また、第1実施形態では、接地用の接続ランド61を、高周波モジュール100の実装領域63からその外側に延びるように形成することによって、高周波モジュール100をメイン基板60上に実装する際に、接地用の接続ランド61に、半田などの導電性材料を用いて、シールドケース40の垂下部43を容易に電気的に接続することができる。
図11〜図13は、本発明の第1実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための図である。次に、図1および図11〜図13を参照して、第1実施形態による高周波モジュール100の製造方法について説明する。
まず、図11に示すように、綴り状態のモジュール基板10の上面上に電子部品20を片面実装する。次に、図12に示すように、モジュール基板10の上面上に、絶縁性樹脂を塗布することによって、電子部品20を樹脂封止する。そして、絶縁性樹脂を硬化させる。これいより、封止部材30が形成される。
続いて、図13に示すように、ダイシング等で個片化する。
その後、シールドケースを装着する場合には、図1に示したように、封止部材30の上面上に熱硬化性の接着層剤(接着層50)を塗布し、金属板を折り曲げ加工することによって形成したシールドケース40を被せて、封止部材30とシールドケース40とを接着する。
このようにして、第1実施形態による高周波モジュール100が製造される。
(第2実施形態)
図14は、本発明の第2実施形態による高周波モジュールの斜視図であり、図15は、本発明の第2実施形態による高周波モジュールの側面図である。図16は、本発明の第2実施形態による高周波モジュールのシールドケースの展開図であり、図17は、本発明の第2実施形態による高周波モジュールが実装されたプリント配線基板の側面図である。なお、図14は、シールドケースが装着されていない状態のモジュールを示している。次に、図1および図14〜図17を参照して、本発明の第2実施形態による高周波モジュール200について説明する。
この第2実施形態による高周波モジュール200では、図14に示すように、上記第1実施形態の構成において、封止部材30の上面から、水晶振動子23の上面が露出されている。この水晶振動子23は、金属カバー(筐体部)23aがグランド端子12(図15参照)と電気的に接続された状態で、モジュール基板10の上面上に実装されている。なお、水晶振動子23は、本発明の「筐体部が前記接地端子と電気的に接続された高背部品」の一例である。
また、図15に示すように、封止部材30から露出された水晶振動子23の上面には、導電性材料層51が形成されている。そして、シールドケース240(40)が装着された際に、導電性材料層51を介して、シールドケース240(40)と水晶振動子23の金属カバー23aとが電気的に接続される。これにより、シールドケース240(40)が装着された状態で、シールドケース240(40)とグランド端子12とが電気的に接続された状態となっている。
なお、シールドケース240(40)は、上記第1実施形態と同様、封止部材30の上面上に形成された接着層50を介して、封止部材30に固定されるため、上記導電性材料層51には接着力がなくてもよい。
また、シールドケース240(40)は、水晶振動子23等を介して、グランド端子12と電気的に接続されるので、図16に示すように、シールドケース240(40)には、第1実施形態のような垂下部43(図1参照)が形成されていなくてもよい。ただし、第1実施形態と同様のシールドケース40にすることも可能である。
第2実施形態による高周波モジュール200のその他の構成は、上記第1実施形態と同様である。
上記のように構成された第2実施形態による高周波モジュール200は、図17に示すように、メイン基板60上に実装されて、プリント配線基板が構成される。また、第2実施形態においても、上記第1実施形態と同様、シールドケース240(40)は必要に応じて装着することができる。なお、第2実施形態では、メイン基板60における接地用の接続ランド61a(61)を延ばしておく必要がないので、接続ランド61a(61)を小さくすることができる。そのため、メイン基板60の配線パターンの設計自由度が向上する。
また、このような第2実施形態による高周波モジュール200は、上記第1実施形態の製造方法において、電子部品20を樹脂封止するための絶縁性樹脂を塗布する際に、水晶振動子23の上面が露出するように、絶縁性樹脂の塗布量を調整すればよい。
第2実施形態による高周波モジュール200では、上記のように、封止部材30から露出された水晶振動子23の金属カバー23aとシールドケース240(40)とを電気的に接続することによって、シールドケース240(40)をグランド接続することができるので、容易に、接地シールド効果(電磁シールド効果)を得ることができる。
第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
図18は、本発明の第3実施形態による高周波モジュールの側面図である。図19は、本発明の第3実施形態による高周波モジュールの平面図である。図20は、本発明の第3実施形態による高周波モジュールの一部を拡大して示した断面図である。なお、図19は、シールドケースが装着されていない状態のモジュールの上面(封止部材の上面)を示している。次に、図18〜図20を参照して、本発明の第3実施形態による高周波モジュール300について説明する。
この第3実施形態による高周波モジュール300は、図18および図19に示すように、上記第1実施形態の構成において、封止部材30の上面周縁部に切欠部(段差部)31が形成されている。
上述したように、シールドケース40の側壁部42は、金属板を折り曲げることによって形成されている。このとき、図20に示すように、折り曲げ部分の内側がふくらみ、シールドケース40の内側の角部に、盛上り部45が形成される場合がある。特に、シールドケース40の厚み(金属板の厚み)が薄い場合、折り曲げ部分に、ふくらみを抑制するための切り込みなどを予め入れておくことが困難なため、盛上り部45が形成され易い。
このため、第3実施形態では、シールドケース40の盛上り部45と封止部材30とが干渉するのを抑制するために、上記切欠部31が形成されている。このため、上記切欠部31によって、盛上り部45と封止部材30とが干渉することが可能となるので、盛上り部45と封止部材30との干渉に起因するモジュール高さのバラツキなどを抑制することができる。
第3実施形態のその他の構成および効果は、上記第1実施形態と同様である。なお、上記第2実施形態の構成に、第3実施形態の構成を適用してもよい。
図21および図22は、本発明の第3実施形態による高周波モジュールの製造方法を説明するための側面図である。次に、図21および図22を参照して、本発明の第3実施形態による高周波モジュール300の製造方法について説明する。
まず、上記第1実施形態と同様の方法を用いて、綴り状態のモジュール基板10上に実装された電子部品を樹脂封止する。
次に、ダイシングで個片化する際に、ダイシング幅を2段階に変えて、ダイシングを行う。具体的には、図21に示すように、たとえば、0.5mm幅のダイシングブレードを用いて、0.3mm程度の深さの切り込み31aを入れる。次に、図22に示すように、たとえば、0.2mm幅のダイシングブレードを用いて、切り込み31aを入れた部分を完全に切断する。これにより、封止部材30の上面周縁部に、切欠部(段差部)31が形成される。
その後、上記第1実施形態と同様の工程を実施することにより、第3実施形態による高周波モジュール300が製造される。
(第4実施形態)
図23は、本発明の第4実施形態による高周波モジュールの側面図である。図24は、本発明の第4実施形態による高周波モジュールの斜視図である。図25は、本発明の第4実施形態による高周波モジュールのシールドケースの展開図である。図26〜図28は、本発明の第4実施形態による高周波モジュールを説明するための図である。次に、図23〜図28を参照して、本発明の第4実施形態による高周波モジュール400について説明する。
この第4実施形態による高周波モジュール400では、図23〜図26に示すように、上記第1実施形態の構成において、シールドケース440(40)の側壁部42が、封止部材30の隣り合う2つの側面に対応するように、天板部41の隣り合う2辺にのみ形成されている。
そして、図23および図24に示すように、上記第1実施形態と同様、シールドケース440(40)が、封止部材30の上面に形成された熱硬化性の接着層50を介して、封止部材30に固定されている。
ここで、天板部の4辺のそれぞれに側壁部が形成されている場合、図27に示すように、封止部材30とシールドケース40とのクリアランスaは、外形サイズが大きくなり過ぎるのを抑制するために、数100μmに設定される場合がある。この場合、機械で効率よくシールドケースを搭載することが困難になる場合がある。その一方、第4実施形態では、シールドケース440(40)の側壁部42は、封止部材30の隣り合う2つの側面に対応するように、天板部41の隣り合う2辺にのみ形成されているため、図28に示すように、隙間を広げて搭載することができる。そして、その後、シールドケース440(40)をA方向およびB方向に移動させることによって、シールドケース440(40)の側壁部42の内面を封止部材30の側面に当接させれば、機械で効率よく搭載(装着)することが可能となる。
このように、第4実施形態による高周波モジュール400では、シールドケース440(40)の装着が容易であるため、クリアランスを大きくする必要がない。このため、クリアランスが大きくなることに起因して、モジュールの外形サイズが大きくなり、これによって、小型化を図ることが困難になるという不都合が生じるのを抑制することもできる。
なお、第4実施形態のその他の構成および効果は、上記第1実施形態と同様である。
(第5実施形態)
図29は、本発明の第5実施形態による高周波モジュールの側面図である。図30は、本発明の第5実施形態による高周波モジュールの分解斜視図である。図31は、本発明の第5実施形態による高周波モジュールを上面から見た平面図である。次に、図29〜図31を参照して、本発明の第5実施形態による高周波モジュール500について説明する。
この第5実施形態による高周波モジュール500は、図29〜図31に示すように、上記第1実施形態の構成において、第4実施形態と同様のシールドケース440(40)が2つ装着されている。すなわち、シールドケース440(40)を1つ装着することによって、上記第4実施形態と同様のモジュールが構成され、さらにもう1つのシールドケース440(40)を、平面上で180°回転させて2つのシールドケース440(40)が重なるように装着されることにより、第5実施形態による高周波モジュール500が形成されている。
なお、2つ目のシールドケース440(40)は、1つ目のシールドケース440(40)の上面上に形成された熱硬化性の接着層50を介して、1つ目のシールドケース440(40)と重なるように固定されている。
第5実施形態による高周波モジュール500では、上記のように、互いに隣り合う2つの側壁部42が形成された上記シールドケース440(40)を2つ備え、2つのシールドケース440(40)の一方を180°回転させることにより、2つのシールドケース440(40)が重なるように装着することによって、封止部材30の4つの側面の全てを、シールドケース440(40)の側壁部42で覆うことができるので、側壁部42が4つあるシールドケースと同等のシールド効果と取付強度とを有しながら、機械での搭載効率を向上させることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第1〜第5実施形態では、樹脂製の多層プリント基板からなるモジュール基板を用いて高周波モジュールを構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、樹脂製の多層プリント基板以外のモジュール基板を用いて高周波モジュールを構成してもよい。たとえば、セラミックス多層基板からなるモジュール基板を用いて高周波モジュールを構成してもよい。
また、上記第1〜第5実施形態では、高周波モジュールを1セグモジュールとして機能するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、高周波モジュールを1セグモジュール以外のモジュールとして機能するように構成してもよい。また、高周波モジュールには、上記した電子部品の他に、LPF(Low Pass Filter)やSAWフィルタなどの部品が実装される場合もある。
また、上記第1〜第5実施形態では、モジュール基板のグランド端子を、裏面上の四隅に配置した例を示したが、本発明はこれに限らず、グランド端子の位置は、上記以外であってもよい。
なお、上記第1〜第5実施形態において、高周波モジュールの形状および寸法、並びに、回路構成等は、適宜変更することができる。また、上記第1〜第5実施形態に示した構成を適宜見合わせることも可能である。
また、上記第1および第3〜第5実施形態では、シールドケースの垂下部を側壁部の両端部に形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、シールドケースの垂下部は、グランド端子の位置と対応する位置に形成されていればよい。
また、上記第2実施形態では、シールドケースと電気的に接続される高背部品を水晶振動子とした例を示したが、本発明はこれに限らず、筐体部がグランド端子と電気的に接続されていれば、シールドケースと電気的に接続される高背部品は、水晶振動子以外の電子部品であってもよい。
また、上記第3実施形態では、封止部材の切欠部を段差状に形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、封止部材の切欠部は、シールドケースの盛上り部と封止部材との干渉を避けることが可能な形状であれば、段差状以外の形状であってもよい。段差状以外の形状としては、たとえば、面取り形状などが挙げられる。なお、面取り形状の切欠部は、たとえば、ダイシングで個片化する際に、断面V字状の切り込みを入れた後、切り込みを入れた部分を完全に切断することによって形成することができる。
10 モジュール基板(配線基板)
11 外部接続端子
12 グランド端子(接地端子)
20 電子部品
21 RF−IC
22 OFDM復調IC
23 水晶振動子(高背部品)
23a 金属カバー(筐体部)
24 バンドバスフィルタ
25 受動部品
30 封止部材
31 切欠部
40、240、440 シールドケース
41 天板部
41a 折り目
42 側壁部
43 垂下部
45 盛上り部
50 接着層
51 導電性材料層
60 メイン基板
61 接続ランド
63 実装領域
70 金属ケース
100、200、300、400、500 高周波モジュール

Claims (21)

  1. 上面および下面を有し、前記下面上に、接地端子を含む外部接続端子が形成された配線基板と、
    前記配線基板の上面上に実装された電子部品と、
    絶縁性樹脂から構成され、前記配線基板の上面上に、前記電子部品を封止するように形成された封止部材と、
    前記電子部品の上方に配置されたシールドケースとを備えることを特徴とする、高周波モジュール。
  2. 前記シールドケースは、天板部と、前記天板部から下方に向かって延びる垂下部とを含み、
    前記垂下部における前記天板部とは反対側の端部が、前記接地端子の近傍に位置していることを特徴とする、請求項1に記載の高周波モジュール。
  3. 前記シールドケースは、金属板から構成されているとともに、前記金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含み、
    前記垂下部は、前記複数の側壁部の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の高周波モジュール。
  4. 前記垂下部は、前記側壁部よりも下方に突出するように形成されていることを特徴とする、請求項3に記載の高周波モジュール。
  5. 前記封止部材における上面周縁部には、切欠部が形成されていることを特徴とする、請求項3または4に記載の高周波モジュール。
  6. 前記封止部材は、平面的に見て、矩形形状を有しているとともに、前記シールドケースの天板部は、平面的に見て、前記封止部材に対応する矩形形状を有しており、
    前記シールドケースの側壁部は、前記封止部材の隣り合う2つの側面に対応するように、前記天板部の隣り合う2辺にのみ形成されていることを特徴とする、請求項3〜5のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  7. 互いに隣り合う2つの前記側壁部が形成された前記シールドケースを2つ備え、
    2つの前記シールドケースの一方を180°回転させることにより、2つの前記シールドケースが重なるように装着されていることを特徴とする、請求項6に記載の高周波モジュール。
  8. 前記封止部材の上面上には接着層が形成されており、
    前記シールドケースは、前記接着層を介して、前記封止部材に固定されていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  9. メイン基板と、
    前記メイン基板上に実装された、請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波モジュールとを備えることを特徴とする、プリント配線基板。
  10. 前記メイン基板上には、前記高周波モジュールの接地端子が電気的に接続される接地用の接続ランドが形成されており、
    前記高周波モジュールが前記メイン基板上に実装された状態で、前記接地端子とともに、前記シールドケースも、前記接続ランドに電気的に接続されていることを特徴とする、請求項9に記載のプリント配線基板。
  11. 前記接続ランドは、前記高周波モジュールの実装領域からその外側に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項10に記載のプリント配線基板。
  12. 上面および下面を有し、前記下面上に、接地端子を含む外部接続端子が形成された配線基板と、
    前記配線基板の上面上に実装された電子部品と、
    絶縁性樹脂から構成され、前記配線基板の上面上に、前記電子部品を封止するように形成された封止部材と、
    前記電子部品の上方に配置されたシールドケースとを備え、
    前記電子部品は、筐体部が前記接地端子と電気的に接続された高背部品を含み、
    前記高背部品は、その上面の少なくとも一部が前記封止部材から露出されており、
    前記シールドケースは、前記封止部材から露出された前記高背部品の筐体部と電気的に接続されていることを特徴とする、高周波モジュール。
  13. 前記高背部品は、水晶振動子であることを特徴とする、請求項12に記載の高周波モジュール。
  14. 前記シールドケースは、前記金属板を折り曲げることによって形成された複数の側壁部を含むことを特徴とする、請求項12または13に記載の高周波モジュール。
  15. 前記封止部材における上面周縁部には、切欠部が形成されていることを特徴とする、請求項14に記載の高周波モジュール。
  16. 前記封止部材は、平面的に見て、矩形形状を有しているとともに、前記シールドケースの天板部は、平面的に見て、前記封止部材に対応する矩形形状を有しており、
    前記シールドケースの側壁部は、前記封止部材の隣り合う2つの側面に対応するように、前記天板部の隣り合う2辺にのみ形成されていることを特徴とする、請求項14または15に記載の高周波モジュール。
  17. 互いに隣り合う2つの前記側壁部が形成された前記シールドケースを2つ備え、
    2つの前記シールドケースの一方を180°回転させることにより、2つの前記シールドケースが重なるように装着されていることを特徴とする、請求項16に記載の高周波モジュール。
  18. 前記封止部材の上面上には接着層が形成されており、
    前記シールドケースは、前記接着層を介して、前記封止部材に固定されていることを特徴とする、請求項12〜17のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  19. 配線基板と、
    前記配線基板の上面上に実装された電子部品と、
    絶縁性樹脂から構成され、前記配線基板の上面上に、前記電子部品を封止するように形成された封止部材と、
    必要に応じて装着されるシールドケースとを備えることを特徴とする、高周波モジュール。
  20. 前記シールドケースは、天板部と、前記天板部から下方に向かって延びる垂下部とを含み、
    前記垂下部における前記天板部とは反対側の端部が、前記接地端子の近傍に位置していることを特徴とする、請求項19に記載の高周波モジュール。
  21. 前記シールドケースは、
    メイン基板にシールド機能を有するケースが装着されている場合には、装着されず、
    メイン基板にシールド機能を有するケースが装着されていない場合には、装着されることを特徴とする、請求項19または20に記載の高周波モジュール。
JP2009177977A 2009-07-30 2009-07-30 高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板 Pending JP2011035058A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009177977A JP2011035058A (ja) 2009-07-30 2009-07-30 高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009177977A JP2011035058A (ja) 2009-07-30 2009-07-30 高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011035058A true JP2011035058A (ja) 2011-02-17

Family

ID=43763863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009177977A Pending JP2011035058A (ja) 2009-07-30 2009-07-30 高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011035058A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018163961A1 (ja) * 2017-03-06 2018-09-13 株式会社村田製作所 シールド付きモジュールのプリント配線板への実装構造及び実装方法、並びにシールド付きモジュール
WO2022044532A1 (ja) * 2020-08-27 2022-03-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール、通信装置、及び、複数の高周波モジュールの製造方法
JP7507960B2 (ja) 2020-07-31 2024-06-28 華為技術有限公司 パッケージングモジュールおよびそのためのパッケージング方法、ならびに電子デバイス

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128334A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Hitachi Metals Ltd 高周波電子部品
JP2005093752A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装置
JP2005101365A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Kyocera Corp 電子装置
JP2006253278A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波モジュール
JP2007294828A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Kyocera Corp 回路モジュール
JP2008147572A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Shinko Electric Ind Co Ltd シールドケース付パッケージ
WO2008093414A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-07 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128334A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Hitachi Metals Ltd 高周波電子部品
JP2005093752A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品装置
JP2005101365A (ja) * 2003-09-25 2005-04-14 Kyocera Corp 電子装置
JP2006253278A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波モジュール
JP2007294828A (ja) * 2006-03-29 2007-11-08 Kyocera Corp 回路モジュール
JP2008147572A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Shinko Electric Ind Co Ltd シールドケース付パッケージ
WO2008093414A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-07 Fujitsu Microelectronics Limited 半導体装置及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018163961A1 (ja) * 2017-03-06 2018-09-13 株式会社村田製作所 シールド付きモジュールのプリント配線板への実装構造及び実装方法、並びにシールド付きモジュール
JPWO2018163961A1 (ja) * 2017-03-06 2019-11-07 株式会社村田製作所 シールド付きモジュールのプリント配線板への実装構造及び実装方法、並びにシールド付きモジュール
US10750609B2 (en) 2017-03-06 2020-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Structure and method for mounting shielded module on printed wiring board, and shielded module
JP7507960B2 (ja) 2020-07-31 2024-06-28 華為技術有限公司 パッケージングモジュールおよびそのためのパッケージング方法、ならびに電子デバイス
WO2022044532A1 (ja) * 2020-08-27 2022-03-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール、通信装置、及び、複数の高周波モジュールの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4842346B2 (ja) 電子部品モジュールおよびその製造方法
KR101658821B1 (ko) 휴대 단말기의 쉴드 캔
JP4732128B2 (ja) 高周波無線モジュール
JP4972306B2 (ja) 半導体装置及び回路装置
JP5652453B2 (ja) 複合モジュールおよびこれを備えた電子機器
JP3949695B2 (ja) 受信装置
TW200952620A (en) Shielding device and printed circuit board with shielding protection
JP2005198051A (ja) 高周波モジュール
JP2014112645A (ja) 高周波回路モジュール
JP2006229190A (ja) 半導体装置
JP2012159935A (ja) 電子部品モジュール、電子部品モジュールの製造方法、多機能カード
US10861757B2 (en) Electronic component with shield plate and shield plate of electronic component
JP2007174540A (ja) 小型無線装置、小型無線装置のプリント基板及び小型無線装置の部品実装方法
JP2007243559A (ja) アンテナモジュール及びアンテナ装置
JP2011014659A (ja) 複合電子部品モジュール
JP2007059533A (ja) 回路モジュール
JP2010123839A (ja) 半導体モジュール
JP2011035058A (ja) 高周波モジュールおよび高周波モジュールが実装されたプリント配線基板
JP2007129459A (ja) 多層基板モジュール
KR100851683B1 (ko) 전자파간섭으로 방해받는 전자 장치들의 전자 컴포넌트들 및/또는 회로들 차폐
EP1727237B1 (en) Planar antenna device
JP2006165201A (ja) 回路モジュール装置
KR20120024284A (ko) 전자파 차폐 장치 및 이를 구비한 고주파 모듈과 그 제조방법
JP2008258464A (ja) 回路基板および差動伝送機器
JP2006211620A (ja) フィルタ及びデュプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130312