JP2008147514A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 69
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 439
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 230
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 255
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims description 122
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 202
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 47
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 43
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 31
- 102000000582 Retinoblastoma-Like Protein p107 Human genes 0.000 description 30
- 108010002342 Retinoblastoma-Like Protein p107 Proteins 0.000 description 30
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 19
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 19
- 102000004642 Retinoblastoma-Like Protein p130 Human genes 0.000 description 16
- 108010003494 Retinoblastoma-Like Protein p130 Proteins 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 101100247438 Arabidopsis thaliana RBL3 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 4
- 102100037324 Apolipoprotein M Human genes 0.000 description 3
- 101100247439 Arabidopsis thaliana RBL4 gene Proteins 0.000 description 3
- 101000806785 Homo sapiens Apolipoprotein M Proteins 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 101000666730 Homo sapiens T-complex protein 1 subunit alpha Proteins 0.000 description 2
- 102100038410 T-complex protein 1 subunit alpha Human genes 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 108700015990 1,4-(bis-glutathion-S-yl)-1,2,3,4-tetrachloro-1,3-butadiene Proteins 0.000 description 1
- SNTQPLDRUZOSDP-UHFFFAOYSA-N 2,2-diphenylpentanoic acid 2-(diethylamino)ethyl ester Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C(=O)OCCN(CC)CC)(CCC)C1=CC=CC=C1 SNTQPLDRUZOSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100040836 Claudin-1 Human genes 0.000 description 1
- 101100113671 Homo sapiens CLDN1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000837443 Homo sapiens T-complex protein 1 subunit beta Proteins 0.000 description 1
- 101000653567 Homo sapiens T-complex protein 1 subunit delta Proteins 0.000 description 1
- 101100448777 Oryza sativa subsp. japonica GL1-5 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100113675 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CLD1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000801924 Sena Species 0.000 description 1
- 102100028679 T-complex protein 1 subunit beta Human genes 0.000 description 1
- 102100029958 T-complex protein 1 subunit delta Human genes 0.000 description 1
- 241000030538 Thecla Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
- G11C11/405—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh with three charge-transfer gates, e.g. MOS transistors, per cell
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4094—Bit-line management or control circuits
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4097—Bit-line organisation, e.g. bit-line layout, folded bit lines
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- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
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- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L29/772—Field effect transistors
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Abstract
【解決手段】1つのメモリセルを、第1ポートアクセストランジスタ(ATA)と第2ポートアクセストランジスタ(ATB)と、これらのアクセストランジスタに共通に結合されるストレージトランジスタ(DDST)で構成する。第1ポートアクセストランジスタは、このストレージトランジスタの第1電極(DNA)に結合し、第2ポートアクセストランジスタは、このストレージトランジスタの第3電極(DNB)に結合する。これらの第1ポートおよび第2ポートアクセストランジスタは、それぞれ第1および第2ポートワード線選択時に選択状態とされ、対応のストレージトランジスタの対応の第2および第3電極を、それぞれ第1および第2ポートビット線(BL2A,BL2B)に結合する。
【選択図】図5
Description
(1) 信号配線の負荷がボード上配線に比べて小さく、高速でデータ/信号を伝達することができる、
(2) ピン端子数の制約を受けないため、データのバス幅を大きくすることができ、データ転送のバンド幅を広くすることができる、
(3) 半導体チップ上に各構成要素が集積されるため、小型軽量のシステムを実現することができる、および
(4) 半導体チップ上に形成される構成要素として、ライブラリ化されたマクロを配置することができ、設計効率が改善される。
H. Hidaka, et al., "A High-Density Dual-Port Memory Cell Operation and Array Architecture for ULSI DRAM's" ISSCC, vol.27, No.4, 1992, pp.610-617 Y. Agata, et al., "An 8ns Random Cycle Embedded RAM Macro with Dual-Port Interleaved DRAM Architecture (D2RAM)", ISSCC Digest of Technical Papers, 2000, pp.392-393. F. Morishita, et al., "A Capacitorless Twin-Transistor Random Access Memory (TTRAM) on SOI", Proc. CICC, 2005, pp435-p438 K. Arimoto, et al., "A Configurable Enhanced T2RAM Macro for System-Level Power Management Unified Memory", Proc. VLSI Symp.
図1は、この発明のベースとして用いられるシングルポートTTRAMセルの断面構造を概略的に示す図である。図1において、TTRAMセルは、SOI基板1上に形成される。このSOI基板1は、シリコン基板2と、このシリコン基板2上に形成される埋込絶縁膜層3と、埋込絶縁層3上に形成されるシリコン層(活性層)4を含む。
ビット線BLは、プリチャージ時およびスタンバイ時、接地電圧レベル(GND)に設定される。この状態で、ワード線WLを接地電圧GNDから中間電圧(VDD/2)のハイレベルに上昇させる。このとき並行して、チャージ線CLを、Hレベル(電源電圧VDDレベル)から接地電圧GNDレベルに低下させる。
ビット線BLをLレベルに設定する。ワード線WLをハイレベルに駆動し、アクセストランジスタATを導通状態とする。この状態で、チャージ線CLをHレベルに維持する。ストレージトランジスタSTのしきい値電圧は、ストレージノードSNにホールが蓄積されていないため、高い状態となっている。したがって、ソース線SLからこのストレージトランジスタSTおよびアクセストランジスタATを介してビット線BLに流れる電流量は少ない。
このデータ保持動作時においては、ビット線BLが、Lレベルから中間電圧レベルのハイレベルに駆動される。ワード線WLが、このビット線BLの電圧上昇と並行して中間電圧レベルのハイレベルに駆動されると、ワード線WLとビット線BLの間には電圧差は生じない。したがって、アクセストランジスタATは非導通状態である(ワード線WLの電圧とビット線BLの電圧の差は、アクセストランジスタATのしきい値以下であるため)。このとき、プリチャージノードPNは、ビット線BLの電圧レベル以上である。
このデータ書込時、まず、ビット線BLが接地電圧レベルにプリチャージされる。続いて、ワード線WLをハイレベルに駆動し、また、並行してチャージ線CLをLレベルに駆動する。これにより、プリチャージノードPNの電圧レベルが、ビット線BLへのホール流出によりその電圧レベルがLレベルに低下する。また、ストレージノードSN(電荷蓄積ノード13b)の電圧レベルが、チャージ線との間のゲートカップリングにより低下する。
データ読出時においては、ビット線BLをLレベルに設定し、ワード線WLをハイレベルに設定する。これにより、アクセストランジスタATが導通状態となる。チャージ線CLは、Hレベルである。ストレージノードSNにホールが蓄積されており、このストレージトランジスタSTのしきい値電圧は低い状態にある。したがって、このチャージ線CLにおいて、図1に示すチャネル形成領域13aにチャネルが形成され、ソース線SLからストレージトランジスタSTおよびアクセストランジスタATを介してビット線BLに大きな電流が流れる。このビット線BLに流れる電流量は、ワード線WLの電圧レベルが中間電圧レベルであり、比較的小さな値に抑制され、大電流が流れるのは防止される。この電流を検出することにより、データ“1”を読出すことができる。
この保持動作では、ビット線BLをLレベルからハイレベルに上昇させる。これと並行して、ワード線WLが、ハイレベルに駆動される。この状態では、アクセストランジスタATは、非導通状態にある。したがって、ソース線SLからビット線BLには、電流は流れず、データ“1”が保持される。そのとき、チャージ線CLが接地電圧レベルに駆動されても、プリチャージノードPNおよびストレージノードSNは、その電圧レベルが容量結合より低下しても、チャージ線CLの電圧上昇により、再び容量結合により元の電圧レベルに復帰する。
図4は、この発明の実施の形態1に従う半導体記憶装置(以下、デュアルポートRAMと称す)の全体の構成を概略的に示す図である。図4において、デュアルポートRAMは、メモリセル(図示せず)が行列状に配列されるメモリセルアレイ1を含む。このメモリセルアレイ1に対しては、後に詳細に説明するように、2つのポートAおよびBからのアクセスを行なうことのできるデュアルポートセルが配置される。このデュアルポートセルは、TTRAMセルをベースとして構成される。
図12は、この発明の実施の形態2に従う半導体記憶装置のメモリセルアレイの平面レイアウトを概略的に示す図である。図12においては、2行3列に配列されるメモリセルを代表的に示す。
図17は、この発明の実施の形態3に従う半導体記憶装置のメモリセルアレイの平面レイアウトを概略的に示す図である。図17において、X方向に沿って連続的に延在してかつ互いに間をおいて、第2メタル配線80a、81a、82aおよび83aが配設される。第2メタル配線80aは、書込ワード線WWL1を構成し、第2メタル配線81aは、ソース線SL1を構成する。第2メタル配線82aは、チャージ線CL1を構成し、第2メタル配線83aが、読出ワード線RWL1を構成する。
図25は、この発明の実施の形態4に従う半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の平面レイアウトを概略的に示す図である。この図25に示すメモリセルアレイの平面レイアウトは、以下の点で、図12に示す実施の形態2に従うメモリセルアレイのレイアウトとその配置が異なる。すなわち、第1メタル配線60a−60hは、それぞれ、交互に、読出ビット線RBLおよび書込ビット線WBLに割当てられる。すなわち、ポートAビット線BL2A、BL1A、BL4A、BL3Aが、読出ビット線RBL2、RBL1、RBL4、およびRBL3として用いられる。ポートBビット線BL3B、BL2B、BL5BおよびBL4Bが、書込ビット線WBL3、WBL2、WBL4として用いられる。
図29は、この発明の実施の形態5に従う半導体記憶装置のメモリセルアレイの平面レイアウトを概略的に示す図である。図29においては、メモリセルアレイにおいて2行2列に配列されるメモリセルの活性領域とポリシリコンゲート電極配線の平面レイアウトを示す。図29において、メモリセルトランジスタを形成する活性領域199aおよび199bが配置される。活性領域199aは、凸部領域200aと、この凸部領域200aと上側領域および下側領域それぞれにおいて連結する凹部領域202aおよび202cとを含む。活性領域199bも同様、凸部領域200bおよび凹部領域202bおよび202dとを含む。把手構造の活性領域199aおよび199bの各々は、Y方向に沿ってその凹部領域および凸部領域が、2つのメモリセルピッチごとに交互に配置され、Y方向に沿って連続的に延在する。
図39は、この発明の実施の形態6に従う半導体記憶装置のメモリセルアレイのレイアウトを概略的に示す図である。図39において、メモリセルMCを構成する活性領域が互いに間をおいて行列状に配列される。メモリセルMCを構成する活性領域は、N型不純物領域300を含むN型活性領域と、P型不純物領域303を含むP型拡散領域302を含む。これらの不純物領域300および303は、X方向について同じ幅で、Y方向に関して対向して配置される。
図49は、この発明の実施の形態6の変更例のメモリセルMCの平面レイアウトを概略的に示す図である。この図49に示すメモリセルMCの構成は、以下の点で、図42に示すメモリセルの平面レイアウトとその構成が異なる。すなわち、ストレージ/読出アクセストランジスタのソース領域を構成する高濃度N型領域338aにおいては、ソース線SLは接続されず、下部の貫通孔(コンタクト)365を介して基板側から、電源電圧Vddが供給される。この図49に示すメモリセルの平面レイアウトの他の構成は、図42に示すメモリセルの平面レイアウトと同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
図53は、この発明の実施の形態7に従う半導体記憶装置のアレイ部の平面レイアウトを概略的に示す図である。図53において、Y方向において隣接する2つのメモリセルMCに対して共通に活性領域が連続的に形成される。この2つのメモリセルに対する活性領域においては、N型活性領域400が、Y方向に連続的に形成される。このN型活性領域400は、高濃度N型領域408aを含む。
図61は、この発明の実施の形態8に従う半導体記憶装置の要部の構成を概略的に示す図である。この図61に示すメモリ装置の構成においては、読出ビット線RBLおよび書込ビット線WBLの対に対し、交差結合型センスアンプ回路S/Aを設ける。図61においては、読出ビット線RBL1および書込ビット線WBL1に対し交差結合型センスアンプ回路S/A1が設けられ、読出ビット線RBL2および書込ビット線WBL2に対し交差結合型センスアンプ回路S/A2が設けられる。この図61に示すメモリセルアレイの他の構成は、先の図23に示すメモリセルアレイの配置と同じであり、対応する部分には同一参照番号を付し、その詳細説明は省略する。
Claims (25)
- 行列状に配列され、各々が絶縁膜上に形成される複数のメモリセルを備え、各メモリセルは、ボディ領域の電圧により情報を記憶し、かつ固定電圧を受ける第1の導通ノードと、前記ボディ領域により前記第1の導通ノードと分離されて配置される第2および第3の導通ノードとを有する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの第2の導通ノードに接続される第4の導通ノードを有する第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの第3の導通ノードに接続される第5の導通ノードを有する第3のトランジスタとを含み、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルの第2のトランジスタの制御電極が接続される複数の第1のワード線と、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルの第3のトランジスタの制御電極が接続される複数の第2のワード線と、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの第1のトランジスタの制御電極に接続される複数のチャージ線と、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの第2のトランジスタの第6の導通ノードが接続される複数の第1のビット線と、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの第3のトランジスタの第7の導通ノードが接続される複数の第2のビット線とを備える、半導体記憶装置。 - 各前記第1のトランジスタは、制御電極下部に形成されて前記ボディ領域を構成する第1の不純物領域と、前記第1の不純物領域に隣接して形成され、前記第2のトランジスタに接続される前記第2の導通ノードを構成する第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域に関して前記第2の不純物領域と対向して配置され、前記第3のトランジスタに接続される第3の導通ノードを構成する第3の不純物領域と、前記第1の不純物領域の前記第2および第3の不純物領域が対向する辺と異なる領域において前記第1の不純物領域と隣接して配置され前記第1の導通ノードを構成する第4の不純物領域とを備える、請求項1記載の半導体記憶装置。
- 列方向に整列して配置されるメモリセルの第2および第3のトランジスタは、列方向に直線的に延在して配置される活性領域に形成され、対応の列の第1および第2のビット線は、対応の列のメモリセルの活性領域を間に挟むように配置され、
前記第1のトランジスタは、前記第2および第3のトランジスタの形成領域の間の部分において前記活性領域から行方向に対応の第1ビット線を越えて突出する様に配置される突出領域に前記ボディ領域および前記第1の導通ノードを構成する領域が形成され、前記第2および第3の導通ノードを形成する領域は、前記第2および第3のトランジスタの第4および第5の導通ノードを形成する領域とそれぞれ共有される、請求項1記載の半導体記憶装置。 - 各メモリセル行において、前記第1および第2のワード線は、前記チャージ線を間に挟むように配置される、請求項1記載の半導体記憶装置。
- 各前記メモリセルは矩形形状の活性領域に形成され、
各前記メモリセルの第1のトランジスタは、脚部と台部とを有するT字形構造の制御電極を有し、前記脚部に関して対向して前記第2および第3のトランジスタが配置され、
前記第2および第3のトランジスタは、それぞれの制御電極が、前記脚部に関して対称なL字形構造を有する、請求項1記載の半導体記憶装置。 - 各前記第1のワード線は、列方向に沿って隣接する2行のメモリセルの第2のトランジスタの制御電極に接続され、
前記第2のワード線は、前記列方向に沿って隣接する2行のメモリセルの第3のトランジスタの制御電極に接続され、
前記第2および第3のトランジスタは行方向に沿って交互に配置され、
隣接行の列方向に沿って整列して配列されるメモリセルは、異なるビット線に接続される、請求項5記載の半導体記憶装置。 - 各前記第1のワード線は、隣接する第2のワード線下部を延在して対応の第2のトランジスタの制御電極に電気的に結合される部分を有し、
各前記第2のワード線は、隣接する第1のワード線下部を延在して対応の隣接メモリセルの第3のトランジスタの制御電極に電気的に結合する部分を有する、請求項5記載の半導体記憶装置。 - 行列状に配列され、各々が絶縁膜上に形成される複数のメモリセルを備え、各メモリセルは、ボディ領域の電圧により情報を記憶しかつ、固定電圧を受ける第1の導通ノードと、前記ボディ領域により前記第1の導通ノードと分離されて配置される第2の導通ノードとを有する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの第2の導通ノードに接続される第3の導通ノードを有する第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの前記ボディ領域に接続される第4の導通ノードを有し、前記第1および第2のトランジスタと導電型の異なる第3のトランジスタとを含み、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルの第2のトランジスタの制御電極が接続される複数の第1のワード線と、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルの第3のトランジスタの制御電極が接続される複数の第2のワード線と、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの第1のトランジスタの制御電極に接続される複数のチャージ線と、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの第2のトランジスタの第5の導通ノードが接続される複数の第1のビット線と、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの第3のトランジスタの第6の導通ノードが接続される複数の第2のビット線とを備える、半導体記憶装置。 - 列方向に整列して配置されるメモリセルは、列方向に沿って凸部領域と凹部領域とが交互に配置されて連続的に列方向に沿って延在して配置される活性領域に形成され、
前記第1および第2のトランジスタは前記凸部領域に形成され、前記第3のトランジスタは前記凹部領域に形成される、請求項8記載の半導体記憶装置。 - メモリセル各行において、前記第1および第2のワード線は前記チャージ線を間に挟むように配置される、請求項8記載の半導体記憶装置。
- メモリセル各行において、前記第2のワード線および前記チャージ線は、前記固定電圧を伝達する電圧線を間に挟むように配置され、前記電圧線はメモリセル行に対応して配置される、請求項8記載の半導体記憶装置。
- 各前記メモリセルは矩形形状の活性領域に形成され、
各前記メモリセルの第1のトランジスタは、脚部と台部とを有するT字形構造の制御電極を有し、前記脚部に関して対向して前記第2および第3のトランジスタが配置され、
前記第2および第3のトランジスタは、それぞれの制御電極が、前記脚部に関して対称なL字形構造を有し、
各活性領域において、前記第2のトランジスタを形成する領域と前記第3のトランジスタを形成する領域の導電型が異なる、請求項8記載の半導体記憶装置。 - 各前記第1のワード線は、列方向に沿って隣接する2行のメモリセルの第2のトランジスタの制御電極に接続され、
前記第2のワード線は、前記列方向に沿って隣接する2行のメモリセルの第3のトランジスタの制御電極に接続され、
前記第2および第3のトランジスタは行方向に沿って交互に配置され、
列方向においては、前記第2のトランジスタが整列して配置され、かつ前記第3のトランジスタが整列して配置され、
隣接行の列方向に沿って整列して配列される2つの第2のトランジスタは、それぞれ異なるビット線に接続され、かつ隣接行の列方向に整列して配置される2つの第3のトランジスタは、異なるビット線に接続される、請求項8記載の半導体記憶装置。 - 列方向において第1および第2のトランジスタが交互に配置され、かつ前記列方向において前記第1および第3のトランジスタが交互に配置される、請求項13記載の半導体記憶装置。
- 絶縁層上に形成されかつ行列状に配列される複数のメモリセルを備え、各前記メモリセルは、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタと直列に接続される第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタのボディ領域が制御電極に接続されかつ前記第1のトランジスタと直列に接続される第3のトランジスタを備え、前記第1および第3のトランジスタの間の接続ノードは、所定の電圧を供給するソース線に結合され、
各メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルの第1のトランジスタの制御電極が接続する複数のチャージ線と、
各メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の行のメモリセルの第2のトランジスタの制御電極が接続する複数のワード線と、
各メモリセル行に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの第2のトランジスタが接続する複数の第1のビット線と、
各メモリセル列に対応して配置され、各々に対応の列のメモリセルの第3のトランジスタが接続する複数の第2のビット線とを備える、半導体記憶装置。 - 列方向に整列して配置されるメモリセルは、列方向に沿って凸部領域と凹部領域とが交互に配置されて連続的に列方向に沿って延在して配置される活性領域に形成され、
前記第1および第2のトランジスタは前記凸部領域に形成され、前記第3のトランジスタは前記凹部領域に形成され、前記凹部領域において前記第1のトランジスタのボディ領域と結合される不純物領域が形成され、前記不純物領域が前記第3のトランジスタの制御電極に結合される、請求項15記載の半導体記憶装置。 - 行列状に配列され、各々が、絶縁膜上に形成されかつ互いに導電型の異なる第1および第2のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタが前記第2のトランジスタのボディ領域に電気的に接続される第1の導通ノードと第2の導通ノードと第1の制御電極とを有しかつ前記第2のトランジスタが基準電圧を受ける第3の導通ノードと第4の導通ノードと第2の制御電極とを有する複数のメモリセル、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの前記第1のトランジスタの第1の制御電極に接続される複数の第1のワード線、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの前記第2のトランジスタの第2の制御電極に接続される複数の第2のワード線、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列の前記第1のトランジスタの第2の導通ノードに接続する複数の第1のビット線、および
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列の前記第2のトランジスタの第4の導通ノードに接続する複数の第2のビット線を備える、半導体記憶装置。 - 各前記メモリセルにおいて、
前記第1のトランジスタは、前記第1の制御電極が対応の第1のワード線の一部を構成する直線的に配設される第1の電極配線で構成され、前記第1および第2の導通ノードが、前記第1電極配線に関して対向して配置される第1導電型の不純物領域で構成され、
前記第2のトランジスタは、前記第2の制御電極が、前記第1電極配線と平行な第1部分と前記第1部分と交差する方向に延在する第2部分とを有する第2の電極配線で構成され、前記ボディ領域が前記第2の不純物領域と隣接してかつ前記第2電極配線の下部に形成される第1導電型の第3の不純物領域で構成され、前記第3および第4の導通ノードが、前記第2の部分に関して対向して配置される第2導電型の不純物領域で構成される、請求項17記載の半導体記憶装置。 - 前記絶縁膜は前記基準電圧を受ける半導体基板上に形成され、
前記第2のトランジスタの第3の導通ノードを構成する不純物領域は、前記絶縁膜に形成される貫通開口部を介して前記半導体基板上に電気的に接続される、請求項18記載の半導体記憶装置。 - 各前記メモリセルにおいて、
前記第1のトランジスタは、前記第1の制御電極が対応の第1のワード線の一部を構成する直線的に配設される第1の電極配線で構成され、前記第1および第2の導通ノードが、前記第1電極配線に関して対向して配置される第1導電型の第1および第2の不純物領域で構成され、前記第1の不純物領域は、前記第1のトランジスタのボディ領域を構成する第2導電型の第3の不純物領域表面に形成され、前記第2の不純物領域は前記絶縁膜にまで到達するように形成され、
前記第2のトランジスタは、前記第2の制御電極が、前記第1電極配線と平行な第2の電極配線で構成され、前記ボディ領域が前記第2の不純物領域と電気的に接続されかつ前記第1のトランジスタ形成領域に隣接して形成されかつ前記第2のトランジスタ形成領域全体に渡って形成される第1導電型の第4の不純物領域で形成され、前記第3および第4の導通ノードが、前記第2の電極配線に関して対向して前記第4の不純物領域表面に形成される第2導電型の第5および第6の不純物領域で構成される、請求項17記載の半導体記憶装置。 - 前記第5の不純物領域と前記第1の電極配線に関して対向して前記第1の不純物領域と隣接してかつ前記第4の不純物領域表面に形成される第2導電型の第7の不純物領域をさらに備える、請求項20記載の半導体記憶装置。
- 各メモリセル列に対応して配置され、各々がデータ読出時に活性化され、活性化時、対応の列の第1および第2のビット線の電位を差動的に増幅してラッチする複数のセンスアンプ回路と、
前記データ読出時に活性化され、活性化時、アドレス指定された行に対応して配置される第2のワード線を選択状態に駆動する第2ワード線選択回路と、
前記データ読出時、前記センスアンプ回路の活性化後前記アドレス指定された行に対応して配置される第1のワード線を選択状態に駆動し、かつデータ書込時、アドレス信号に従ってアドレス指定された行に対応する第1のワード線を選択状態に駆動する第1ワード線選択回路とをさらに備える、請求項17記載の半導体記憶装置。 - 行列状に配列され、各々が、電荷蓄積ノードと、データ書込時前記電荷蓄積ノードに書込データに応じた電荷を伝達する第1導電型の第1のトランジスタと、データ読出時、前記電荷蓄積ノードの電位に応じて選択的に基準電位ノードの電圧を伝達する第2導電型の第2のトランジスタとを有する複数のメモリセルと、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの前記第1のトランジスタの第1の制御電極に接続される複数の第1のワード線、
各前記メモリセル行に対応して配置され、各々が対応の行のメモリセルの前記第2のトランジスタの第2の制御電極に接続される複数の第2のワード線、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列の前記第1のトランジスタの第1の導通ノードに接続する複数の第1のビット線、
各前記メモリセル列に対応して配置され、各々が対応の列の前記第2のトランジスタの第2の導通ノードに接続する複数の第2のビット線、
各前記メモリセル列に対応して配置され、データ読出時活性化され、活性化時、対応の列の第1および第2のビット線の電圧を差動的に増幅する複数のセンスアンプ回路、
前記データ読出時、アドレス信号に従ってアドレス指定された行に対応して配置される第2のワード線をセンスアンプ回路の活性化前に選択状態に駆動し、かつ前記センスアンプ回路の活性化後前記アドレス指定された行に対応して配置される第1のワード線を選択状態に駆動する行選択回路を備える、半導体記憶装置。 - 前記電荷蓄積ノードは、前記基準電位ノードと対応の第2ビット線との間に前記第2のトランジスタと直列に接続される第2導電型の第3のトランジスタのボディ領域であり、前記ボディ領域が前記第1のトランジスタの導通時前記第1のトランジスタを介して対応の第1ビット線と電気的に結合される、請求項23記載の半導体記憶装置。
- 前記電荷蓄積ノードは、前記第2のトランジスタのボディ領域であり、前記第2のトランジスタが前記基準電位ノードと対応の第2のビット線の間に接続され、前記第1のトランジスタが前記ボディ領域と対応の第1のビット線との間に接続される、請求項23記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006334688A JP5078338B2 (ja) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 半導体記憶装置 |
TW096147171A TWI436361B (zh) | 2006-12-12 | 2007-12-11 | 半導體記憶裝置 |
US12/000,343 US7738312B2 (en) | 2006-12-12 | 2007-12-12 | Semiconductor memory device |
CN2007101857642A CN101266981B (zh) | 2006-12-12 | 2007-12-12 | 半导体存储装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006334688A JP5078338B2 (ja) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147514A true JP2008147514A (ja) | 2008-06-26 |
JP5078338B2 JP5078338B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=39497797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006334688A Expired - Fee Related JP5078338B2 (ja) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7738312B2 (ja) |
JP (1) | JP5078338B2 (ja) |
CN (1) | CN101266981B (ja) |
TW (1) | TWI436361B (ja) |
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CN101266981B (zh) | 2011-09-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120420 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |