JPH11174691A - レジスト洗浄剤 - Google Patents
レジスト洗浄剤Info
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- JPH11174691A JPH11174691A JP34800997A JP34800997A JPH11174691A JP H11174691 A JPH11174691 A JP H11174691A JP 34800997 A JP34800997 A JP 34800997A JP 34800997 A JP34800997 A JP 34800997A JP H11174691 A JPH11174691 A JP H11174691A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エチルセロソルブアセテート、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトンなどに変わる、染みや
垂れを残さない良好なレジスト洗浄剤を提供する。 【解決手段】 下記の一般式（１）（式中Ｒ1 及びＲ3
は、それぞれ低級アルキル基であり、同一であっても異
なっていても良い。Ｒ2 は水素若しくはメチル基を示
す。ｎは１又は２である）で表されるグリコールジアル
キルエーテルを含有するレジスト洗浄剤を用いる。さら
に、第２成分としてアルコール系溶剤を混合するか、第
２成分のアルコール系溶剤と第３成分のエステルを混合
することが好ましい。 【化１】
ケトン、メチルイソブチルケトンなどに変わる、染みや
垂れを残さない良好なレジスト洗浄剤を提供する。 【解決手段】 下記の一般式（１）（式中Ｒ1 及びＲ3
は、それぞれ低級アルキル基であり、同一であっても異
なっていても良い。Ｒ2 は水素若しくはメチル基を示
す。ｎは１又は２である）で表されるグリコールジアル
キルエーテルを含有するレジスト洗浄剤を用いる。さら
に、第２成分としてアルコール系溶剤を混合するか、第
２成分のアルコール系溶剤と第３成分のエステルを混合
することが好ましい。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト洗浄剤に関
するものであり、さらに詳しくは、液晶パネルのガラス
基材または半導体のシリコンウエハ等の基材上に微細加
工に使用されるレジストの周縁部分及び裏面部分の不要
レジストを洗浄除去するためのレジスト洗浄剤に関する
ものであり、液晶パネル及び半導体を歩留まり良く、効
率的に製造するために使用される。
するものであり、さらに詳しくは、液晶パネルのガラス
基材または半導体のシリコンウエハ等の基材上に微細加
工に使用されるレジストの周縁部分及び裏面部分の不要
レジストを洗浄除去するためのレジスト洗浄剤に関する
ものであり、液晶パネル及び半導体を歩留まり良く、効
率的に製造するために使用される。
【０００２】
【従来の技術】基材上にスピンコーターでレジストを塗
布した場合、液晶パネルガラス基材では周縁部分に、シ
リコンウエハ等では周縁部分と裏面部分に不要のレジス
トが付着したり盛り上がりができたりしていた。このよ
うな不要部分のレジストは次工程の熱処理の後、搬送等
により剥離し易くなる。このようにして剥離したレジス
トは塵埃になり、基材上に付着したりして歩留まりを落
とす原因になっていた。
布した場合、液晶パネルガラス基材では周縁部分に、シ
リコンウエハ等では周縁部分と裏面部分に不要のレジス
トが付着したり盛り上がりができたりしていた。このよ
うな不要部分のレジストは次工程の熱処理の後、搬送等
により剥離し易くなる。このようにして剥離したレジス
トは塵埃になり、基材上に付着したりして歩留まりを落
とす原因になっていた。
【０００３】このような問題を解決するために基材の周
縁部分又は裏面部分の不要レジストを予め除去すること
が行われている。除去するための溶剤としてはエチルセ
ロソルブアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン等が使用されていた。また、特公平４−４
９９３８号公報には、１−アルコキシ−２−プロパノー
ルおよび酢酸１−アルコキシ−２−プロピルを所定量含
有する剥離組成物が提案されており、特開平４−４２５
２３号公報には、３−メトキシプロピオン酸メチル、４
−メトキシ酪酸メチルなどのエステルを含有する溶剤が
提案されている。
縁部分又は裏面部分の不要レジストを予め除去すること
が行われている。除去するための溶剤としてはエチルセ
ロソルブアセテート、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン等が使用されていた。また、特公平４−４
９９３８号公報には、１−アルコキシ−２−プロパノー
ルおよび酢酸１−アルコキシ−２−プロピルを所定量含
有する剥離組成物が提案されており、特開平４−４２５
２３号公報には、３−メトキシプロピオン酸メチル、４
−メトキシ酪酸メチルなどのエステルを含有する溶剤が
提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、エチルセロ
ソルブアセテートは毒性に問題があり、ケトン類はアメ
リカ合衆国での使用制限により日本国においても使用を
抑える動きが出てきた。また、使用する洗浄剤によって
は洗浄部の盛り上がりができたり、染みや垂れが残る等
の問題もあった。本発明は、このような事情に鑑み、安
全性に優れ、染みや垂れの出ない良好なレジスト洗浄剤
の提供を目的とするものである。
ソルブアセテートは毒性に問題があり、ケトン類はアメ
リカ合衆国での使用制限により日本国においても使用を
抑える動きが出てきた。また、使用する洗浄剤によって
は洗浄部の盛り上がりができたり、染みや垂れが残る等
の問題もあった。本発明は、このような事情に鑑み、安
全性に優れ、染みや垂れの出ない良好なレジスト洗浄剤
の提供を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的に
対して種々検討したところ、グリコールジアルキルエー
テルを含有する溶剤が効果のあることを見いだし、本発
明に至った。すなわち、上記課題を解決するため請求項
１の発明のレジスト洗浄剤は、下記の一般式（１）で表
されるグリコールジアルキルエーテルを含有することを
特徴とするものである。
対して種々検討したところ、グリコールジアルキルエー
テルを含有する溶剤が効果のあることを見いだし、本発
明に至った。すなわち、上記課題を解決するため請求項
１の発明のレジスト洗浄剤は、下記の一般式（１）で表
されるグリコールジアルキルエーテルを含有することを
特徴とするものである。
【０００６】
【化２】
【０００７】（式中Ｒ1 及びＲ3 は、それぞれ低級アル
キル基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ
2 は水素若しくはメチル基を示す。ｎは１又は２であ
る。）
キル基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ
2 は水素若しくはメチル基を示す。ｎは１又は２であ
る。）
【０００８】本発明の請求項２の発明は、請求項１に記
載のレジスト洗浄剤において、さらに第２成分として炭
素数８以下のアルコール系溶剤を含有することを特徴と
するものである。
載のレジスト洗浄剤において、さらに第２成分として炭
素数８以下のアルコール系溶剤を含有することを特徴と
するものである。
【０００９】本発明の請求項３の発明は、請求項２に記
載のレジスト洗浄剤において、アルコール系溶剤がエタ
ノール、イソプロパノール、１−メトキシ−２−プロパ
ノールから選ばれる少なくとも１つであることを特徴と
する。
載のレジスト洗浄剤において、アルコール系溶剤がエタ
ノール、イソプロパノール、１−メトキシ−２−プロパ
ノールから選ばれる少なくとも１つであることを特徴と
する。
【００１０】本発明の請求項４の発明は、請求項２また
は請求項３に記載のレジスト洗浄剤において、さらに第
３成分としてエステルを含有することを特徴とする。
は請求項３に記載のレジスト洗浄剤において、さらに第
３成分としてエステルを含有することを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項５の発明は、請求項４に記
載のレジスト洗浄剤において、エステルが酢酸エチルで
あることを特徴とする。
載のレジスト洗浄剤において、エステルが酢酸エチルで
あることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明をさらに詳しく説明
する。本発明のレジスト洗浄剤には上記一般式（１）で
表されるグリコールジアルキルエーテルが含有されてい
る必要がある。このグリコールジアルキルエーテルとし
ては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
ジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエ
ーテル等が挙げられる。これらグリコールジアルキルエ
ーテルは単独で用いても良いし、二種以上を混合して用
いても良い。
する。本発明のレジスト洗浄剤には上記一般式（１）で
表されるグリコールジアルキルエーテルが含有されてい
る必要がある。このグリコールジアルキルエーテルとし
ては、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレン
グリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
ジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエ
ーテル等が挙げられる。これらグリコールジアルキルエ
ーテルは単独で用いても良いし、二種以上を混合して用
いても良い。
【００１３】本発明においては、上記一般式（１）のグ
リコールジアルキルエーテルにさらに第２成分としてア
ルコール系溶剤を添加することにより、第１成分のグリ
コールジアルキルエーテルによってはレジストを構成す
る基材樹脂である、ノボラック樹脂等の溶解性を著しく
向上させることができる。このアルコール系溶剤として
は、低級アルコール系溶剤が好ましく、具体的には、例
えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−
ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エ
トキシ−２−プロパノールなどを挙げることができる。
これらアルコール系溶剤は単独で用いても良いし、二種
以上を混合して用いても良い。炭素数の多いアルコール
系溶剤は、一般的に蒸発速度が遅く、基材上に残る可能
性があるので、炭素数８以下のアルコール系溶剤が望ま
しい。
リコールジアルキルエーテルにさらに第２成分としてア
ルコール系溶剤を添加することにより、第１成分のグリ
コールジアルキルエーテルによってはレジストを構成す
る基材樹脂である、ノボラック樹脂等の溶解性を著しく
向上させることができる。このアルコール系溶剤として
は、低級アルコール系溶剤が好ましく、具体的には、例
えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔｅｒｔ−
ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エ
トキシ−２−プロパノールなどを挙げることができる。
これらアルコール系溶剤は単独で用いても良いし、二種
以上を混合して用いても良い。炭素数の多いアルコール
系溶剤は、一般的に蒸発速度が遅く、基材上に残る可能
性があるので、炭素数８以下のアルコール系溶剤が望ま
しい。
【００１４】アルコール系溶剤の添加量は極わずか添加
しても効果はあるが、通常、１０〜９５％の範囲で混合
される。アルコール系溶剤がエタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールの場合にはアルコールの量が多いと感
光剤等の溶解力が低下するので望ましい添加量は２０〜
６０％である。アルコール系溶剤が１−メトキシ−２−
プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等の場
合にはエチルアルコール等の場合に比較して感光剤の溶
解力が低下しないことから望ましい添加量は６０〜９５
％である。
しても効果はあるが、通常、１０〜９５％の範囲で混合
される。アルコール系溶剤がエタノール、イソプロパノ
ール、ブタノールの場合にはアルコールの量が多いと感
光剤等の溶解力が低下するので望ましい添加量は２０〜
６０％である。アルコール系溶剤が１−メトキシ−２−
プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等の場
合にはエチルアルコール等の場合に比較して感光剤の溶
解力が低下しないことから望ましい添加量は６０〜９５
％である。
【００１５】さらに、本発明においては、総合的な洗浄
力及び染みや垂れを無くすために、一般式（１）で示さ
れる第１成分のグリコールジアルキルエーテルと第２成
分のアルコール系溶剤との混合物に、さらに第３成分と
してエステルを添加する。このエステルとしては、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピ
ル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸３−メチル−３−メ
トキシブチル、酢酸３−メトキシブチル、プロピオン酸
メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、
酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、３−メトキシ
プロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、２−メチル−３−メトキシプロピオ
ン酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。第３成
分のエステルの混合量は、少量でも良いが５〜９０％の
範囲で混合することができる。望ましい、混合範囲は第
３成分のエステルが５０〜８０％、第２成分のアルコー
ル系溶剤が１０〜３０％、第１成分のグリコールジアル
キルエーテルが５〜２０％である。
力及び染みや垂れを無くすために、一般式（１）で示さ
れる第１成分のグリコールジアルキルエーテルと第２成
分のアルコール系溶剤との混合物に、さらに第３成分と
してエステルを添加する。このエステルとしては、酢酸
メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピ
ル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸３−メチル−３−メ
トキシブチル、酢酸３−メトキシブチル、プロピオン酸
メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、
酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、３−メトキシ
プロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、２−メチル−３−メトキシプロピオ
ン酸メチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル等を挙げることができる。第３成
分のエステルの混合量は、少量でも良いが５〜９０％の
範囲で混合することができる。望ましい、混合範囲は第
３成分のエステルが５０〜８０％、第２成分のアルコー
ル系溶剤が１０〜３０％、第１成分のグリコールジアル
キルエーテルが５〜２０％である。
【００１６】本発明で除去されるレジストは特に制限さ
れるものではないが、一般的にポジ型フォトレジストが
有用である。ポジ型レジストとしては感光剤としてナフ
トキノンジアジド化合物、被膜形成物質としてフェノー
ル、クレゾール等をアルデヒド等で縮合したノボラック
樹脂等から成るレジスト組成物または酸発生剤とポリビ
ニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化変成
した樹脂から成る、いわゆる、化学増幅型ポジ型レジス
ト組成物が挙げられる。また、化学増幅型ポジ型レジス
トを使用する場合には微細加工を行うために、ポリイミ
ド、ポリメラミン、ポリビニルフェノール等の反射防止
膜を併用して使用される。本発明のレジスト洗浄剤はこ
の反射防止膜の基材周縁部分の洗浄にも有用である。
れるものではないが、一般的にポジ型フォトレジストが
有用である。ポジ型レジストとしては感光剤としてナフ
トキノンジアジド化合物、被膜形成物質としてフェノー
ル、クレゾール等をアルデヒド等で縮合したノボラック
樹脂等から成るレジスト組成物または酸発生剤とポリビ
ニルフェノールをｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル化変成
した樹脂から成る、いわゆる、化学増幅型ポジ型レジス
ト組成物が挙げられる。また、化学増幅型ポジ型レジス
トを使用する場合には微細加工を行うために、ポリイミ
ド、ポリメラミン、ポリビニルフェノール等の反射防止
膜を併用して使用される。本発明のレジスト洗浄剤はこ
の反射防止膜の基材周縁部分の洗浄にも有用である。
【００１７】本発明のレジスト洗浄剤は、スピンコータ
ーで塗布された基材周縁部分及び裏面部分の洗浄に使用
されるものである。レジストはスピンコーターで回転さ
れたガラス基材、シリコンウエハ基材上に滴下され、遠
心力により塗布されるが、この時、周辺部分にはレジス
トの盛り上がりができ、縁部分及び裏面には次工程の熱
処理により剥離する不要なレジストが付着する。このよ
うな、周縁部分及び裏面部分のレジストを洗浄するため
に本発明のレジスト洗浄剤が使用される。
ーで塗布された基材周縁部分及び裏面部分の洗浄に使用
されるものである。レジストはスピンコーターで回転さ
れたガラス基材、シリコンウエハ基材上に滴下され、遠
心力により塗布されるが、この時、周辺部分にはレジス
トの盛り上がりができ、縁部分及び裏面には次工程の熱
処理により剥離する不要なレジストが付着する。このよ
うな、周縁部分及び裏面部分のレジストを洗浄するため
に本発明のレジスト洗浄剤が使用される。
【００１８】尚、本発明のレジスト洗浄剤は、スピンコ
ーターでレジストを基材に塗布したときに飛び散り、カ
ップ等に付着するが、このレジストの洗浄にも有効に使
用することができる。
ーターでレジストを基材に塗布したときに飛び散り、カ
ップ等に付着するが、このレジストの洗浄にも有効に使
用することができる。
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を更に具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例にのみ制限されるもので
はない。
するが、本発明は以下の実施例にのみ制限されるもので
はない。
【００２０】（実施例１〜８）レジストを構成する樹脂
であるノボラック樹脂（ＣＫＭ−９５７ 昭和高分子社
製）の溶解テストを実施した。第１成分のグリコールジ
アルキルエーテル単独若しくは第２成分のアルコール系
溶剤を表１に示す割合で添加して評価した。溶解テスト
は以下のように実施した。本発明のレジスト洗浄剤（実
施例１〜８）２０ｇを５０ｍｌ三角フラスコにとり、マ
グネティックスターラーで攪拌しながら３０℃の恒温槽
につけ３０分間放置した。これに、ノボラック樹脂４ｇ
を添加、すばやくふたをし、完全に溶解するまでの時間
を測定した。そのテスト結果を表１に示した。
であるノボラック樹脂（ＣＫＭ−９５７ 昭和高分子社
製）の溶解テストを実施した。第１成分のグリコールジ
アルキルエーテル単独若しくは第２成分のアルコール系
溶剤を表１に示す割合で添加して評価した。溶解テスト
は以下のように実施した。本発明のレジスト洗浄剤（実
施例１〜８）２０ｇを５０ｍｌ三角フラスコにとり、マ
グネティックスターラーで攪拌しながら３０℃の恒温槽
につけ３０分間放置した。これに、ノボラック樹脂４ｇ
を添加、すばやくふたをし、完全に溶解するまでの時間
を測定した。そのテスト結果を表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から第１成分のグリコールジアルキル
エーテル単独でも十分溶解するが、第１成分のグリコー
ルジアルキルエーテルがジプロピレングリコールジメチ
ルエーテル（ＤＰＧＤＭ）の場合は、第２成分のアルコ
ール系溶剤を混合すると（実施例４〜８）、ジプロピレ
ングリコールジメチルエーテル（ＤＰＧＤＭ）単独の場
合（実施例３）よりも著しく溶解時間が短くなることが
判る。
エーテル単独でも十分溶解するが、第１成分のグリコー
ルジアルキルエーテルがジプロピレングリコールジメチ
ルエーテル（ＤＰＧＤＭ）の場合は、第２成分のアルコ
ール系溶剤を混合すると（実施例４〜８）、ジプロピレ
ングリコールジメチルエーテル（ＤＰＧＤＭ）単独の場
合（実施例３）よりも著しく溶解時間が短くなることが
判る。
【００２３】（実施例９〜１０）表２に示す割合で第１
成分のグリコールジアルキルエーテルおよび第２成分の
アルコール系溶剤を配合した本発明のレジスト洗浄剤
（実施例９〜１０）を用いて、４インチシリコンウエハ
上でのレジストの周縁部分の洗浄を行った。スピンコー
ター上でノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド感光
剤、酢酸１−メトキシ−２−プロピルから成るレジスト
を２μｍに均一に塗った後、回転数を２０００ｒｐｍに
保った。これに、本発明のレジスト洗浄剤（実施例９〜
１０）を用いて内径０．２１ｍｍのノズルから流量４ｍ
ｌ／分で上部から５秒間シリコンウエハの周縁部分を洗
浄した。このシリコンウエハを熱処理した後、周縁部分
を顕微鏡で拡大し洗浄性評価を行った。レジスト部分の
盛り上がりや、また、シリコンウエハ被洗浄部分のレジ
ストの垂れまたは染みがあるとその後の工程においてそ
れらは剥離され、塵埃になるので、周縁部分の洗浄工程
において全くなくなることが望ましい。洗浄前は著しく
周縁部分にレジストの盛り上がりがあるが、洗浄後には
どのようになったのかを次のような基準で評価した。
成分のグリコールジアルキルエーテルおよび第２成分の
アルコール系溶剤を配合した本発明のレジスト洗浄剤
（実施例９〜１０）を用いて、４インチシリコンウエハ
上でのレジストの周縁部分の洗浄を行った。スピンコー
ター上でノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド感光
剤、酢酸１−メトキシ−２−プロピルから成るレジスト
を２μｍに均一に塗った後、回転数を２０００ｒｐｍに
保った。これに、本発明のレジスト洗浄剤（実施例９〜
１０）を用いて内径０．２１ｍｍのノズルから流量４ｍ
ｌ／分で上部から５秒間シリコンウエハの周縁部分を洗
浄した。このシリコンウエハを熱処理した後、周縁部分
を顕微鏡で拡大し洗浄性評価を行った。レジスト部分の
盛り上がりや、また、シリコンウエハ被洗浄部分のレジ
ストの垂れまたは染みがあるとその後の工程においてそ
れらは剥離され、塵埃になるので、周縁部分の洗浄工程
において全くなくなることが望ましい。洗浄前は著しく
周縁部分にレジストの盛り上がりがあるが、洗浄後には
どのようになったのかを次のような基準で評価した。
【００２４】◎：レジスト部分に盛り上がりが全くな
く、またシリコンウエハ被洗浄部分にレジストの染みあ
るいは垂れも全くない。洗浄性は非常に良い。 ○：レジスト部分の盛り上がりがわずかにあるか、シリ
コンウエハ被洗浄部分へのレジストの染みあるいは垂れ
がわずかにある。洗浄性に問題はない。 △：レジスト部分の盛り上がりがあり、シリコンウエハ
被洗浄部分へのレジストの染みあるいは垂れがある。場
合によっては塵埃の原因になる。 洗浄性評価の結果を表２に示す。
く、またシリコンウエハ被洗浄部分にレジストの染みあ
るいは垂れも全くない。洗浄性は非常に良い。 ○：レジスト部分の盛り上がりがわずかにあるか、シリ
コンウエハ被洗浄部分へのレジストの染みあるいは垂れ
がわずかにある。洗浄性に問題はない。 △：レジスト部分の盛り上がりがあり、シリコンウエハ
被洗浄部分へのレジストの染みあるいは垂れがある。場
合によっては塵埃の原因になる。 洗浄性評価の結果を表２に示す。
【００２５】（比較例１〜２）１−メトキシ−２−プロ
パノール単独の場合（比較例１）および酢酸エチル単独
の場合（比較例２）を用いて実施例９〜１０と同様にし
て、４インチシリコンウエハ上でのレジストの周縁部分
の洗浄を行い、洗浄性評価を行った。洗浄性評価の結果
を表２に示す。
パノール単独の場合（比較例１）および酢酸エチル単独
の場合（比較例２）を用いて実施例９〜１０と同様にし
て、４インチシリコンウエハ上でのレジストの周縁部分
の洗浄を行い、洗浄性評価を行った。洗浄性評価の結果
を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２から、第１成分のグリコールジアルキ
ルエーテルおよび第２成分のアルコール系溶剤を配合し
た本発明のレジスト洗浄剤（実施例９）より、本発明の
レジスト洗浄剤（実施例９）にさらに第３成分のエステ
ルを添加した本発明のレジスト洗浄剤（実施例１０）は
洗浄性が向上し、また、本発明のレジスト洗浄剤（実施
例９）および本発明のレジスト洗浄剤（実施例９）は、
アルコール単独の場合（比較例１）及びエステル単独の
場合（比較例２）に比べて著しく洗浄結果が良く、良好
なレジスト洗浄剤であることが判る。
ルエーテルおよび第２成分のアルコール系溶剤を配合し
た本発明のレジスト洗浄剤（実施例９）より、本発明の
レジスト洗浄剤（実施例９）にさらに第３成分のエステ
ルを添加した本発明のレジスト洗浄剤（実施例１０）は
洗浄性が向上し、また、本発明のレジスト洗浄剤（実施
例９）および本発明のレジスト洗浄剤（実施例９）は、
アルコール単独の場合（比較例１）及びエステル単独の
場合（比較例２）に比べて著しく洗浄結果が良く、良好
なレジスト洗浄剤であることが判る。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、エチルセロソルブアセテー
ト、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
に変わる、新規なレジスト洗浄剤を提供するものであ
り、本発明のレジスト洗浄剤を用いると洗浄後の基材に
染みや垂れを残さず、良好な洗浄を行うことができる。
ト、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
に変わる、新規なレジスト洗浄剤を提供するものであ
り、本発明のレジスト洗浄剤を用いると洗浄後の基材に
染みや垂れを残さず、良好な洗浄を行うことができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の一般式（１）で表されるグリコー
ルジアルキルエーテルを含有することを特徴とするレジ
スト洗浄剤。 【化１】 （式中Ｒ1 及びＲ3 は、それぞれ低級アルキル基であ
り、同一であっても異なっていても良い。Ｒ2 は水素若
しくはメチル基を示す。ｎは１又は２である。） - 【請求項２】 さらに第２成分として炭素数８以下のア
ルコール系溶剤を含有することを特徴とする請求項１に
記載のレジスト洗浄剤。 - 【請求項３】 アルコール系溶剤がエタノール、イソプ
ロパノール、１−メトキシ−２−プロパノールから選ば
れる少なくとも１つであることを特徴とする請求項２に
記載のレジスト洗浄剤。 - 【請求項４】 さらに第３成分としてエステルを含有す
ることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のレ
ジスト洗浄剤。 - 【請求項５】 エステルが酢酸エチルであることを特徴
とする請求項４に記載のレジスト洗浄剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34800997A JPH11174691A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | レジスト洗浄剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34800997A JPH11174691A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | レジスト洗浄剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11174691A true JPH11174691A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18394129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34800997A Pending JPH11174691A (ja) | 1997-12-17 | 1997-12-17 | レジスト洗浄剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11174691A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005514661A (ja) * | 2002-01-11 | 2005-05-19 | クラリアント インターナショナル リミテッド | ポジ型またはネガ型フォトレジスト用の洗浄剤組成物 |
| JP2005284257A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Daicel Chem Ind Ltd | リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液 |
| JP2008071984A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Tokyo Electron Ltd | 露光・現像処理方法 |
| JP2011049386A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
| KR101157667B1 (ko) | 2004-03-03 | 2012-06-20 | 가부시끼가이샤 다이셀 | 리소그래피용 세정제 및 린스액 |
-
1997
- 1997-12-17 JP JP34800997A patent/JPH11174691A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4626978B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2011-02-09 | ダイセル化学工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液 |
| KR101157667B1 (ko) | 2004-03-03 | 2012-06-20 | 가부시끼가이샤 다이셀 | 리소그래피용 세정제 및 린스액 |
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| JP2011049386A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 集積回路装置の製造方法 |
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