JP2007294693A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】埋め込み酸化膜3を有する同一のSOI基板10に、少なくとも横型MOSトランジスタLTr1とバイポーラトランジスタBTrが形成されてなる半導体装置であって、埋め込み酸化膜3上の第1導電型(n)からなるSOI層1aに、横型MOSトランジスタLTr1とバイポーラトランジスタBTr1が、それぞれ、埋め込み酸化膜3に達する絶縁分離トレンチTにより取り囲まれて配置され、少なくとも横型MOSトランジスタLTr1の配置領域を除いて、第1導電型(n)でSOI層1aより高濃度の第1半導体層1bが、埋め込み酸化膜3上に当接して形成されてなる半導体装置100とする。
【選択図】図1
Description
前記横型MOSトランジスタの配置領域において、第2導電型の第2半導体層が、前記埋め込み酸化膜上に当接して形成されてなることが好ましい。
10 SOI基板
1a SOI層
1b 第1半導体層
1d,1e 第2半導体層
2 支持基板
3 埋め込み酸化膜
T 絶縁分離トレンチ
LTr1〜LTr4 横型MOSトランジスタ
BTr1,BTr2 バイポーラトランジスタ
F フィールド領域
Claims (8)
- 埋め込み酸化膜を有する同一のSOI基板に、少なくとも横型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、
前記埋め込み酸化膜上の第1導電型からなるSOI層に、前記横型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタが、それぞれ、前記埋め込み酸化膜に達する絶縁分離トレンチにより取り囲まれて配置され、
少なくとも前記横型MOSトランジスタの配置領域を除いて、第1導電型で前記SOI層より高濃度の第1半導体層が、前記埋め込み酸化膜上に当接して形成されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記横型MOSトランジスタが、第1導電型をチャネルとするRESURF構造の横型MOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記横型MOSトランジスタの配置領域において、第2導電型の第2半導体層が、前記埋め込み酸化膜上に当接して形成されてなることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 埋め込み酸化膜を有する同一のSOI基板に、少なくとも横型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、
前記横型MOSトランジスタが、第2導電型をチャネルとするRESURF構造の横型MOSトランジスタであり、
前記埋め込み酸化膜上の第1導電型からなるSOI層に、前記横型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタが、それぞれ、前記埋め込み酸化膜に達する絶縁分離トレンチにより取り囲まれて配置されてなることを特徴とする半導体装置。 - 埋め込み酸化膜を有する同一のSOI基板に、少なくとも横型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタが形成されてなる半導体装置であって、
前記埋め込み酸化膜上の第1導電型からなるSOI層に、前記横型MOSトランジスタとバイポーラトランジスタが、それぞれ、前記埋め込み酸化膜に達する絶縁分離トレンチにより取り囲まれて配置され、
少なくとも前記横型MOSトランジスタの配置領域を除いて、第2導電型の第2半導体層が、前記埋め込み酸化膜上に当接して形成されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記埋め込み酸化膜に達する絶縁分離トレンチに取り囲まれて、前記SOI層からなるフィールド領域が形成され、
前記横型MOSトランジスタを取り囲む前記フィールド領域を除いて、前記第1半導体層または前記第2半導体層が形成されてなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記フィールド領域が、多重に形成されてなり、
前記多重のフィールド領域を除いて、前記第1半導体層または前記第2半導体層が形成されてなることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記多重のフィールド領域のうち、所定のフィールド領域が、所定の電源電位に固定され、
前記多重のフィールド領域のうち、所定のフィールド領域が、グランド(GND)電位に固定され、
複数個の前記横型MOSトランジスタが、前記電源電位フィールド領域と前記GND電位フィールド領域間のフィールド領域に分散配置され、
前記複数個の横型MOSトランジスタが、前記GND電位と電源電位の間で、順次直列接続されてなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006121220A JP4793078B2 (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006121220A JP4793078B2 (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体装置 |
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JP2007294693A true JP2007294693A (ja) | 2007-11-08 |
JP4793078B2 JP4793078B2 (ja) | 2011-10-12 |
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ID=38765011
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006121220A Expired - Fee Related JP4793078B2 (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP4793078B2 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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