JP2007242943A - Mos型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】トレンチ4形成後にゲート酸化膜5を形成し、その上にノンドープのポリシリコン層6を堆積する。さらにその上にシリコン窒化膜7を堆積し、前記トレンチ底部と基板表面のシリコン窒化膜をエッチング除去して開口する。露出した前記ポリシリコン層を熱酸化しトレンチ底部のゲート酸化膜を厚膜化してトレンチゲート構造を形成するMOS型半導体装置の製造方法とする。
【選択図】 図4
Description
2、 高抵抗シリコンエピタキシャル層
3、 pウエル領域
4、 トレンチ
5、 シリコン酸化膜
6、 ポリシリコン層
7、 シリコン窒化膜
8、 ドープドポリシリコン層(ゲート電極)
9、 ソース領域
11、 層間絶縁膜
12、 ソース電極。
Claims (4)
- 半導体基板の一面から第一導電型ウエル層を貫通して第2導電型高抵抗層に達するトレンチを形成する工程と、該トレンチ内にゲート酸化膜、ポリシリコン層、シリコン窒化膜を順次形成する工程と、トレンチ内の底部と半導体基板表面とに形成されている前記シリコン窒化膜を除去して前記ポリシリコン層を露出させる工程と、露出したポリシリコン層を酸化してシリコン酸化膜にする工程と、トレンチ側壁に形成されているシリコン窒化膜とポリシリコン層を除去する工程と、前記トレンチ内にドープドポリシリコンを埋め込む工程とを含むトレンチゲート構造の作成工程を有することを特徴とするMOS型半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチ内にドープドポリシリコンを埋め込む工程の前にCVD酸化膜を形成する工程を行うことを特徴とする請求項1記載のMOS型半導体装置の製造方法。
- 半導体基板として半導体シリコンを用いることを特徴とする請求項1または2記載のMOS型半導体装置の製造方法。
- 半導体基板として半導体炭化珪素を用いることを特徴とする請求項1または2記載のMOS型半導体装置の製造方法。
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