KR101057651B1 - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101057651B1
KR101057651B1 KR1020080116725A KR20080116725A KR101057651B1 KR 101057651 B1 KR101057651 B1 KR 101057651B1 KR 1020080116725 A KR1020080116725 A KR 1020080116725A KR 20080116725 A KR20080116725 A KR 20080116725A KR 101057651 B1 KR101057651 B1 KR 101057651B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
oxide
semiconductor device
film
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020080116725A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100058055A (ko
Inventor
고광영
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020080116725A priority Critical patent/KR101057651B1/ko
Priority to US12/623,803 priority patent/US8022483B2/en
Publication of KR20100058055A publication Critical patent/KR20100058055A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101057651B1 publication Critical patent/KR101057651B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
    • H01L29/66659—Lateral single gate silicon transistors with asymmetry in the channel direction, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
    • H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
    • H01L29/0653—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps adjoining the input or output region of a field-effect device, e.g. the source or drain region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/66681—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
    • H01L29/66689—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors with a step of forming an insulating sidewall spacer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's
    • H01L29/7835—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's with asymmetrical source and drain regions, e.g. lateral high-voltage MISFETs with drain offset region, extended drain MISFETs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0856—Source regions
    • H01L29/086—Impurity concentration or distribution
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
    • H01L29/0847—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/0852—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate of DMOS transistors
    • H01L29/0873—Drain regions
    • H01L29/0878—Impurity concentration or distribution

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

반도체 소자의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판에 불순물을 주입하여 웰 영역을 구비하는 단계와, 웰 영역의 상부 일측에 불순물을 주입하여 드리프트 영역을 형성하는 단계와, 드리프트 영역 일부를 산화시켜 산화막을 형성하는 단계와, 산화막을 제거하는 단계와, 드리프트 영역의 양측에 트렌치를 형성하는 단계와, 반도체 기판 상에 절연물질을 증착하는 단계 및 반도체 기판 상의 절연물질을 식각하여 트렌치 내에 소자 분리막을 형성하고, 산화막이 제거된 영역 내에 옥사이드 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
옥사이드, STI, LOCOS

Description

반도체 소자의 제조방법{SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING FOR THE SAME}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 0.25㎛이하의 디자인-룰로 제조되는 최근의 반도체 제조 공정에서는 트렌치(trench) 소자 분리 방법이 거론되어 오고 있다. 즉, 반도체 기판을 부분적으로 식각하여 소자들 사이에 소정의 트렌치를 형성하여 소자 분리하는 트렌치 기법이 적용되고 있다.
최근에는 소자 분리시 실리콘 기판을 국부적으로 식각하여 트렌치를 형성한 후에 절연막(예를 들어, 산화막)을 증착하고, 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing:CMP) 공정에 의해 액티브 영역 위의 절연막을 식각하여 필드 영역에만 절연막이 잔존하도록 하는 얕은 트렌치 분리(STI)기법이 주로 이용되고 있다.
그러나, 일반적인 STI의 경우 도 1에 도시된 바와 같이 상기 STI의 선형적인 모양으로 인하여 실리콘 부분 산화법(Local Oxidation of Silicon:이하 LOCOS라 함)을 사용하는 소자에 비해 전류 경로(current path)가 증가하게 되어 ON 저항이 증가하게 된다.
또한, STI 공정을 위해 N-드리프트 영역을 트렌치 타입으로 실리콘을 에치하기 때문에 N-드리프트 영역의 표면 농도가 감소하게 되어 역시 ON 저항의 증가를 불러일으키게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 저항의 증가없이 N-드리프트 영역의 표면 농도를 높게 유지하고, 전류 경로를 줄일 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
삭제
상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체 기판에 불순물을 주입하여 웰 영역을 구비하는 단계와, 웰 영역의 상부 일측에 불순물을 주입하여 드리프트 영역을 형성하는 단계와, 드리프트 영역 일부를 산화시켜 산화막을 형성하는 단계와, 산화막을 제거하는 단계와, 드리프트 영역의 양측에 트렌치를 형성하는 단계와, 반도체 기판 상에 절연물질을 증착하는 단계 및 반도체 기판 상의 절연물질을 식각하여 트렌치 내에 소자 분리막을 형성하고, 산화막이 제거된 영역 내에 옥사이드 영역을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 실리콘 표면 내에 끝부분이 둥근 구조의 STI를 형성함으로써, 전류 경로를 감소시켜 ON 저항을 낮추고, 실리콘 표면을 에치하지 않고, Oxidation을 통하여 단차를 형성함으로써, N-드리프트 영역의 표면 농도를 유지함으로써, ON 저항을 낮출 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 기술적 과제 및 특징들은 첨부된 도면 및 실시예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 본 발명을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 2g를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자에 관하여 상세히 설명한다.
도 2g는 본 발명의 일실시예에 의하여 STI 영역을 포함한 LDMOS(Lateral double MOS) 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 2g에 도시된 바와 같이, 본 발명의 LDMOS 트랜지스터의 구성은 반도체 기판(100) 내에 N형으로 도핑된 N웰 영역(200)이 형성되어 있다.
N웰 영역(200)의 표면에 필드 절연막(210 및 220)이 형성되어 있고, 필드 절연막(210) 일측의 N웰 영역(200) 내에 P형으로 도핑된 P형 바디영역(230) 및 N형으로 도핑된 N-드리프트 영역(240)이 형성되어 있으며, P형 바디영역(230) 표면 내에 고농도 P+ 불순물로 도핑된 소오스 콘택 영역(250)이 형성되어 있다.
소오스 콘택 영역(250)에 인접한 P형 바디 영역(230)의 표면 내에 고농도 N+ 불순물로 도핑된 소오스 영역(260)과, 소오스 영역(260)과 이격되어 필드 절연 막(210) 타측의 N웰 영역(200)의 표면 내에 드레인 영역(270)이 형성되어 있다.
반도체 기판(100) 상에는 게이트 전극(290)이 형성되어 있고, N-드리프트 영역(240)의 표면에는 내압특성 향상을 위한 필드 절연층(280)이 형성되어 있다.
여기서, 필드 절연층(280)은 N-드리프트 영역(240) 내에 끝부분이 둥근 형태로 형성되기 때문에 종래의 선형적인 STI 보다 전류 경로(current path)를 감소시킬 수 있고, 따라서 ON 저항을 줄이게 할 수 있다.
또한, 필드 절연층(280)은 실리콘 표면을 에치하지 않고, 옥시데이션(Oxidation)하여 형성된 산화막을 옥사이드를 HF를 이용하여 제거하고, 상기 산화막이 제거된 영역에 STI 물질을 매립했기 때문에 N-드리프트 영역(240)의 표면 농도를 높게 유지하여 역시 ON 저항을 낮게 할 수 있다.
이하, 도 2a 내지 도 2g를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, P형 반도체 기판(100) 상에 N웰 영역(200)을 형성하고, N웰 영역(200) 내에 P형 바디영역(230)을 형성한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, ISO 질화막(232) 및 포토레지스트 패턴(234)을 마스크로 N웰 영역(200) 상측에 N형 도펀트를 주입하여 N-드리프트 영역(240)을 형성한다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(234)을 제거하고, ISO 질화막(232)을 마스크로 하여 N-드리프트 영역(240)의 상부에 개방된 부분을 산화(Oxidation)시켜 산화막(236)을 형성한다.
즉, 산화막(236)은 일반적인 로코스(LOCOS) 형성 방법과 동일하게 형성된다. 따라서, 산화막(236)은 N-드리프트 영역(240) 내에 끝이 둥근 모양으로 형성되게 된다.
도 2d에 도시된 바와 같이, STI(210 및 220)를 형성할 부분의 ISO 질화막(232)을 패터닝한 후, 기판의 일부를 식각한다.
그리고, 산화막(236)을 HF 가스, 증기 및 N2 가스를 이용하여 제거한다. 이러한 방법으로 산화막(236)이 제거되고 남은 영역은 N-드리프트 영역(240) 내에 끝이 둥근 모양으로 남게된다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100) 전면에 SiO2 등의 실리콘 산화물(238)을 증착한다.
도 2f에 도시된 바와 같이, 실리콘 산화물(238)을 화학 기계적 연마 공정(CMP)에 의해 ISO 질화막(232)의 상부까지 식각하고, 습식 공정에 의해 ISO 질화막(232) 하부까지 식각하여 제거한다.
그러면, N-드리프트 영역(240) 내에 산화막(236)이 제거된 영역에는 STI 절연 물질이 채워져 옥사이드 영역(280)이 형성된다. 옥사이드 영역(280)은 종래의 STI보다 두께가 얇고, 끝이 둥글게 형성됨으로써, 옥사이드 영역(280) 하부에 형성되는 전류 경로의 길이가 단축될 수 있다. 또한, N-드리프트 영역(240)의 표면 농도를 STI를 형성했을때보다 높게 유지함으로써, ON 저항을 낮출 수 있다.
도 2g에 도시된 바와 같이, N웰 영역(200)과 N-드리프트 영역(240) 상에 게 이트 패턴(290)을 형성한다.
게이트 산화막과 폴리 실리콘 등으로 형성된 게이트 패턴(290)을 덮도록 산화물로 이루어진 캡핑층(미도시)을 형성하고, 이와 같이 형성된 캡핑층 상에 소정의 포토레지스트 패턴(미도시)을 구비하며, 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 기판에 도펀트를 이온주입하여, 소스로 형성될 영역에 얕게 N+ 도펀트와 P+ 도펀트가 도핑된 소스 영역을 형성하고, 드레인으로 형성될 영역에 얕게 일부 도핑된 N+ 영역을 형성한다.
이후, 게이트 패턴(290)의 전면에 실리콘 질화막을 증착하고, 에치백 공정을 통해 게이트 패턴(290)의 측벽에 질화막의 스페이서를 형성한다. 물론, 캡핑층에 대해 실리사이드 공정을 수행하여 캡핑층의 일부 영역을 실리사이드화할 수 있다.
도 1은 일반적인 STI 구조를 포함하는 반도체 소자의 단면도.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정 단면도.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 반도체 기판에 불순물을 주입하여 웰 영역을 구비하는 단계;
    상기 웰 영역의 상부 일측에 불순물을 주입하여 드리프트 영역을 형성하는 단계;
    상기 드리프트 영역 일부를 산화시켜 산화막을 형성하는 단계;
    상기 산화막을 제거하는 단계;
    상기 드리프트 영역의 양측에 트렌치를 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판 상에 절연물질을 증착하는 단계; 및
    상기 반도체 기판 상의 절연물질을 식각하여 상기 트렌치 내에 소자 분리막을 형성하고, 상기 산화막이 제거된 영역 내에 옥사이드 영역을 형성하는 단계;
    를 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반도체 기판 상에 ISO 질화막 및 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 드리프트 영역에 LOCOS를 형성하는 공정과 동일한 공정으로 상기 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연물질을 식각하는 단계는
    상기 ISO 질화막의 상부까지는 화학 기계적 연마 공정으로 식각함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연 물질을 식각하는 단계는
    상기 ISO 질화막의 하부까지는 습식 식각으로 식각함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 산화막은
    HF 가스, 증기 및 N2 가스를 이용하여 제거함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 옥사이드 영역은
    상기 소자 분리막보다 두께가 얇고, 상기 소자 분리막의 하부보다 하부의 모양이 둥글게 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
KR1020080116725A 2008-11-24 2008-11-24 반도체 소자의 제조방법 KR101057651B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080116725A KR101057651B1 (ko) 2008-11-24 2008-11-24 반도체 소자의 제조방법
US12/623,803 US8022483B2 (en) 2008-11-24 2009-11-23 Semiconductor and manufacturing method for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080116725A KR101057651B1 (ko) 2008-11-24 2008-11-24 반도체 소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100058055A KR20100058055A (ko) 2010-06-03
KR101057651B1 true KR101057651B1 (ko) 2011-08-18

Family

ID=42195432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080116725A KR101057651B1 (ko) 2008-11-24 2008-11-24 반도체 소자의 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8022483B2 (ko)
KR (1) KR101057651B1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101531884B1 (ko) * 2009-01-06 2015-06-26 주식회사 동부하이텍 수평형 디모스 트랜지스터
US20110169079A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-14 Broadcom Corporation Semiconductor device having an overlapping multi-well implant and method for fabricating same
JP5492610B2 (ja) * 2010-03-11 2014-05-14 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101867953B1 (ko) * 2011-12-22 2018-06-18 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 반도체 소자의 형성 방법
US8853783B2 (en) * 2012-01-19 2014-10-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. ESD protection circuit
KR101899556B1 (ko) 2012-02-03 2018-10-04 에스케이하이닉스 시스템아이씨 주식회사 Ｂｃｄｍｏｓ 소자 및 그 제조방법
US9064894B2 (en) * 2012-08-08 2015-06-23 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Stress enhanced high voltage device
DE102014204494B4 (de) 2013-03-14 2023-09-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Vorrichtung mit ESD-Schutzschaltung
CN104377242A (zh) * 2013-08-12 2015-02-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Ldmos器件及其制造方法
CN103413818B (zh) * 2013-08-30 2015-11-11 格科微电子（上海）有限公司 图像传感器及其制作方法
CN104638001B (zh) * 2013-11-12 2017-10-27 上海华虹宏力半导体制造有限公司 射频ldmos器件及工艺方法
CN104659092A (zh) * 2013-11-21 2015-05-27 联华电子股份有限公司 半导体结构
JP6383325B2 (ja) * 2014-06-27 2018-08-29 株式会社東芝 半導体装置
CN111354644A (zh) * 2020-04-10 2020-06-30 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Ldmos器件及其制造方法
CN111668299B (zh) * 2020-07-24 2024-02-09 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Ldmos器件的制造方法
CN112447854B (zh) * 2020-11-27 2023-03-07 华虹半导体(无锡)有限公司 Esd器件和包含其的集成电路
CN114429983A (zh) * 2022-04-01 2022-05-03 北京芯可鉴科技有限公司 高压横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100607794B1 (ko) 2003-12-31 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 횡형 디모스 소자

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1591800A (zh) * 2003-09-01 2005-03-09 上海宏力半导体制造有限公司 改善高压元件结构的制造方法
KR100859486B1 (ko) 2006-09-18 2008-09-24 동부일렉트로닉스 주식회사 고전압용 정전기 방전 보호 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100607794B1 (ko) 2003-12-31 2006-08-02 동부일렉트로닉스 주식회사 횡형 디모스 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US8022483B2 (en) 2011-09-20
US20100127321A1 (en) 2010-05-27
KR20100058055A (ko) 2010-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101057651B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
US7399679B2 (en) Narrow width effect improvement with photoresist plug process and STI corner ion implantation
TWI484567B (zh) 半導體結構與其製造方法
US7071515B2 (en) Narrow width effect improvement with photoresist plug process and STI corner ion implantation
CN107799591B (zh) Ldmos及其形成方法
JP4027447B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US8338908B2 (en) Semiconductor device
JP5341639B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8592284B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006032958A (ja) 低および高電圧トランジスタを備える半導体デバイスのための方法および装置
JP2005252268A (ja) ベリード酸化膜を具備する半導体装置の製造方法及びこれを具備する半導体装置
JP2009283784A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009130357A (ja) トレンチｍｏｓｆｅｔ及びその製造方法
EP1953827A2 (en) High voltage transistor and method of manufacturing the same
US7569480B2 (en) Semiconductor devices and methods of fabricating the same
US8310004B2 (en) Semiconductor device and process for producing the same
US9349815B2 (en) Semiconductor structure and a fabricating method thereof
JP4223026B2 (ja) 半導体装置
KR100853799B1 (ko) 트렌치 게이트 반도체 소자 및 그의 제조 방법
KR101097469B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
JP4532857B2 (ja) シャロートレンチ分離構造を有する半導体装置の製造方法
US11735657B2 (en) Method for fabricating transistor structure
WO2023108789A1 (zh) 一种半导体器件及其制造方法
JP2006210668A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR100880838B1 (ko) 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140715

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150707

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160713

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170721

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180711

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 9