JP2018515927A - 複数遮蔽トレンチゲートfet - Google Patents
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Abstract
Description
Appels, et al. "Thin layer High Voltage Device" Philips J, Res. 351-13, 1980
Claims (20)
- 半導体デバイスであって、
半導体材料を含む基板、
前記基板の前記半導体材料において配置される、垂直金属酸化物半導体(MOS)トランジスタのドレイン領域、
前記ドレイン領域の上方の前記半導体材料において配置される、前記垂直MOSトランジスタの垂直ドリフト領域、
前記垂直ドリフト領域における前記基板において配置されるトレンチ、
前記トレンチにおいて配置される誘電体ライナー、
前記誘電体ライナーの上方の前記トレンチにおいて配置される、前記垂直MOSトランジスタのゲート誘電体層、
前記ゲート誘電体層に接触する前記トレンチにおいて配置される、前記垂直MOSトランジスタのトレンチゲート、
前記垂直ドリフト領域の上方の前記基板において配置される、前記垂直MOSトランジスタのボディ、および、
前記トレンチにおいて配置され、前記誘電体ライナーによって前記基板から分離される、複数のフィールドプレートセグメント、
を含み、
前記複数のフィールドプレートセグメントが、前記トレンチの底部における下部フィールドプレートセグメントと、前記下部フィールドプレートセグメントの上方および前記トレンチゲートの下方に配置される、上部フィールドプレートセグメントとを含み、
前記下部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの側壁上に配置される前記誘電体ライナーが、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの前記側壁上に配置される前記誘電体ライナーより厚く、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの前記側壁上に配置される前記誘電体ライナーが、前記トレンチゲートと前記基板との間の、前記トレンチの前記側壁上に配置される前記ゲート誘電体層より厚い、
半導体デバイス。 - 請求項1に記載の半導体デバイスであって、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記トレンチゲートと前記上部フィールドプレートセグメントとの間に配置される誘電体絶縁層によって、前記トレンチにおける前記トレンチゲートから電気的に絶縁される、半導体デバイス。
- 請求項1に記載の半導体デバイスであって、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記トレンチにおける前記トレンチゲートに接続される、半導体デバイス。
- 請求項1に記載の半導体デバイスであって、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記下部フィールドプレートセグメントから電気的に絶縁される、半導体デバイス。
- 請求項1に記載の半導体デバイスであって、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記下部フィールドプレートセグメントに接続される、半導体デバイス。
- 請求項1に記載の半導体デバイスであって、
前記複数のフィールドプレートセグメントが、前記上部フィールドプレートセグメントと前記下部フィールドプレートセグメントとの間に配置される中間フィールドプレートセグメントを含み、
前記基板から前記下部フィールドプレートセグメントを分離する前記誘電体ライナーが、前記基板から前記中間フィールドプレートセグメントを分離する前記誘電体ライナーより厚く、
前記基板から前記中間フィールドプレートセグメントを分離する前記誘電体ライナーが、前記基板から前記上部フィールドプレートセグメントを分離する前記誘電体ライナーより厚い、
半導体デバイス。 - 半導体デバイスを形成する方法であって、
半導体材料を含む基板を提供すること、
前記基板において垂直MOSトランジスタのドレイン領域を形成すること、
前記ドレイン領域の上方の前記半導体材料において前記垂直MOSトランジスタの垂直ドリフト領域を形成すること、
前記垂直ドリフト領域においてトレンチを形成すること、
前記基板に接する前記トレンチにおいて誘電体ライナーを形成すること、
前記誘電体ライナー上の前記トレンチにおいて下部フィールドプレートセグメントを形成すること、
前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記誘電体ライナーの少なくとも一部を除去すること、
前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記トレンチにおいて上部フィールドプレートセグメントを形成することであって、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の誘電体材料が、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間に前記誘電体ライナーを提供し、前記下部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの側壁上に配置される前記誘電体ライナーが、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの前記側壁上に配置される前記誘電体ライナーより厚い、前記形成すること、
前記上部フィールドプレートセグメントの上方の前記トレンチから前記誘電体ライナーを除去すること、
前記上部フィールドプレートセグメントの上方の前記トレンチにおいて前記基板に接する、前記垂直MOSトランジスタのゲート誘電体層であって、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記誘電体ライナーより薄い前記ゲート誘電体層を形成すること、
前記ゲート誘電体層に接触する前記トレンチにおいて前記垂直MOSトランジスタのトレンチゲートを形成すること、および、
前記垂直ドリフト領域の上方の前記ゲート誘電体層に接する前記基板において前記垂直MOSトランジスタのボディを形成すること、
を含む、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、前記トレンチにおいて前記誘電体ライナーを形成することが、前記下部フィールドプレートセグメントが前記第1の堆積シリコン上にあるように、前記基板に接する前記トレンチにおいて熱酸化物層を形成すること、および、前記熱酸化物層上の前記トレンチにおいて第1の堆積二酸化ケイ素層を形成することを含む、方法。
- 請求項8に記載の方法であって、
前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記誘電体ライナーの少なくとも一部を除去することが、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の適所において前記熱酸化物層の大部分を残して、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記第1の堆積二酸化ケイ素層の少なくとも一部を除去すること含み、
前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記残っている熱酸化物層が、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの前記側壁上に前記誘電体ライナーの少なくとも一部を提供する、
方法。 - 請求項9に記載の方法であって、前記基板から前記上部フィールドプレートセグメントを分離する前記トレンチの前記側壁上の前記誘電体ライナーが、前記第2の堆積二酸化ケイ素層を含むように、前記第1の堆積二酸化ケイ素層を除去した後、および、前記上部フィールドプレートセグメントを形成する前に、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記残っている熱酸化物層上に第2の堆積二酸化ケイ素層を形成することを含む、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記上部フィールドプレートセグメントが前記下部フィールドプレートセグメントに接触するように、前記上部フィールドプレートセグメントを形成する前に、前記下部フィールドプレートセグメント上の前記第2の堆積二酸化ケイ素層を除去することを含む、方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記上部フィールドプレートセグメントが前記下部フィールドプレートセグメントから電気的に絶縁されるように、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記下部フィールドプレートセグメント上の前記第2の堆積二酸化ケイ素層の一部上に形成される、方法。
- 請求項9に記載の方法であって、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記残っている熱酸化物層が、前記基板から前記上部フィールドプレートセグメントを分離する前記トレンチの前記側壁上に前記誘電体ライナーを提供するように、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記残っている熱酸化物層上に形成される、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記誘電体ライナーの少なくとも一部を除去することが、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記誘電体ライナーの実質的に全てを除去することを含み、前記方法が、
前記熱酸化物層が、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記トレンチの前記側壁上の前記誘電体ライナーの少なくとも一部を提供するように、前記下部フィールドプレートセグメントを形成した後に前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記基板に接する前記トレンチにおいて熱酸化物層を形成すること、
を含む、方法。 - 請求項7に記載の方法であって、前記上部フィールドプレートセグメントが前記下部フィールドプレートセグメントに接触するように、前記上部フィールドプレートセグメントを形成する前に、前記下部フィールドプレートセグメント上の誘電体材料を除去することを含む、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記上部フィールドプレートセグメントが前記下部フィールドプレートセグメントから電気的に絶縁されるように、前記上部フィールドプレートセグメントが、前記下部フィールドプレートセグメント上の誘電体材料の上に形成される、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記トレンチゲートが前記上部フィールドプレートセグメントに接触するように、前記トレンチゲートを形成する前に、前記上部フィールドプレートセグメント上の前記ゲート誘電体層を除去することを含む、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記トレンチゲートが前記上部フィールドプレートセグメントから電気的に絶縁されるように、前記トレンチゲートが、前記上部フィールドプレートセグメント上の前記ゲート誘電体層の一部上に形成される、方法。
- 請求項7に記載の方法であって、前記下部フィールドプレートセグメントを形成することが、前記トレンチにおいて、および、前記基板の頂部表面の上に、ポリシリコンの層を形成すること、ならびに、前記下部フィールドプレートセグメントを提供するように前記トレンチにおいてポリシリコンの前記層の一部を残して、前記基板の前記頂部表面の上から、および、前記トレンチの一部から、ポリシリコンの前記層を除去することを含む、方法。
- 半導体デバイスを形成する方法であって、
半導体材料を含む基板を提供すること、
前記基板において垂直MOSトランジスタのドレイン領域を形成すること、
前記ドレイン領域の上方の前記半導体材料において前記垂直MOSトランジスタの垂直ドリフト領域を形成すること、
前記垂直ドリフト領域においてトレンチを形成すること、
前記基板に接する前記トレンチにおいて熱酸化物層を形成すること、
前記熱酸化物層上の前記トレンチにおいて第1の堆積二酸化ケイ素層を形成すること、
前記第1の堆積シリコン上の前記トレンチにおいて下部フィールドプレートセグメントを形成することであって、前記熱酸化物層および前記第1の堆積二酸化ケイ素層の組合せが、前記基板から前記下部フィールドプレートセグメントを分離する前記トレンチの側壁上の誘電体ライナーを提供する、前記下部フィールドプレートセグメントを形成すること、
前記下部フィールドプレートセグメントの上方の適所における前記熱酸化物層の大部分を残して、前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記第1の堆積二酸化ケイ素層の少なくとも一部を除去すること、
前記下部フィールドプレートセグメントの上方の前記トレンチにおいて上部フィールドプレートセグメントを形成することであって、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記残っている熱酸化物層が、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記トレンチの前記側壁上の前記誘電体ライナーの少なくとも一部を提供し、前記下部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記トレンチの前記側壁上に配置される前記誘電体ライナーが、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の、前記トレンチの前記側壁上に配置される前記誘電体ライナーより厚い、前記上部フィールドプレートセグメントを形成すること、
前記上部フィールドプレートセグメントの上方の前記トレンチから前記熱酸化物層を除去すること、
前記上部フィールドプレートセグメントの上方の前記トレンチにおいて前記基板に接する前記垂直MOSトランジスタのゲート誘電体層を形成することであって、前記上部フィールドプレートセグメントと前記基板との間の前記トレンチの前記側壁上の前記誘電体ライナーより薄い前記ゲート誘電体層を形成すること、
前記ゲート誘電体層に接触する前記トレンチにおいて前記垂直MOSトランジスタのトレンチゲートを形成すること、および、
前記垂直ドリフト領域の上方の記ゲート誘電体層に接する前記基板において前記垂直MOSトランジスタのボディを形成すること、
を含む、方法。
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021150431A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその制御方法 |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9257274B2 (en) | 2010-04-15 | 2016-02-09 | Lam Research Corporation | Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method |
US9997357B2 (en) | 2010-04-15 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors |
US9685608B2 (en) * | 2012-04-13 | 2017-06-20 | Crossbar, Inc. | Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory |
SG2013083654A (en) | 2012-11-08 | 2014-06-27 | Novellus Systems Inc | Methods for depositing films on sensitive substrates |
US9564312B2 (en) | 2014-11-24 | 2017-02-07 | Lam Research Corporation | Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films |
US10566187B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control |
TWI599041B (zh) * | 2015-11-23 | 2017-09-11 | 節能元件控股有限公司 | 具有底部閘極之金氧半場效電晶體功率元件及其製作方法 |
US9773643B1 (en) | 2016-06-30 | 2017-09-26 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for deposition and etch in gap fill |
US10062563B2 (en) * | 2016-07-01 | 2018-08-28 | Lam Research Corporation | Selective atomic layer deposition with post-dose treatment |
CN106847880B (zh) * | 2017-01-23 | 2019-11-26 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 一种半导体器件及其制备方法 |
DE102018104944A1 (de) * | 2017-06-30 | 2019-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Halbleiter-Bauelement mit einer Auskleidungsschicht mit einem konfigurierten Profil und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN107871787B (zh) | 2017-10-11 | 2021-10-12 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 一种制造沟槽mosfet的方法 |
EP3474314A1 (en) * | 2017-10-20 | 2019-04-24 | Infineon Technologies Austria AG | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor method |
CN109887989A (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 深圳尚阳通科技有限公司 | 一种屏蔽栅功率器件及制造方法 |
CN109935625A (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 深圳尚阳通科技有限公司 | 一种肖特基二极管器件及制造方法 |
WO2019178765A1 (en) * | 2018-03-21 | 2019-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having polysilicon field plate for power mosfets |
CN108598165B (zh) * | 2018-04-19 | 2020-12-25 | 济南安海半导体有限公司 | 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(柱形) |
CN108400094B (zh) * | 2018-04-19 | 2020-12-25 | 济南安海半导体有限公司 | 屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(锤形) |
CN108389837B (zh) * | 2018-05-08 | 2023-06-30 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶体管结构、存储器结构及其制备方法 |
CN109119468B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-11-23 | 电子科技大学 | 一种屏蔽栅dmos器件 |
EP3624201B1 (en) * | 2018-09-17 | 2022-11-02 | Infineon Technologies Austria AG | Transistor device |
US11177253B2 (en) | 2018-11-09 | 2021-11-16 | Texas Instruments Incorporated | Transistor with integrated capacitor |
US10770584B2 (en) | 2018-11-09 | 2020-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Drain extended transistor with trench gate |
US11658241B2 (en) * | 2018-12-31 | 2023-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Vertical trench gate MOSFET with integrated Schottky diode |
WO2020198910A1 (en) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | Texas Instruments Incorporated | Trench shield isolation layer |
CN110047759A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-23 | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 | 沟槽型mosfet器件制造方法 |
CN110047935B (zh) * | 2019-05-09 | 2021-04-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种双***栅功率mosfet器件及其制备方法 |
US11217690B2 (en) * | 2019-09-16 | 2022-01-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Trench field electrode termination structure for transistor devices |
CN112652652A (zh) * | 2019-10-12 | 2021-04-13 | 华润微电子(重庆)有限公司 | 沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法 |
CN110739347B (zh) * | 2019-10-21 | 2023-10-20 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沟槽栅半导体器件及其制造方法 |
US11393907B2 (en) | 2020-08-12 | 2022-07-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Transistor device with buried field electrode connection |
EP4197026A4 (en) | 2020-08-13 | 2023-10-11 | Texas Instruments Incorporated | SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SIDE INSULATOR |
CN112133627B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-06-17 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 屏蔽栅沟槽型器件的工艺方法 |
CN112309853A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-02-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 屏蔽栅极沟槽结构的制备方法 |
US11538925B2 (en) * | 2020-12-11 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Ion implantation to form step-oxide trench MOSFET |
US20220223731A1 (en) * | 2021-01-13 | 2022-07-14 | Texas Instruments Incorporated | Vertical trench gate fet with split gate |
JP2022111450A (ja) * | 2021-01-20 | 2022-08-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN116093146B (zh) * | 2023-04-11 | 2024-02-20 | 江苏应能微电子股份有限公司 | 一种分段式分离栅sgt mosfet结构 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299619A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003017696A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007116189A (ja) * | 2006-12-12 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 高耐圧縦型mosトランジスタ |
JP2010129973A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2010537428A (ja) * | 2007-08-21 | 2010-12-02 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | シールドされたゲートトレンチfetのための方法及び構造 |
JP2012109580A (ja) * | 2003-12-30 | 2012-06-07 | Fairchild Semiconductor Corp | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2014078741A (ja) * | 2009-12-09 | 2014-05-01 | Infineon Technologies Austria Ag | オン抵抗値が改善された半導体デバイス |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8097915B2 (en) | 2005-05-31 | 2012-01-17 | Qimonda Ag | Semiconductor memory device |
DE102005041285B4 (de) * | 2005-08-31 | 2009-06-25 | Infineon Technologies Ag | Grabenstrukturhalbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102005041358B4 (de) * | 2005-08-31 | 2012-01-19 | Infineon Technologies Austria Ag | Feldplatten-Trenchtransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
US8058682B2 (en) | 2007-01-09 | 2011-11-15 | Maxpower Semiconductor Inc. | Semiconductor device |
US8097916B2 (en) * | 2007-07-23 | 2012-01-17 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for insulating a semiconducting material in a trench from a substrate |
US8039877B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-10-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | (110)-oriented p-channel trench MOSFET having high-K gate dielectric |
US8304829B2 (en) * | 2008-12-08 | 2012-11-06 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-based power semiconductor devices with increased breakdown voltage characteristics |
US8187939B2 (en) * | 2009-09-23 | 2012-05-29 | Alpha & Omega Semiconductor Incorporated | Direct contact in trench with three-mask shield gate process |
WO2011087994A2 (en) * | 2010-01-12 | 2011-07-21 | Maxpower Semiconductor Inc. | Devices, components and methods combining trench field plates with immobile electrostatic charge |
US8786012B2 (en) * | 2010-07-26 | 2014-07-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Power semiconductor device and a method for forming a semiconductor device |
US8466513B2 (en) * | 2011-06-13 | 2013-06-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device with enhanced mobility and method |
US8889532B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-11-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of making an insulated gate semiconductor device and structure |
US8697560B2 (en) * | 2012-02-24 | 2014-04-15 | Semiconductor Components Industries, Llc | Process of forming an electronic device including a trench and a conductive structure therein |
US8836024B2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-09-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a trench and a conductive structure therein having a contact within a Schottky region and a process of forming the same |
JP2013258327A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8748976B1 (en) | 2013-03-06 | 2014-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Dual RESURF trench field plate in vertical MOSFET |
US9018700B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-04-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Direct-drain trench FET with source and drain isolation |
KR101828495B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2018-02-12 | 삼성전자주식회사 | 평탄한 소스 전극을 가진 반도체 소자 |
KR101934893B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2019-01-03 | 삼성전자 주식회사 | 그루브 소스 컨택 영역을 가진 반도체 소자의 제조 방법 |
US9450082B2 (en) * | 2014-06-09 | 2016-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Integrated termination for multiple trench field plate |
-
2015
- 2015-05-07 US US14/706,927 patent/US9299830B1/en active Active
-
2016
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-
2021
- 2021-01-25 JP JP2021009477A patent/JP7279277B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299619A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003017696A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012109580A (ja) * | 2003-12-30 | 2012-06-07 | Fairchild Semiconductor Corp | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2007116189A (ja) * | 2006-12-12 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 高耐圧縦型mosトランジスタ |
JP2010537428A (ja) * | 2007-08-21 | 2010-12-02 | フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション | シールドされたゲートトレンチfetのための方法及び構造 |
JP2010129973A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
JP2014078741A (ja) * | 2009-12-09 | 2014-05-01 | Infineon Technologies Austria Ag | オン抵抗値が改善された半導体デバイス |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021150431A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその制御方法 |
JP7387501B2 (ja) | 2020-03-18 | 2023-11-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその制御方法 |
US11955546B2 (en) | 2020-03-18 | 2024-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for controlling same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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