JP2007222990A - 梁部を備えた構造体の製造方法およびmemsデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1の一表面側に除去部位として形成する多孔質部3の形状に応じてパターン設計した陽極2を半導体基板1の他表面側に形成する陽極形成工程と、陽極2と電解液中で半導体基板1の上記一表面側に配置される陰極との間に通電して半導体基板1の上記一表面側に多孔質部3を形成する陽極酸化工程と、陽極酸化工程の後で半導体基板1の上記一表面側に薄膜4を形成する薄膜形成工程と、薄膜形成工程の後で薄膜4において梁部7となる部位の周囲の不要部をエッチング除去して開孔部5を形成する開孔部形成工程と、開孔部5を通して多孔質部3を選択的にエッチング除去して空洞部6を形成することで半導体基板1から分離した梁部7を形成する分離工程とを有する。
【選択図】 図1
Description
以下、半導体基板の一表面側に形成した薄膜および前記半導体基板を加工して梁部を形成するようにした梁部を備えた構造体の製造方法について図1(a)〜(e)を参照しながら説明する。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、シリコン基板からなる半導体基板1の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールの供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本実施形態のように半導体基板1として導電形がp形のものを用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、半導体基板1中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部3の厚みが決まることになる。ここで、例えば、陽極2の平面形状が円形状である場合には、陽極2の厚み方向に沿った中心線から離れるほど電流密度が徐々に小さくなるような電流密度の面内分布を有することとなり、半導体基板1の上記一表面側に形成される多孔質部3は、陽極2の上記中心線から離れるほど徐々に薄くなっている。なお、多孔質部3の形状は、陽極2の形状だけでなく、半導体基板1の抵抗率や厚み、電解液の電気抵抗値や、半導体基板1と陰極との間の距離、陰極の平面形状などによっても制御することができる。
本実施形態では、実施形態1にて説明した梁部7を備えた構造体の製造方法により製造される構造体を有し、図2に示すように梁部7上に素子部10の少なくとも一部を有するMEMSデバイスの一例として、図3に示す構成のマイクロヒータを例示する。
本実施形態では、実施形態1にて説明した梁部7を備えた構造体の製造方法により製造される構造体を有し、上述の図2に示すように梁部7上に素子部10の少なくとも一部を有するMEMSデバイスの一例として、図4に示す構成の共振型の超音波センサを例示する。
本実施形態では、実施形態1にて説明した梁部7を備えた構造体の製造方法に準じて製造されるMEMSデバイスとして、図5(g)に示すように梁部7上に例えば赤外線を検出するセンサ要素からなる素子部10が形成されるとともに、梁部7に素子部10と協働する電子回路部30が形成されたMEMSデバイスを例示する。
本実施形態では、実施形態1にて説明した梁部7を備えた構造体の製造方法に準じて製造されるMEMSデバイスとして、図6に示す構成の静電容量型の加速度センサを例示する。なお、実施形態1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
本実施形態の加速度センサでは、梁部7の厚みは、薄膜4を構成する単結晶シリコン膜の成長膜厚により制御可能であり、当該単結晶シリコン膜の膜質はSOI基板のシリコン層(活性層)と同等の膜質を得ることができるので、SOI基板を用いて形成した加速度センサと同等の特性を得ることができる。
2 陽極
3 多孔質部
4 薄膜
5 開孔部
6 空洞部
7 梁部
8 支持部
Claims (6)
- 半導体基板の一表面側に形成した薄膜および前記半導体基板を加工して梁部を形成するようにした梁部を備えた構造体の製造方法であって、前記半導体基板の前記一表面側に除去部位として形成する多孔質部の形状に応じてパターン設計した陽極を前記半導体基板の他表面側に形成する陽極形成工程と、前記陽極と電解液中で前記半導体基板の前記一表面側に配置される陰極との間に通電して前記半導体基板の前記一表面側に前記多孔質部を形成する陽極酸化工程と、陽極酸化工程の後で前記半導体基板の前記一表面側に前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、薄膜形成工程の後で前記薄膜において前記梁部となる部位の周囲の不要部をエッチング除去して開孔部を形成する開孔部形成工程と、開孔部形成工程にて形成した開孔部を通して前記多孔質部を選択的にエッチング除去して空洞部を形成することで前記半導体基板から分離した梁部を形成する分離工程とを有することを特徴とする梁部を備えた構造体の製造方法。
- 前記薄膜形成工程では、前記薄膜として絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1記載の梁部を備えた構造体の製造方法。
- 前記薄膜形成工程では、前記薄膜として多層膜を形成することを特徴とする請求項1記載の梁部を備えた構造体の製造方法。
- 前記半導体基板が単結晶シリコン基板であり、前記薄膜形成工程では、前記薄膜として少なくとも単結晶シリコン膜を形成することを特徴とする請求項1記載の梁部を備えた構造体の製造方法。
- 請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の製造方法により製造された梁部を備えた構造体を有することを特徴とするMEMSデバイス。
- 前記梁部にセンサ要素および当該センサ要素と協働する電子回路部が形成されてなることを特徴とする請求項5記載のMEMSデバイス。
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