JP6863545B2 - Mems素子およびその製造方法 - Google Patents
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- バックチャンバーを備えたシリコン基板と、該シリコン基板上に、第1のスペーサーを挟んで固定電極と可動電極とを配置することでエアーギャップが形成されたMEMS素子において、
前記シリコン基板と前記可動電極の間に第2のスペーサーと、
前記シリコン基板と対向する前記可動電極との間の寸法を前記バックチャンバー側面端部側で大きくする段部とを備え、
該段部は、前記第2のスペーサーを構成する熱酸化膜と前記バックチャンバーを構成する前記シリコン基板の側面との間に該シリコン基板の側面に沿って環状に配置されていることを特徴とするMEMS素子。 - バックチャンバーを備えたシリコン基板上に、第1のスペーサーを挟んで固定電極と可動電極とを配置したMEMS素子の製造方法において、
第2のスペーサー形成予定領域の内側に配置する環状形状の凹部内を充填するように前記シリコン基板表面を熱酸化する工程と、
前記シリコン基板表面の熱酸化膜上に、前記可動電極を形成する工程と、
前記可動電極上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記固定電極を形成する工程と、
前記固定電極に貫通孔を形成する工程と、
前記シリコン基板の一部をエッチング除去し、側面が前記環状形状の凹部に位置するように前記バックチャンバーを形成する工程と、
前記貫通孔から前記絶縁膜の一部をエッチング除去し、前記第1のスペーサーを形成し、前記固定電極と前記可動電極との間にエアーギャップを形成すると同時に、前記凹部内に埋め込まれた熱酸化膜を除去し、前記シリコン基板表面の熱酸化膜の一部を残し、第2のスペーサーを形成する工程と、を含むことを特徴とするMEMS素子の製造方法。
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