JP2007221073A - ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法 - Google Patents

ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法 Download PDF

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Abstract

【課題】
ウェーハ上に洗浄液を残すことなくウェーハの乾燥を行い、ウォーターマークやパーティクル残留の発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行なうウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法を提供すること。
【解決手段】
ウェーハWの乾燥を行うIPAを、洗浄液50に浸漬されたウェーハW上に形成されるウェーハW表面と洗浄液50表面との境界線K付近へIPA供給手段6により少量且つ連続的に供給することにより、効果的に濃度勾配を形成し、ウォーターマークやパーティクル残留の発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行う。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体装置や電子部品等のウェーハの洗浄と乾燥とを行なうウェーハ洗浄乾燥方法及びウェーハ洗浄乾燥装置に関するものである。
半導体装置や電子部品等のウェーハは、製造の過程において切削、研磨等の各種工程を経ていく。例えば、CMPによるウェーハの研磨は、ウェーハ保持ヘッドによってウェーハを保持し、このウェーハを回転する研磨定盤に所定の圧力で押し付け、その研磨定盤とウェーハとの間にケミカル研磨剤(以下、「スラリ」と称する)を供給することにより行われる。
このようなウェーハ研磨装置で研磨加工されたウェーハは、洗浄装置により洗浄されてウェーハに付着していたスラリが除去される。洗浄されたウェーハは、洗浄装置内に設けられた、又は洗浄装置に隣接した乾燥装置により乾燥が行なわれる。
乾燥の工程では、従来、ウェーハを回転させて表面の水分を遠心力により除去するスピン乾燥などが行なわれていた。しかし、スピン乾燥では、水分が複数の水滴に分離してウェーハ上から除去されずに残留する場合があり、特にCu/Low−K対応のCMPにおいては、Low−K材料が撥水性であるためウォーターマークがウェーハ表面に残る問題があった。また、跳ね飛ばされた水滴の跳ね返りなどによるパーティクル残りが発生するなどの問題もあった。
そのため、現在では純水や脱イオン水などの洗浄液内にウェーハを立て、洗浄液を排出してウェーハを縦に洗浄液内から引き抜くとともにイソプロピルアルコール(Iso−Propyl Alcohol。以下IPAと称する)のガスを密閉された洗浄槽内へ送り、洗浄液とIPAガスの表面張力の差を利用することによりパーティクル残留を防止しながら乾燥を行なう、マランゴニ方式の乾燥装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2003−224104号公報
しかし、特許文献1に記載された乾燥装置では、洗浄液に浸漬したウェーハにIPAを含む蒸気を吹きつけながら、洗浄液内からウェーハをゆっくり引き出すことにより乾燥を行っているが、マランゴニ効果を有効に発揮させることが非常に困難であった。
これは、洗浄液に対してIPAを蒸気にして吹き付けた際に、IPAの蒸気が洗浄液の気液界面部分で結露して洗浄液とIPA蒸気との間に表面張力差が発生するが、IPA蒸気が液体へ結露する量が非常に微量であるため、有効な表面張力差が発生するまでに非常に時間がかかる問題による。
この問題は、IPAが洗浄液表面で結露する一方で、一部のIPAが洗浄液中に溶解していくことが大きな要因の一つとなっている。IPAはメチルアルコールやエタノールとの比較に対して、洗浄液への溶解性は遅いが、メチルアルコールやエタノールと同様に水酸基を有するため、水への浸透、溶解は避けることが出来ない。
マランゴニ力は、2つの流体の濃度勾配に比例して増大する。しかし、IPAが洗浄液に溶解することによって効果的な濃度勾配が形成出来ず、溶解速度の違いもあり、洗浄液とIPAとの間に働くマランゴニ力にばらつきを発生させることとなる。これにより、洗浄液より相対的に引き上げられたウェーハ表面では、効果的にマランゴニ効果を利用出来ず、一部に水滴残りなどを発生させる場合があった。取り残された洗浄液は一部がウェーハ内部に取り込まれるなどしてウォーターマークを形成し、デバイス製作時などに大きな問題を起こす原因となっていた。
本発明はこのような問題に対して成されたものであり、ウェーハ上に洗浄液を残すことなくウェーハの乾燥を行い、ウォーターマークの発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行なうウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法を提供することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、洗浄用の第1の流体が満たされ、前記第1の流体内に浸漬されたウェーハの洗浄が行われる洗浄槽と、前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げる際、又は前記第1の流体を排出する際、前記第1の流体表面と前記ウェーハ表面との境界線付近に、前記第1の流体よりも表面張力が小さい、前記ウェーハの乾燥を行う第2の流体を供給する第1の供給手段と、前記供給装置と前記ウェーハとを相対的に移動させる移動手段と、を備えたことを特徴としている。
請求項1の発明によれば、研磨後のウェーハが、洗浄槽内に傾倒して載置された状態で、第1の流体内に浸漬されて洗浄が行われる。洗浄終了後、ウェーハを第1の流体内から引き上げる、又は第1の流体を排出することにより、ウェーハ表面に第1の流体表面とウェーハ表面との境界線が形成される。このとき、移動手段によりウェーハと第1の供給手段を相対的に移動させながら、第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体が、第1の供給手段により境界線付近へ液体状のまま均一に供給される。
これにより、気液界面である境界線付近に濃度の高い極少量の第2の流体であるIPAを供給することが可能となる。その結果、第1の流体と第2の流体との間で効果的な濃度勾配が形成され、効率的かつ一様にウェーハの洗浄乾燥が行われる。
請求項2に記載の発明は、請求項1の発明において、前記第1の供給手段は、線状部材、又は管状部材で形成された供給部材を備え、前記供給部材の先端が前記境界線近傍の前記ウェーハ表面に近接していることを特徴としている。
請求項2の発明によれば、第1の供給手段に一様に供給された第2の流体は、界面張力によって生じる毛細管現象等の効果により、極少量であっても絶えず一定の流量で供給部材を流れる。供給部材の先端まで流れた第2の流体は、供給部材とウェーハ表面との間に働く界面張力により少量ずつ連続的に境界線付近のウェーハ面上へ供給され、ウェーハの相対的な引き上げ速度を調整することによりウェーハ全面において一様な乾燥が行われる。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2の発明において、前記供給部材は、高分子樹脂素材により形成されていることを特徴としている。
請求項3の発明によれば、供給部材はナイロン、ポリエチレン、酢酸ビニル等の高分子樹脂素材により形成され、ウェーハ、ウェーハを浸漬している第1の流体、及び第2の流体を金属に起因するコンタミにより汚染されることがなく、清浄な状態でウェーハの洗浄乾燥が可能となる。
請求項4に記載の発明は、請求項1、2、又は3のいずれか1項において、前記第1の供給手段は、前記供給部材へ前記第2の流体を供給する、管状部材、又は多孔質素材で形成された支持部を備えていることを特徴としている。
請求項4の発明によれば、第1の供給手段は、供給部材へ第2の流体を供給する、供給部材が取り付けられた支持部を備えている。支持部は、スリットが設けられた管状部材、又はPVAスポンジ等の多孔質素材で形成され、第2の流体が内部に貯留される。支持部内部に貯留できる量を超えた第2の流体は、支持部表面から均一に流れ出し、供給部材へ供給される。
これにより、一定量の第2の流体が供給部材に均一に供給され、供給部材に供給された第2の流体は、第1の流体表面とウェーハ表面との境界線付近に液体状のまま均一に供給される。
請求項5に記載の発明は、請求項1、2、3、又は4のいずれか1項において、前記ウェーハ洗浄乾燥装置は、前記ウェーハ表面への酸素の接触を防止する第3の流体を供給する第2の供給手段が設けられていることを特徴としている。
請求項5の発明によれば、第2の供給手段より、気液界面である境界線付近にウェーハ表面への酸素の接触を防止する第3の流体が供給される。これにより、酸素の介在によるウォーターマークの形成を防ぎながら、気液界面を早く後退させることが可能となる。
請求項6に記載の発明は、請求項1、2、3、4、又は5のいずれか1項において、前記第3の流体は、窒素ガスであることを特徴としている。
請求項6の発明によれば、前記第3の流体は、不活性ガスである窒素ガスであるため、境界線付近のウェーハ面に酸素が接触するのを防ぎ、酸素の介在によるウォーターマークの形成が無くなる。
請求項7に記載の発明は、請求項1、2、3、4、5、又は6のいずれか1項において、前記洗浄槽には、前記第1の流体を供給する供給口と、前記第1の流体を排出するドレイン口が設けられていることを特徴としている。
請求項7の発明によれば、洗浄槽内に第1の流体を供給することと、ウェーハを移動させる移動機構を設けることなくウェーハを第1の流体内から引き上げることとが可能となり、簡易な構造で第1の流体とウェーハとの間に形成される境界線を移動させることが可能となる。
請求項8に記載の発明は、請求項1、2、3、4、5、6、又は7のいずれか1項において、前記ウェーハ洗浄乾燥装置は、前記洗浄槽内に満たされた前記第1の液体の内部より、前記境界線へ向かって前記第1の流体を供給する第3の供給手段が設けられていることを特徴としている。
請求項8の発明によれば、境界線付近の第1の流体は、第3の供給手段により供給される新たな第1の流体により、絶えず新たな第1の流体となり、一方で境界線付近には絶えず一定流量で新たな第2の流体が供給されることにより、境界線付近の第1の流体と第2の流体の濃度勾配は一定となる。そのため、2つの液体の表面張力差によって生じるマランゴニ力は絶えず一定となり、安定した洗浄乾燥を行うことが可能となる。
請求項9に記載の発明は、洗浄用の第1の流体内に浸漬された洗浄後のウェーハ表面と、前記第1の流体表面との境界線近傍の、前記ウェーハ表面に近接するように設けられた供給部材より、前記第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体を前記境界線付近へ供給するとともに、前記供給部材と前記境界線との相対的位置を保ちながら前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げる、又は前記第1の流体を排出することにより乾燥を行うことを特徴としている。
請求項9の発明によれば、洗浄槽内に傾倒して載置された状態のウェーハが、第1の流体内に浸漬されて洗浄される。洗浄終了後のウェーハは、ウェーハを第1の流体内より引き上げる、又は第1の流体を排出する際に形成される第1の流体表面とウェーハ表面との境界線近傍のウェーハ表面に、近接するように設けられた供給部材より第2の流体が液体状のまま均一に供給されて乾燥が行われる。
これにより、気液界面である境界線付近に濃度の高い極少量の第2の流体であるIPAを供給することが可能となる。その結果、第1の流体と第2の流体との間に効果的な濃度勾配が形成され、効率的かつ一様にウェーハの洗浄乾燥が行われる。
請求項10に記載の発明は、請求項9の発明において、前記洗浄槽に満たされた前記第1の流体内より前記境界線へ向かって新たな前記第1の流体を供給して前記洗浄槽から前記第1の流体を溢れさせるとともに、前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げて該ウェーハの乾燥を行うことを特徴としている。
請求項10の発明によれば、ウェーハを引き上げる際に形成される第1の流体表面とウェーハ表面との境界線に向けて、洗浄槽内に満たされた第1の流体内より新たな第1の流体が供給される。
境界線付近では、第1の流体と第2の流体とが一部作用した後に混ざり合うが、混ざり合った液体部分が、連続的に境界線に向かって供給される第1の流体に押され、第1の流体の表面付近に沿って拡散する。拡散した第1の流体と第2の流体とが混合した液体は、洗浄槽の側面に設けられたオーバーフロー用の窓より排出されていく。
これにより、気液界面である境界線付近には絶えず新たな第1の流体が供給され、一方で境界線付近には絶えず一定流量で新たな第2の流体が供給される。よって、2つの液体の表面張力差によって生じるマランゴニ力は絶えず一定となり、安定した洗浄乾燥を行うことが可能となる。
以上説明したように、本発明のウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法によれば、気液界面付近に濃度の高い極少量の第2の流体であるIPAを連続的に供給することが可能となり、第1の流体と第2の流体との間の効果的な濃度勾配が形成され、効率的かつ一様にウェーハの洗浄乾燥が行われる。これにより、ウェーハ上に洗浄液を残すことなく、ウォーターマークの発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行なうことが可能となる。
以下、添付図面に従って本発明に係るウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法の好ましい実施の形態について詳説する。
まず初めに、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置とウェーハ洗浄乾燥装置が組み込まれたウェーハ研磨装置の構成について説明する。図1は、ウェーハ研磨装置 の平面断面図である。
図1に示すようにウェーハ研磨装置10は、洗浄乾燥装置1、ウェーハ収納部20、搬送手段14、研磨手段16、16、16、及び膜厚測定手段29とから構成されている。
ウェーハ収納部20は、製品用ウェーハ収納部20A、ダミーウェーハ収納部20B、第1モニターウェーハ収納部20C、第2モニターウェーハ収納部20Dとからなり、各収納部にはカセット24に収納されたウェーハWが収納される。製品用ウェーハ収納部20Aは2個並んで設けられている。また第1モニターウェーハ収納部20Cはカセット24の下段を使用し、同じカセット24の上段は第2モニターウェーハ収納部20Dになっている。
搬送手段14は、インデックス用ロボット22とトランスファーロボット30及び搬送ユニット36A、36Bとから構成されている。
インデックス用ロボット22は、旋回自在かつ屈曲自在なアームを2本備えており、図1の矢印Y方向に沿って移動自在に設けられている。このインデックス用ロボット22は、各ウェーハ収納部に載置されたカセット24から研磨対象のウェーハWを取り出して膜厚測定手段29及び受渡しポート26、28に搬送するとともに、洗浄が終了したウェーハWを洗浄乾燥装置1から受け取ってカセット24に収納する。
トランスファーロボット30は、屈曲自在かつ旋回自在なロード用アーム30Aとアンロード用アーム30Bとを備えており、図1に示す矢印X方向に沿って移動自在に設けられている。
ロード用アーム30Aは、研磨前のウェーハWの搬送に使用され、その先端部に備えられた図示しないパッドで研磨前のウェーハWを受渡しポート26、28から受け取り、搬送ユニット36A、36Bに搬送する。
アンロード用アーム30Bは、研磨後のウェーハWの搬送に用いられ、その先端に備えられた図示しないパッドで研磨後のウェーハWを搬送ユニット36A、36Bから受け取り、洗浄乾燥装置1又はアンロードカセット32へと搬送する。
搬送ユニット36A、36Bは、どちらも図1に示される矢印Y方向に沿って移動自在に設けられ、夫々受取り位置SA 、SB と受渡し位置TA 、TBの間を移動する。受取り位置SA、SB でトランスファーロボット30のロード用アーム30Aから研磨対象のウェーハWを受取り、受渡し位置TA 、TB に移動して研磨ヘッド38A、38Bに受け渡す。また研磨後のウェーハWを受渡し位置TA 、TB で受取り、受取り位置SA 、SB に移動してトランスファーロボット30のアンロード用アーム30Bに受け渡す。
この搬送ユニット36A、36Bは夫々が別々の2個の受け台を持っており、この2個の受け台は研磨前のウェーハW用と研磨後のウェーハW用とに使い分けられる。
研磨手段16、16、16は、ウェーハWの研磨を行い、図1に示すように、研磨定盤34A、34B、34C、研磨ヘッド38A、38B、スラリ供給ノズル37A、37B、37C及びキャリア洗浄ユニット40A、40Bを備えている。
研磨定盤34A、34B、34Cは、円盤状に形成されており、3台が並列して配置されている。各研磨定盤34A、34B、34Cの上面には、それぞれ研磨パッド(図示せず)が貼付されており、この研磨パッド上にスラリ供給ノズル37A、37B、37Cからスラリが供給される。また、各研磨定盤34A、34B、34Cは、図示しないモータで駆動されて回転し、この回転する研磨定盤34A、34B、34CにウェーハWが押し付けられることで、ウェーハWが研磨される。
ここで、この3つの研磨定盤34A、34B、34Cのうち左右の研磨定盤34A、34Bは第1の研磨対象膜の研磨に用いられ、中央の研磨定盤34Cは第2の研磨対象膜の研磨に用いられる。両者の研磨においては、供給するスラリの種類、研磨ヘッドの回転数や研磨定盤の回転数、また、研磨ヘッドの押付力や研磨パッドの材質等が変更されている。
なお、この研磨定盤34A、34B、34Cの近傍には、それぞれドレッシング装置35A、35B、35Cが設けられている。ドレッシング装置35A、35B、35Cは、旋回自在なアームを備えており、このアームの先端に設けられたドレッサによって研磨定盤34A、34B、34C上の研磨パッドをドレッシングする。研磨ヘッドは38A、38Bと2台設置されており、それぞれ図1の矢印X方向に沿って移動自在に設けられている。
研磨ヘッド38Aは、保持したウェーハWを研磨定盤34A上の研磨パッドに押し付けて、研磨定盤34Aと研磨ヘッド38Aとをそれぞれ回転させながら、研磨パッド上にスラリを供給することにより、ウェーハWが研磨される。他方側の研磨ヘッド38Bも同様に構成される。
また図1に示すように、研磨定盤34A、34B、34Cの間にはキャリア洗浄ユニット40A、40Bが2台設置されており、それぞれ搬送ユニット36A、36Bの所定の受渡位置TA 、TBに配置されている。このキャリア洗浄ユニット40A、40Bは、研磨終了後の研磨ヘッド38A、38Bのキャリアを洗浄する。
膜厚測定手段29は、ウェーハWのセンタリング機構と膜厚測定機とを有している。膜厚測定機では、研磨対象膜が酸化膜である場合には、光干渉式の膜厚測定機等が用いられ、研磨対象膜がメタル膜の場合には4探針比抵抗測定器等が用いられる。
洗浄乾燥装置1は、研磨が終了したウェーハWの洗浄と乾燥を行なう。洗浄乾燥装置1には、複数の洗浄槽2が設けられ、図2に示すように、ウェーハWが移動手段としての移動台51上に傾倒して載置される。
洗浄槽2内には、第1の流体としての洗浄液50を供給する供給口3、洗浄後の洗浄液50を排出するドレイン口4、第2の流体としての液体状のIPAを供給する第1の供給手段としてのIPA供給部6、ウェーハ面への酸素の接触を防止するための第3の流体としての窒素を供給する複数のノズル61を備えた第2の供給手段としてのキャリアガス供給部60等が設けられている。
また、洗浄槽2内にはダブルサイドブラシ、又は超音波水を使用したペンブラシ等の不図示の洗浄機構が備えられている。洗浄機構は、供給口3より供給されたアルカリ溶液、酸性薬液、脱イオン水、又は純水等を使用した洗浄液50により浸漬されているウェーハWの洗浄を行なう。
移動台51上には、図3に示すように、ストッパ5と複数の支持柱55が設けられている。ウェーハWは、ストッパ5により一端が支持され、支持柱55により裏面が支持される。移動台51は、レール52と不図示の駆動装置により図2に示す矢印A方向に移動可能であり、洗浄液50に浸漬されたウェーハWを洗浄液50内より引き上げる。
IPA供給部6とキャリアガス供給部60とは、それぞれブロック9に設けられている。IPA供給部6へは、ブロック9に接続された配管63より、ブロック9内に形成された穴を介してIPAが供給され、キャリアガス供給部60へは、配管62よりキャリアガスが供給される。
ブロック9は、移動手段としての不図示の移動機構に接続されている。これによりIPA供給部6と、キャリアガス供給部60とは、洗浄槽2内に載置されたウェーハWと距離を一定に保ちながら平行に移動可能であり、ウェーハW表面と洗浄液50表面との境界線K近傍へ、それぞれウェーハWの乾燥を行うIPA、窒素等のキャリアガスを供給する。
IPA供給部6は、供給部材7と支持部としての供給管8を備えている。供給部材7は、刷毛状に形成されたナイロン、ポリエチレン、酢酸ビニル等の高分子樹脂を素材とする線状部材、又は櫛状に並べられた高分子樹脂を素材とする管状部材で形成されている。供給部材7の先端部は、先端部にIPAの表面張力によるIPAの液滴が形成されない距離まで境界線K近傍のウェーハW表面に近接され、長手方向が境界線Kと平行になるように設けられている。
供給管8は、管状の部材で形成され、ウェーハWと平行になるように側面にスリットが形成されており、一端が封止され、配管63よりIPAが供給される。供給管8へ供給されたIPAは、図4に示すように、供給管8の内部に貯留され、一定量を超えた時点でスリット65より流出し、供給部材7を流下して毛細管現象等の効果により、極微量ウェーハW表面へ供給される。
また、供給部材7が、図5に示す供給部材7Aのように微小な穴が開いた管状部材の場合は、供給管8Aに満たされたIPAは、供給部材7A内を毛細管現象の効果により移動して極微量ウェーハW表面へ供給される。
更に、供給部材7、及び供給管8が、図6に示す供給部材7B、供給管8Bのように、刷毛状部材である供給部材7Bの上端が、上部が開口した供給管8Bの開口部内に取り付けられている場合は、供給管8Bに満たされたIPAは、刷毛状部材である供給部材7Bを毛細間現象の効果により持ち上がり、供給部材7Bを伝って極微量ウェーハW表面へ供給される。
以上のような構成により、本発明に関わるウェーハ洗浄乾燥装置は、気液界面である境界線K付近に濃度の高い極少量のIPAを供給することが可能となる。これにより、効果的な濃度勾配が形成され、効率的かつ一様にウェーハWの洗浄乾燥が行なわれる。
なお、本実施の形態では、供給部材7へのIPAの供給は供給管8より行われ、供給管8は管状の部材としているが、本実施の形態はそれに限らず、供給管8をPVAスポンジ等の多孔質素材、又は線状に形成された刷毛状部材で形成しても同様な毛細管現象の効果により好適に利用可能である。
この場合、多孔質素材により形成された支持部へIPAを注入することにより、支持部内部にIPAが貯留される。支持部で貯留できる量を超えたIPAは、支持部表面から均一に流れ出し、供給部材7へ供給されることとなる。
また、供給部材7がウェーハW表面に対して先端にIPAの液滴が形成されない距離まで近接する際の具体的な距離は以下のような方法で計算可能である。例として、外径5mmの円管より落下する水滴を想定する。温度が20度では、水の表面張力は72.8mN/mである。外径が5mmであるとすると、外周長は約15.7mmとなる。72.8mN/mの表面張力が15.7mmの長さに作用するため、1つの水滴を重力に対して支える応力は1.14mNとなる。ここで、重力加速度は9.8m/s2であるので、支えられる水滴の重さは、0.117gとなる。これは、117mm2の体積に相当することから、半径を算出すると約3mmとなる。よって、外径5mmの円管から滴下する水滴の外径は直径6mmということになる。これにより、外径5mmの円管の下面から液滴の下面までは、水滴の半径が3mmから4mm程度となる。IPAを水に置き換えた場合において、本発明における近接の距離とは、ウェーハW表面より3mmから4mm程度の位置以内にあることを意味する。IPAの場合も同様に、表面張力を求めることにより、液滴を支持する半径から、近接させる距離を計算により求めることが可能である。
次に、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置の別の実施の形態における装置構成を説明する。図1に示す、ウェーハ研磨装置10に設けられた洗浄乾燥装置70は、複数の洗浄槽71が設けられ、図6に示すように、ウェーハWが移動手段としての移動台51上に傾倒して載置される。
洗浄槽71には、底面に第1の流体としての洗浄液50を供給する供給口3と使用後の洗浄液50を排出するドレイン口4とが設けられ、ウェーハWの乾燥の際に洗浄液50とIPAとが混合した液体が排出される窓76が側面部に設けられている。
更に、洗浄槽71内には、液体状のIPAを供給するIPA供給部6、窒素を供給する複数のノズル61を備えたキャリアガス供給部60、洗浄液50を境界線Kに向けて供給する複数のノズル74を備えた第3の供給手段としての洗浄液供給部73が設けられている。
また、洗浄槽71内にはダブルサイドブラシ、又は超音波水を使用したペンブラシ等の不図示の洗浄機構が備えられている。洗浄機構は、供給口3より供給されたアルカリ溶液、酸性薬液、脱イオン水、又は純水等を使用した洗浄液50により浸漬されているウェーハWの洗浄を行なう。
移動台51上には、図7に示すように、ストッパ5と複数の支持柱55が設けられている。ウェーハWは、ストッパ5により一端が支持され、支持柱55により裏面が支持される。移動台51は、レール52と不図示の駆動装置により図6に示す矢印A方向に移動可能であり、洗浄液50に浸漬されたウェーハWを洗浄液50内より引き上げる。
IPA供給部6、キャリアガス供給部60、洗浄液供給部73とは、それぞれブロック72に設けられている。IPA供給部6へは、ブロック72に接続された配管63より、ブロック72内に形成された穴を介してIPAが供給され、キャリアガス供給部60へは、配管62よりキャリアガスが供給される。
洗浄液供給部73は、洗浄槽71内に満たされた洗浄液50内に位置し、ノズル74を境界線Kへ向けてブロック72に設けられている。洗浄液供給部73へは、配管75よりブロック72内に形成された穴を介して洗浄液50が供給され、供給された洗浄液50は境界線Kへ向けて噴射される。
噴射された洗浄液50は、IPA供給部6より供給されたIPAと大きな濃度勾配を形成するとともに、IPAの一部が洗浄液50に溶融する。溶融したIPAは洗浄槽71内に満たされた洗浄液50の表面付近に沿って拡散して窓76より装置外へ排出される。これにより、境界線K付近へは常に新しい洗浄液50が供給される。
IPA供給部6は、供給部材7と支持部としての供給管8を備え、供給部材7の先端部は、先端部にIPAの表面張力によるIPAの液滴が形成されない距離まで境界線K近傍のウェーハW表面に近接されている。
供給管8は、図4に示すように、ウェーハWと平行になるように側面にスリットが形成されており、供給されたIPAが供給管8の内部に貯留され、一定量を超えた時点でスリット65より流出し、供給部材7を流下してウェーハW表面へ供給される。
また、供給部材7が、図5に示す供給部材7Aのように微小な穴が開いた管状部材の場合は、供給管8Aに満たされたIPAは、供給部材7A内を毛細管現象の効果により移動してウェーハW表面へ供給される。
以上のような構成により、本発明に関わるウェーハ洗浄乾燥装置の、別の実施の形態では、気液界面である境界線K付近に濃度の高い極少量のIPAを供給され、洗浄液50内の境界線K付近へ一定の流量で常に新たな洗浄液50が供給される。これにより、境界線付近のIPAと洗浄液との間の濃度勾配が一定に形成され、安定した一様な乾燥を行うことが可能となる。
次に、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法について説明する。図1に示すウェーハ研磨装置10により研磨されたウェーハWは図2に示すように、洗浄乾燥装置1の洗浄槽2内に設けられた移動台51上に傾倒して載置される。ウェーハWが載置された後、供給口3より洗浄液50が供給され、洗浄液50に浸漬されたウェーハWは不図示の洗浄機構により洗浄が行なわれる。
洗浄終了後、不図示の移動手段によりIPA供給部6の供給部材7の先端部が、洗浄液50に浸漬されたウェーハWの表面最上部へ近接される。この状態でドレイン口4より洗浄液50が排出され、それにともない、供給管8よりウェーハWの乾燥を行うIPAが供給部材7へ供給され、キャリアガス供給部60のノズル61よりキャリアガスが噴射される。
洗浄液50の排出が進み洗浄液50の液面が低下すると、ウェーハW表面と洗浄液50表面との境界線KがウェーハW表面に形成され、液面の低下とともに移動していく。
IPA供給部6とキャリアガス供給手段60とは、境界線Kの移動に合わせて移動を行う。IPA供給部6の供給部材7は、先端部が境界線K近傍のウェーハW表面に近接し、供給部材7とウェーハWとの距離を一定に保ちながら、図3に示す、矢印B位置、矢印C位置へと移動していく。
キャリアガス供給部60もIPA供給部6と同様に、境界線K付近へキャリアガスを供給するように矢印B位置、矢印C位置へと移動を行う。
このとき、境界線K付近へは、図8に示すように、毛細管現象により供給部材7を微量に流れるIPAが、供給部材7とウェーハW表面との間に作用する界面張力によって生じる毛細管現象等の効果で微量且つ連続的に供給され、洗浄液50とIPAとの境界面で、大きな濃度勾配が形成される。
これにより、マランゴニ効果によるマランゴニ力が洗浄液とIPAの間に、ばらつきなく効果的に発生し、ウェーハW全面において一様な乾燥が行われる。
乾燥が終了したウェーハWは、インデックス用ロボット22、又はトランスファーロボット30によって、洗浄槽2より搬出される。
次に、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法の別の実施の形態について説明する。図1に示すウェーハ研磨装置10により研磨されたウェーハWは図7に示すように、洗浄乾燥装置70の洗浄槽71内に設けられた移動台51上に傾倒して載置される。ウェーハWが載置された後、供給口3より洗浄液50が供給され、洗浄液50に浸漬されたウェーハWは不図示の洗浄機構により洗浄が行なわれる。
洗浄終了後、図8に示すように、不図示の移動手段によりIPA供給部6の供給部材7の先端部が、洗浄液50に浸漬されたウェーハWの表面最上部へ近接される。この状態で移動台51が図8の矢印A1方向へ上昇してウェーハWが洗浄液50より引き上げられる。
それにともない、IPA供給部6よりウェーハWの乾燥を行うIPAが、供給部材7とウェーハW表面との間に作用する界面張力によって生じる毛細管現象等の効果で微量且つ連続的に供給され、キャリアガスがキャリアガス供給部60のノズル61より噴射される。更に、ウェーハWが引き上げられることによりウェーハW面上に形成される境界線K付近へ向けて、洗浄液50内部に位置する洗浄液供給部73より、矢印F1方向に向かって新たな洗浄液50が噴射される。
噴射された洗浄液50は、境界線KにおいてIPA供給部6より供給された微量のIPAとの間で大きな濃度勾配を形成するとともに、IPAの一部が洗浄液50へ溶融する。
洗浄液50に溶融したIPAは、図8に示す矢印F2のように、洗浄槽71内に満たされた洗浄液50の表面付近に沿って拡散し、矢印F3のように、窓76より装置外へ排出される。
これにより、境界線K付近へは常に新しい洗浄液50が供給され、境界線K付近のIPAと洗浄液50との間の濃度勾配が一定に形成され、安定した一様な乾燥を行うことが可能となる。
乾燥が終了したウェーハWは、インデックス用ロボット22、又はトランスファーロボット30によって、洗浄槽71より搬出される。
次に、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥方法による実験例を示す。ウェーハ洗浄乾燥方法には、別の実施の形態で説明した方法によるウェーハ洗浄乾燥方法を使用し、実験装置の構成は図7に示すウェーハ洗浄乾燥装置と同様のものとする。
実験の条件は図10に示す通り、第1の流体としての洗浄水には超純水、第2の流体としては濃度50%のIPA、第3の流体としては、純度99.99%以上の窒素ガスを使用する。
この実験の結果、ウェーハ表面のディフェクト数は22個(>0.18μm、スクラッチ、パーティクル含む)であった。ウォーターマーク、ストリークラインは確認されなかった。これにより、本発明によるウェーハ洗浄乾燥方法において、ウェーハ上に洗浄液を残すことなく、ウォーターマークの発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行なうことが可能であることが確認された。
以上説明したように、本発明に係るウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法によれば、極少量の濃度の高い第2の流体であるIPA、または第1の流体である洗浄液を、気液界面付近へ一様に且つ連続的に供給することが可能となる。供給されたIPAと洗浄液との間には、高い濃度勾配が形成され、一様にウェーハの洗浄乾燥が行われる。これにより、ウェーハ上に洗浄液を残すことなく、ウォーターマークの発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行なうことが可能となる。
なお、本実施の形態では、本発明に係わるウェーハ洗浄乾燥装置1は、ウェーハ研磨装置10内に組込まれた形で説明されているが、ウェーハ洗浄乾燥装置1のみを別の装置としても好適に利用可能である。
本発明に係わるウェーハ研磨装置の全体構成図。 ウェーハ洗浄乾燥装置の構成を示した斜視図。 ウェーハ洗浄乾燥装置の構成を示した側面断面図。 IPA供給部の側面断面図。 別のIPA供給部の側面断面図。 別のIPA供給部の側面断面図。 別のウェーハ洗浄乾燥装置の構成を示した斜視図。 別のウェーハ洗浄乾燥装置の構成を示した側面断面図。 ウェーハの乾燥方法を説明した断面図。 実施の条件を示した図表。
符号の説明
1、70…ウェーハ洗浄乾燥装置,2、71…洗浄槽,3…供給口,4…ドレイン口,5…ストッパ,6…IPA供給部(第1の供給手段),7…供給部材,8…供給管(支持部),9、72…ブロック,10…ウェーハ研磨装置,50…洗浄液(第1の流体),51…移動台,52…レール,55…支持柱,60…キャリアガス供給部(第2の供給手段),61…ノズル,73…洗浄液供給部(第3の供給手段),K…境界線,W…ウェーハ

Claims (10)

  1. 洗浄用の第1の流体が満たされ、前記第1の流体内に浸漬されたウェーハの洗浄が行われる洗浄槽と、
    前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げる際、又は前記第1の流体を排出する際、前記第1の流体表面と前記ウェーハ表面との境界線付近に、前記第1の流体よりも表面張力が小さい、前記ウェーハの乾燥を行う第2の流体を供給する第1の供給手段と、
    前記供給装置と前記ウェーハとを相対的に移動させる移動手段と、を備えたことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥装置。
  2. 前記第1の供給手段は、線状部材、又は管状部材で形成された供給部材を備え、前記供給部材の先端が前記境界線近傍の前記ウェーハ表面に近接していることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  3. 前記供給部材は、高分子樹脂素材により形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  4. 前記第1の供給手段は、前記供給部材へ前記第2の流体を供給する、管状部材、又は多孔質素材で形成された支持部を備えていることを特徴とする請求項1、2、又は3いずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  5. 前記ウェーハ洗浄乾燥装置は、前記ウェーハ表面への酸素の接触を防止する第3の流体を供給する第2の供給手段が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、又は4のいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  6. 前記第3の流体は、窒素ガスであることを特徴とする請求項5に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  7. 前記洗浄槽には、前記第1の流体を供給する供給口と、前記第1の流体を排出するドレイン口が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、又は6のいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  8. 前記ウェーハ洗浄乾燥装置は、前記洗浄槽内に満たされた前記第1の液体の内部より、前記境界線へ向かって前記第1の流体を供給する第3の供給手段が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、又は7のいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
  9. 洗浄用の第1の流体内に浸漬された洗浄後のウェーハ表面と、前記第1の流体表面との境界線近傍の、前記ウェーハ表面に近接するように設けられた供給部材より、前記第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体を前記境界線付近へ供給するとともに、前記供給部材と前記境界線との相対的位置を保ちながら前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げるか、又は前記第1の流体を排出することにより乾燥を行うことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥方法。
  10. 前記洗浄槽に満たされた前記第1の流体内より前記境界線へ向かって新たな前記第1の流体を供給して前記洗浄槽から前記第1の流体を溢れさせるとともに、前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げて該ウェーハの乾燥を行うことを特徴とする請求項9に記載のウェーハ洗浄乾燥方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306881A (ja) * 1999-03-26 2000-11-02 Applied Materials Inc 基板洗浄乾燥装置
JP2001252604A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Tokyo Electron Ltd 処理液吐出ノズルおよび液処理装置
JP2004056129A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Samsung Electronics Co Ltd 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306881A (ja) * 1999-03-26 2000-11-02 Applied Materials Inc 基板洗浄乾燥装置
JP2001252604A (ja) * 2000-03-13 2001-09-18 Tokyo Electron Ltd 処理液吐出ノズルおよび液処理装置
JP2004056129A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Samsung Electronics Co Ltd 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111785663A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理***
CN111785663B (zh) * 2020-07-10 2023-02-28 华海清科股份有限公司 一种晶圆后处理***

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