JP2007221073A - ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法 - Google Patents
ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法 Download PDFInfo
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Abstract
ウェーハ上に洗浄液を残すことなくウェーハの乾燥を行い、ウォーターマークやパーティクル残留の発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行なうウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法を提供すること。
【解決手段】
ウェーハWの乾燥を行うIPAを、洗浄液50に浸漬されたウェーハW上に形成されるウェーハW表面と洗浄液50表面との境界線K付近へIPA供給手段6により少量且つ連続的に供給することにより、効果的に濃度勾配を形成し、ウォーターマークやパーティクル残留の発生がない高品質なウェーハの洗浄乾燥を行う。
【選択図】図2
Description
Claims (10)
- 洗浄用の第1の流体が満たされ、前記第1の流体内に浸漬されたウェーハの洗浄が行われる洗浄槽と、
前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げる際、又は前記第1の流体を排出する際、前記第1の流体表面と前記ウェーハ表面との境界線付近に、前記第1の流体よりも表面張力が小さい、前記ウェーハの乾燥を行う第2の流体を供給する第1の供給手段と、
前記供給装置と前記ウェーハとを相対的に移動させる移動手段と、を備えたことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥装置。 - 前記第1の供給手段は、線状部材、又は管状部材で形成された供給部材を備え、前記供給部材の先端が前記境界線近傍の前記ウェーハ表面に近接していることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 前記供給部材は、高分子樹脂素材により形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 前記第1の供給手段は、前記供給部材へ前記第2の流体を供給する、管状部材、又は多孔質素材で形成された支持部を備えていることを特徴とする請求項1、2、又は3いずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 前記ウェーハ洗浄乾燥装置は、前記ウェーハ表面への酸素の接触を防止する第3の流体を供給する第2の供給手段が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、又は4のいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 前記第3の流体は、窒素ガスであることを特徴とする請求項5に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 前記洗浄槽には、前記第1の流体を供給する供給口と、前記第1の流体を排出するドレイン口が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、又は6のいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 前記ウェーハ洗浄乾燥装置は、前記洗浄槽内に満たされた前記第1の液体の内部より、前記境界線へ向かって前記第1の流体を供給する第3の供給手段が設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、又は7のいずれか1項に記載のウェーハ洗浄乾燥装置。
- 洗浄用の第1の流体内に浸漬された洗浄後のウェーハ表面と、前記第1の流体表面との境界線近傍の、前記ウェーハ表面に近接するように設けられた供給部材より、前記第1の流体よりも表面張力が小さい第2の流体を前記境界線付近へ供給するとともに、前記供給部材と前記境界線との相対的位置を保ちながら前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げるか、又は前記第1の流体を排出することにより乾燥を行うことを特徴とするウェーハ洗浄乾燥方法。
- 前記洗浄槽に満たされた前記第1の流体内より前記境界線へ向かって新たな前記第1の流体を供給して前記洗浄槽から前記第1の流体を溢れさせるとともに、前記ウェーハを前記第1の流体より引き上げて該ウェーハの乾燥を行うことを特徴とする請求項9に記載のウェーハ洗浄乾燥方法。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2000306881A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-02 | Applied Materials Inc | 基板洗浄乾燥装置 |
JP2001252604A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理液吐出ノズルおよび液処理装置 |
JP2004056129A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000306881A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-11-02 | Applied Materials Inc | 基板洗浄乾燥装置 |
JP2001252604A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理液吐出ノズルおよび液処理装置 |
JP2004056129A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111785663A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-16 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆后处理*** |
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