JP7221375B2 - 基板処理ブラシの洗浄方法及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理ブラシの洗浄方法及び基板処理装置に関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスを例にとって説明すると、ＬＳＩ等の半導体デバイスがその表面に形成される半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）表面は、プロセス中においては、極めて厳格な清浄度を維持することが要求される場合がある。そのため、各種の製造、処理プロセスの前後には、必要に応じてその都度ウエハ表面の洗浄が行われることがあり、例えばフォトリソグラフィ工程では、かかる洗浄が不可欠になっている。

そこで、フォトリソグラフィ工程などでは、ウエハ表面をスクラブ洗浄装置により洗浄している。スクラブ洗浄装置は、回転するウエハの表面に洗浄液を供給しつつ、ブラシやスポンジ等の洗浄部材を備える基板処理ブラシを回転させながら、ウエハの表面にブラシを接触させて表面に付着した異物をこすり落とす。このような洗浄部材は、摩耗により洗浄能力が低下するため、摩耗した洗浄部材を定期的に新品の洗浄部材に交換する必要がある。

特開平０８－０１０７３６号公報

ところで、新品のブラシには、ブラシを製作する過程で混入した異物が残留しており、ブラシからウエハに異物が転移または付着することによって基板洗浄処理の品質が低下するおそれがある。このため、製品用のウエハを洗浄する前にブラシから異物を除去するブラシ洗浄処理が行われることがある。例えば、ブラシ洗浄処理には、非製品用のウエハに何度も新品のブラシを接触させて、製品用のウエハの洗浄に適用可能な清浄度が得られるまでブラシを洗浄するエージング処理が行われていた。

本開示は、ブラシ洗浄処理の時間を短縮する技術を提供する。

本開示の一実施形態による基板処理ブラシの洗浄方法は、基板を保持する基板保持部と、基板に接触させて基板を処理する接触部材を有する基板処理ブラシと、基板処理ブラシを装着可能なアームと、基板保持部に保持された基板を処理する処理位置と処理位置から離れた待機位置との間において、アームに装着された基板処理ブラシを移動させる駆動部と、待機位置に設けられ、洗浄液を貯留する洗浄液貯留槽と、を備えた基板処理装置において、基板処理ブラシの接触部材を基板に接触させる前に、洗浄液貯留槽に加熱された洗浄液を貯留させ、加熱された洗浄液に接触部材を浸漬させることよって接触部材を洗浄する。

本開示によれば、ブラシ洗浄処理の時間を短縮する技術を提供することができる。

図１は、第１の実施形態にかかる基板処理装置の斜視図である。 図２は、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置の斜視図である。 図３は、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置における基板処理ブラシの一部断面の正面図である。 図４は、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置における基板処理ブラシの底面図である。 図５は、第１の実施形態にかかる裏面洗浄装置における基板処理ブラシの正面図である。 図６は、第１の実施形態にかかる裏面洗浄装置における基板処理ブラシの底面図である。 図７は、洗浄スポンジとウエハとが接触している状態の一例を示す説明図である。 図８は、第１の実施形態にかかるブラシ洗浄処理を行った場合における洗浄効果を従来のブラシ洗浄処理と比較した図である。 図９は、第２の実施形態にかかる洗浄部材洗浄装置の断面図である。

以下に、本開示による基板処理ブラシの洗浄方法及び基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理ブラシの洗浄方法及び基板処理装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態にかかる基板処理装置の斜視図である。図１に示すように、基板処理装置１は、ウエハＷを収納したキャリアＣを載置するキャリアステーション２を備える。キャリアステーション２の中央には、キャリアＣを所定の位置に位置決めし、位置決めされたキャリアＣからウエハＷを搬入・搬出する機能を有する補助アーム３が配置されている。補助アーム３の背部には、補助アーム３との間でのウエハＷの授受や各処理装置に対してウエハＷの搬入・搬出を行うメインアーム５が待機している。

メインアーム５は、基板処理装置１の中央に設けられた搬送路６に沿って移動可能である。搬送路６の両側には、各種の処理装置が配置されている。具体的には、搬送路６の一方の側方には、例えば、ウエハＷの上面を洗浄する上面洗浄装置７と、ウエハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄装置８とが並んで配置される。また、搬送路６の他方の側方には、加熱装置９が４基積み重ねて設けられている。加熱装置９は、ウエハＷを加熱して乾燥させる機能を有している。加熱装置９に隣接する位置には、２基のウエハ反転装置１０が積み重ねて設けられている。

図２は、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置７の斜視図である。図２に示すように、上面洗浄装置７は、スピンチャック２１と、ノズル２２と、スクラバ本体２３と、洗浄部材洗浄装置２４と、メガソニックノズル２６とを備える。

スピンチャック２１は、ウエハＷの上面を上向きにして水平な状態で、例えばベルヌーイ効果を利用して吸着保持しそのウエハＷを回転させる。ノズル２２は、スピンチャック２１により保持されるウエハＷの上面に洗浄液（たとえば純水）を供給する。スクラバ本体２３は、スピンチャック２１によって回転させられているウエハＷの表面を洗浄する。洗浄部材洗浄装置２４は、スクラバ本体２３に備えられている洗浄部材自体を洗浄する。メガソニックノズル２６は、上面洗浄装置７の外装であるケース２５の内部においてスピンチャック２１を挟んでスクラバ本体２３と対称位置に配置される。

ケース２５の搬送路６に面する側面には、ウエハＷを上面洗浄装置７に搬入・搬出する際に上下動して開閉する開閉ドア２７が設けられている。スピンチャック２１は、吸着保持したウエハＷを時計回転方向ＣＷ（ＣｌｏｃｋＷｉｓｅ）に回転させる。スピンチャック２１の周囲には、開閉ドア２７の開閉と連動して上下動し、ウエハＷの洗浄時において、ウエハＷの表面に供給した洗浄液等が周囲に飛び散ることを防止するカップ２８が設けられている。

スクラバ本体２３は、基板処理ブラシ２９をスクラバアーム３０の先端に装着している。図３は、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置７における基板処理ブラシ２９の一部断面の正面図である。図３に拡大して示すように、スクラバアーム３０の先端下方には図示しない駆動手段の稼働によって回転する回転軸３１が設けられており、基板処理ブラシ２９は、回転軸３１の下端に取付板３２を介して固定されて、回転駆動される。基板処理ブラシ２９は、下部に洗浄部材であるＰＶＡスポンジ製の洗浄スポンジ３３を有しており、基板処理ブラシ２９を回転させて洗浄スポンジ３３をウエハＷの表面に接触させることにより、ウエハＷ表面を洗浄する。また、基板処理ブラシ２９の上部は、両端が開口した中空の部材の洗浄部材ホルダー３４で構成される。これにより、基板処理ブラシ２９の上方に設けられた基板処理ブラシ用ノズル３５から供給された洗浄液（例えば純水）を洗浄部材ホルダー３４の内部を通して洗浄スポンジ３３の内側から浸透させ、外方に吐出するようになっている。

図４は、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置７における基板処理ブラシ２９の底面図である。図３および図４に示すように、洗浄スポンジ３３は、円柱形状になっている。なお、基板処理ブラシ２９を回転軸３１の下端に取り付けるための取付板３２には、洗浄液を通すための孔である洗浄孔３６が適当数設けられている。洗浄孔３６を通った洗浄液は、洗浄液供給孔３７を通過し洗浄スポンジ３３の中心部から洗浄スポンジ３３に浸透して洗浄スポンジ３３の外方に吐出される。

洗浄部材洗浄装置２４は、図２に示されるように、ウエハＷの洗浄位置から離れた位置にあり、基板処理ブラシ２９の待機位置に配置されている。そして、図３に拡大して示されるように、洗浄部材洗浄装置２４は、加熱機構３８と、洗浄液を貯留する洗浄液貯留槽３９と、洗浄液貯留槽３９に洗浄液を供給する洗浄槽用ノズル４０とを備えている。洗浄液貯留槽３９には、上から順に洗浄液貯留槽３９内の洗浄液の液面を検出する第１液面検出部４６と第２液面検出部４７とが設けられている。さらに、洗浄液貯留槽３９の底には、洗浄液を排出する排液ライン４８が接続されている。排液ライン４８には、開閉弁４９が介設されている。なお、前記した洗浄スポンジ３３は、洗浄液貯留槽３９に貯留された洗浄液に浸漬自在である。加熱機構３８は、制御部１１によって加熱制御され、洗浄槽用ノズル４０は、制御部１１によって流量制御及び開閉制御される。また、開閉弁４９は、制御部１１によって開閉制御される。

一方、スクラバアーム３０の基端は、図２に示すように、駆動手段４１の稼働によって回転する駆動軸４２の上端に支持される。駆動軸４２の回転によってスクラバアーム３０が旋回することにより、その先端に配置された基板処理ブラシ２９を洗浄位置と待機位置との間で往復移動できるようになっている。ここで、待機位置とは、スピンチャック２１外方に配置された洗浄部材洗浄装置２４の上方の位置である。また、洗浄位置とは、スピンチャック２１によって保持されているウエハＷを洗浄する位置である。

また、スクラバアーム３０の基端を支持する駆動軸４２自体も、昇降手段４３の稼働によって上下動する構成になっている。スクラバアーム３０及びその先端の基板処理ブラシ２９は、駆動軸４２の上下動に従って一体的に上下動する。

また、メガソニックノズル２６は先に説明したスクラバ本体２３とほぼ同様の構成を有する。メガソニックアーム４４の先端には、図示しない励振器からの超音波で励振した洗浄液を所望の振動数で供給することのできるノズル本体４５が設けられている。メガソニックノズル２６は、スクラバ本体２３によるスクラバ洗浄を行った後に、ウエハＷの上面をさらに清浄な状態にするため、励振した洗浄液でウエハＷを再度洗浄する機能を有している。

一方、基板処理装置１に組み込まれている裏面洗浄装置８は、上面洗浄装置７と基本的に同じ構成を有する。裏面洗浄装置８は、基板処理ブラシ２９の代わりに、図５、図６で示した基板処理ブラシ５０を備えている。図５は、第１の実施形態にかかる裏面洗浄装置８における基板処理ブラシ５０の正面図であり、図６は、同底面図である。基板処理ブラシ５０は、その下部に毛製の洗浄ブラシ５１が、洗浄部材ホルダー５２の洗浄液供給孔５３を中心に十字状に取り付けられている。そして、さらに円柱形状を縦に４分割した形状の洗浄スポンジ５４が、洗浄ブラシ５１を避けるように４個、取り付けられている。

基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部１１に設けられた記憶媒体１２に記憶された各種のプログラムにしたがって制御部１１で制御され、ウエハＷの処理を行う。ここで、制御部１１は、たとえばコンピュータ等の制御装置が備えるＣＰＵ（Central Processing Unit）やＭＰＵ（Micro Processor Unit）等である。また、記憶媒体１２は、各種の設定データやプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のもので構成される。なお、上記プログラムは、記憶媒体１２から制御装置の記憶部にインストールされたものであってもよい。

以上のように構成された基板処理装置１において、第１の実施形態にかかる上面洗浄装置７でウエハＷを洗浄する場合には、先ず、キャリアステーション２のキャリアＣに収納されたウエハＷを補助アーム３によって取り出す。つづいて、補助アーム３が、メインアーム５に受け渡しを行う位置まで移動し、ウエハＷの位置決めを行った後、メインアーム５にウエハＷを渡す。その後の工程は、ウエハＷの上面洗浄のみ、あるいは上面洗浄と裏面洗浄を連続処理によって行うかによって異なる。

先ず、メインアーム５によって搬送されてきたウエハＷを、開放された開閉ドア２７から上面洗浄装置７内に搬入し、スピンチャック２１の上方にウエハＷを移動した後、メインアーム５を下降させることにより、ウエハＷをスピンチャック２１上に受け渡す。その後、メインアーム５は上面洗浄装置７内から退出し、開閉ドア２７が閉じられ、同時にカップ２８が上昇してウエハＷの周囲を囲む。そして、スピンチャック２１は、ウエハＷの上面を上向きにして水平な状態で例えばベルヌーイ効果を利用して吸着保持し、その保持したウエハＷを回転させる。

つづいて、スピンチャック２１で支持されているウエハＷの中心近くの所定の位置に、ノズル２２から洗浄液を供給する。これにより、ウエハＷの表面全体に遠心力により洗浄液がむらなく供給される。

次に、スクラバ本体２３を稼働させてウエハＷの表面全体をスクラブ洗浄する。まず、待機状態にあったスクラバ本体２３において、駆動軸４２の上昇に従って基板処理ブラシ２９の下面の洗浄スポンジ３３を洗浄部材洗浄装置２４の上方に持ち上げる。その後、駆動軸４２の回転によってスクラバアーム３０を反時計回転方向ＡＣＷ（Ａｎｔｉ Ｃｌｏｃｋｗｉｓｅ）に旋回させ、基板処理ブラシ２９をウエハＷの上方に移動させる。そして、基板処理ブラシ２９をウエハＷの中心において基板処理ブラシ２９の回転を開始して、基板処理ブラシ２９の下部の洗浄スポンジ３３を下降させ、ウエハＷの表面の中心にて接触させる。

次いで、スクラバアーム３０の時計回転方向ＣＷへの旋回に従って基板処理ブラシ２９を、回転しているウエハＷの中心からウエハＷの周縁まで移動させる。こうして、ウエハＷの表面全体に基板処理ブラシ２９の下部の洗浄スポンジ３３を図７に示したように接触させることにより、基板処理ブラシ２９でウエハＷの表面全体を洗浄スポンジ３３で洗浄する。図７は、洗浄スポンジ３３とウエハＷとが接触している状態の一例を示す説明図である。

以上のようにしてスクラブ洗浄が終了すると、基板処理ブラシ２９の回転を停止させ、駆動軸４２の上昇に従って基板処理ブラシ２９を上方に持ち上げる。次に駆動軸４２の回転によってスクラバアーム３０を時計回転方向ＣＷに旋回させ、基板処理ブラシ２９を洗浄部材洗浄装置２４の上方に移動する。次いで、駆動軸４２の下降に従い、基板処理ブラシ２９の下部の洗浄スポンジ３３が洗浄部材洗浄装置２４の内部に嵌入した待機状態に復帰する。

スクラブ洗浄を終了したら、次に、メガソニックノズル２６を稼働させてウエハＷの表面全体を超音波で励振した洗浄液により、再度洗浄する。

このようにしてウエハＷの上面洗浄処理が終了すると、カップ２８と開閉ドア２７が同時に下降し、メインアーム５によって上面洗浄装置７からウエハＷが取り出される。この状態では、ウエハＷは上面が上に向いているので、そのウエハＷをウエハ反転装置１０に搬入して反転させる。こうして反転させて裏面を上にした状態のウエハＷを、次に、裏面洗浄装置８に搬入し、以下同様の工程を繰り返すことによって、ウエハＷの裏面を基板処理ブラシ５０下部の洗浄ブラシ５１と洗浄スポンジ５４により洗浄する。

このようにして、ウエハＷの上面、裏面の洗浄処理が終了すると、スピンチャック２１の高速回転により洗浄液を振りきり乾燥させる。その後、メインアーム５によりウエハＷを加熱装置９に搬入し、例えば３０秒間１００℃に加熱して乾燥させ、次いで、メインアーム５によってウエハＷを補助アーム３に受け渡す。その後、補助アーム３からキャリアＣにウエハＷを戻す。

製品用のウエハＷを処理していくに伴い、基板処理ブラシ２９の洗浄スポンジ３３および基板処理ブラシ５０の洗浄ブラシ５１および洗浄スポンジ５４が磨耗し洗浄能力が低下するため、新品の基板処理ブラシに交換する必要がある。基板処理ブラシ交換時は、製品用のウエハＷに対する処理を停止し、オペレータが、摩耗した基板処理ブラシを取り外し、新品の基板処理ブラシと交換する。新品の基板処理ブラシと交換した後、製品用のウエハＷを処理する前にブラシ洗浄処理が行われる。

以下、基板処理装置１で行われるブラシ洗浄処理の詳細について説明する。まず、制御部１１は、洗浄液貯留槽３９の排液ライン４８に介設された開閉弁４９を閉め、洗浄槽用ノズル４０から常温（２０℃～２６℃）の洗浄液（ここでは純水）を洗浄液貯留槽３９に供給させる。つづいて、制御部１１は、第１液面検出部４６によって洗浄液の液面が検出された場合に、洗浄液の供給を止める。次に制御部１１は、加熱機構３８を制御し、洗浄液を予め設定された温度（３０℃～５０℃）まで加熱するとともにその温度に維持させる（貯留工程）。

そして、制御部１１は、駆動軸４２の回転によってスクラバアーム３０を洗浄液貯留槽３９の上方まで移動させた後、基板処理ブラシ２９の洗浄スポンジ３３が洗浄液に浸漬するまで下降させる（浸漬工程）。そして、制御部１１は、予め設定された時間、洗浄スポンジ３３を加熱された洗浄液に浸漬させることで洗浄スポンジ３３を洗浄する（洗浄工程）。

次に、制御部１１は、洗浄スポンジ３３の高さを維持したまま開閉弁４９を開け、加熱された洗浄液を排出させる。その後、制御部１１は、第２液面検出部４７によって洗浄液の液面が検出された場合に、開閉弁４９を再び閉めるとともに加熱機構３８を停止し、洗浄槽用ノズル４０から常温の洗浄液を再び供給させる。つづいて、制御部１１は、第１液面検出部４６によって洗浄液の液面が検出された場合に、洗浄液の供給を止める。そして、制御部１１は、予め設定された時間、洗浄スポンジ３３を常温の洗浄液に浸漬させることで洗浄スポンジ３３をリンスするとともに冷却する（リンス工程）。その後、駆動軸４２の上昇によって基板処理ブラシ２９を上昇させ、洗浄液から基板処理ブラシ２９を取り出す（引上げ工程）。

次に、制御部１１は、非製品用のウエハＷに何度も洗浄スポンジ３３を接触させる（エージング工程）。エージング工程は、製品用のウエハＷの洗浄に適用可能な清浄度が得られるまで繰り返される。

図８は、第１の実施形態にかかるブラシ洗浄処理を行った場合における洗浄効果を従来のブラシ洗浄処理と比較した図である。具体的には、図８には、ウエハＷの処理枚数を横軸に取り、ウエハＷ面内におけるパーティクル増加量を縦軸に取ったグラフを示している。また、図８に示すグラフでは、従来のブラシ洗浄処理の結果を破線で示すとともに、第１の実施形態に係るブラシ洗浄処理の結果を実線で示している。

図８に示すように、第１の実施形態に係るブラシ洗浄処理によれば、従来と比較して、接触させる非製品用のウエハＷの枚数が少なくても製品用のウエハＷの洗浄に適用可能な清浄度を得ることができる。また、第１の実施形態に係るブラシ洗浄処理によれば、エージング工程の前に、加熱された洗浄液による基板処理ブラシ２９の洗浄を行ったとしても、エージング工程の時間を短縮することができるため、全体としてブラシ洗浄処理の時間を短縮することができる。

以上に説明したように、第１の実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１）は、基板保持部（一例として、スピンチャック２１）と、基板処理ブラシ（一例として、基板処理ブラシ２９，５０）と、アーム（一例として、スクラバアーム３０）と、駆動部（一例として、駆動軸４２）と、洗浄液貯留槽（一例として、洗浄液貯留槽３９）とを備える。基板保持部は、基板（一例として、ウエハＷ）を保持する。基板処理ブラシは、基板保持部に保持された基板に接触させて基板を処理する接触部材（一例として、洗浄スポンジ３３，５４等の洗浄部材）を有する。アームは、基板処理ブラシを装着可能である。駆動部は、基板保持部に保持された基板を処理する処理位置（一例として、洗浄位置）と処理位置から離れた待機位置との間において、アームに装着された基板処理ブラシを移動させる。洗浄液貯留槽は、待機位置に設けられ、洗浄液（一例として、純水）を貯留する。かかる基板処理装置において実行される第１の実施形態に係る基板処理ブラシの洗浄方法は、洗浄工程（一例として、ブラシ洗浄処理）を含む。洗浄工程は、基板処理ブラシの接触部材を基板に接触させる前に、洗浄液貯留槽に加熱された洗浄液を貯留させ、加熱された洗浄液に接触部材を浸漬させることによって接触部材を洗浄する。

このように加熱された洗浄液で洗浄処理を行った場合には、洗浄スポンジ３３が加熱されることで、洗浄スポンジ３３の孔が膨張する。さらに、洗浄液が加熱されることによって、常温の洗浄液と比較して洗浄液の粘度が下がるため、洗浄液が洗浄スポンジ３３の内部に到達しやすくなるとともにその内部に入り込んだ異物とともに排出しやすくなる。したがって、洗浄効率が向上するため、ブラシ洗浄処理の時間を短縮することができる。

第１の実施形態に係る基板処理ブラシの洗浄方法は、リンス工程を含んでいてもよい。リンス工程は、洗浄工程後の接触部材を常温の洗浄液で洗浄する。このように常温の洗浄液を用いることで、接触部材を濯ぎ洗いするとともに温まった接触部材を常温まで冷却することができる。このため、ブラシ洗浄処理が終了してすぐに次の処理を行うことができる。

洗浄工程において、駆動部によって基板処理ブラシを上昇および下降させることで、洗浄液に浸漬させた接触部材を洗浄液から取り出し、再び洗浄液に浸漬させることを繰り返してもよい。これにより、洗浄スポンジ３３内に侵入した洗浄液を撹拌させることができるため洗浄効率が向上する。したがって、ブラシ洗浄処理の時間をさらに短縮することができる。

基板処理ブラシは、接触部材であるスポンジ（一例として、洗浄スポンジ３３，５４）と、スポンジを保持する接触部材ホルダー（一例として、洗浄部材ホルダー３４，５２）とを有していてもよい。また、この場合、洗浄工程は、第１洗浄工程と、第２洗浄工程とを含んでいてもよい。第１洗浄工程は、洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液にスポンジを浸漬する。第２洗浄工程は、第１洗浄工程後、接触部材ホルダーを洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液に浸漬する。

このように、スポンジの洗浄（第１洗浄工程）が終了した後、さらに接触部材ホルダーが洗浄液に浸漬されるまで下げて、接触部材ホルダーの洗浄（第２洗浄工程）を行ってもよい。これにより、接触部材ホルダーに付着した異物が、基板に転写されることを防止することができる。

第２洗浄工程は、第１洗浄工程に対して、洗浄液貯留槽の液面と基板処理ブラシの高さとを相対的に変化させることによって行われてもよい。

このように、接触部材ホルダーを洗浄する場合は、洗浄液貯留槽の液面と基板処理ブラシの高さを相対的に変化させればよく、たとえば、洗浄槽用ノズル４０から洗浄液を洗浄部材ホルダー３４が浸漬するまで供給してもよい。また、開閉弁４９を開け、洗浄スポンジ３３の洗浄に用いた洗浄液を排液ライン４８から洗浄液を排出して洗浄液貯留槽３９を空にした後、洗浄槽用ノズル４０から洗浄液を、洗浄部材ホルダー３４が洗浄液に浸漬されるまで供給してもよい。これにより、異物が混入していない洗浄液で接触部材ホルダーを洗浄できる。このため、接触部材ホルダーの洗浄効率を向上させることができる。

第１の実施形態に係る基板処理ブラシの洗浄方法は、洗浄工程とリンス工程とを複数回繰り返し行ってもよい。この場合、基板処理ブラシの洗浄効果を上げることができる。

洗浄工程において、基板処理ブラシの上方に設けられた基板処理ブラシ用ノズル（一例として、基板処理ブラシ用ノズル３５）から洗浄部材ホルダーの内部に洗浄液（例えば純水）を供給してもよい。接触部材ホルダーには、洗浄液を挿通させる洗浄液供給孔３７が設けられており、洗浄液供給孔３７を通してスポンジの内側から洗浄水を浸透させ、外方に吐出するようになっている。スポンジの内部から外方に向けて洗浄液を吐出するようにすれば、スポンジ表面の塵埃等を効果的に、捨て去ることができる。

上記において、接触部材ホルダーの内部に供給される洗浄液をキャリアガス（例えば、不活性ガスである窒素ガス等）によって加速させてもよい。これにより、洗浄液の勢いを増すことができ洗浄効率を向上させることができる。この場合、洗浄液をミスト状にすることで、スポンジの内部において洗浄液が常時接触する部分と接触しない部分の差を少なくすることができ洗浄効率を向上させることができる。

加熱機構３８は洗浄槽用ノズル４０の上流側に設けられてもよい。

基板処理ブラシ５０の洗浄ブラシ５１および洗浄スポンジ５４についても磨耗し洗浄能力が低下するため、新品の基板処理ブラシ５０に交換する必要がある。この場合であっても、基板処理ブラシ５０に対して本ブラシ洗浄処理が適用できる。

製品用のウエハＷを処理すると、ウエハＷから除去された異物によって基板処理ブラシ２９が汚染し、次に処理するウエハＷに異物が転移または付着するおそれがある。これを防止するために、製品用のウエハＷに対する洗浄処理の途中に本ブラシ洗浄処理を適用することができる。この場合、予め設定された枚数ごとに行ってもよいし、予め設定された時間の経過ごとに行ってもよい。

基板処理ブラシは、ウエハＷの洗浄に限られず、ウエハＷを研磨するためのブラシであってもよい。この場合、ＰＶＡスポンジ製ではなく砥石（例えば、炭化珪素やダイヤモンドなど）が用いられる。

以上はいずれも洗浄液として純水を用いた例について説明しているが、洗浄液として機能水、例えばアンモニア水、オゾン水を用いてもよい。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態における洗浄部材洗浄装置の構成について図９を参照して説明する。図９は、第２の実施形態にかかる洗浄部材洗浄装置の断面図である。

図９に示すように、洗浄槽用ノズルは、加熱された洗浄液を供給する第１洗浄槽用ノズル４０ａと常温の洗浄液を供給する第２洗浄槽用ノズル４０ｂとを備える。この場合、洗浄液貯留槽３９ａに温度測定部５５を設け、温度測定部５５の測定結果に基づき、予め設定された温度になるように第１洗浄槽用ノズル４０ａおよび第２洗浄槽用ノズル４０ｂから供給される洗浄液の流量を不図示の流量制御機構にて制御すればよい。

また、洗浄液貯留槽３９ａに加熱機構３８ａをさらに設けてもよい。この場合、制御部１１は、温度測定部５５の測定結果に基づき加熱機構３８ａを制御すれば、より早くあらかじめ設定された温度に調整することができる。

なお、以上はいずれも被基板処理ブラシとしてウエハＷを用いた例について説明しているが、被基板処理ブラシとしてＬＣＤ基板を用いてもよい。また、基板に接触させて洗浄する基板処理ブラシがあれば、単なる洗浄装置のみならず、例えば、塗布現像装置、メッキ装置、及び研磨装置に対しても本発明は応用できるものである。

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
７上面洗浄装置
２１ スピンチャック（基板保持部）
２９、５０ 基板処理ブラシ
３０ スクラバアーム（アーム）
３８ 加熱機構
３９ 洗浄液貯留槽
４２ 駆動軸
Ｗ ウエハ

Claims (9)

1. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板に接触させて前記基板を処理する接触部材を有する基板処理ブラシと、
   前記基板処理ブラシを装着可能なアームと、
   前記基板保持部に保持された前記基板を処理する処理位置と前記処理位置から離れた待機位置との間において、前記アームに装着された前記基板処理ブラシを移動させる駆動部と、
   前記待機位置に設けられ、洗浄液を貯留する洗浄液貯留槽と、
   を備えた基板処理装置において、
   前記基板処理ブラシの前記接触部材を前記基板に接触させる前に、前記洗浄液貯留槽に加熱された洗浄液を貯留させ、前記加熱された洗浄液に前記接触部材を浸漬させることよって前記接触部材を洗浄する洗浄工程を含み、
   前記基板処理ブラシは、
   前記接触部材であるスポンジと、
   前記スポンジを保持する接触部材ホルダーと、
   を有し、
   前記洗浄工程は、
   前記洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液に前記スポンジを浸漬する第１洗浄工程と、その後、前記接触部材ホルダーを洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液に浸漬する第２洗浄工程と、
   を含む、基板処理ブラシの洗浄方法。
2. 前記洗浄工程後の前記接触部材を常温の洗浄液で洗浄するリンス工程を含む、請求項１に記載の基板処理ブラシの洗浄方法。
3. 前記洗浄工程は、洗浄液に浸漬させた接触部材を洗浄液から取り出し、再び洗浄液に浸漬させることを繰り返す、請求項１または２に記載の基板処理ブラシの洗浄方法。
4. 前記第２洗浄工程は、
   前記第１洗浄工程に対して、前記洗浄液貯留槽の液面と前記基板処理ブラシの高さとを相対的に変化させることによって行われる、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理ブラシの洗浄方法。
5. 前記洗浄工程と前記リンス工程とを複数回繰り返す、請求項２に記載の基板処理ブラシの洗浄方法。
6. 基板を保持する基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された前記基板に接触させて前記基板を処理する接触部材を有する基板処理ブラシと、
   前記基板処理ブラシを装着可能なアームと、
   前記基板保持部に保持された前記基板を処理する処理位置と前記処理位置から離れた待機位置との間において、前記アームに装着された前記基板処理ブラシを移動させる駆動部と、
   前記待機位置に設けられ、洗浄液を貯留する洗浄液貯留槽と、
   前記基板処理ブラシの前記接触部材を前記基板に接触させる前に、前記洗浄液貯留槽に加熱された洗浄液を貯留させ、前記加熱された洗浄液に前記接触部材を浸漬させることよって前記接触部材を洗浄させる洗浄処理を実行する制御部と、
   を備え、
   前記基板処理ブラシは、
   前記接触部材であるスポンジと、
   前記スポンジを保持する接触部材ホルダーと、
   を有し、
   前記洗浄処理は、前記洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液に前記スポンジを浸漬する第１洗浄処理と、その後、前記接触部材ホルダーを洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液に浸漬する第２洗浄処理と、を含む、基板処理装置。
7. 前記洗浄液貯留槽に洗浄液を供給する洗浄槽用ノズルと、
   前記洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液を加熱する加熱機構と、
   を備えた、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記洗浄液貯留槽に加熱された洗浄液を供給する第１洗浄槽用ノズルと、
   常温の洗浄液を供給する第２洗浄槽用ノズルと、
   を備えた、請求項６に記載の基板処理装置。
9. 前記洗浄液貯留槽に貯留された洗浄液を加熱する加熱機構と、
   を備えた、請求項８に記載の基板処理装置。

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