JP2004056129A - 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この乾燥装置は、液体(5)を貯蔵する液槽(1)、前記液槽の上部に設けられたチャンバ(3)、及び前記液体の表面に有機溶媒を供給する分配器(11)を具備する。前記分配器を通じて有機溶媒が供給されれば、前記液体の表面に共沸混合物層(5a)が形成され、前記共沸混合物層上に有機溶媒層(11a)が形成される。前記有機溶媒層及び前記有機溶媒層上の大気はヒータ(13)によって加熱される。また、前記チャンバの内部は乾燥ガス管(17)により供給される乾燥ガスで満たされる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板を乾燥させる装置及びこれを使用する乾燥方法に関するものであり、特に、共沸混合効果(共沸混合効果;azeotrope effect)を利用して半導体基板を乾燥させる装置及びこれを使用する乾燥方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
湿式洗浄工程または湿式エッチング工程のような湿式工程は半導体素子の製造によく使用される。したがって、リンス工程及び乾燥工程は各々湿式工程で使用された化学溶液及びリンス工程で使用された脱イオン水を半導体基板から除去するために湿式工程の後に必ず進行されなければならない。
【0003】
最近、マランゴニ原理(Marangoni principle)が乾燥效率を極大化させるために、乾燥工程に広く利用されている。前記マランゴニ原理を利用する乾燥方法及び乾燥装備が下記特許文献1に“基板を乾燥させる方法及び装備”というタイトルでピスィキン(Fishkin)などにより開示されたことがある。ピスィキンなどによると、貯蔵容器内の脱イオン水は乾燥工程を実施する間、前記貯蔵容器の排出穴に設けられたバルブを通じて排出される。また、前記バルブは液体水位制御システムにより制御される。したがって、前記貯蔵容器内の液体の水位を漸次的に低めるためには、前記バルブを精緻に制御することが要求される。
【0004】
これに加えて、下記特許文献2(Japanese laid−open patent number10−335299)は前記マランゴニ原理を利用するウェーハ乾燥装置を開示する。前記日本公開特許公報10−335299によると、前記ウェーハ乾燥装置は半導体ウェーハが入れた脱イオン水上に密閉された空間を提供することができる密閉用液槽を含む。したがって、前記乾燥工程は前記密閉された空間内に乾燥ガスを流入させることによって進行される。この場合に、前記乾燥ガスは前記脱イオン水の水位を低めるために高圧で供給されなければならない。これによって、前記脱イオン水の水位を漸次的に低めるためには、前記乾燥ガスの圧力を精緻に調節することが要求される。
【0005】
前記マランゴニ原理を利用する乾燥方法は、平らな表面を有する半導体基板を乾燥させるのには非常に效果的である。しかし、コンタクトホールのようなリセスされた領域、特に、狭くて深いリセスされた領域を有する半導体基板の表面を乾燥させるには限界がある。すなわち、前記リセスされた領域内の水分は前記マランゴニ原理を使用する乾燥方法が適用されても完全に除去されない。これによって、前記リセスされた領域内に残存する水分はウォタマーク(water marks)と呼ばれる表面欠陷を生成させる。前記ウォタマークが基板の表面に生成されれば、半導体素子の収率が顕著に減少する。
【0006】
【特許文献1】
米国特許第5,884,640号公報
【特許文献2】
特開平10−335299号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は半導体基板上の水分を效率的に除去するのに適する乾燥装置を提供することにある。
【0008】
本発明の他の課題は、半導体基板上の水分を效率的に除去させることができる乾燥方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を解決するために、本発明は乾燥装置を提供する。この装置は液体を貯蔵する液槽(wet bath)及び前記液槽の上部に設けられたチャンバを含む。前記チャンバは前記液槽内に貯蔵された前記液体の上部に空間を提供する。また、本発明は前記液槽内に貯蔵された前記液体の表面に有機溶媒(organic solvent)を供給する分配器を含む。前記分配器器から供給される前記有機溶媒は前記液体の表面に共沸混合物層(azeotrope layer)と共に前記共沸混合物層上に有機溶媒層を形成する。さらに、本発明は前記有機溶媒層及び前記有機溶媒層上の大気(atmosphere)を加熱させるヒータと共に前記チャンバ内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス管を具備する。
【0010】
前記分配器は前記チャンバの側壁に設けられ、前記液槽の上部側壁に隣接するように位置することが望ましい。前記有機溶媒は気体状態または液体状態で供給されることができる。また、前記ヒータは前記チャンバの内側壁に設けられ、前記分配器より高い地点に位置することが望ましい。前記乾燥ガス管は前記チャンバのふたの下に設けられることが望ましい。
【0011】
前記有機溶媒層内に含有された前記有機溶媒の容量濃度(volume concentration:vol.%)は前記共沸混合物層内に含有された前記有機溶媒の容量濃度より高いことが望ましい。また、前記有機溶媒層及び前記有機溶媒層上の大気は前記共沸混合物層の沸点より高い温度で加熱されることが望ましい。これに加えて、前記液体は半導体基板のリンス工程に広く使用される脱イオン水に該当させることができ、前記有機溶媒はイソプロピルアルコールであり得る。この場合に、前記共沸混合物層は前記脱イオン水及び前記イソプロピルアルコールの混合物(mixture)である。ここで、前記共沸混合物層は一番安定した状態を維持する混合物として、10Vol.%の脱イオン水と90Vol.%のイソプロピルアルコールからなる。前記脱イオン水及びイソプロピルアルコールの共沸混合物層は80℃の沸点(boiling point)を有する。
【0012】
一方、前記有機溶媒層、すなわちイソプロピルアルコール層内に含有されたイソプロピルアルコールの容量濃度は90Vol.%より高い。これによって、前記イソプロピルアルコール層の沸点は80℃より高い。このようなイソプロピルアルコール層が加熱されて気化する場合に蒸発するイソプロピルアルコールの量よりはむしろ蒸発する脱イオン水の量がさらに多いというのは広く知られている。 したがって、前記脱イオン水内に入れた半導体基板を上昇させ、前記共沸混合物層及び前記イソプロピルアルコール層を過ぎる半導体基板の表面を加熱させれば、前記半導体基板に残存する水分の濃度は徐々に低くなる。結果的に、前記半導体基板が前記チャンバの内部に完全に上昇されれば、前記半導体基板の表面に残存する水分は完全に除去される。特に、本発明によれば、コンタクトホールを有するパターニングされた半導体基板の表面に残存する水分を完全に除去するのに非常に效率的である。
【0013】
さらに、前記液槽の上部側壁に上部液体供給管が追加に設置されることもできる。前記上部液体供給管は前記液槽内の半導体基板が上昇する間、前記共沸混合物層の下に新鮮な液体(refresh fluid)、すなわち新鮮な脱イオン水を持続的に供給する。この時に、前記液槽内の液体は前記液槽の基底部から分岐した排出管を通じてドレインされることが望ましい。これによって、前記液槽内で前記液体の下部への流れ(downward stream)が発生する。結果的に、前記半導体基板の表面に吸着されたパーチクルはもちろん汚染した共沸混合物及び汚染した液体が前記排出管を通じて持続的にドレインされて洗浄效率をもっと増大させることができる。このような洗浄は “ドラッグ洗浄(drag cleaning)”と呼ばれる。前記ドラッグ洗浄が実施される間、前記分配器から有機溶媒が持続的に供給される。したがって、前記液体の表面に常に新しい共沸混合物層が形成される。
【0014】
また、前記液槽の基底部上に下部液体供給管が追加に設置されることもできる。前記下部液体供給管は前記分配器から有機溶媒が噴出される前に、前記液槽内に新鮮な液体、例えば新鮮な脱イオン水を供給する。これによって、前記液槽内にローディングされた半導体基板をリンスさせることができる。
【0015】
前記他の技術的課題を解決するために、本発明は液槽を有する乾燥装置を使用して半導体基板を乾燥させる方法を提供する。この方法は前記液槽内に貯蔵された脱イオン水内に前記半導体基板をつけることを含む。次に、前記脱イオン水の表面に有機溶媒を供給する。これによって、前記脱イオン水の表面に前記脱イオン水及び前記有機溶媒の共沸混合物層が形成され、前記共沸混合物層上に有機溶媒層が形成される。前記半導体基板は上昇されて前記共沸混合物層及び前記有機溶媒層を通過する。前記有機溶媒がイソプロピルアルコールである場合に、前記共沸混合物層は脱イオン水及びイソプロピルアルコールの混合物であり、前記脱イオン水及びイソプロピルアルコールの容量比率は1:9である。また、前記有機溶媒層内に含有されたイソプロピルアルコールの容量濃度は90Vol.%より高い。これによって、前記共沸混合物層及び前記有機溶媒層を通過する半導体基板の表面に残存する液体内の水分の容量濃度10Vol.%より低い。
【0016】
続いて、前記共沸混合物層及び前記有機溶媒層を通過する半導体基板の表面を加熱させて前記半導体基板に残存する液体を気化させる。その結果、前記半導体基板上に残存する液体内の水分は前記液体内のイソプロピルアルコールよりむしろもっと多く蒸発する。これによって、前記有機溶媒が持続的に供給され、前記有機溶媒層の上部に上昇される半導体基板が持続的に加熱されれば、前記半導体基板上の水分が除去される。前記半導体基板を前記有機溶媒層の上部に完全に上昇させた後に、 前記半導体基板の表面に乾燥ガスを供給する。その結果、前記半導体基板上に残存する有機溶媒が除去される。
【0017】
望ましくは、前記有機溶媒が供給され、前記半導体基板が上昇される間に、前記共沸混合物層の下に新鮮な脱イオン水を持続的に供給する。この時に、前記液槽の基底部から分岐した排出管を通じて前記液槽内の脱イオン水を持続的にドレインさせる。これによって、前記液槽内の汚染した脱イオン水とともに汚染した共沸混合物層も前記排出管を通じてドレインされる。結果的に、前記液槽内で前記脱イオン水の下部への流れが形成されるので、“ドラッグ洗浄”效果を追加に得ることができる。前記“ドラッグ洗浄”が実施される間、前記有機溶媒は持続的に供給される。したがって、前記脱イオン水の表面上には常に新鮮な共沸混合物層が生成され、前記新鮮な共沸混合物層上には常に新鮮な有機溶媒層が生成される。
【0018】
これに加えて、前記乾燥ガスを供給する間、少なくとも前記有機溶媒を持続的に供給すると同時に、前記液槽内の液体を前記排出管を通じてドレインさせることが望ましい。これによって、前記液槽内に残留する水分を前記有機溶媒に置き換えることができる。
【0019】
さらに、前記液槽内の液体を完全にドレインさせた後に、前記乾燥ガスのみを持続的に供給することが望ましい。これによって、前記半導体基板上に、そして前記液槽内に残存する有機溶媒を完全に除去することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施の形態に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施の形態は開示された内容が徹底して完全化されるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達するようにするために提供されるものである。明細書の全体にわたって同一の参照番号は同一の構成要素を示す。
【0021】
図1は本発明に使用される有機溶媒溶液のうちの一つであるイソプロピルアルコール溶液の気化特性を説明するためのグラフである。図1において、横軸はイソプロピルアルコール溶液の容量濃度を示し、縦軸は前記イソプロピルアルコール溶液の容量濃度による沸点を示す。
【0022】
図1を参照すれば、イソプロピルアルコール溶液は水(脱イオン水)及びイソプロピルアルコールの混合物である。前記イソプロピルアルコール溶液の共沸混合物は10Vol.%の水及び90Vol.%のイソプロピルアルコールの混合物である。前記イソプロピルアルコール共沸混合物の沸点は図1に示したように、80℃である。このようなイソプロピルアルコール共沸混合物を気化させれば、前記気化したイソプロピルアルコールの濃度は常に前記イソプロピルアルコール共沸混合物の濃度と同一である。しかし、前記イソプロピルアルコール濃度が90Vol.%より高い、または低いイソプロピルアルコール溶液を気化させれば、前記気化したイソプロピルアルコールの濃度は前記イソプロピルアルコール溶液の濃度と異なる。これは、図1に示したように、前記イソプロピルアルコール溶液の濃度が90Vol.%より低い、または高い場合に、前記イソプロピルアルコール溶液の沸点はそれの気化点より低いからである。すなわち、前記イソプロピルアルコール溶液の濃度が90Vol.%より低い、または高い場合に、前記イソプロピルアルコール溶液の沸点を表示する第1曲線1a、1bは前記イソプロピルアルコール溶液の気化点を表示する第2曲線3a、3bより低い温度を示す。
【0023】
例えば、50Vol.%の濃度を有するイソプロピルアルコール溶液の温度が図1の第1 曲線1a上でそれの沸点に到逹すれば、前記イソプロピルアルコール溶液は沸騰し始める。この時に、前記イソプロピルアルコールは水に比べて相対的にもっと多く蒸発する。これによって、前記蒸発したイソプロピルアルコール気体(IPA gas)内に含有されたイソプロピルアルコールの容量濃度Aは50Vol.%より高くなる。結果的に、前記沸騰しているイソプロピルアルコール溶液内に残存する水の容量濃度は50Vol.%より高くなる。
【0024】
一方、90Vol.%乃至100Vol.%の範囲のイソプロピルアルコール濃度、例えば95Vol.%のイソプロピルアルコール濃度を有するイソプロピルアルコール溶液の温度が前記第1曲線1b上でそれの沸点に到逹すれば、前記イソプロピルアルコール溶液も沸騰し始める。しかし、この場合に、前記蒸発したイソプロピルアルコール気体内に含有された水の容量濃度Bは5Vol.%より高くなる。結果的に、前記沸いているイソプロピルアルコール溶液内に残存する水の容量濃度は5Vol.%より低くなる。
【0025】
図2は本発明の望ましい実施の形態による乾燥装置を示す概路図である。
【0026】
図2を参照すれば、脱イオン水のような液体5を貯蔵する液槽1が提供される。前記液槽1の上部にチャンバ3が設けられる。前記チャンバ3は上/下部に向けて開口された側壁3a及び前記側壁3aの上部開口部を覆うふた3bを含む。これによって、前記液槽1 内の前記液体5の上部に前記チャンバ3によって囲まれた空間が提供される。前記液槽1の上部の側壁に隣接して分配器11が位置する。前記分配器11は前記チャンバ3の側壁3aに設置されることができる。前記分配器11は前記液体5の表面に有機溶媒を供給する。前記有機溶媒が前記分配器11を通じて供給されれば、前記液体5の表面に安定した状態を有する共沸混合物層5aが形成され、前記共沸混合物層5a上に有機溶媒層11aが形成される。前記液体5が脱イオン水であり、前記有機溶媒がイソプロピルアルコールであれば、前記脱イオン水5の表面にイソプロピルアルコール共沸混合物層IPA azeotrope layer)が形成される。前記イソプロピルアルコール共沸混合物層は90Vol.%のイソプロピルアルコール濃度及び10Vol.%の脱イオン水濃度を有する。前記有機溶媒は気体状態または液体状態で供給されることができる。前記分配器11を通じて供給される有機溶媒の濃度は90Vol.%より高いことが望ましい。
【0027】
前記分配器11の上部にヒータが配置される。前記ヒータは前記チャンバ3の側壁3aに設けられて前記チャンバ3内の大気を加熱させる。さらに具体的に、前記液体5内に入れた半導体基板(図示しない)が前記チャンバの内部に向けて上昇されれば、 前記ヒータは前記半導体基板の表面に残存する液体を加熱させて前記液体内の水分を蒸発させる。前記ヒータは前記分配器11上に位置する赤外線ランプ13及び前記赤外線ランプ13上に位置する加熱ガス供給管15を含むことが望ましい。これとは異なり、前記ヒータは前記赤外線ランプ13または前記加熱ガス供給管15だけで構成されることもできる。前記加熱ガス供給管15は前記共沸混合物層の沸点より高い温度で加熱された不活性ガス、例えば熱い窒素ガスを噴出させる。
【0028】
前記側壁3aの所定の領域は排出穴4によって貫通される。前記チャンバ3の内部に前記有機溶媒及び熱い窒素ガスなどが流入されても、前記チャンバ3内の圧力は前記排出穴4に起因して、常に大気圧(atmospheric pressure:1atm)を維持する。前記排出穴4は図2に示したように、前記側壁3aの上部に位置することが望ましい。前記ふた3bの下には乾燥ガス管17が設けられる。前記チャンバ3内の半導体基板の表面上に存在する有機溶媒は前記乾燥ガス管17を通じて排出される乾燥ガスにより除去される。前記乾燥ガスは窒素ガスであり得る。
【0029】
本発明は前記液槽1の上部の側壁に設けられた上部液体供給管7をさらに含むことができる。また、本発明は前記液槽1の基底部から分岐した排出管1aをさらに含むことができる。前記分配器11を通じて有機溶媒が供給される間、前記上部液体供給管7を通じて前記共沸混合物層5aの下に新鮮な液体、すなわち新鮮な脱イオン水が供給されることが望ましい。この場合に、前記液槽1内の汚染した液体及び汚染した共沸混合物層は前記排出管1aを通じてドレインされる。これによって、前記液槽1内で下部への流れが生成されるので“ドラッグ洗浄”效果を得ることができる。前記排出管1aの所定の領域にはバルブ19が設けられることが望ましい。前記液槽1内の液体5は前記バルブ19をオープンさせることによって排出される。
【0030】
さらに、前記液槽1の基底部上に下部液体供給管9が追加に設置されることができる。前記下部液体供給管9は前記液槽1内の半導体基板をリンスさせる間新鮮な脱イオン水を提供する。
【0031】
次に、図2に示した乾燥装置を使用して半導体基板を乾燥させる方法を説明する。
【0032】
図3乃至図9は本発明の実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【0033】
図3を参照すれば、前記液槽1内に貯蔵された脱イオン水5内に半導体基板21をつける。次に、前記下部液体供給管9を通じて前記液槽1の内部に新鮮な脱イオン水を持続的に供給して前記半導体基板21をリンスさせる。前記リンス工程間前記液槽1内の脱イオン水はオーバーフローされることができる。
【0034】
図4を参照すれば、前記リンス工程を完了した後に、前記分配器11を通じて前記脱イオン水5の表面に有機溶媒、すなわちイソプロピルアルコールを供給する。前記イソプロピルアルコールは気体状態または液体状態で供給されることができる。これによって、前記脱イオン水5の表面にイソプロピルアルコール共沸混合物層(IPA azeotrope layer:5a)が形成され、前記イソプロピルアルコール共沸混合物層5a上にイソプロピルアルコール層11aが形成される。前記分配器11を通じて供給される前記イソプロピルアルコールの濃度は前記イソプロピルアルコール共沸混合物層5aの濃度より高いことが望ましい。すなわち、前記イソプロピルアルコール層11a内に含有されたイソプロピルアルコールの容量濃度は90Vol.%より高いことが望ましい。
【0035】
前記イソプロピルアルコールが前記分配器11を通じて供給される間、前記上部液体供給管7を通じて前記液槽内に新鮮な脱イオン水を持続的に供給して前記排出管1aを通じて前記液槽内の脱イオン水をドレインさせることが望ましい。これによって、前記液槽1内の汚染した脱イオン水及び汚染した共沸混合物が前記排出管1aを通じてドレインされるので“ドラッグ洗浄”效果を得ることができる。結果的に、前記脱イオン水5内のパーチクルが前記半導体基板21の表面に再吸着されることを防止して、前記半導体基板21上に残存するパーチクルを效率的に除去することができる。前記液槽1内の脱イオン水が前記排出管1aを通じてドレインされても、前記上部液体供給管7及び前記分配器11を通じて新鮮な脱イオン水及び新鮮なイソプロピルアルコールが各々持続的に供給される。これによって、前記脱イオン水5の表面には常に新しいイソプロピルアルコール共沸混合物層5aが形成され、前記イソプロピルアルコール共沸混合物層5a上には新しいイソプロピルアルコール層11aが形成される。
【0036】
図5及び図9を参照すれば、前記分配器11及び前記上部液体供給管7を通じて前記イソプロピルアルコール及び前記脱イオン水を持続的に供給する間、前記半導体基板21をゆっくり上昇させる。これに加えて、前記赤外線ランプ13をターンオンさせて前記イソプロピル層11a上に赤外線13aを照射し、前記加熱ガス供給管15を通じて熱い窒素ガス15aを前記チャンバ3の内部に噴射させる。前記半導体基板21が前記イソプロピルアルコール共沸混合物層5aを過ぎる間、前記半導体基板21の表面に吸着された脱イオン水は前記イソプロピルアルコール共沸混合物層5aに置き換えられる。結果的に、前記イソプロピルアルコール共沸混合物層5aを貫通する前記半導体基板21の表面に残存する水分の濃度は 100Vol.%から10Vol.%に減少される。
【0037】
続いて、前記半導体基板21が前記イソプロピルアルコール層11aを過ぎる間、前記半導体基板21の表面に残存する水分の濃度は10Vol.%より低くなる。これによって、前記イソプロピルアルコールの濃度の差に起因して前記半導体基板21の表面に表面張力の差が発生する。結果的に、マランゴニ原理に基礎した乾燥工程が実施される。しかし、このようなマランゴニ原理による乾燥工程が、図9に示したように、コンタクトホールのようなリセスされた領域25を有するパターニングされた基板に適用される場合に、前記リセスされた領域25内の水分は完全に除去されない。
【0038】
図6及び図9を参照すれば、前記イソプロピルアルコール層11aの上部に上昇された半導体基板21の表面は前記赤外線13a 及び前記熱い窒素ガス15aによって加熱される。これによって、前記半導体基板21の表面に残存するイソプロピルアルコール溶液の温度がそれの沸点に到逹して沸騰し始める。ここで、前記イソプロピルアルコール溶液の濃度は90Vol.%より高い。したがって、図1の説明のように、前記イソプロピルアルコール層11aを過ぎる半導体基板21の表面に残存するイソプロピルアルコール溶液を前記ヒータを使用して加熱することによって、前記半導体基板21上の水分を完全に蒸発させることができる。結果的に、前記半導体基板21の表面上にイソプロピルアルコールのみが残存する。特に、90Vol.%より高い濃度を有するイソプロピルアルコール溶液を気化させる工程を実施する場合に、前記リセス領域25内に残存する水分を完全に除去することが可能である。前記加熱工程が実施される間、前記上部液体供給管7を通じて前記液槽1内に持続的に新鮮な脱イオン水が供給され、前記液槽1内の汚染した脱イオン水及び汚染した共沸混合層は前記排出管1aを通じてドレインされる。
【0039】
図7及び図9を参照すれば、前記半導体基板21が前記イソプロピルアルコール層11aの上部に完全に上昇されるまで、前記加熱工程を持続的に実施して前記半導体基板21の全面上に残存する水分を完全に除去する。次に、前記乾燥ガス管17を通じて前記チャンバ3の内部に乾燥ガス17a、すなわち窒素ガスを注入する。これによって、前記半導体基板21の表面上に残存するイソプロピルアルコールが除去される。前記乾燥ガスを注入する間、前記イソプロピルアルコール及び前記赤外線13aを持続的に供給して前記チャンバ3の内壁に残存する水分をイソプロピルアルコールに置き換えることが望ましい。これに加えて、前記乾燥ガスを供給する間、前記上部液体供給管7を通じる脱イオン水の供給なしに、前記液槽1内の脱イオン水5を前記排出管1aを通じてドレインさせることが望ましい。
【0040】
図8及び図9を参照すれば、前記液槽1内の脱イオン水5を完全にドレインさせた後に、前記乾燥ガス17のみを供給して前記チャンバ3の内部及び前記液槽1の内部に残存するイソプロピルアルコールを完全に除去させる。
【0041】
本発明は前記実施の形態に限定されず、当業者の水準で変形及び改良が可能である。例えば、前記有機溶媒はイソプロピルアルコールの以外にエチルグリコール(ethylglycol)、 一プロパノル(1−propanol)、 2プロパノル(2−propanol)、テトラヒドロフラン(tetrahydrofurane)、4オキシ4メチル2ペンタモン(4−hydroxy−4−methyl−2−pentamone)、1ブタノール(1−butanol)、2ブタノール(2−butanol)、メタノール(methanol)、エタノール(ethanol)、アセトン(acetone)、n−プロピルアルコール(n−propyl alcohol)またはジメチルエーテル(dimethlether)を含むことができる。
【0042】
【発明の效果】
上述のように本発明によれば、共沸混合物層及び前記共沸混合物層より高い濃度を有する有機溶媒層を過ぎる半導体基板を加熱することによって、平かな半導体基板はもちろんパターニングされた半導体基板の全面上に残存する水分を完全に除去することができる。 これによって、乾燥工程の後に、半導体基板の表面にウォタマークのような表面欠陷が生成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】イソプロピルアルコール溶液の一般的な気化特性を示すグラフである。
【図2】本発明の望ましい実施の形態による乾燥装置を示す概略図である。
【図3】本発明の望ましい実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【図4】本発明の望ましい実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【図5】本発明の望ましい実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【図6】本発明の望ましい実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【図7】本発明の望ましい実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【図8】本発明の望ましい実施の形態による乾燥方法を説明するための概路図である。
【図9】本発明による乾燥メカニズムを説明するための概路図である。
【符号の説明】
1…液槽
3…チャンバ
3a…側壁
3b…ふた
5…液体
5a…共沸混合物層
9…下部液体供給管
11…分配器
11a…有機溶媒層
13…赤外線ランプ
15…加熱ガス供給管
17…乾燥ガス管
19…バルブ
21…半導体基板
Claims (47)
- 半導体基板を洗浄する液体を貯蔵するための液槽と、
前記液槽の上部に位置し、前記液体上に蒸気が存在できる空間を制限するチャンバと、
前記液体の表面に共沸混合物層を形成し、前記共沸混合物層上に有機溶媒層を形成させるために、前記液槽内の前記液体の表面に有機溶媒を供給することができる有機溶媒供給装置と、
前記有機溶媒層と前記蒸気が存在することができる空間を加熱するためのヒータと、
前記チャンバ内に乾燥ガスを供給させることができる乾燥ガス管とをさらに含むことを特徴とする半導体基板の乾燥装置。 - 前記チャンバは、
上部開口部と下部開口部を有する側壁及び前記上部開口部を覆うふたを含み、前記側壁は排出穴を有することを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥装置は、
前記液槽内に前記液体を供給させることができる液体供給管をさらに含み、前記液体供給管は前記液槽の側壁に位置することを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥装置は、
前記液槽から出た排出管をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥装置は、
前記排出管に位置したバルブをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥装置は、
前記液槽内に前記液体を供給するために、前記液槽に入れる液体供給管をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記有機溶媒供給装置は、
チャンバの側壁に位置することを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記ヒータは、
チャンバの側壁に位置し、前記有機溶媒供給装置よりさらに高いところに位置することを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記ヒータは、
前記有機溶媒供給装置よりさらに高いところに位置した赤外線ランプであることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記ヒータは、
前記赤外線ランプよりさらに高いところに位置した加熱ガス供給管を含み、前記加熱ガス供給管は前記共沸混合物層の沸点よりさらに高い温度で加熱された不活性ガスを供給させることを特徴とする請求項9に記載の乾燥装置。 - 前記ヒータは、
前記有機溶媒供給装置よりさらに高いところに位置した加熱ガス供給管を含み、前記加熱ガス供給管は前記共沸混合物層の沸点より高い温度で加熱された不活性ガスを供給させることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥ガス管は、
前記チャンバのふたの下に位置することを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記液体は、
脱イオン水であることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記有機溶媒は、
イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記共沸混合物層は
脱イオン水及びイソプロピルアルコールの混合物として、前記脱イオン水対イソプロピルの容量比が1:9であることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記有機溶媒は、
気体状態または液体状態であることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記有機溶媒層で有機溶媒の容量濃度は、
前記共沸混合物層で有機溶媒の容量濃度よりさらに高いことを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 前記乾燥ガスは、
窒素元素を含むガスであることを特徴とする請求項1に記載の乾燥装置。 - 液体の中に半導体基板を入れる段階は、
前記液体の表面に共沸混合物層を形成し、前記共沸混合物層上に有機溶媒層をさらに形成するために前記液体の表面に有機溶媒を供給する段階と、
前記液体、前記共沸混合物層及び前記有機溶媒層を通過して前記半導体基板を持ち上げる段階と、
前記半導体基板の表面に残存する前記液体を除去するために、前記有機溶媒層を通過して前記半導体基板が過ぎる時に、前記半導体基板を加熱する段階と、
前記半導体基板が前記有機溶媒層を通過して持ち上げられた後に、前記半導体基板の表面に残存する前記有機溶媒を除去するために前記半導体基板の表面を乾燥ガスで処理する段階とを含むことを特徴とする半導体基板の乾燥方法。 - 前記有機溶媒を供給する段階の前に、前記半導体基板をリンスさせる段階をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。
- 前記半導体基板をリンスさせる段階は、
液体を続けて供給することによって実行し、前記液体の供給は前記半導体基板のリンスが完了した後に中断されることを特徴とする請求項20に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒は、
イソプロピルアルコールであり、前記イソプロピルアルコールは気体状態または液体状態で供給されることを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層で前記イソプロピルアルコールの容量濃度は前記共沸混合物層で前記イソプロピルアルコールの容量濃度よりさらに高いことを特徴とする請求項22に記載の乾燥装置。
- 前記乾燥方法は、
前記有機溶媒を供給しながら、前記半導体基板を持ち上げる間、前記共沸混合物層の下にある前記液体を続けて供給する段階をさらに含み、前記共沸混合物層の下にある前記液体を排出させて前記液体の下部の流れを生成させることを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面を加熱する段階は、
前記半導体基板の表面に赤外線を照射させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面を加熱する段階は、
前記半導体基板の表面に赤外線を照射させる段階と、
前記赤外線を通過する前記半導体基板の表面に前記共沸混合物層の沸点よりさらに高い温度で加熱された不活性ガスを供給する段階とを含むことを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面を加熱する段階は、
前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面に前記共沸混合物層の沸点よりさらに高い温度で加熱された不活性ガスを供給する段階を含むことを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記乾燥ガスは、
窒素ガスであることを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記乾燥方法は、
前記乾燥ガスを供給する間、少なくとも前記有機溶媒を続けて供給し、前記液体を排出する段階をさらに含むことを特徴とする請求項19に記載の乾燥方法。 - 前記乾燥方法は、
前記液体を排出した後に、前記半導体基板上に残存する前記有機溶媒を除去するために乾燥ガスのみを供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載の乾燥方法。 - 液槽に貯蔵された脱イオン水の中に半導体基板を入れる段階と、
前記脱イオン水の表面に共沸混合物層を形成し、前記共沸混合物層上に有機溶媒層をさらに形成するために前記脱イオン水の表面に有機溶媒を供給する段階と、
前記有機溶媒層を通過して前記半導体基板を持ち上げる段階と、
前記半導体基板の表面で脱イオン水を除去するために前記有機溶媒層を通過して前記半導体基板が過ぎる時に、前記半導体基板を加熱する段階と、
前記半導体基板が前記有機溶媒層を通過して持ち上げられた後に、前記半導体基板の表面に残存する前記有機溶媒を除去するために前記半導体基板の表面に乾燥ガスを供給する段階とを含むことを特徴とする半導体基板の乾燥方法。 - 前記乾燥方法は、
前記有機溶媒を供給する段階の前に、前記半導体基板をリンスさせる段階をさらに含むことを特徴とする請求項30に記載の乾燥方法。 - 前記半導体基板をリンスさせることは、
液槽に位置する下部液体供給管を通じて液槽内に脱イオン水を続けて供給することによって実行され、前記脱イオン水の供給は前記下部液体供給管を通じて供給し、前記半導体基板のリンスが完了した後に中断することを特徴とする請求項32に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒は、
イソプロピルアルコールであり、前記イソプロピルアルコールは気体状態または液体状態で供給されることを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒は、
前記液槽の側壁に位置した分配器を通じて供給されることを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層で前記イソプロピルアルコールの容量濃度は前記共沸混合物層で前記イソプロピルアルコールの容量濃度よりさらに高いことを特徴とする請求項34に記載の乾燥装置。
- 前記乾燥方法は、
前記有機溶媒を供給しながら、前記半導体基板を液槽内の前記有機溶媒を通じて持ち上げる間、共沸混合物層の下にある脱イオン水を続けて供給する段階をさらに含み、前記液槽内の前記脱イオン水が前記液槽にある排出管を通じて排出されることを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶層を通過する前記半導体基板の表面を加熱する段階は、
前記半導体基板の表面に赤外線を照射させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面を加熱する段階は、
前記半導体基板の表面に赤外線を照射させる段階と、
前記赤外線を通過する前記半導体基板の表面に、前記共沸混合物層の沸点よりさらに高い温度で加熱された不活性ガスを供給する段階とを含むことを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面を加熱する段階は、
前記有機溶媒層を通過する前記半導体基板の表面に、前記共沸混合物の沸点よりさらに高い温度で加熱された不活性ガスを供給する段階とを含むことを特徴とする請求項31に記載の乾燥不法。 - 前記乾燥ガスは、
窒素ガスであることを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記乾燥方法は、
前記乾燥ガスを供給する間、少なくとも前記有機溶媒を続けて供給し、前記液槽にある排出穴を通じて前記液槽内の前記脱イオン水を排出する段階をさらに含むことを特徴とする請求項31に記載の乾燥方法。 - 前記乾燥方法は、
前記液槽内の前記脱イオン水を排出した後に、前記半導体基板上と前記液槽内で前記有機溶媒を除去するために但し乾燥ガスのみを供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項42に記載の乾燥方法。 - 液槽に貯蔵された脱イオン水の中に半導体基板を入れる段階と、
前記脱イオン水の表面に共沸混合物層を形成し、前記共沸混合物層上に有機溶媒層をさらに形成するために、前記脱イオン水の表面に有機溶媒を供給する段階と、
前記有機溶媒層を通じて前記半導体基板を移動させる段階と、
前記半導体基板の表面に脱イオン水を除去するために前記有機溶媒層を通過して前記半導体基板が過ぎる時に、前記半導体基板を加熱する段階とを含むことを特徴とする請求項44に記載の液槽を有する乾燥装置を使用する半導体基板の乾燥方法。 - 前記乾燥方法は、
前記半導体基板が前記有機溶媒層を通過して移動された後に、前記半導体基板の表面に残存する前記有機溶媒を除去するために前記半導体基板の表面に乾燥ガスを供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項44に記載の乾燥方法。 - 液体を貯蔵するための液槽と、
前記液槽の上部に位置し、前記液体上の空間を制限するチャンバと、
前記液体の表面に共沸混合物層を形成し、前記共沸混合物層上に有機溶媒層を形成させるために、前記液槽内の前記液体の表面に有機溶媒を供給することができる有機溶媒供給装置と、
前記有機溶媒層と前記空間で前記有機溶媒層上の大気を加熱するためのヒータとを含むことを特徴とする半導体基板の乾燥装置。 - 前記乾燥方法は、
前記チャンバ内に乾燥ガスを供給することができる乾燥ガス管をさらに含んでいることを特徴とする請求項44に記載の乾燥方法。
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