JP2007184424A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】実装基板に複数の半導体素子が設けられた半導体装置において、それぞれの半導体素子の放熱性を確保しつつ、組み立てにおける作業工数を軽減する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、プリント基板１０４、プリント基板１０４に実装された第一の半導体素子１０３ａおよび第二の半導体素子１０３ｂ、ならびに第一の半導体素子１０３ａの上部から第二の半導体素子１０３ｂの上部にわたって設けられたヒートシンク１０１を含む。ヒートシンク１０１は、第一の半導体素子１０３ａに対応する第一の放熱領域１２３ａ、第二の半導体素子１０３ｂに対応する第二の放熱領域１２３ｂ、および第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間に挟まれた領域であって、第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間の熱伝導を抑制する接続領域１２５を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、実装基板に複数の半導体素子が実装された半導体装置に関し、特に、ヒートシンクを備える半導体装置に関する。

半導体素子の小型化、高密度実装化が進み、プリント基板の狭小範囲に複数の発熱する半導体素子が実装されることがある。これら複数の半導体素子の放熱を効率よく行うために、ヒートシンクが用いられることがある。ヒートシンクを備える半導体装置として、従来、特許文献１および特許文献２に記載のものがある。

特許文献１には、ヒートシンクの製造方法において、複数のヒートシンクを集合体として取り扱うことが記載されている。特許文献１によれば、ヒートシンク集合体として取り扱うことにより、ヒートシンクの表面処理における作業を簡略化することができるとされている。

また、特許文献２には、プリント基板に複数の半導体素子が搭載された電気部品装置が記載されている。同文献には、一枚のプリント基板と一つのヒートシンクとの間に、複数の半導体素子が介在固定されている装置が示されている。
特開２０００−２５２３９４号公報 特開２００３−２６４３８８号公報

ところが、上記文献記載の装置においては、それぞれ、以下の点で改善の余地があった。
まず、特許文献１においては、ヒートシンク集合体を形成した後、打ち抜き装置を用いた打ち抜きによりヒートシンクが個片化されていた。得られたヒートシンクは、一つの半導体素子について一つ用いられていた。

ここで、半導体素子の小型化、高密度実装化が進み、一枚のプリント基板の狭小な範囲に複数の発熱する半導体素子が実装されることがある。こうした場合に、特許文献１に記載のヒートシンクを適用しようとした場合、複数の半導体素子のそれぞれに対して、複数のヒートシンクを別々に取り付ける必要があった。このため、半導体素子の数だけヒートシンクの取り付け工数が必要となり、作業工数が増加してしまっていた。

この点、特許文献２に記載の装置においては、複数の半導体素子に対して一つのヒートシンクが用いられているため、作業工数を減少させることができると考えられる。

ところが、同文献記載の装置の場合、熱伝導率の高い材料により構成されているヒートシンクが、複数の素子にまたがって取り付けられているため、ヒートシンクを介した熱伝導により、発熱量の多い素子から他の素子へ余計な熱負荷が加わる懸念があった。

本発明によれば、
実装基板と、
前記実装基板に実装された第一および第二の半導体素子と、
前記第一の半導体素子の上部から前記第二の半導体素子の上部にわたって設けられたヒートシンクと、
を含み、
前記ヒートシンクが、
前記第一の半導体素子に対応する第一の領域と、
前記第二の半導体素子に対応する第二の領域と、
前記第一領域と前記第二領域との間に挟まれた領域であって、前記第一の領域と前記第二の領域との間の熱伝導を抑制する第三の領域と
を含む半導体装置が提供される。

本発明においては、一つのヒートシンクに、第一および第二の半導体素子に対応する第一および第二の領域が設けられている。第一および第二の領域は、それぞれ、第一および第二の半導体素子から外部に熱を放出する放熱領域として機能する。そして、第一および第二の領域が第三の領域により接続されて、一体化している。このため、複数の半導体素子のそれぞれについて複数の別個のヒートシンクを準備して、取り付ける場合に比べて、組み立て構造を簡素化し、作業工数を軽減することが可能な構成となっている。よって、本発明の半導体素子は、製造コストの低減が可能な構成となっている。

また、本発明においては、ヒートシンクの第一および第二の領域の間に挟まれた領域であって、これらの領域間の熱伝導を抑制する領域として機能する第三の領域を含む。このため、第一の半導体素子と第二の半導体素子との間の熱伝導を効果的に抑制することができる。よって、第一および第二の半導体素子の発熱特性が異なる場合であっても、発熱量の大きい半導体素子から発熱量の小さい半導体素子にヒートシンクを介して熱が伝導することを抑制することができる。従って、第一または第二の半導体素子に熱負荷が加わることを抑制することができる。

なお、本発明において、第三の領域は、第一および第二の半導体素子に熱負荷が加わることを実用上問題のない程度に抑制できるように構成されていればよい。このような構成であれば、第一および第二の領域の間で実用上問題のない程度の熱伝導が生じてもよいし、第一および第二の領域の間の熱伝導を実質的に遮断するように構成されていてもよい。

なお、これらの各構成の任意の組み合わせや、本発明の表現を方法、装置などの間で変換したものもまた本発明の態様として有効である。

以上説明したように本発明によれば、実装基板に複数の半導体素子が設けられた半導体装置において、それぞれの半導体素子の放熱性を確保しつつ、組み立てにおける作業工数を軽減する技術が実現される。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、共通の構成要素には同じ符号を付し、適宜説明を省略する。以下の実施形態においては、一つの実装基板に三つの半導体装置が搭載された構成を例に説明するが、一つの実装基板に実装される半導体装置は複数であればよく、その数に特に制限はない。

（第一の実施形態）
図１は、本実施形態における半導体装置の構成を示す平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。
図１および図２に示した半導体装置１００は、単一のプリント基板１０４上に配置された複数の半導体素子に、複数の半導体素子に対応する複数の部分からなり、複数の部分が熱抵抗の大きい接続部で連結されたヒートシンク１０１が装着されたものである。

半導体装置１００は、実装基板（プリント基板１０４）、プリント基板１０４に実装された第一および第二の半導体素子（第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂ）、ならびに第一の半導体素子１０３ａの上部から第二の半導体素子１０３ｂの上部にわたって設けられたヒートシンク１０１を含む。

また、半導体装置１００は、第一の半導体素子１０３ａおよび第二の半導体素子１０３ｂに加えて、第三の半導体素子１０３ｃを含む。第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂ、および第三の半導体素子１０３ｃは、プリント基板１０４上にこの順に一列に配置されている。

第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃは、いずれも、ヒートシンク１０１とプリント基板１０４との間に配置されている。第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃは、それぞれ、接着剤１０２ａ、接着剤１０２ｂおよび接着剤１０２ｃを介してヒートシンク１０１に接着されている。

プリント基板１０４には、所定の配線構造が設けられている。第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃは、それぞれ、バンプ１１９を介してプリント基板１０４に接続されている。

また、図３は、図１および図２に示した半導体装置１００に用いられるヒートシンク１０１の構成を示す平面図である。図３においては、ヒートシンク１０１を折り曲げる前の平板の状態を示している。

ヒートシンク１０１は、一枚の板状部材により構成されており、一枚の板状の基材により連続一体に構成されている。なお、本明細書において、連続一体とは、連続体として一体に成形されていることをいう。また、単一部材からなり、接合部を有しない構造であることが好ましい。本実施形態では、ヒートシンク１０１の平面形状が矩形である場合を例示している。

なお、ヒートシンク１０１の基材の材料として、具体的には、銅、鉄、アルミニウム等の金属など、放熱材として従来用いられている材料が挙げられる。また、ヒートシンク１０１は、基材表面に、熱伝導性の向上や接着性の向上のための表面処理が施された構成であってもよい。表面処理として、たとえば基材の表面の粗面化処理が挙げられる。

ヒートシンク１０１は、第一の半導体素子１０３ａに対応する第一の放熱領域１２３ａ、第二の半導体素子１０３ｂに対応する第二の放熱領域１２３ｂ、第三の半導体素子１０３ｃに対応する第三の放熱領域１２３ｃ、および二つの接続領域１２５からなる。これらの放熱領域は、それぞれ、半導体素子に対向して設けられており、対応する半導体素子の上部を被覆している。また、これらの放熱領域は、接着剤を介して対応する半導体素子に接続されている。

接続領域１２５のうちの一つは、第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間に挟まれた領域であって、第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間の熱伝導を抑制する。接続領域１２５のもう一つは、第二の放熱領域１２３ｂと第三の放熱領域１２３ｃとの間に挟まれた領域であって、第二の放熱領域１２３ｂと第三の放熱領域１２３ｃとの間の熱伝導を抑制する。

接続領域１２５の熱伝導率は、第一の放熱領域１２３ａ、第二の放熱領域１２３ｂおよび第三の放熱領域１２３ｃの熱伝導率以下であって、接続領域１２５が全体として、隣接する放熱領域間の熱伝導を抑制する。なお、接続領域１２５は、実用上問題のない程度に抑制できる構成となっていればよく、隣接する放熱領域間の熱伝導を完全に遮断しなくてもよい。

ヒートシンク１０１は、一枚の板状部材により構成されており、貫通孔（くり抜き孔１０７）が板状部材の所定の領域に設けられている。貫通孔は、具体的には、接続領域１２５に設けられている。また、くり抜き孔１０７の両側に設けられた接続部１０９により、隣接する二つの放熱領域が接続されている。

くり抜き孔１０７は、ヒートシンク１０１をなす板状部材の所定の領域をくり抜き加工することにより形成される。くり抜き孔１０７は、半導体素子に熱負荷が加わることを実用上問題のない程度に抑制できるように、放熱領域間の熱伝導を遮断する程度の大きさのものとする。

図１および図２に示した半導体装置１００においては、第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃのプリント基板１０４からの高さが異なる。このため、ヒートシンク１０１は、放熱領域と接続領域１２５との境界部において折り曲げられて、放熱領域間に段差が設けられている。接続部１０９を放熱領域に対して傾斜させることにより、第一の放熱領域１２３ａ、第二の放熱領域１２３ｂおよび第三の放熱領域１２３ｃのそれぞれの高さが半導体素子の高さに対応するように構成されている。

半導体装置１００は、たとえば以下の手順により製造される。まず、プリント基板１０４上に、第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃをバンプ接合する。次に、一ブロックからなるヒートシンク１０１（図３）を準備する。そして、ヒートシンク１０１を、第一の半導体素子１０３ａから第三の半導体素子１０３ｃにわたって、各半導体素子にまたがって接着剤１０２ａ、接着剤１０２ｂおよび接着剤１０２ｃを用いて取り付ける。

本実施形態においては、複数の半導体素子に対して、一ブロックのヒートシンク１０１を取り付けるため、ヒートシンク取り付け工数を低減することができる。また、ヒートシンク１０１を使用したモジュール構成を簡略化することができる。ヒートシンク取り付け工数を低減することができる点について、図１１および図１２を参照して、さらに説明する。

図１１は、複数の半導体素子を有する半導体装置の構成を示す平面図であり、図１２は、図１１のＣ−Ｃ’断面図である。
図１１および図１２に示した半導体装置２００は、プリント基板２０４と、プリント基板２０４に実装された三つの半導体素子（第一の半導体素子２０３ａ、第二の半導体素子２０３ｂおよび第三の半導体素子２０３ｃ）を含む。第一の半導体素子２０３ａ、第二の半導体素子２０３ｂおよび第三の半導体素子２０３ｃには、それぞれ、接着剤２０２ａ、接着剤２０２ｂおよび接着剤２０２ｃを介して第一のヒートシンク２０１ａ、第二のヒートシンク２０１ｂおよび第三のヒートシンク２０１ｃが接着されている。

上述した構成の半導体装置２００を組み立てる際には、三つの半導体素子のそれぞれについて、ヒートシンクを取り付ける必要がある。このため、素子の数だけヒートシンク取り付け工数が必要となり、作業工数が増えてしまう。

上述した問題を解決するために、一つのプリント基板上に実装された複数の半導体素子を単純に一体化されたヒートシンクに取り付けた場合の問題点について、図１３および図１４を参照して以下に説明する。図１３は、複数の半導体素子を有する別の半導体装置の構成を示す平面図であり、図１４は、図１３のＤ−Ｄ’断面図である。
図１３および図１４に示した半導体装置２１０は、半導体装置２００同様、プリント基板２０４と、プリント基板２０４に実装された三つの半導体素子（第一の半導体素子２０３ａ、第二の半導体素子２０３ｂおよび第三の半導体素子２０３ｃ）を含む。また、半導体装置２１０においては、第一の半導体素子２０３ａ、第二の半導体素子２０３ｂおよび第三の半導体素子２０３ｃに、接着剤２０２ａ、接着剤２０２ｂおよび接着剤２０２ｃを介して一つのヒートシンク２０１が接着されている。

半導体装置２１０においては、一つのプリント基板２０４上に実装された複数の半導体素子に対して一つのヒートシンク２０１が取り付けられているため、ヒートシンク２０１の取り付けが一度ですむ。ところが、半導体装置２１０においては、三つの半導体素子に共通する一つのヒートシンク２０１が用いられるため、半導体素子間の上部全体がヒートシンク２０１によって接続された構成となっている。

ヒートシンク２０１は、通常、熱伝導率の高い材料により構成されるため、半導体装置２１０のように、単に複数の半導体素子をまたいでヒートシンク２０１を取り付けた場合、半導体素子間に、ヒートシンク２０１を介した熱伝導経路が形成されやすくなる。このため、たとえば、発熱量の異なる複数の半導体素子に共通して一つのヒートシンク２０１が設けられた場合、熱伝導により発熱量の多い素子から他の素子へ余計な熱負荷がかかることが懸念される。さらに具体的には、メモリ素子において、発熱量が１〜２Ｗ程度になることがある。また、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の発熱量が１０Ｗ程度になる場合がある。これらの発熱素子と他の素子とに共通のヒートシンク２０１を設けた場合、他の素子に熱負荷がかかる懸念がある。

これに対し、本実施形態においては、複数の半導体素子の間に配置される接続領域において、ヒートシンク１０１を構成する板状部材の一部がくり抜かれてくり抜き孔１０７となっている。このため、半導体素子間におけるヒートシンク１０１を介した熱伝導が効果的に抑制される構成となっている。よって、隣接する二つの半導体素子の発熱特性が異なる場合であっても、発熱量の小さい半導体素子から発熱量の大きい半導体素子にヒートシンク１０１を介して熱が伝導することを抑制することができる。このため、半導体素子に余計な熱負荷が加わることを抑制できる。

以上のように、本実施形態では、一ブロックでできているヒートシンク１０１を用いるとともに、ヒートシンク１０１を取り付けた際に、半導体素子と半導体素子との間に位置する部分をくり抜いた構造としている。これにより、ヒートシンク１０１の取り付けが一度ですみ、ヒートシンク１０１の取り付け工数の軽減およびモジュール構成の簡素化が可能となる。よって、半導体素子と、ヒートシンク１０１と、プリント基板１０４との組み立て構造を簡素化して、作業工数の軽減を図ることができるため、製造コストを低減することができる。また、それとともに、ヒートシンク１０１を介する半導体素子間の熱伝導を効果的に抑制して各半導体素子の放熱性を充分に確保し、冷却効率を向上させることができる。

なお、以上においては、ヒートシンク１０１の接続領域において、両端に設けられた接続部１０９の間にくり抜き孔１０７が設けられた形状を例示したが、半導体装置１００に用いられるヒートシンク１０１の平面形状は図３に示したものには限られない。図４および図５は、ヒートシンク１０１の他の例を示す平面図である。図４および図５においては、ヒートシンク１０１の接続領域１２５の構成が図３に示したものと異なる。図４および図５においては、ヒートシンク１０１が一枚の板状部材により構成されており、板状部材の所定の領域に、具体的には接続領域１２５に、切欠部１１１が設けられている。

二つの接続部１０９が、板状のヒートシンク１０１の放熱領域の外周縁よりも内側に設けられている。二つの接続部１０９間に、くり抜き孔１０７が形成されている。また、接続部１０９の外側が、板状部材の周縁から内部に向かって形成された切欠部１１１となっている。

また、図５においては、一つの接続領域１２５に一つの接続部１０９が設けられ、接続部１０９の両側が切欠部１１１となっている。

以下においては、第一の実施形態と異なる点を中心に説明する。

（第二の実施形態）
第一の実施形態においては、ヒートシンクが連続一体に構成された場合を例に説明したが、ヒートシンクの放熱領域と接続領域とが異なる材料により構成されていてもよい。本実施形態では、こうした構成について説明する。

図６は、本実施形態における半導体装置の構成を示す平面図である。図７は、図６のＢ−Ｂ’断面図である。図８は、図６および図７に示した半導体装置１１０に用いられるヒートシンクの構成を示す平面図である。また、図９は、半導体装置１１０に用いられるヒートシンクの構成を示す部分断面図である。

図６および図７に示した半導体装置１１０の基本構成は第一の実施形態に記載の半導体装置１００（図１、図２）と同様であるが、ヒートシンクの構造が異なる。本実施形態においては、ヒートシンクの接続領域１２５が、第一の放熱板１１３ａ、第二の放熱板１１３ｂおよび第三の放熱板１１３ｃよりも熱伝導率の小さい材料により構成されている。

本実施形態のヒートシンクは、複数の放熱板を熱伝導率の小さい材料でつなぎ合わせた構成となっている。さらに具体的には、本実施形態のヒートシンクは、第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃのそれぞれに対向して設けられる第一の放熱板１１３ａ、第二の放熱板１１３ｂおよび第三の放熱板１１３ｃを備える。第一の放熱板１１３ａおよび第二の放熱板１１３ｂで挟まれた領域、および第二の放熱板１１３ｂおよび第三の放熱板１１３ｃで挟まれた領域に、それぞれ、ジョイント１０５が設けられている。第一の放熱板１１３ａと第二の放熱板１１３ｂ、および第二の放熱板１１３ｂと第三の放熱板１１３ｃは、それぞれ、ジョイント１０５によって接続されている。

ジョイント１０５は、第一の放熱板１１３ａ、第二の放熱板１１３ｂおよび第三の放熱板１１３ｃよりも熱伝導率の小さい材料により構成されている。ジョイント１０５の材料として、具体的には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）樹脂、ポリイミド等が挙げられる。

なお、ジョイント１０５または放熱板が複数の材料により構成されている場合、ジョイント１０５の平均熱伝導率が、各放熱板の平均熱伝導率より小さい構成とすることができる。

図９に示したように、ジョイント１０５は、半導体素子の基板面と平行な面内に、半導体素子の基板面と垂直な方向に所定の間隔で配置された三枚の板部（板部１１７ａ、板部１１７ｂおよび板部１１７ｃ）と、これらの板部を支持する支持部１１５とから構成される。板部１１７ａ、板部１１７ｂおよび板部１１７ｃの厚さおよび配置間隔は、たとえば、第一の半導体素子１０３ａ、第二の半導体素子１０３ｂおよび第三の半導体素子１０３ｃの高さや、第一の放熱板１１３ａ、第二の放熱板１１３ｂおよび第三の放熱板１１３ｃの厚さに応じて設定される。

本実施形態においても、複数の半導体素子にわたってジョイント１０５によって一体化されたヒートシンクが設けられており、半導体素子と半導体素子との間の領域に配置されたヒートシンクのジョイント１０５が、ヒートシンクの放熱板よりも熱伝導率の小さい材料により構成されている。このため、接続領域１２５が、放熱板間の熱伝導を実用上問題ない程度に抑制または遮断する領域として機能する。よって、ジョイント１０５を介した半導体素子間の熱伝導が効果的に抑制される構成となっており、第一の実施形態と同様の作用効果が得られる。

なお、本実施形態において、ジョイント１０５は、隣接する放熱板を接続するとともに、放熱板よりも熱伝導率の小さい材料により構成されていればよい。

図１０は、本実施形態のヒートシンクの他の構成を示す平面図である。
図１０に示したヒートシンクの基本構成は、図８に示したヒートシンクの構成と同様である。ただし、図８においては、放熱板を接続する領域全体にわたって一つのジョイント１０５が設けられていたのに対し、図１０においては、放熱板の端部近傍に二つのジョイント１０５が設けられており、二つのジョイント１０５の間が開口部１２１となっている。
図１０の構成のように、ヒートシンクの接続領域の一部に開口部１２１を設けることにより、半導体素子間の熱伝導をより一層効果的に抑制することができる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

たとえば、以上の実施形態においては、第一の半導体素子１０３ａと第三の半導体素子１０３ｃの高さが同程度であって、これらの間に、高さの低い第二の半導体素子１０３ｂが配置された構成とした。これは例であって、各半導体素子のプリント基板１０４からの高さに特に制限はない。また、ヒートシンク１０１は、放熱領域が各半導体素子の上部に対向して配置されるように構成されていればよい。たとえば、第一の実施形態のように、接続部１０９をプリント基板１０４に対して傾斜させてもよいし、第二の実施形態のように、複数の半導体素子の間にジョイント１０５を設けてもよい。

また、以上の実施形態に例示したヒートシンクは、複数の半導体素子にヒートシンクを取り付ける様式を用いる半導体パッケージ全般に適用することができる。たとえば、携帯電話等に搭載されるＩＣチップ等に適用することができる。

実施形態における半導体装置の構成を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ’断面図である。 図１の半導体装置に用いられるヒートシンクの構成を示す平面図である。 図１の半導体装置に用いられるヒートシンクの構成を示す平面図である。 図１の半導体装置に用いられるヒートシンクの構成を示す平面図である。 実施形態における半導体装置の構成を示す平面図である。 図６のＢ−Ｂ’断面図である。 図６の半導体装置に用いられるヒートシンクの構成を示す平面図である。 図６の半導体装置に用いられるヒートシンクの構成を示す部分断面図である。 図６の半導体装置に用いられるヒートシンクの構成を示す平面図である。 半導体装置の構成を示す平面図である。 図１１のＣ−Ｃ’断面図である。 半導体装置の構成を示す平面図である。 図１３のＤ−Ｄ’断面図である。

符号の説明

１００ 半導体装置
１０１ ヒートシンク
１０２ａ 接着剤
１０２ｂ 接着剤
１０２ｃ 接着剤
１０３ａ 第一の半導体素子
１０３ｂ 第二の半導体素子
１０３ｃ 第三の半導体素子
１０４ プリント基板
１０５ ジョイント
１０７ くり抜き孔
１０９ 接続部
１１０ 半導体装置
１１１ 切欠部
１１３ａ 第一の放熱板
１１３ｂ 第二の放熱板
１１３ｃ 第三の放熱板
１１５ 支持部
１１７ａ 板部
１１７ｂ 板部
１１７ｃ 板部
１１９ バンプ
１２１ 開口部
１２３ａ 第一の放熱領域
１２３ｂ 第二の放熱領域
１２３ｃ 第三の放熱領域
１２５ 接続領域
２００ 半導体装置
２０１ ヒートシンク
２０１ａ 第一のヒートシンク
２０１ｂ 第二のヒートシンク
２０１ｃ 第三のヒートシンク
２０３ａ 第一の半導体素子
２０３ｂ 第二の半導体素子
２０３ｃ 第三の半導体素子
２０４ プリント基板
２１０ 半導体装置

Claims (9)

1. 実装基板と、
   前記実装基板に実装された第一および第二の半導体素子と、
   前記第一の半導体素子の上部から前記第二の半導体素子の上部にわたって設けられたヒートシンクと、
   を含み、
   前記ヒートシンクが、
   前記第一の半導体素子に対応する第一の領域と、
   前記第二の半導体素子に対応する第二の領域と、
   前記第一の領域と前記第二の領域との間に挟まれた領域であって、前記第一の領域と前記第二の領域との間の熱伝導を抑制する第三の領域と
   を含む半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第三の領域において、前記ヒートシンクに貫通孔が設けられた半導体装置。
3. 請求項２に記載の半導体装置において、
   前記ヒートシンクが一枚の板状部材により構成されており、
   前記貫通孔が、前記板状部材の所定の領域に設けられた半導体装置。
4. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第三の領域において、前記ヒートシンクに切欠部が設けられた半導体装置。
5. 請求項４に記載の半導体装置において、
   前記ヒートシンクが一枚の板状部材により構成されており、
   前記切欠部が、前記板状部材の所定の領域に設けられた半導体装置。
6. 請求項１または２に記載の半導体装置において、
   前記第三の領域が、前記第一および第二の領域よりも熱伝導率の小さい材料により構成された半導体装置。
7. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第一の領域が第一の放熱板からなり、
   前記第二の領域が第二の放熱板からなり、
   前記第三の領域が、第一の放熱板と第二の放熱板とを接続するジョイントを備える半導体装置。
8. 請求項７に記載の半導体装置において、
   前記第三の領域において、前記ヒートシンクに開口部が設けられた半導体装置。
9. 請求項７または８に記載の半導体装置において、
   前記ジョイントが、前記第一の放熱板および第二の放熱板よりも熱伝導率の小さい材料により構成された半導体装置。
   

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