JP2009043851A - 半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一方の面の素子実装面に半導体素子14が実装され、他方の取付面がヒートシンク(図示せず)に熱的に結合されて配置されるベースプレート11を金属材料層111で形成して、この金属材料層111に該金属材料層111に比して熱伝導率の優れた複数のグラファイトシート112を、その面直方向に比して熱伝導率の優れた面方向が素子実装面と交わるように素子実装面と取付面との間に配向させて構成したものである。
【選択図】 図2
Description
但し、この図4乃至図11の各実施の形態においては、上記図1乃至図3と同一部分について同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
Claims (8)
- 半導体素子と、
この半導体素子が一方の面に実装され、他方面が取付体に熱的に結合されて配置され、金属材料層に該金属材料層に比して熱伝導率の優れた異方性熱伝導材料が、その熱伝導率の優れた方向を、前記一方の面に交わるように配向させて、複数配されたベースプレートを備えたパッケージ本体と、
を具備することを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記異方性熱伝導材料は、複数のグラファイトシートで形成され、各シート面が、前記半導体素子の実装された一方の面に交わるように配向されて前記金属材料層に所定の間隔に配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記複数のグラファイトシートは、前記半導体素子の実装された一方の面の前記半導体素子の発熱部位から他方の面に向けて配向されることを特徴とする請求項2記載の半導体パッケージ。
- 前記複数のグラファイトシートは、前記半導体素子の発熱部の長手方向に略直交して配列されることを特徴とする請求項2又は3記載の半導体パッケージ。
- 前記複数のグラファイトシートは、前記半導体素子の発熱部の長手方向に略並行して放射状に配列されることを特徴とする請求項2又は3記載の半導体パッケージ。
- 前記異方性熱伝導材料は、複数のカーボンナノチューブで形成され、各繊維方向が前記半導体素子の実装された一方の面に交わるように配向されることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記複数のカーボンナノチューブは、繊維方向が前記ベースプレートの前記半導体素子の実装された一方の面の前記発熱部に向けて配向されることを特徴とする請求項6記載の半導体パッケージ。
- 前記ベースプレートは、熱膨張制御材料層を、前記金属材料層の積層方向に少なくとも一層、積層して設けたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか記載の半導体パッケージ。
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