JP2007052458A - 光ファイバ、光ファイバ母材の製造方法、及び光ファイバの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 コア領域100と、コア領域100よりも屈折率が低くなるようにFが添加されたクラッド領域200のクラッド層201とを備える光ファイバを形成する。そして、最外クラッド層となるクラッド層201の外周を含む外縁部205内において、内側から外側に向かって、Fの添加量が順次減少していくように構成する。このとき、外縁部205の粘性が大きくなるので、光ファイバ内に加わる応力が好適に分散される。これにより、コアへの応力集中が抑制されて線引時の張力制御が容易化され、伝送損失が低減される。
【選択図】 図1
Description
Δna≧−0.35%
を満たすことを特徴とする。
Δn0>−0.3%
を満たすことが好ましい。
Δna≧−0.35%
を満たす光ファイバ母材を形成することを特徴とする。
Δna≧−0.35%
を満たす光ファイバ母材を形成することを特徴とする。
Δna≧Δnb+0.05%
を満たすことを特徴とする。
Δn0>−0.3%
を満たすことが好ましい。このように、コア領域へのFの添加量を一定範囲内とすることによって、コア領域及びクラッド領域にともにFが添加された上記構成の光ファイバを好適かつ容易に製造することができる。
Δn0>−0.3%
を満たすことが好ましい。これは、コア領域100へのFの添加量を、Δn0=−0.3%となる添加量よりも小さくすることに相当する。
Δn1>−0.6%
を満たすことが好ましい。
Δn1>−0.5%
をさらに満たすことが好ましい。
αλ=A/λ4+B+C(λ)
で表される。このうち、第1項A/λ4(dB/km)がレイリー散乱損失を示しており、その係数Aがレイリー散乱係数(dB/km・μm4)である。上式より、レイリー散乱損失はレイリー散乱係数Aに比例しており、したがって、レイリー散乱損失の低減の指標としてレイリー散乱係数Aを用いることができる。なお、このレイリー散乱係数Aについては、上式より、伝送損失の波長依存性のデータ(例えば1/λ4プロットでの傾き)から求めることができる。
α1.00=A+B+C(1.00)
α1.55=A×0.17325+B+C(1.55)
となり、その関係は、
α1.00=α1.55+A×0.82675
+C(1.00)−C(1.55)
となる。
Δn0>−0.3%
を満たす添加量でFを添加することが好ましい。
L2≧V/8
を満足するように設定するのが好ましい。ここで、Vは線引速度(m/s)である。
L1≦0.2×V
を満足するように設けられるのが好ましい。ここで、L1は線引炉11のヒータ12の下端から炉心管23の上端までの距離(m)、Vは線引速度(m/s)である。また、加熱炉21のヒータ22の温度は、炉中心(光ファイバ3が通る部分)の温度が800〜1500℃の範囲内の温度、特に、1200〜1400℃の範囲内の温度となるように設定されている。
2…光ファイバ母材、3…光ファイバ、4…光ファイバ素線、100…コア領域、200…クラッド領域、201…内クラッド層、202…外クラッド層、205…外縁部。
Claims (6)
- 屈折率が純SiO2の屈折率以下のコア領域と、前記コア領域の外周に設けられ、前記コア領域よりも屈折率が低くなるようにフッ素が添加された1層または複数層のクラッド層を有するクラッド領域とを備え、
前記1層または複数層のクラッド層のうちで最も外側に位置する最外クラッド層は、その外周を含み前記外周から7.5μmの厚さを有する外縁部内において、内側から外側にかけて屈折率が順次増加するようにフッ素の添加量が順次減少していくように構成されており、各部における比屈折率差を純SiO2での屈折率を基準として%で表して定義したときに、前記外縁部での比屈折率差の最大値と最小値との差が0.15%以上であり、かつ、前記外周での比屈折率差Δnaが条件
Δna≧−0.35%
を満たすことを特徴とする光ファイバ。 - 前記クラッド領域は、前記コア領域の外周に設けられた内クラッド層と、前記内クラッド層の外周に設けられて前記最外クラッド層となる外クラッド層との2層のクラッド層からなるとともに、
前記外クラッド層でのフッ素の平均添加量が、前記内クラッド層でのフッ素の平均添加量よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の光ファイバ。 - 前記コア領域は、各部における比屈折率差を純SiO2での屈折率を基準として%で表して定義したときに、その平均比屈折率差Δn0が、条件
Δn0>−0.3%
を満たすことを特徴とする請求項1または2記載の光ファイバ。 - 屈折率が純SiO2の屈折率以下のコア領域を少なくとも含むコア母材の外周上にガラス微粒子を堆積させて、前記コア領域の外周に設けられるクラッド領域が有する1層または複数層のクラッド層のうちで、最も外側に位置する最外クラッド層となるガラス微粒子層を合成する合成工程と、
合成された前記ガラス微粒子層を加熱脱水する脱水工程と、
フッ素を所定濃度で含むガス雰囲気中で、前記ガラス微粒子層にフッ素を含浸させて添加する含浸工程と、
脱水された前記ガラス微粒子層を加熱焼結して前記最外クラッド層とし、前記コア領域と、前記1層または複数層のクラッド層を有するクラッド領域と、を備える光ファイバ母材を形成する焼結工程とを備え、
前記焼結工程において、加熱焼結時のガス雰囲気に含まれるフッ素の濃度を、含浸時の前記所定濃度よりも低い濃度として、前記ガラス微粒子層の外周を含み光ファイバとしたときに外周から7.5μmの厚さとなる外縁部から、添加されているフッ素の一部を除去し、前記外縁部の内側から外側に向かってフッ素の添加量が順次減少して、光ファイバとしたときに各部における比屈折率差を純SiO2での屈折率を基準として%で表して定義したときに、外縁部での比屈折率差の最大値と最小値との差が0.15%以上となり、かつ、外周での比屈折率差Δnaが条件
Δna≧−0.35%
を満たす前記光ファイバ母材を形成することを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 屈折率が純SiO2の屈折率以下のコア領域を少なくとも含むコア母材の外周上にガラス微粒子を堆積させて、前記コア領域の外周に設けられるクラッド領域が有する1層または複数層のクラッド層のうちで、最も外側に位置する最外クラッド層となるガラス微粒子層を合成する合成工程と、
合成された前記ガラス微粒子層を加熱脱水する脱水工程と、
脱水された前記ガラス微粒子層を加熱焼結して前記最外クラッド層とし、前記コア領域と、前記1層または複数層のクラッド層を有するクラッド領域と、を備える光ファイバ母材を形成する焼結工程とを備え、
前記合成工程において、塩素を含む原料ガスを用いて前記ガラス微粒子層に塩素を添加するとともに、前記ガラス微粒子層の外周を含み光ファイバとしたときに外周から7.5μmの厚さとなる外縁部内において塩素の添加量が内側から外側に向かって順次減少していくように、前記塩素を含む原料ガスを調整して前記ガラス微粒子層の合成を行った後、添加された塩素をフッ素に置換し、光ファイバとしたときに各部における比屈折率差を純SiO2での屈折率を基準として%で表して定義したときに、外縁部での比屈折率差の最大値と最小値との差が0.15%以上となり、かつ、外周での比屈折率差Δnaが条件
Δna≧−0.35%
を満たす前記光ファイバ母材を形成することを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。 - 請求項4または5記載の光ファイバ母材の製造方法によって製造された光ファイバ母材を加熱線引するときに、線引炉で線引された光ファイバを、前記線引炉の後段に設けられた加熱炉によって所定の温度範囲内の温度であるように加熱することを特徴とする光ファイバの製造方法。
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