JP4400026B2 - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、低伝送損失で光を伝送する光ファイバの製造方法、及び光ファイバに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバを用いた光の伝送において、光ファイバ内でのレイリー散乱によって生じるレイリー散乱損失や、光ファイバ内の構造の乱れによって生じる構造不整損失などの伝送損失が問題となる。これに対して、伝送損失を低減することが可能な光ファイバ、あるいはその製造方法が提案されている。
【0003】
例えば、文献「坂口、電子情報通信学会論文誌 2000/1 Vol.J83-C No.1, pp.30-36」に、線引後の光ファイバの徐冷によって、光ファイバでのレイリー散乱損失を低減することが記載されている。すなわち、ガラス内でのレイリー散乱強度は材料によって一定に定まるものではなく、ガラス内での原子の配列状態の乱雑さを示す仮想的な温度である仮想温度Tf(Fictive Temperature)に依存する。具体的には、ガラス内の仮想温度Tfが高く(乱雑さが大きく)なると、レイリー散乱強度は増大する。
【0004】
これに対して、光ファイバ母材を加熱線引するときに、線引炉の後段に熱処理炉を設置しておき、線引後の光ファイバが熱処理炉を通過するときに所定の温度範囲内となるように加熱して、光ファイバをアニールする。このような光ファイバのアニールによって、線引後における光ファイバの急激な冷却が防止され、光ファイバが徐冷される。このとき、原子の再配列によるガラスの構造緩和によって、光ファイバ内の仮想温度Tfが低下して、光ファイバ内でのレイリー散乱強度が抑制される。
【0005】
また、文献「K.Tajima, NTT REVIEW Vol.10 No.6, pp.109-113(1998)」には、低温での線引によって同様にレイリー散乱強度が抑制されることが記載されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱処理炉を用いて線引後の光ファイバをアニールする上記した製造方法など、従来の製造方法では、光ファイバの伝送損失の低減と、光ファイバの生産性の向上とを両立させることが難しい。
【0007】
例えば、線引炉の後段に設けられた熱処理炉によるアニールで光ファイバの伝送損失を低減する場合、線引ラインのかなりの部分を熱処理用のラインとして使用する必要がある。このため、熱処理用のラインを増設するとその分だけ光ファイバの冷却に使用するラインの長さが短くなり、線引時での光ファイバの線速を高くすることができない。
【0008】
また、低温での線引によって光ファイバの伝送損失を低減する場合、張力を一定にして分散などの光ファイバの伝送特性を保持するために、低い線速で線引しなくてはならず、熱処理炉によるアニールの場合と同様に、光ファイバの生産性が上がらないという問題があった。
【0009】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、光ファイバでの伝送損失が低減されるとともに、その生産性が向上される光ファイバの製造方法、及び光ファイバを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による光ファイバの製造方法は、(1)脱水焼結して作成され、コア領域、及びコア領域の外周に設けられたクラッド領域を有する光ファイバ母材を、950℃以上1150℃以下の温度で30時間以上の所定時間にわたって熱処理する熱処理ステップと、(2)熱処理された光ファイバ母材を線引炉によって、熱処理ステップで得られた構造緩和状態が保持される線引条件で加熱線引して光ファイバを作成する線引ステップとを備え、線引ステップにおいて、光ファイバ母材を線引炉によって2100℃以下の温度で加熱線引する線引条件として、構造緩和状態を保持しつつ光ファイバを作成することを特徴とする。
【0011】
上記した光ファイバの製造方法においては、光ファイバ母材を加熱線引する際の線引条件のみでなく、光ファイバ母材の製造工程に着目している。そして、脱水焼結して作成された光ファイバ母材を加熱線引する前に、950℃以上1150℃以下の範囲内での所定温度の炉温で光ファイバ母材をアニールして、母材の段階で構造緩和状態とするとともに、得られた構造緩和状態が保持されるように光ファイバ母材を線引して光ファイバを作成している。
【0012】
これにより、伝送損失が低減された光ファイバを、確実に製造することができる。また、線引前にガラスの構造緩和を行っているので、線引時での光ファイバの線速を高くすることができるなど、光ファイバの生産性を向上することが可能となる。
【0013】
構造緩和状態を保持するための具体的な線引条件については、線引ステップにおいて、光ファイバ母材を線引炉によって2100℃以下の温度で加熱線引する線引条件として、構造緩和状態を保持しつつ光ファイバを作成する方法がある。
【0014】
あるいは、線引ステップにおいて、線引炉で線引された光ファイバを、線引炉の後段に設けられた熱処理炉によって1100℃以上1600℃以下の温度で熱処理する線引条件として、構造緩和状態を保持しつつ光ファイバを作成する方法がある。
【0015】
このように、2100℃以下の温度での光ファイバの低温線引、熱処理炉でのアニールによる光ファイバの徐冷、またはその両方を行う線引条件を適用することにより、母材の段階で得られた構造緩和状態を好適に保持しつつ、光ファイバを線引することができる。また、これら以外の線引条件を用いても良い。
【0016】
また、本発明による光ファイバは、コア領域と、コア領域の外周に設けられたクラッド領域とを備え、上記した光ファイバの製造方法により製造されたことを特徴とする。これにより、高い生産性で製造することが可能であり、かつ、伝送損失が低減されて良好な特性を有する光ファイバが得られる。
【0017】
また、コア領域は、純SiO2に対する%で表した比屈折率差が[Ge]である添加量でGeが添加されているとともに、レイリー散乱係数A(dB/km・μm4)、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00(dB/km)が、それぞれ次式で表される基準値A0、及びα0
A0=0.85+0.29[Ge]
α0=0.86+0.29[Ge]
に対して97%以下であることを特徴とする。
【0018】
上記した光ファイバにおいては、光ファイバのレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.00が、通常の光ファイバでの値を示す基準値A0、α0よりも3%以上低減されて、97%以下の値となっている。これにより、伝送損失が充分に低減された光ファイバが得られる。
【0019】
また、コア領域は、純SiO2であるとともに、レイリー散乱係数A(dB/km・μm4)、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00(dB/km)が、それぞれ基準値A0=0.85、及びα0=0.86に対して96%以下であることを特徴とする。
【0020】
上記した純シリカコアの光ファイバにおいては、光ファイバのレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.00が、通常の純シリカコアの光ファイバでの値を示す基準値A0、α0よりも4%以上低減されて、96%以下の値となっている。これにより、伝送損失が充分に低減された光ファイバが得られる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による光ファイバの製造方法、及び光ファイバの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【0022】
まず、光ファイバの製造方法の概要について説明する。
【0023】
本発明による光ファイバの製造方法においては、まず、コア領域、及びコア領域の外周に設けられたクラッド領域を有して構成された光ファイバ母材を、脱水焼結工程を経て作成する。そして、脱水焼結して得られた光ファイバ母材に対して、ガラスの構造緩和によって光ファイバ母材内の仮想温度Tfを低下させるため、母材の段階で所定のアニール条件によって光ファイバ母材の熱処理を行う。
【0024】
具体的には、N2ガス雰囲気などの所定のガス雰囲気とされた熱処理炉内に、作成された光ファイバ母材を配置する。そして、熱処理炉の炉温(熱処理炉に設けられたヒータの温度)を950℃以上1150℃以下の範囲内にある所定温度に設定し、30時間以上の所定時間にわたって光ファイバ母材をアニールする(熱処理ステップ)。なお、この光ファイバ母材に対するアニールの工程は、例えば線引装置とは別に設けられた熱処理炉を用いて行われるため、図1には図示していない。
【0025】
続いて、熱処理によって構造緩和状態となった光ファイバ母材を用い、得られた構造緩和状態が保持される線引条件で、線引炉によって光ファイバ母材の加熱線引を行って、光ファイバを作成する(線引ステップ)。これにより、ガラスの構造緩和によって伝送損失が低減された光ファイバが得られる。
【0026】
構造緩和状態を保持するための具体的な線引条件については、例えば、光ファイバの低温線引を行う線引条件を適用することができる。この場合、線引炉の炉温となるヒータの温度を、2100℃以下の範囲内にある比較的低い所定温度に設定する線引条件として、構造緩和状態を保持しつつ光ファイバ母材を加熱線引する。
【0027】
あるいは、熱処理炉でのアニールによる光ファイバの徐冷を行う線引条件を適用することができる。この場合、線引炉の後段に、線引された光ファイバに対してアニールを行うための熱処理炉を設けておく。そして、この熱処理炉によって、線引炉で線引された光ファイバを1100℃以上1600℃以下の温度でアニールしつつ徐冷する線引条件として、構造緩和状態を保持しつつ光ファイバ母材を加熱線引する。
【0028】
図1に示す線引装置1は、上述した光ファイバの製造方法での線引ステップにおいて用いられる線引装置の構成の一例を示すものである。
【0029】
図1に示す線引装置1は、石英ガラス系の光ファイバを線引するために用いられる線引装置であり、線引炉11、徐冷用の熱処理炉21、及び冷却手段31を有して構成されている。これらの線引炉11、熱処理炉21、及び冷却手段31は、光ファイバ母材2を線引する方向(図1における上下方向)にこの順で設置されている。また、熱処理炉21及び冷却手段31の後段には、線引されたガラスファイバ3を樹脂によって被覆する樹脂被覆部40が設けられている。
【0030】
本線引装置1を用いた光ファイバの製造においては、まず、上記のように母材の段階での熱処理によって構造緩和状態とされた光ファイバ母材2を準備し、母材供給装置(図示していない)に保持された光ファイバ母材2を線引炉11へと供給する。そして、線引炉11内のヒータ12によって光ファイバ母材2の下端を加熱して軟化させ、所定の線速で線引してガラスファイバ3とする。
【0031】
ここで、光ファイバの低温線引を行う線引条件を適用する場合には、線引炉11の炉温となるヒータ12の温度を2100℃以下の範囲内にある所定温度として、光ファイバ母材2の線引を行う。このとき、光ファイバ母材2の温度は、約2000℃以下の温度となる。また、線引炉11の炉心管13には、不活性ガス供給部14からのガス供給通路15が接続されており、炉心管13内が不活性ガス雰囲気となるように構成されている。
【0032】
加熱線引されたガラスファイバ3は炉心管13内にて、例えば1700℃程度にまで不活性ガスにより急激に冷却される。その後、ガラスファイバ3は、炉心管13の下部から線引炉11外に出され、線引炉11と熱処理炉21との間にて空冷される。不活性ガスとしては、例えばN2ガスを用いることができる。N2ガスの熱伝導係数λ(T=300K)は26mW/(m・K)である。また、空気の熱伝導係数λ(T=300K)は26mW/(m・K)である。
【0033】
次に、線引され空冷されたガラスファイバ3を、線引炉11と樹脂被覆部40との間であって、線引炉11の後段の所定位置に設けられたアニール用の熱処理炉21に送る。そして、熱処理炉21内のヒータ22によってガラスファイバ3を所定温度でアニールすることによって、線引後のガラスファイバ3を徐冷する。ここでは、熱処理炉21の炉温となるヒータ22の温度を1100℃以上1600℃以下の範囲内にある所定温度として、ガラスファイバ3のアニールを行う。
【0034】
熱処理炉21は、その中をガラスファイバ3が通過する炉心管23を有する。熱処理炉21の炉心管23には、N2ガス供給部24からのガス供給通路25が接続されており、炉心管23内がN2ガス雰囲気となるように構成されている。N2ガスを用いる代わりに、空気あるいはArなどの分子量が比較的大きいガス等を用いることも可能である。ただし、炉心管がカーボン製である場合には、酸素を含まないガスを用いる必要がある。なお、線引後のアニールによって光ファイバの徐冷を行う線引条件を適用しない場合には、この熱処理炉21を設けない構成としても良い。
【0035】
続いて、アニールされたガラスファイバ3を、線引炉11と樹脂被覆部40との間であって、熱処理炉21の後段の所定位置に設けられたガラスファイバ3の強制冷却用の冷却手段31に送る。そして、冷却手段31によってガラスファイバ3を所定温度まで冷却する。
【0036】
冷却手段31は、その中をガラスファイバ3が通過する円筒状の管32を有する。また、円筒管32の側壁には、冷却ガス供給部34に接続された複数のノズル33が設けられている。これにより、円筒管32中を通過するガラスファイバ3に対して冷却ガス供給部34からの冷却ガスが供給され、ガラスファイバ3が強制的に冷却される。冷却ガスとしては、好ましくはHeガスが用いられる。なお、通常の空冷で充分にガラスファイバ3を冷却可能な場合には、このような冷却手段31を用いない構成としても良い。
【0037】
冷却手段31を出たガラスファイバ3は、外径測定器51により外径がオンライン測定される。そして、その測定値がドラム52を回転駆動する駆動モータ53にフィードバックされて、外径が一定となるようにドラム52の回転が駆動制御される。外径測定器51からの出力信号は、制御手段としての制御ユニット54に送られる。制御ユニット54は、ガラスファイバ3の外径があらかじめ設定された所定値となるように、ドラム52及び駆動モータ53の回転速度を演算によって求める。
【0038】
制御ユニット54からは、演算によって求めたドラム52及び駆動モータ53の回転速度を示す出力信号が、駆動モータ用ドライバ(図示していない)に出力される。この駆動モータ用ドライバは、制御ユニット54からの出力信号に基づいて、駆動モータ53の回転速度を制御する。
【0039】
外径測定器51によって外径が測定されたガラスファイバ3は、2段(タンデム)に構成された樹脂被覆部40へと入線される。まず、1段目の樹脂被覆部において、外径測定器51を通過したガラスファイバ3に対し、コーティングダイス41によりUV樹脂42が塗布される。塗布されたUV樹脂42は、樹脂硬化部43のUVランプ44からの紫外光によって硬化される。
【0040】
さらに、2段目の樹脂被覆部において、樹脂硬化部43からのガラスファイバ3に対し、コーティングダイス46によりUV樹脂47が塗布される。塗布されたUV樹脂47は、樹脂硬化部48のUVランプ49からの紫外光によって硬化される。これにより、ガラスファイバ3が樹脂によって被覆された光ファイバ素線4が形成される。そして、光ファイバ素線4は、ガイドローラ56を経て、ドラム52によって巻き取られる。ドラム52は、回転駆動軸55に支持されており、この回転駆動軸55の端部は駆動モータ53に接続されている。
【0041】
なお、線引炉11の炉心管13には、上述したように不活性ガス供給部14からのガス供給通路15が接続されており、炉心管13内が不活性ガス雰囲気となるように構成されている。これに対して、不活性ガス供給部14としてN2ガス供給部を設け、炉心管13内にN2ガスを供給してN2ガス雰囲気となるように構成しても良い。また、Heガス供給部とN2ガス供給部とを併設し、線速に応じて炉心管13内にHeガスまたはN2ガスを供給する構成としても良い。
【0042】
上述した実施形態の光ファイバの製造方法による効果について説明する。
【0043】
本実施形態による光ファイバの製造方法では、光ファイバ母材2を加熱線引してガラスファイバ3を製造する際に、その加熱線引の線引条件のみでなく、光ファイバ母材2の製造工程に着目している。そして、脱水焼結して作成された光ファイバ母材2を線引装置1にて加熱線引する前に、950℃以上1150℃以下の範囲内での所定温度の炉温で光ファイバ母材をアニールして、母材の段階で構造緩和状態とするとともに、得られた構造緩和状態が保持される線引条件によって光ファイバ母材2を線引してガラスファイバ3を作成している。
【0044】
このような製造方法によれば、光ファイバ母材に対してアニールを行うことにより、ガラスの構造緩和によって光ファイバ母材内の仮想温度Tfが低下する。また、この構造緩和状態にある光ファイバ母材を加熱線引して光ファイバとする工程では、光ファイバ母材のガラスは完全には溶融されず、ガラスが軟化した状態で光ファイバが線引される。
【0045】
このため、光ファイバ母材を加熱線引する際に、その線引条件を適切に設定すれば、母材の段階で得られたガラスの構造緩和状態をある程度保持しつつ光ファイバ母材を線引して、光ファイバを作成することが可能である。これにより、得られる光ファイバ内の仮想温度Tfを低下させて、レイリー散乱損失、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失が低減された光ファイバを製造することができる。
【0046】
また、この製造方法によれば、線引前に母材の段階でガラスの構造緩和を行っているので、線引ラインにおける熱処理用のラインの長さを短縮し、あるいは、線引時での光ファイバの線速を高くすることができる。これにより、光ファイバの線引を効率良く行うことができ、光ファイバの生産性を向上することが可能となる。以上より、光ファイバの伝送損失の低減と、光ファイバの生産性の向上とを好適に両立することが可能な光ファイバの製造方法が実現される。
【0047】
また、構造緩和状態を保持するための具体的な線引条件については、上述したように、光ファイバの低温線引を行う線引条件、あるいは、熱処理炉でのアニールによって線引後の光ファイバの徐冷を行う線引条件を適用することができる。このように、光ファイバの低温線引、徐冷、またはその両方を行う線引条件とすることによって、母材の段階で得られた構造緩和状態を好適に保持しつつ、光ファイバを線引することができる。また、これら以外の線引条件を用いても良い。
【0048】
次に、上述した製造方法によって製造される本発明による光ファイバについて説明する。本発明による光ファイバは、その製造方法に関して上述したように、高い生産性で製造することが可能であり、かつ、伝送損失が低減されて良好な特性を有する。
【0049】
図2は、本発明による光ファイバの第1実施形態について、その屈折率プロファイルを示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は光ファイバ内の各部位の中心軸からみた位置を示している。また、縦軸は光ファイバ内の各部位での純SiO2に対する比屈折率差(%)を示している。
【0050】
本実施形態の光ファイバは、コア領域100と、コア領域100の外周に設けられたクラッド領域110とを備える。コア領域100は、光ファイバの中心軸を含んだ半径r0の層として形成されている。また、このコア領域100は、所定の添加量でGeが添加されたSiO2からなる。
【0051】
具体的には、コア領域100には、純SiO2に対する%で表した比屈折率差[Ge]によってGeの添加量を表したときに、この比屈折率差[Ge]が所定条件を満たす添加量(例えば0.3%以上となる添加量)でGeが添加されている。これにより、コア領域100の比屈折率差Δn0は、Δn0=[Ge]>0となっている。
【0052】
また、クラッド領域110は、本実施形態では、1層のクラッド層111から構成されている。クラッド層111は、コア領域100の外周に設けられた半径r1の層として形成されている。また、このクラッド層111は、純SiO2からなる。これにより、クラッド層111の比屈折率差Δn1は、Δn1=0となっている。このような構成の光ファイバは、例えば、Ge添加シングルモードファイバ(Ge−SM)として好適に適用することが可能である。
【0053】
本光ファイバにおける好適な特性条件について説明する。すなわち、図2に示した光ファイバにおいては、光ファイバでのレイリー散乱損失の大きさを示すレイリー散乱係数A(dB/km・μm4)、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00(dB/km)が、それぞれ次式で表される基準値A0、及びα0
A0=0.85+0.29[Ge]
α0=0.86+0.29[Ge]
に対して97%以下となっていることが好ましい。ここで、[Ge]は、上述したように、コア領域へのGeの添加量を示す純SiO2に対する%で表した比屈折率差である。また、A0は、例えば[Ge]=0.35%であれば、A0=0.85+0.29×0.35=0.95である。
【0054】
この好適な特性条件においては、光ファイバのレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.00が、通常の光ファイバでの値を示す基準値A0、α0よりも3%以上低減されて、97%以下の値となっている。これにより、伝送損失が充分に低減された光ファイバが得られる。
【0055】
なお、本発明による光ファイバの具体的な構成については、後述する第2〜第4実施形態にその例を示すように、図2に示した第1実施形態の構成に限らず、様々な構成を用いて良い。例えば、コア領域については、Geが添加されていない純SiO2からなる構成としても良い。なお、上記した基準値A0、α0に関する特性条件は、[Ge]=0となる純シリカコアの構成に対しても、同様に適用することができる。
【0056】
コアが純SiO2からなる光ファイバにおいては、さらに、レイリー散乱係数A(dB/km・μm4)、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00(dB/km)が、それぞれ基準値A0=0.85、及びα0=0.86に対して96%以下となっていることが好ましい。
【0057】
この好適な特性条件においては、光ファイバのレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.00が、通常の純シリカコアの光ファイバでの値を示す基準値A0、α0よりも4%以上低減されて、96%以下の値となっている。これにより、伝送損失が充分に低減された光ファイバが得られる。
【0058】
また、クラッド領域については、図2に示した構成では純SiO2からなる1層のクラッド層を有する構成としたが、一般には、それぞれ純SiO2、Geが添加されたSiO2、またはFが添加されたSiO2のいずれかからなる1層または複数層のクラッド層を有する構成とすることが好ましい。
【0059】
このような構成によれば、シングルモードファイバ(SMF:Single Mode Fiber)、分散シフトファイバ(DSF:Dispersion Shift Fiber)、及び分散補償ファイバ(DCF:Dispersion Compensation Fiber)など、様々な種類の光ファイバを、良好な特性によって生産性良く製造することができる。
【0060】
上述した光ファイバの各特性条件について、さらに説明する。本発明による光ファイバでの上述した好適な特性条件では、レイリー散乱損失等の低減効果を評価するための指標として、レイリー散乱係数A、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00を用い、これらのレイリー散乱係数A、及び伝送損失α1.00を、通常の値を示す基準値A0、α0よりも3%以上低減された、97%以下の値としている。
【0061】
光ファイバでの波長λにおける伝送損失αλ(dB/km)は、レイリー散乱損失と、それ以外の構造不整損失などの伝送損失成分により、一般に次式
αλ=A/λ4+B+C(λ)
で表される。このうち、第1項A/λ4(dB/km)がレイリー散乱損失を示しており、その係数Aがレイリー散乱係数(dB/km・μm4)である。上式より、レイリー散乱損失はレイリー散乱係数Aに比例しており、したがって、レイリー散乱係数Aが基準値から3%低減されれば、レイリー散乱損失が3%低減されることとなる。
【0062】
ここで、線引前での光ファイバ母材のアニール、光ファイバの低温線引、または線引後の光ファイバの徐冷等を行わない通常の製造方法によって得られる光ファイバでは、コア領域へのGeの添加量を上述した[Ge]で表したとき、レイリー散乱係数A(dB/km・μm4)の値は、次式
A0=0.85+0.29[Ge]
となる。したがって、この通常での値A0をレイリー散乱係数Aの基準値とすることができる。このとき、得られた光ファイバでのレイリー散乱係数Aが、基準値A0から3%以上低減されていれば良い。
【0063】
また、レイリー散乱損失を含む全体の伝送損失を評価するため、波長1.00μmでの伝送損失α1.00を指標としても良い。波長1.00μmでは、上記した伝送損失αλの表式中、B+C(λ)はほぼ0.01であり、したがって、通常の製造方法で得られる光ファイバでは、伝送損失α1.00(dB/km)の値は、次式
α0=A0+0.01
=0.86+0.29[Ge]
となる。したがって、この通常での値α0を伝送損失α1.00の基準値とすることができる。このとき、得られた光ファイバでの伝送損失α1.00が、基準値α0から3%以上低減されることが好ましい。
【0064】
このように、レイリー散乱係数A、または伝送損失α1.00を指標として用いることによって、レイリー散乱損失、あるいはレイリー散乱損失を含む全体の伝送損失の低減効果を確実に得ることが可能となる。また、上記した基準値A0、α0のそれぞれの表式によれば、表式中に、コアへのGeの添加量に関する変数[Ge]が含まれている。したがって、Geの添加量に応じた伝送損失の評価が可能である。
【0065】
なお、レイリー散乱係数Aについては、上式より、伝送損失の波長依存性のデータ(例えば1/λ4プロットでの傾き)から求めることができる。また、全体の伝送損失を評価する指標として、波長1.00μmでの伝送損失α1.00を用いているが、これは、1.00μmでの伝送損失の値が、光伝送に用いられる1.55μmの波長帯域などに比べて大きく、1〜10km程度の比較的短い光ファイバサンプルで、充分な精度で評価できるためである。
【0066】
また、光ファイバの波長1.00μmでの伝送損失α1.00と、波長1.55μmでの伝送損失α1.55とは一定の関係を有して対応しており、伝送損失α1.00で低減効果を評価することによって、伝送損失α1.55についても、同様にその低減を確認することができる。具体的な対応関係としては、波長1.00μmでの伝送損失α1.00は、上記したように
α1.00=A+0.01
で表されるが、この表式に相当する波長1.55μmでの伝送損失α1.55の表式は、次式
α1.55=A×0.17325+0.025
である。
【0067】
本発明による光ファイバの具体的な構成の他の例について説明する。
【0068】
図3は、光ファイバの第2実施形態について、その屈折率プロファイルを示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は光ファイバ内の各部位の中心軸からみた位置を示している。また、縦軸は光ファイバ内の各部位での純SiO2に対する比屈折率差(%)を示している。
【0069】
本実施形態の光ファイバは、コア領域200と、コア領域200の外周に設けられたクラッド領域210とを備える。コア領域200は、光ファイバの中心軸を含んだ半径r0の層として形成されている。また、このコア領域200は、比屈折率差で[Ge]となる所定の添加量でGeが添加されたSiO2からなる。これにより、コア領域200の比屈折率差Δn0は、Δn0=[Ge]>0となっている。
【0070】
また、クラッド領域210は、本実施形態では、2層のクラッド層211、212から構成されている。内側の第1クラッド層211は、コア領域200の外周に設けられた半径r1の層として形成されている。また、このクラッド層211は、Geが所定の添加量で添加されたSiO2からなる。これにより、クラッド層211の比屈折率差Δn1は、Δn1>0となっている。
【0071】
また、外側の第2クラッド層212は、第1クラッド層211の外周に設けられた半径r2の層として形成されている。また、このクラッド層212は、純SiO2からなる。これにより、クラッド層212の比屈折率差Δn2は、Δn2=0となっている。このような構成の光ファイバは、例えば、分散シフトファイバ(DSF)として好適に適用することが可能である。なお、レイリー散乱係数A、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00に対する好適な特性条件については、図2に示した第1実施形態の光ファイバについて上述したものと同様である。
【0072】
図4は、光ファイバの第3実施形態について、その屈折率プロファイルを示すグラフである。
【0073】
本実施形態の光ファイバは、コア領域300と、コア領域300の外周に設けられたクラッド領域310とを備える。コア領域300は、光ファイバの中心軸を含んだ半径r0の層として形成されている。また、このコア領域300は、Geが添加されていない純SiO2からなる。これにより、コア領域300の比屈折率差Δn0は、Δn0=0となっている。
【0074】
また、クラッド領域310は、本実施形態では、1層のクラッド層311から構成されている。クラッド層311は、コア領域300の外周に設けられた半径r1の層として形成されている。また、このクラッド層311は、Fが所定の添加量で添加されたSiO2からなる。これにより、クラッド層311の比屈折率差Δn1は、Δn1<0となっている。このような構成の光ファイバは、例えば、純シリカコア光ファイバとして好適に適用することが可能である。なお、レイリー散乱係数A、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00に対する好適な特性条件については、純シリカコアの光ファイバに関して上述した通りである。
【0075】
図5は、光ファイバの第4実施形態について、その屈折率プロファイルを示すグラフである。
【0076】
本実施形態の光ファイバは、コア領域400と、コア領域400の外周に設けられたクラッド領域410とを備える。コア領域400は、光ファイバの中心軸を含んだ半径r0の層として形成されている。また、このコア領域400は、比屈折率差で[Ge]となる所定の添加量でGeが添加されたSiO2からなる。これにより、コア領域400の比屈折率差Δn0は、Δn0=[Ge]>0となっている。
【0077】
また、クラッド領域410は、本実施形態では、2層のクラッド層411、412から構成されている。内側の第1クラッド層411は、コア領域400の外周に設けられた半径r1の層として形成されている。また、このクラッド層411は、Fが所定の添加量で添加されたSiO2からなる。これにより、クラッド層411の比屈折率差Δn1は、Δn1<0となっている。
【0078】
また、外側の第2クラッド層412は、第1クラッド層411の外周に設けられた半径r2の層として形成されている。また、このクラッド層412は、純SiO2からなる。これにより、クラッド層412の比屈折率差Δn2は、Δn2=0となっている。このような構成の光ファイバは、例えば、分散補償ファイバ(DCF)として好適に適用することが可能である。なお、レイリー散乱係数A、及び波長1.00μmでの伝送損失α1.00に対する好適な特性条件については、図2に示した第1実施形態の光ファイバについて上述したものと同様である。
【0079】
本発明による光ファイバの製造方法、及びそれによって製造される光ファイバによる伝送損失の低減効果等について、具体的な実施例及び比較例とともに説明する。
【0080】
図6は、光ファイバの実施例A1、A3、参考例A2、及び比較例B1〜B3における製造条件、及びその損失特性について示す表である。ここでは、光ファイバとして、図2に示した構成を有するGe添加シングルモードファイバ(Ge−SM)を想定している。具体的には、Geが添加されたSiO2からなるコア領域100の外径を2r0=8μm、比屈折率差をΔn0=[Ge]=0.35%、純SiO2からなるクラッド層111の外径を2r1=125μm、比屈折率差をΔn1=0%に設定している。
【0081】
また、その製造条件については、光ファイバ3を線引する線速を500m/分とし、線引張力を約0.88N(90gw)としている。また、線引前での光ファイバ母材2のアニールの条件、線引炉11における線引温度、及び線引炉11の後段の熱処理炉21における光ファイバ3のアニールによる徐冷の条件は、各実施例、参考例、及び比較例について図6の表中に示す通りである。
【0082】
また、図6の表には、各実施例、参考例、及び比較例での光ファイバの損失特性として、レイリー散乱係数A(dB/km・μm4)、及び波長1.55μmでの伝送損失α1.55(dB/km)を示している。
【0083】
図6の表に示した本発明による光ファイバの実施例A1、A3、及び参考例A2のうち、実施例A1では、光ファイバ母材のアニール条件を1050℃で60時間、線引炉での線引温度を2100℃、熱処理炉での光ファイバのアニールは行わない、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.90dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.182dB/kmとなっている。
【0084】
また、参考例A2では、光ファイバ母材のアニール条件を1050℃で60時間、線引炉での線引温度を2200℃、熱処理炉での光ファイバのアニール条件を1300℃で1秒、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.89dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.182dB/kmとなっている。
【0085】
また、実施例A3では、光ファイバ母材のアニール条件を1050℃で60時間、線引炉での線引温度を2100℃、熱処理炉での光ファイバのアニール条件を1300℃で1秒、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.89dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.180dB/kmとなっている。
【0086】
上記した実施例A1、A3、及び参考例A2では、いずれも、950℃以上1150℃以下の温度で30時間以上にわたって母材をアニールする、との条件を満たす1050℃×60時間のアニール条件で、光ファイバ母材に対してアニールを行っている。また、実施例A1では、光ファイバ母材のアニールに加えて、線引時に2100℃での低温線引を行った例を示している。また、参考例A2では、光ファイバ母材のアニールに加えて、線引後の光ファイバに対する徐冷を行った例を示している。また、実施例A3では、光ファイバ母材のアニールに加えて、線引時の低温線引、及び線引後の徐冷を合わせて行った例を示している。
【0087】
すなわち、これらの実施例A1、A3、及び参考例A2では、光ファイバ母材を線引前にアニールして母材の段階で構造緩和状態とするとともに、低温線引、徐冷、またはその両方を行う線引条件で、構造緩和状態が保持されるように光ファイバの線引を行っている。これにより、いずれの実施例及び参考例においても、レイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.55が充分に低減されている。
【0088】
一方、図6の表に示した光ファイバの比較例B1〜B3のうち、比較例B1では、光ファイバ母材のアニールは行わず、線引炉での線引温度を2100℃、熱処理炉での光ファイバのアニールは行わない、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.94dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.188dB/kmとなっている。
【0089】
また、比較例B2では、光ファイバ母材のアニールは行わず、線引炉での線引温度を2200℃、熱処理炉での光ファイバのアニール条件を1300℃で0.5秒、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.94dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.188dB/kmとなっている。
【0090】
また、比較例B3では、光ファイバ母材のアニールは行わず、線引炉での線引温度を2200℃、熱処理炉での光ファイバのアニールは行わない、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.95dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.190dB/kmとなっている。
【0091】
これらの比較例B1〜B3では、いずれも、光ファイバ母材を線引前に構造緩和状態とするための母材のアニールを行っていない。このため、光ファイバの線引において低温線引または徐冷を行うかどうかにかかわらず、実施例A1、A3、及び参考例A2に比べてレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.55が大きくなっており、その損失特性が劣化している。
【0092】
以上より、所定のアニール条件で光ファイバ母材を線引前にアニールするとともに、構造緩和状態が保持される線引条件で線引を行うことによって、伝送損失が充分に低減された光ファイバが得られることがわかる。また、このような製造方法では、上述したように、線引時での光ファイバの線速を高くするなど、光ファイバの生産性を向上することができる。
【0093】
図7は、光ファイバの実施例C1〜C3、及び比較例D1〜D4における製造条件、及びその損失特性について示す表である。ここでは、光ファイバとして、図3に示した構成を有する分散シフトファイバ(DSF)を想定している。具体的には、Geが添加されたSiO2からなるコア領域200の外径を2r0=6μm、比屈折率差をΔn0=[Ge]=0.6%、Geが添加されたSiO2からなる第1クラッド層211の外径を2r1=40μm、比屈折率差をΔn1=0.1%、純SiO2からなる第2クラッド層212の外径を2r2=125μm、比屈折率差をΔn2=0%に設定している。
【0094】
また、この実施例C1〜C3、及び比較例D1〜D4では、主に、線引前の光ファイバ母材に対するアニールでのアニール温度を変えて、その効果について検討している。また、熱処理炉での光ファイバのアニールによる徐冷については、いずれにおいても行っていない。
【0095】
図7の表に示した本発明による光ファイバの実施例C1〜C3のうち、実施例C1では、光ファイバ母材のアニール条件を950℃で60時間、線引炉での線引温度を2100℃、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.96dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.190dB/kmとなっている。
【0096】
また、実施例C2では、光ファイバ母材のアニール条件を1050℃で60時間、線引炉での線引温度を2100℃、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.94dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.186dB/kmとなっている。
【0097】
また、実施例C3では、光ファイバ母材のアニール条件を1150℃で60時間、線引炉での線引温度を2100℃、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.96dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.190dB/kmとなっている。
【0098】
これらの実施例C1〜C3では、線引時に2100℃での低温線引を行っている。また、それぞれ、950℃以上1150℃以下の温度で30時間以上にわたって母材をアニールする、との条件を満たす950℃、1050℃、1150℃×60時間のアニール条件で、線引前に光ファイバ母材に対してアニールを行っている。これにより、いずれの実施例においても、レイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.55が充分に低減されている。
【0099】
一方、図7の表に示した光ファイバの比較例D1〜D4のうち、比較例D1では、光ファイバ母材のアニールは行わず、線引炉での線引温度を2200℃、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.02dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.200dB/kmとなっている。
【0100】
また、比較例D2では、光ファイバ母材のアニールは行わず、線引炉での線引温度を2100℃、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.99dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.195dB/kmとなっている。
【0101】
これらの比較例D1、D2では、いずれも、光ファイバ母材を線引前に構造緩和状態とするための母材のアニールを行っていない。このため、光ファイバの線引において2100℃での低温線引を行うかどうかにかかわらず、実施例C1〜C3に比べてレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.55が大きくなっており、その損失特性が劣化している。
【0102】
また、比較例D3では、光ファイバ母材のアニール条件を850℃で60時間、線引炉での線引温度を2100℃、とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.99dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.195dB/kmとなっている。この比較例D3では、光ファイバ母材のアニールを行っているものの、そのアニール温度が850℃と低くなっている。このような条件では、母材のアニールを行っていない比較例D2と比べて、伝送損失の低減効果が得られないことがわかる。
【0103】
また、比較例D4では、光ファイバ母材のアニール条件を1250℃で60時間、とする製造条件を設定しているが、このような条件では、光ファイバ母材をアニールしている途中で母材が軟化して垂れてきてしまう。したがって、このアニール温度は、母材のアニールには適していない。
【0104】
以上より、950℃以上1150℃以下の範囲内における所定温度で光ファイバ母材のアニールを行うことにより、母材の段階でのガラスの構造緩和による光ファイバの伝送損失の低減効果が好適に得られることがわかる。
【0105】
図8は、光ファイバの実施例E1〜E3、及び比較例F1における製造条件、及びその損失特性について示す表である。ここでは、光ファイバとして、図4に示した構成を有する純シリカコア光ファイバを想定している。具体的には、純SiO2からなるコア領域300の外径を2r0=8μm、比屈折率差をΔn0=0%、Fが添加されたSiO2からなるクラッド層311の外径を2r1=125μm、比屈折率差をΔn1=−0.35%に設定している。
【0106】
また、この実施例E1〜E3、及び比較例F1では、主に、線引前の光ファイバ母材に対するアニールでのアニール時間を変えて、その効果について検討している。また、線引炉での線引温度については、いずれも低温線引の条件を満たす2100℃に設定している。また、熱処理炉での光ファイバのアニールによる徐冷については、いずれも1300℃で0.5秒のアニール条件を設定している。
【0107】
図8の表に示した本発明による光ファイバの実施例E1〜E3のうち、実施例E1では、光ファイバ母材のアニール条件について、1050℃で30時間とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.80dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.163dB/kmとなっている。
【0108】
また、実施例E2では、1050℃で60時間とする光ファイバ母材のアニール条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.79dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.161dB/kmとなっている。
【0109】
また、実施例E3では、1050℃で100時間とする光ファイバ母材のアニール条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.78dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.159dB/kmとなっている。
【0110】
一方、図8の表に示した光ファイバの比較例F1では、光ファイバ母材のアニールは行わないとする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=0.82dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.165dB/kmとなっている。
【0111】
これらの実施例E1〜E3、及び比較例F1より、アニール温度が一定の場合には、アニール時間を長くすることによって、母材の段階でのガラスの構造緩和による光ファイバの伝送損失の低減効果が大きくなっていることがわかる。したがって、光ファイバ母材のアニール条件については、上述したように950℃以上1150℃以下の温度で、30時間以上のアニール時間とすることが好ましいが、60時間以上のアニール時間、あるいはさらに100時間以上のアニール時間とすることがより好ましい。
【0112】
図9は、光ファイバの実施例G1〜G6、及び比較例H1における製造条件、及びその損失特性について示す表である。ここでは、光ファイバとして、図5に示した構成を有する分散補償ファイバ(DCF)を想定している。具体的には、Geが添加されたSiO2からなるコア領域400の外径を2r0=4μm、比屈折率差をΔn0=[Ge]=1.5%、Fが添加されたSiO2からなる第1クラッド層411の外径を2r1=8μm、比屈折率差をΔn1=−0.4%、純SiO2からなる第2クラッド層412の外径を2r2=125μm、比屈折率差をΔn2=0%に設定している。
【0113】
また、この実施例G1〜G6、及び比較例H1では、主に、線引後の光ファイバに対するアニールによる徐冷でのアニール温度を変えて、その効果について検討している。また、光ファイバ母材のアニールについては、比較例H1を除いて1050℃で60時間のアニール条件を設定している。また、線引炉での線引温度については、いずれも低温線引の条件を満たす2100℃に設定している。
【0114】
図9の表に示した本発明による光ファイバの実施例G1〜G6のうち、実施例G1では、熱処理炉での光ファイバのアニール条件について、1100℃で0.5秒とする製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.20dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.231dB/kmとなっている。
【0115】
また、実施例G2では、1300℃で0.5秒とする光ファイバのアニール条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.18dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.228dB/kmとなっている。
【0116】
また、実施例G3では、1550℃で0.5秒とする光ファイバのアニール条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.20dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.231dB/kmとなっている。
【0117】
これらの実施例G1〜G3では、いずれも、光ファイバ母材を線引前に構造緩和状態とするための母材のアニールを行っている。また、それぞれ、1100℃以上1600℃以下の温度で線引後の光ファイバをアニールする、との条件を満たす1100℃、1300℃、1550℃×0.5秒のアニール条件で、線引後の光ファイバに対してアニールを行っている。これにより、いずれの実施例においても、レイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.55が充分に低減されている。
【0118】
また、実施例G4では、900℃で0.5秒とする光ファイバのアニール条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.24dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.237dB/kmとなっている。
【0119】
また、実施例G5では、1650℃で0.5秒とする光ファイバのアニール条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.25dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.240dB/kmとなっている。
【0120】
また、実施例G6では、熱処理炉での光ファイバのアニールは行わないとの製造条件を設定している。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.25dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.240dB/kmとなっている。
【0121】
一方、比較例H1では、熱処理炉での光ファイバのアニールは行わないとの製造条件を設定している。さらに、本比較例では、光ファイバ母材のアニールについても行わないこととしている。また、得られた損失特性は、レイリー散乱係数がA=1.28dB/km・μm4、伝送損失がα1.55=0.245dB/kmとなっている。
【0122】
この比較例H1では、実施例G1〜G6に比べてレイリー散乱係数A、及びレイリー散乱損失を含む伝送損失α1.55が大きくなっており、その損失特性が劣化している。また、実施例G4〜G6は、実施例G1〜G3に比べると、ややレイリー散乱係数A及び伝送損失α1.55が大きくなっている。
【0123】
以上より、線引前の光ファイバ母材のアニールに加えて、線引後の光ファイバのアニールによる徐冷を行う場合には、1100℃以上1600℃以下の範囲内における所定温度で光ファイバのアニールを行うことにより、光ファイバの伝送損失の低減効果が好適に得られることがわかる。
【0124】
本発明による光ファイバの製造方法、及び光ファイバは、上述した実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、線引装置の具体的な構成については、図1はその一例を示すものであり、上述した製造方法を実現可能なものであれば、他の構成の線引装置を用いても良い。
【0125】
【発明の効果】
本発明による光ファイバの製造方法、及び光ファイバは、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、線引前の光ファイバ母材を950℃以上1150℃以下の温度で30時間以上アニールするとともに、得られた構造緩和状態が保持される線引条件によって光ファイバの線引を行う光ファイバの製造方法、及び光ファイバによれば、光ファイバでの伝送損失を低減し、かつ、その生産性を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】光ファイバの製造方法、及び光ファイバの製造に用いられる線引装置の一実施形態を概略的に示す構成図である。
【図2】光ファイバの第1実施形態での屈折率プロファイルを示すグラフである。
【図3】光ファイバの第2実施形態での屈折率プロファイルを示すグラフである。
【図4】光ファイバの第3実施形態での屈折率プロファイルを示すグラフである。
【図5】光ファイバの第4実施形態での屈折率プロファイルを示すグラフである。
【図6】 光ファイバの実施例A1、A3、参考例A2、及び比較例B1〜B3における製造条件及び損失特性について示す表である。
【図7】光ファイバの実施例C1〜C3、及び比較例D1〜D4における製造条件及び損失特性について示す表である。
【図8】光ファイバの実施例E1〜E3、及び比較例F1における製造条件及び損失特性について示す表である。
【図9】光ファイバの実施例G1〜G6、及び比較例H1における製造条件及び損失特性について示す表である。
【符号の説明】
1…線引装置、2…光ファイバ母材、3…ガラスファイバ、4…光ファイバ素線、11…線引炉、12…ヒータ、13…炉心管、14…不活性ガス供給部、15…ガス供給通路、21…熱処理炉、22…ヒータ、23…炉心管、24…N2ガス供給部、25…ガス供給通路、31…冷却手段、32…円筒管、33…ノズル、34…冷却ガス供給部、40…樹脂被覆部、41…コーティングダイス、42…UV樹脂、43…樹脂硬化部、44…UVランプ、46…コーティングダイス、47…UV樹脂、48…樹脂硬化部、49…UVランプ、51…外径測定器、52…ドラム、53…駆動モータ、54…制御ユニット、55…回転駆動軸、56…ガイドローラ。
Claims (2)
- 脱水焼結して作成され、コア領域、及び前記コア領域の外周に設けられたクラッド領域を有する光ファイバ母材を、950℃以上1150℃以下の温度で30時間以上の所定時間にわたって熱処理する熱処理ステップと、
熱処理された前記光ファイバ母材を線引炉によって、前記熱処理ステップで得られた構造緩和状態が保持される線引条件で加熱線引して光ファイバを作成する線引ステップと
を備え、
前記線引ステップにおいて、前記光ファイバ母材を前記線引炉によって2100℃以下の温度で加熱線引する線引条件として、前記構造緩和状態を保持しつつ前記光ファイバを作成することを特徴とする光ファイバの製造方法。 - 前記線引ステップにおいて、前記線引炉で線引された前記光ファイバを、前記線引炉の後段に設けられた熱処理炉によって1100℃以上1600℃以下の温度で熱処理する線引条件として、前記構造緩和状態を保持しつつ前記光ファイバを作成することを特徴とする請求項1記載の光ファイバの製造方法。
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