JP2007005782A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に第１の導電層と、前記第１の導電層上に前記第１の導電層に達する開口を含む第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層及び前記信号配線層に隣接する第２の導電層とを有し、
   前記第２の導電層は、前記開口において前記第１の導電層と接しており、
   前記第１の導電層は、前記信号配線層と第２の絶縁層を介して重なっていることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
2. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に第１の導電層と、前記第１の導電層上に前記第１の導電層に達する第１の開口及び第２の開口を含む第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層及び前記信号配線層を間に挟んで隣接する第２の導電層及び第３の導電層とを有し、
   前記第１の導電層は、前記第１の開口において前記第２の導電層と、前記第２の開口において前記第３の導電層と、それぞれ接していることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
3. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層及び前記信号配線層に隣接する第１の導電層と、前記信号配線層及び前記第１の導電層上に、前記第１の導電層に達する開口を含む第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に第２の導電層とを有し、
   前記第２の導電層は、前記開口において前記第１の導電層と接しており、
   前記第２の導電層は、前記信号配線層と第２の絶縁層を介して重なっていることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
4. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層及び前記信号配線層を間に挟んで隣接する第１の導電層及び第２の導電層と、前記信号配線層、前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に、前記第１の導電層に達する第１の開口及び前記第２の導電層に達する第２の開口を含む第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に第３の導電層とを有し、
   前記第３の導電層は、前記第１の開口において前記第１の導電層と、前記第２の開口において前記第２の導電層と、それぞれ接していることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
5. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に第１の導電層と、前記第１の導電層上に第１の開口及び第２の開口を含む第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層及び前記信号配線層を間に挟んで隣接する第２の導電層及び第３の導電層と、前記信号配線層、前記第２の導電層及び第３の導電層上に前記第２の導電層に達する第３の開口及び前記第３の導電層に達する第４の開口を含む第３の絶縁層と、前記第３の絶縁層上に第４の導電層とを有し、
   前記第１の導電層は、前記第１の開口において前記第２の導電層と、前記第２の開口において前記第３の導電層とそれぞれ接し、
   前記第４の導電層は、前記第３の開口において前記第２の導電層と、前記第４の開口において前記第３の導電層とそれぞれ接していることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、前記集積回路部は薄膜トランジスタを有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、前記集積回路部は記憶素子を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
8. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上に前記第１の導電層に達する開口を含む第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層上に導電膜を形成し、
   前記導電膜を加工して、前記第１の導電層と前記第２の絶縁層を介して重なり、かつ集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層と、前記信号配線層に隣接し、かつ前記開口において前記第１の導電層と接する第２の導電層とを形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。
9. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上に前記第１の導電層に達する第１の開口及び第２の開口を含む第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層上に導電膜を形成し、
   前記導電膜を加工して、前記第１の導電層と前記第２の絶縁層を介して重なり、かつ集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層と、前記信号配線層に隣接し、かつ前記開口において前記第１の導電層と接する第２の導電層とを形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。
10. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に導電膜を形成し、
    前記導電膜を加工して、集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層と、前記信号配線層に隣接する第１の導電層とを形成し、
    前記信号配線層及び前記第１の導電層上に、前記第１の導電層に達する開口を含む第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の絶縁層上に前記開口において前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。
11. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に導電膜を形成し、
    前記導電膜を加工して、集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層と、前記信号配線層を間に挟んで隣接する第１の導電層及び第２の導電層とを形成し、
    前記信号配線層、前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に、前記第１の導電層に達する第１の開口及び前記第２の導電層に達する第２の開口を含む第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の絶縁層上に前記第１の開口において前記第１の導電層と、前記第２の開口において前記第２の導電層とそれぞれ接する第３の導電層を形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。
12. 可撓性を有する基板上の第１の絶縁層上に第１の導電層を形成し、
    前記第１の導電層上に第１の開口及び第２の開口を含む第２の絶縁層を形成し、
    前記第２の絶縁層上に導電膜を形成し、
    前記導電膜を加工して、集積回路部とアンテナとを電気的に接続する信号配線層と、前記信号配線層を間に挟んで隣接し、かつ前記第１の開口において前記第１の導電層と接する第２の導電層及び前記第２の開口において前記第１の導電層と接する前記第３の導電層とを形成し、
    前記信号配線層、前記第２の導電層及び第３の導電層上に前記第２の導電層に達する第３の開口及び前記第３の導電層に達する第４の開口を含む第３の絶縁層を形成し、
    前記第３の絶縁層上に前記第３の開口において前記第２の導電層と、前記第４の開口において前記第３の導電層とそれぞれ接する第４の導電層とを形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。
13. 請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記集積回路部に薄膜トランジスタを形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。
14. 請求項９乃至１３のいずれか一項において、前記集積回路部に記憶素子を形成することを特徴とするＲＦＩＤタグの作製方法。