JP2006317926A5 - - Google Patents
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- 半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層に前記不純物領域及び前記導電層に達する開口部を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記開口部にて前記不純物領域及び前記導電層と接する配線層を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層に、前記不純物領域及び前記導電層に達する第1の開口部と、前記導電層に達する第2の開口部と、を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第1の開口部にて前記不純物領域及び前記導電層と接する配線層を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第2の開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層に、前記不純物領域に達する第1の開口部と、前記導電層に達する第2の開口部と、を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ前記第1の開口部にて前記不純物領域と接し且つ前記第2の開口部にて前記導電層と接する配線層を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第2の開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層に、前記不純物領域に達する第1の開口部と、前記導電層に達する第2の開口部と、前記導電層に達する第3の開口部と、を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ前記第1の開口部にて前記不純物領域と接し且つ前記第2の開口部にて前記導電層と接する配線層を形成し、
前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第3の開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記表示装置は、液晶表示装置又は自発光表示装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記画素電極層を形成した後に、
前記画素電極層の端部及び前記配線層を覆う隔壁を、絶縁性材料を含む液状の組成物を塗布することによって形成し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート電極層と前記配線層との交差領域において枝分かれする形状を有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記画素電極層を形成した後に、
前記画素電極層の端部及び前記配線層を覆う隔壁を、絶縁性材料を含む液状の組成物を塗布することによって形成し、
前記配線層の形成時に、前記ゲート電極層と前記配線層との交差領域の周囲に配置され且つ前記配線層と電気的に接続しない複数の導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110404A JP4817946B2 (ja) | 2005-04-15 | 2006-04-13 | 表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005117723 | 2005-04-15 | ||
JP2005117723 | 2005-04-15 | ||
JP2006110404A JP4817946B2 (ja) | 2005-04-15 | 2006-04-13 | 表示装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006317926A JP2006317926A (ja) | 2006-11-24 |
JP2006317926A5 true JP2006317926A5 (ja) | 2009-03-19 |
JP4817946B2 JP4817946B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=37538617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006110404A Expired - Fee Related JP4817946B2 (ja) | 2005-04-15 | 2006-04-13 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4817946B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7369111B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
KR101376073B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2014-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
JP2009037100A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sony Corp | 表示装置 |
JP5440878B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2014-03-12 | Nltテクノロジー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに液晶表示装置及び電子機器 |
KR101629347B1 (ko) | 2008-12-23 | 2016-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치 |
KR101540327B1 (ko) | 2009-02-16 | 2015-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치 |
MY158956A (en) | 2009-10-16 | 2016-11-30 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
KR101701779B1 (ko) | 2010-11-19 | 2017-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입체 영상 표시 방법 및 이를 수행하는 표시 장치 |
KR102008687B1 (ko) | 2012-08-22 | 2019-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 커브드 액정표시패널 및 이를 갖는 커브드 표시장치 |
KR102175441B1 (ko) | 2014-01-07 | 2020-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 회로의 보호 방법 및 이를 수행하는 표시 장치 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2717234B2 (ja) * | 1991-05-11 | 1998-02-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法 |
JP2717233B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-02-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置およびその作製方法 |
JP3641342B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2005-04-20 | Tdk株式会社 | 半導体装置及び有機elディスプレイ装置 |
JP2002134756A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4739510B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP4338934B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2009-10-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 配線の作製方法 |
TWI221340B (en) * | 2003-05-30 | 2004-09-21 | Ind Tech Res Inst | Thin film transistor and method for fabricating thereof |
JP2006250985A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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2006
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