JP2006317926A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 半導体層を形成し、
   前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
   前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
   前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
   前記層間絶縁層に前記不純物領域及び前記導電層に達する開口部を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記開口部にて前記不純物領域及び前記導電層と接する配線層を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 半導体層を形成し、
   前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
   前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
   前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
   前記層間絶縁層に、前記不純物領域及び前記導電層に達する第１の開口部と、前記導電層に達する第２の開口部と、を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第１の開口部にて前記不純物領域及び前記導電層と接する配線層を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第２の開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 半導体層を形成し、
   前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
   前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
   前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
   前記層間絶縁層に、前記不純物領域に達する第１の開口部と、前記導電層に達する第２の開口部と、を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ前記第１の開口部にて前記不純物領域と接し且つ前記第２の開口部にて前記導電層と接する配線層を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第２の開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 半導体層を形成し、
   前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
   前記半導体層に一導電型の不純物領域を形成し、
   前記ゲート電極層上及び前記導電層上に層間絶縁層を形成し、
   前記層間絶縁層に、前記不純物領域に達する第１の開口部と、前記導電層に達する第２の開口部と、前記導電層に達する第３の開口部と、を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ前記第１の開口部にて前記不純物領域と接し且つ前記第２の開口部にて前記導電層と接する配線層を形成し、
   前記層間絶縁層上に設けられ且つ前記第３の開口部にて前記導電層と接する画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記表示装置は、液晶表示装置又は自発光表示装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記画素電極層を形成した後に、
   前記画素電極層の端部及び前記配線層を覆う隔壁を、絶縁性材料を含む液状の組成物を塗布することによって形成し、
   前記ゲート電極層は、前記ゲート電極層と前記配線層との交差領域において枝分かれする形状を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記画素電極層を形成した後に、
   前記画素電極層の端部及び前記配線層を覆う隔壁を、絶縁性材料を含む液状の組成物を塗布することによって形成し、
   前記配線層の形成時に、前記ゲート電極層と前記配線層との交差領域の周囲に配置され且つ前記配線層と電気的に接続しない複数の導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。