JP2007005581A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
バッチ処理に於いて、複数種のウェーハを同時に処理し、而も処理品質を向上させる。
【解決手段】
基板を処理する反応管2と、該反応管内の基板を加熱するヒータ10と、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具16とを有し、該基板保持具は少なくとも2種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は/及び形状が異なる様構成された。
【選択図】 図1
バッチ処理に於いて、複数種のウェーハを同時に処理し、而も処理品質を向上させる。
【解決手段】
基板を処理する反応管2と、該反応管内の基板を加熱するヒータ10と、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具16とを有し、該基板保持具は少なくとも2種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は/及び形状が異なる様構成された。
【選択図】 図1
Description
本発明はシリコンウェーハ等の基板にCVD処理により薄膜を生成し、或は不純物の拡散処理、アニール処理等の基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
シリコンウェーハ等の基板(石英ウェーハ、Siウェーハ、SiCウェーハ等)を処理して半導体装置を製造する工程に、基板表面にCVD処理膜の生成処理、或は酸化膜の生成処理、不純物の拡散処理、或はアニール処理等の基板処理がある。
基板処理を行う基板処理装置には、一枚ずつ処理を行う枚葉式と、所定枚数一度に処理するバッチ式があり、バッチ式の基板処理装置では処理炉を具備し、該処理炉内に所定枚数のウェーハが収納されて処理される。処理炉内では、基板は基板保持具(以下ボート)により水平姿勢で多段に保持されている。
基板処理装置でウェーハに成膜処理を行う場合、通常、被処理ウェーハの材質は石英ウェーハ、Siウェーハ、SiCウェーハ等の内一種類であり、又ボートがウェーハを保持する形態はボート全体で単一形態となっていた。即ち、ボートでのウェーハ保持間隔は同一であり、又ボートのウェーハ保持部の形状も同一となっていた。
然し乍ら、近年の顧客需要の多様化が進み、バッチ式の基板処理装置に於いても、複数の種類のウェーハに対して同時に処理を行う様になっている。
複数種のウェーハ、例えば種類や材質が異なるウェーハ、又板厚が異なるウェーハを処理炉内に混在して処理する場合が生じている。
ウェーハの保持間隔、ウェーハ保持部の形状が同一で、種類の異なるウェーハを処理した場合、適正に処理できない場合が生じる。
例えば、板厚の異なるSiウェーハと石英ウェーハをボートにより同時に保持して加熱処理した場合、Siウェーハと石英ウェーハとは板厚、熱膨張が異なる為、例えばSiウェーハの反りが大きくSiウェーハのエッジ部が上側のウェーハ保持部に接触して傷を発生し、同時にパーティクルが発生して処理品質の低下を導く場合があった。
更に、単一種のウェーハを処理する場合であっても、ウェーハの炉内での位置で、ガス流量、成膜温度が異なり、バッチ処理する全てのウェーハが均一に処理できるとは限らなかった。
本発明は斯かる実情に鑑み、バッチ処理に於いて、複数種のウェーハを同時に処理し、而も処理品質を向上させようとするものである。
本発明は、基板を処理する反応管と、該反応管内の基板を加熱するヒータと、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具とを有し、該基板保持具は少なくとも2種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は/及び形状が異なる様構成された基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、基板を処理する反応管と、該反応管内の基板を加熱するヒータと、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具とを有し、該基板保持具は少なくとも2種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は/及び形状が異なる様構成されたので、各種の基板それぞれの処理中に生じる反りによるボートの他の部位との接触が避けられ、パーティクルの発生が抑制され、複数の基板を同時に処理した場合の処理品質が向上するという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
先ず、図1に於いて、本発明が実施される基板処理装置の概略を説明する。
ヒータベース21に加熱手段であるヒータ10が立設され、該ヒータ10内に炭化珪素製の均熱管1が同心に収納され、該均熱管1内に炭化珪素製又は石英製の反応管2が同心に配設され、該反応管2はウェーハ17を収納し、該ウェーハ17を処理する処理室19を画成する。尚、該処理室19で処理されるウェーハ17は、石英ウェーハ、Siウェーハ、SiCウェーハ等の内、2種類以上が同時に処理される。
前記反応管2の下端部には導入口5が取付けられ、該導入口5はガス供給管3を介して図示しない処理ガス供給源、或は窒素ガス等の不活性ガス(パージガス)供給源に接続され、前記ガス供給管3には流量制御手段、例えばマスフローコントローラ22が設けられている。又前記反応管2の下端部には排気ポート9が連通され、該排気ポート9はガス排気管4を介して図示しない排気装置に接続され、前記ガス排気管4には圧力センサ23、圧力調整器24が設けられている。
前記導入口5には導管6が連通され、該導管6は前記反応管2の外面に沿って上昇し、該反応管2の上端面に設けられたガス溜め部7に連通し、該ガス溜め部7は分散孔8を介して前記処理室19と連通している。
該処理室19には炭化珪素製又は石英製のボート16が装入、引出し可能となっており、該ボート16はボートキャップ15、ベース12を介してシールキャップ13に載置され、該シールキャップ13は前記反応管2の下端開放面を気密に閉塞可能である。前記シールキャップ13はボートエレベータ18によって支持され、該ボートエレベータ18は前記シールキャップ13を介して前記ボートキャップ15、前記ボート16を昇降可能であり、昇降によって該ボート16が前記処理室19に装脱可能となっている。
前記ボートキャップ15は前記ベース12に対して回転可能であり、前記ボートキャップ15は回転手段14によって回転可能となっている。
図1中、25は主制御部を示し、該主制御部25は温度制御部26、ガス流量制御部27、駆動制御部28、圧力制御部29を具備している。
炉内の所要箇所の温度を検出する熱電対11からの検出結果は前記温度制御部26に入力され、該温度制御部26は温度検出結果を基に前記処理室19が所定温度、例えばプロセス温度となる様に前記ヒータ10を制御する。又、前記ガス流量制御部27は前記導入口5から導入される反応ガスを所定流量に制御し、前記圧力制御部29は、前記圧力センサ23から入力される圧力を基に前記圧力調整器24を制御して前記処理室19の圧力を所定圧力、例えばプロセス圧力に制御する。
前記駆動制御部28は、前記回転手段14を制御して処理中の前記ボート16を所定の回転速度で回転させ、又前記ボートエレベータ18を制御して、前記ボート16の昇降を行わせる。
以下、基板処理の一例、例えば、酸化・拡散処理を説明する。
前記ボートエレベータ18を駆動して、前記ボート16を降下させる。
図示しないウェーハ移載機により前記ボート16にウェーハ17を1バッチ分の所定枚数移載する。前記ヒータ10により前記反応管2が前記均熱管1を介して加熱され、前記熱電対11により検出される前記処理室19の温度に基づいて、該処理室19の温度が所定の温度、例えば600℃に制御される。尚、予め前記処理室19は前記導入口5、前記導管6より不活性ガスが供給され、不活性ガスが充填されている。
未処理ウェーハ17が装填された前記ボート16が前記ボートエレベータ18により前記反応管2に装入される。前記ボート16の装入状態では、前記ベース12が前記反応管2の下端開口部を気密に閉塞する。前記処理室19の温度を、例えば処理温度としての750〜800℃程度に昇温しつつ前記圧力センサ23の検出圧力を基に前記処理室19の圧力が処理圧、例えば750Torr〜760Torrに維持される。
前記回転手段14が駆動され、前記ボート16を介して前記ウェーハ17が回転される。同時に前記ガス供給管3から反応ガス若しくは水分発生器(図示せず)から水蒸気が供給される。供給された反応ガス若しくは水蒸気は、前記ガス溜め部7から前記分散孔8を通って前記反応管2を下降し、前記ウェーハ17に対して均等に供給され、酸化・拡散の所要の処理がなされる。酸化・拡散処理中の前記処理室19は、前記ガス排気管4を介して排気ガスが排気され、所定の圧力になる様前記圧力調整器24により圧力が制御される。
基板処理が完了すると、前記処理室19が不活性ガスによりガスパージされ、前記ボートエレベータ18により前記ボート16が降下され、処理済のウェーハ17が払出される。
空となった前記ボート16に未処理ウェーハ17が移載され、上記した処理が繰返される。
尚、本発明で処理される基板の処理条件は、一例としてアニール処理に於いては、ウェーハ温度は1200℃、ガス種供給量はArガス、10m3 /min、処理圧力は755Torrである。
次に、図2に於いて、前記ボート16のウェーハ支持部30について説明する。又、処理されるウェーハ17は、Siウェーハ17a、石英ウェーハ17bであるとして説明する。
図2中、前記ボート16の上部がSiウェーハ保持領域31、下部が石英ウェーハ保持領域32を示している。
Siと石英の材質を比較した場合、Siの方が石英より熱膨張率が大きく、前記Siウェーハ17aは前記石英ウェーハ17bに対して厚みが薄い。これら、材質形状の相違から、前記Siウェーハ17aは前記石英ウェーハ17bに対して加熱した場合の反りが大きい。例えば前記Siウェーハ17aについては、直径300mmのウェーハで中心部と周辺部との反りの差は5mm程度生じる。又、石英ウェーハ17bについては、直径300mmのウェーハで中心部と周辺部との反りの差は1mm以下程度生じる。
反り量の大きいSiウェーハ保持領域31での基板保持間隔G1を石英ウェーハ保持領域32での基板保持間隔G2より大きくし、又各基板保持間隔G1、基板保持間隔G2は、それぞれ前記Siウェーハ17a、前記石英ウェーハ17bが最大反った場合の反り量より所要量の余裕がある様に、大きく設定する。余裕量としては、反った周端より更に1mm程度の間隙が形成される様にする。
基板保持間隔G1、基板保持間隔G2の相違は、ウェーハの材質、直径等が考慮されて設定され、上記した直径300mmのウェーハの例では、例えば基板保持間隔G1が8.5mmで設定されると、基板保持間隔G2は7.5mmと設定される。
又、基板保持間隔G1、基板保持間隔G2を変更する方法としては、前記ウェーハ支持部30が設けられるピッチを変更する、或は該ウェーハ支持部30の厚みを変更する。或はピッチを変更すると共に厚みを変更する方法が採られる。
図2では、前記Siウェーハ17aを支持するウェーハ支持部30aの厚みを薄く、前記石英ウェーハ17bを支持するウェーハ支持部30bの厚みを厚くし、更に前記ウェーハ支持部30のピッチをSiウェーハ保持領域31と石英ウェーハ保持領域32とで変更して、基板保持間隔G1、基板保持間隔G2の間隙が得られる様にしてある。
本発明の様に、処理時のウェーハの反りでウェーハ周辺部が上側のウェーハ支持部30に当接しない様にすることで、前記Siウェーハ17a、前記石英ウェーハ17bを混在させて処理した場合の、パーティクル発生量が大幅に減少する。
図3は、従来の基板処理装置により前記Siウェーハ17a、前記石英ウェーハ17bを混在させて処理した場合と、本発明で前記Siウェーハ17a、前記石英ウェーハ17bを混在させて処理した場合との比較を示しており、本発明に係る基板処理装置での処理ではパーティクルの発生量が大幅に減少し、又膜厚の均一性も改善されており、基板保持間隔G1、基板保持間隔G2を変えることで、ウェーハの処理品質に悪影響がないことが示されている。
又、ウェーハ17を支持する前記ウェーハ支持部30の数、ウェーハ支持部30の位置によってもウェーハ17の反り状態が変化する。従って、前記ウェーハ支持部30の数、位置の変更も考慮して、前記基板保持間隔G1、基板保持間隔G2を設定してもよい。
又、上記実施の形態では、前記ボート16の上部をSiウェーハ保持領域31とし、下部を石英ウェーハ保持領域32としたが、逆に上部を石英ウェーハ保持領域32とし、下部をSiウェーハ保持領域31としてもよい。更に、前記ボート16の中間部をSiウェーハ保持領域31或は石英ウェーハ保持領域32としてもよい等、保持領域をどの様に設定するかは、処理基板に応じて適宜設定することができる。
又、ウェーハの間隔と膜厚均一性との依存関係があることは知られており、同一種類の基板に成膜される膜質の均一性を向上させる為、ウェーハ保持領域の位置に応じてウェーハの間隔を変更する様にしてもよい。
(付記)
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
尚、本発明は以下の実施の態様を含む。
(付記1)基板を処理する反応管と、該反応管内の基板を加熱するヒータと、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具とを有し、該基板保持具は少なくとも2種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は/及び形状が異なる様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
(付記2)2種類以上の基板とは、石英、シリコン、炭化シリコンからなる群から選択される少なくとも2種類以上の異なる材質の基板である付記1の基板処理装置。
(付記3)前記基板支持部の形状とは基板支持部の厚さである付記1の基板処理装置。
(付記4)前記基板保持具は、第1の材質又は厚さの基板を保持する第1の領域と、第2の材質又は厚さの基板を保持する第2の領域とを有し、前記第1の領域と前記第2の領域とでは、基板を支持する支持部の間隔又は/及び形状が異なる様に構成される付記1の基板処理装置。
(付記5)前記第1の材質とはシリコンであり、前記第2の材質とは石英である付記4の基板処理装置。
(付記6)前記第1の領域に於ける支持部の間隔の方が、前記第2の領域に於ける支持部の間隔よりも大きい付記5の基板処理装置。
(付記7)第1の領域に於ける支持部の厚さの方が、第2の領域に於ける支持部の厚さよりも薄い付記5又は付記6の基板処理装置。
(付記8)付記1の基板処理装置を用いて、少なくとも2種類以上の異なる材質又は厚さからなる基板を同一反応室内で一度に処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
1 均熱管
2 反応管
10 ヒータ
16 ボート
17 ウェーハ
17a Siウェーハ
17b 石英ウェーハ
19 処理室
30 ウェーハ支持部
31 Siウェーハ保持領域
32 石英ウェーハ保持領域
2 反応管
10 ヒータ
16 ボート
17 ウェーハ
17a Siウェーハ
17b 石英ウェーハ
19 処理室
30 ウェーハ支持部
31 Siウェーハ保持領域
32 石英ウェーハ保持領域
Claims (1)
- 基板を処理する反応管と、該反応管内の基板を加熱するヒータと、前記反応管内で所要数の基板を保持する基板保持具とを有し、該基板保持具は少なくとも2種類以上の基板を保持すると共に、各種類の基板に対応したウェーハ保持領域を有し、各ウェーハ保持領域毎に基板を支持する基板支持部の間隔又は/及び形状が異なる様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005184339A JP2007005581A (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005184339A JP2007005581A (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007005581A true JP2007005581A (ja) | 2007-01-11 |
Family
ID=37690889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005184339A Pending JP2007005581A (ja) | 2005-06-24 | 2005-06-24 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007005581A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013080771A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2014110305A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-06-24 JP JP2005184339A patent/JP2007005581A/ja active Pending
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