JP2006294779A - 熱処理炉 - Google Patents
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【課題】 プロセスガスが偏って流れることを抑え、半導体基板上に形成される膜の膜厚バラツキを低減することが可能な熱処理炉を提供する。
【解決手段】 縦型炉11は、ウエハ12にシリコン酸化膜を形成するために用いられ、反応管13と、ボート14と、ガス供給口16と、ガス排気口17と、第1整流板18と、第2整流板19とを有する。プロセスガス21は、ガス供給口16から導入され、ガス排気口17から吸引により排気される。第1整流板18によって広げられたプロセスガス21は、ボート14とガス排気口17との間に設けられた第2整流板19によって、ボート14下側の領域における、ガス排気口17側に近い領域と遠い領域との流れ方の差が抑えられる。これにより、ボート14の下側に載置されたウエハ12であったとしても、ウエハ12に形成される膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 縦型炉11は、ウエハ12にシリコン酸化膜を形成するために用いられ、反応管13と、ボート14と、ガス供給口16と、ガス排気口17と、第1整流板18と、第2整流板19とを有する。プロセスガス21は、ガス供給口16から導入され、ガス排気口17から吸引により排気される。第1整流板18によって広げられたプロセスガス21は、ボート14とガス排気口17との間に設けられた第2整流板19によって、ボート14下側の領域における、ガス排気口17側に近い領域と遠い領域との流れ方の差が抑えられる。これにより、ボート14の下側に載置されたウエハ12であったとしても、ウエハ12に形成される膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体基板であるウエハに膜を形成する熱処理炉に関する。
熱処理炉の1つに、特許文献1に記載のような、プロセスガスを用いてウエハ上に膜の形成を行う縦型炉がある。詳述すると、図4に示すように、縦型炉101は、複数のウエハ102を載置することが可能なボート103と、ボート103を収納することが可能な反応管104と、反応管104の中にプロセスガス105の供給を行う反応管104の上面近傍に設けられたガス供給口106と、ガス供給口106から供給されたプロセスガス105を広げるための供給側整流板107と、供給側整流板107によって広げられたプロセスガス105を吸引によって排気を行う反応管104の側面における底面近傍の位置に設けられたガス排気口108とを有する。
プロセスガス105は、反応管104の下側から吸引されることにより、反応管104の上側から下側に向かって流れ、ボート103の上側に載置されたウエハ102からボート103の下側に載置されたウエハ102に亘って供給される。
プロセスガス105は、反応管104の下側から吸引されることにより、反応管104の上側から下側に向かって流れ、ボート103の上側に載置されたウエハ102からボート103の下側に載置されたウエハ102に亘って供給される。
しかしながら、反応管104の上側ではプロセスガス105が略均一に広がっているが、ガス排気口108が側面における底面近傍の位置に設けられているので、反応管104の下側ではプロセスガス105がガス排気口108に集中して(偏って)吸引されることから、プロセスガス105がウエハ102に対して不均一に流れるという問題があった。これにより、ボート103の上側に載置されたウエハ102には膜厚バラツキの小さい膜が形成されるが、ボート103の下側に載置されたウエハ102には膜厚バラツキの大きい膜が形成される。その結果、ウエハ102が不良となることがあった。
本発明の目的は、プロセスガスが偏って流れることを抑え、半導体基板上に形成される膜の膜厚バラツキを低減することが可能な熱処理炉を提供する。
上記目的を達成するために、本発明に係る熱処理は、複数の半導体基板を収納するための柱状に形成された反応管と、前記反応管内で複数の前記半導体基板を支持するボートと、前記ボート上の前記半導体基板に膜を形成するためのプロセスガスを行き亘らせるべく、前記反応管の上面近傍に設けられた前記反応管の中に前記プロセスガスの供給を行うガス供給口と、前記反応管の外部に排気するために、前記反応管の側面における底面近傍の位置に設けられた、前記ガス供給口から供給された前記プロセスガスを吸引によって排気を行うガス排気口と、前記ボートと前記ガス排気口との間に設けられた整流板であって、前記ボートにおける前記底面側の領域において、前記ガス排気口によって吸引される前記プロセスガスの流れの勢い及び方向を変えることが可能な整流板と、を有する。
この構成によれば、ガス供給口から供給されたプロセスガスをガス排気口によって吸引するとき、整流板によって、プロセスガスの流れの勢い及び方向を調整できるようにしたので、プロセスガスが反応管内において供給側から排気側に向かって偏って流れることを低減できる。これにより、ボートに載置された複数の半導体基板のうち、排気側に載置された半導体基板であったとしても、プロセスガスと反応して形成された半導体基板上の膜厚のバラツキが抑えられ、面内均一性を向上させることができる。その結果、半導体基板が不良となることを低減することができる。
本発明に係る熱処理炉では、前記整流板は、前記プロセスガスが流通する孔が形成されていることが望ましい。
この構成によれば、形成された孔からプロセスガスが通るようになるので、整流板におけるプロセスガスを流したい方向に孔を設けることにより、プロセスガスの流す方向をコントロールすることができる。よって、ボートの底面側の領域におけるガス排気口に近い領域と遠い領域とで、プロセスガスの流れの偏りの差を低減することができる。
本発明に係る熱処理炉では、前記整流板は、前記整流板における前記ガス排気口側に近い領域と遠い領域とにおいて、前記孔の大きさ及び孔の数量のうち少なくとも一方が変えられていることにより、前記プロセスガスの流れの勢い及び方向を変更できることが望ましい。
この構成によれば、ガス排気口側に近いほどプロセスガスの流れの勢いが抑えられるように、整流板の孔の大きさや孔の数量を、ガス排気口に近い領域と遠い領域とで変えているので、プロセスガスが反応管内における供給側から排気側に向かって偏って流れることを低減できる。整流板におけるガス排気口に近い領域では、遠い領域と比較して小さい孔や少ない数量の孔が形成される。一方、整流板におけるガス排気口に遠い領域では、近い領域と比較して大きい孔や多い数量の孔が形成される。
本発明に係る熱処理炉では、前記整流板は、前記プロセスガスの流れに応じて相互に回動可能な第1整流板と第2整流板とを有することが望ましい。
この構成によれば、孔の大きさや数量をガス排気口に近い領域と遠い領域とにおいて変えた第1整流板及び第2整流板を相互に回動させることが可能なので、プロセスガスが流れる方向をより多くの組み合わせによって調整することができる。
本発明に係る熱処理炉では、前記熱処理炉は、縦型炉又は横型炉であってもよい。
以下、本発明に係る半導体製造装置の排気方法の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、熱処理炉の1つである縦型炉の構造を示す模式断面図である。縦型炉は、半導体基板に膜を形成したり、半導体基板に注入された不純物を拡散したりするために用いられる。以下、半導体基板に膜の形成を行う縦型炉の構造を、図1を参照しながら説明する。
図1に示すように、縦型炉11は、反応管13と、ボート14と、ヒータ15と、ガス供給口16と、ガス排気口17と、第1整流板18(ガス供給側の整流板)と、整流板である第2整流板19(ガス排気側の整流板)とを有する。半導体基板としてのウエハ12上に形成する膜としての酸化膜は、例えば、シリコン酸化膜(SiO2)である。
反応管13は、例えば、石英や炭化珪素(SIC)からなり、上側が閉塞された上下方向に長い筒型状(柱状)に形成されている。反応管13の下側には、反応管13内にボート14を搬入したり反応管13内からボート14を搬出したりするための、図示しない開閉可能なシャッタが設けられている。
ボート14は、例えば、石英や炭化珪素(SIC)からなり、複数のウエハ12を載置するために用いられる。ボート14は、熱処理を行うとき、反応管13の中に収納される。縦型炉11は、ボート14を反応管13の中に搬入したり、反応管13内から搬出したりするために、上下動可能なローダ20を有する。
ヒータ15は、反応管13内に配置された複数のウエハ12を加熱させるために、反応管13の外側全周に亘って設けられている。ヒータ15の熱によって、反応管13内の雰囲気が、例えば800℃〜1200℃に加熱される。
ガス供給口16は、反応管13内に、例えば窒素ガスやプロセスガス21を導入するために、反応管13内の上側(上面近傍)中央付近に設けられている。プロセスガス21は、例えば、ウエハ12上にシリコン酸化膜(SiO2)を形成するための酸素(O2)である。反応管13内にプロセスガス21が導入されたあと、熱酸化法によって、ウエハ12上にシリコン酸化膜が形成される。
ガス排気口17は、図示しない排気設備に接続されており、反応管13内に導入されたプロセスガス21(熱処理済みのプロセスガスを含む)の排気を行っている。ガス排気口17は、反応管13の側面における底面近傍の位置に設けられている。
第1整流板(ガス供給側整流板)18は、ガス供給口16とボート14との間に、水平に設けられている。第1整流板18は、例えば、円板状からなり、ガス供給口16から供給されたプロセスガス21を分散させるための分散孔が形成されている。
第2整流板(ガス排気側整流板)19は、例えば円板状からなり、ボート14とガス排気口17との間に水平に配置されている。第2整流板19は、プロセスガス21が反応管13の中で偏って流れないようにするために設けられており、プロセスガス21の流れる方向を変えるための分散孔32(図2参照)が形成されている。第2整流板19は、ローダ20の支柱20aに回動可能な状態で配置される。第2整流板19の外周面と反応管13の内周面との間には、例えば、わずかな隙間を有する。
以上のように構成された縦型炉11によって熱処理を行うことにより、ボート14に載置されたウエハ12にプロセスガス(O2)21が接触し、これにより、ウエハ12に含まれるシリコン(Si)とプロセスガス(O2)21が反応し、その結果、ウエハ12上にシリコン酸化膜(SiO2)が形成される。
ウエハ12上の全面にプロセスガス21が均一に流れることで、ウエハ12上に膜厚の均一なシリコン酸化膜が形成される。
ウエハ12上の全面にプロセスガス21が均一に流れることで、ウエハ12上に膜厚の均一なシリコン酸化膜が形成される。
図2は、ガス排気側に配置された第2整流板の構造を示す模式平面図である。以下、第2整流板の構造を、図2を参照しながら説明する。図2に示すように、第2整流板19は、基板33と、嵌合孔31と、分散孔32とを有する。
嵌合孔31は、基板33の中心に形成されており、ローダ20に設けられた支柱20aに嵌合できる大きさになっている。支柱20aを中心に、第2整流板19を回動させることが可能になっている。
分散孔32は、例えば、基板33における半円の範囲A内に、所定の間隔をあけて均一に形成されている。分散孔32は、例えば、全て同じ大きさに形成されている。
第2整流板19は、第2整流板19における分散孔32を、ガス排気口17が設けられている位置と反対側の位置になるようにして設置される。つまり、第2整流板19は、プロセスガス21が、反応管13の側面に設けられているガス排気口17によって吸引されることに伴い、偏って流れることを抑えるための役割を行う。また、嵌合孔31を軸に第2整流板19を回動させて、分散孔32が形成された方向を任意の角度に調整することができる。
次に、図1,2を参照しながら、縦型炉11によってウエハ12上にシリコン酸化膜を形成する手順を説明する。
まず、ステップ1では、反応管13の中に不活性ガス(例えば、窒素ガス)を導入する。不活性ガスは、反応管13の上側に設けられたガス供給口16から供給する。反応管13の外周に配置されたヒータ15の熱により、反応管13内に載置されたウエハ12を、熱処理可能な温度に加熱する。
まず、ステップ1では、反応管13の中に不活性ガス(例えば、窒素ガス)を導入する。不活性ガスは、反応管13の上側に設けられたガス供給口16から供給する。反応管13の外周に配置されたヒータ15の熱により、反応管13内に載置されたウエハ12を、熱処理可能な温度に加熱する。
ステップ2では、ウエハ12が熱処理可能な温度に達したところで、反応管13の中に導入した不活性ガス(窒素ガス)をプロセスガス21に切り替える。
ステップ3では、プロセスガス21を反応管13内の周方向全体に亘って広げる。詳しくは、ガス供給口16から供給されたプロセスガス21は、ガス排気口17の吸引によって下側に移動するとともに、ガス供給口16とボート14との間に配置された第1整流板18によって分散し、反応管13の周方向に広げられる。
ステップ4では、プロセスガス21が更に反応管13の下側に向かって下降する。詳しくは、プロセスガス21は、ガス排気口17の吸引によって、ウエハ12の外周面と反応管13の内周面との隙間を下側に移動するとともに、ウエハ12の間に入り込む。これにより、ウエハ12上には、プロセスガス(O2)21とウエハ12に含まれるシリコン(Si)との反応により、シリコン酸化膜(SiO2)が形成される。
ステップ5では、ガス排気側にある第2整流板19によって、プロセスガス21が流れる方向を調整(コントロール)する。詳しくは、第2整流板19より下側の領域では、ガス排気口17に近い領域でプロセスガス21が早く(強く)引かれ、ガス排気口17から遠い領域でプロセスガス21が遅く(弱く)引かれている。
一方、第2整流板19より上側の領域では、第2整流板19の分散孔32から吸引することにより、ガス排気口17から離れた分散孔32に向かってプロセスガス21の一部が流れるとともに、第2整流板19の外周面と反応管13の内周面との隙間に向かってプロセスガス21の一部が流れる。
一方、第2整流板19より上側の領域では、第2整流板19の分散孔32から吸引することにより、ガス排気口17から離れた分散孔32に向かってプロセスガス21の一部が流れるとともに、第2整流板19の外周面と反応管13の内周面との隙間に向かってプロセスガス21の一部が流れる。
以上のように、第2整流板19を設けたことにより、分散孔32に向けてプロセスガス21を流すことが可能となり、ガス排気口17に近い領域及び遠い領域に、プロセスガス21を分散させて流すことが可能となる。これにより、ボート14の下側の領域におけるガス排気口17に近い領域及び遠い領域において、プロセスガス21の流れる方向の偏りを抑えることができる。
ステップ6では、プロセスガス21をガス排気口17から排気する。ガス排気口17の吸引によって、第2整流板19を通ったプロセスガス21を外部に排気する。
以上詳述したように、本実施形態の縦型炉11によれば、以下に示す効果が得られる。
(1)本実施形態の縦型炉11によれば、ガス供給口16から供給されたプロセスガス21をガス排気口17によって吸引するとき、第2整流板19に形成された分散孔32から吸引するようにしたので、ボート14の下側の領域におけるガス排気口17に近い領域と遠い領域とにおいて、プロセスガス21の流れ方の差が抑えられ、プロセスガス21が反応管13内における供給側から排気側に向かって偏って流れることを低減できる。これにより、ボート14に載置された複数のウエハ12のうち、排気側に載置されたウエハ12であったとしても、プロセスガス21と反応して形成されたウエハ12上のシリコン酸化膜の膜厚バラツキが抑えられ、面内均一性を向上させることができる。その結果、ウエハ12が不良となることを低減することができる。
(1)本実施形態の縦型炉11によれば、ガス供給口16から供給されたプロセスガス21をガス排気口17によって吸引するとき、第2整流板19に形成された分散孔32から吸引するようにしたので、ボート14の下側の領域におけるガス排気口17に近い領域と遠い領域とにおいて、プロセスガス21の流れ方の差が抑えられ、プロセスガス21が反応管13内における供給側から排気側に向かって偏って流れることを低減できる。これにより、ボート14に載置された複数のウエハ12のうち、排気側に載置されたウエハ12であったとしても、プロセスガス21と反応して形成されたウエハ12上のシリコン酸化膜の膜厚バラツキが抑えられ、面内均一性を向上させることができる。その結果、ウエハ12が不良となることを低減することができる。
(2)本実施形態の縦型炉11によれば、第2整流板19を設けたことにより、ボート14の上側に載置されたウエハ12からボート14の下側に載置されたウエハ12に亘って、ウエハ12の面内にプロセスガス21が偏って流れることを抑えるので、ボート14の上側及び下側に、犠牲用のダミーウエハを少ない枚数に抑えることができる。これにより、ボート14の上側及び下側に、製品となるウエハ12を載置することができ、その結果、1回に熱処理できる製品としてのウエハ12の枚数を多くすることができる。
(3)本実施形態の縦型炉11によれば、第2整流板19に形成された分散孔32からプロセスガス21を吸引するようにしたので、分散孔32の位置や大きさによって、プロセスガス21が流れる方向をコントロールすることが可能となる。よって、第2整流板19を用いることにより、ウエハ12上に形成するシリコン酸化膜の面内均一性が向上できるような条件出しを簡単に行うことができる。
(変形例1)上記した第2整流板19の分散孔32は、半円の範囲A内(図2参照)に形成している。半円の範囲A内に分散孔32を形成することに代えて、同じ大きさの分散孔32が、第2整流板19の全体に亘って形成されているようにしてもよい。これによれば、第2整流板19が設けられていない状態と比較して、プロセスガス21を吸引する勢いを抑えることができるので、ガス排気口17に近い領域と遠い領域とで、プロセスガス21の流れ方の偏りを小さくすることができる。また、形成する範囲を絞って、例えば、基板33における1/3の範囲に分散孔32を形成するようにしてもよい。
(変形例2)上記した第2整流板19の分散孔32は、全て同じ大きさに形成されている。分散孔32が同じ大きさであることに代えて、例えば、図3に示すように、整流板59の分散孔52a,52b,52cの大きさを、ガス排気口17側から離れるに従って大きくなるように形成(配置)してもよい。
また、プロセスガス21の流れ方、及び、シリコン酸化膜の形成状態に応じて、分散孔52を形成する位置、分散孔52の大きさ、分散孔52の数量などを変えて配置するようにしてもよい。
また、プロセスガス21の流れ方、及び、シリコン酸化膜の形成状態に応じて、分散孔52を形成する位置、分散孔52の大きさ、分散孔52の数量などを変えて配置するようにしてもよい。
(変形例3)上記した第2整流板19は、ボート14とガス排気口17との間に、1枚配置している。1枚の第2整流板19を配置することに代えて、複数枚の整流板を配置するようにしてもよい。詳しくは、例えば、第2整流板19と同じ分散孔32が形成された第3整流板を、間隔を空けて上下方向に平行に配置する。分散孔32の向きは、第2整流板19及び第3整流板をお互いに回動させて組み合わせてガスの流れ方を調整して設定する。これによれば、プロセスガス21の流れ方(流れる方向)を、簡単に調整することができる。
また、半円の領域A内に分散孔32が形成された第2整流板19と、変形例2で用いた分散孔52の大きさが変えられた整流板59とを組み合わせて使用するようにしてもよい。これによれば、熱処理条件に応じて、プロセスガス21の流れを任意に変えることができる。
また、半円の領域A内に分散孔32が形成された第2整流板19と、変形例2で用いた分散孔52の大きさが変えられた整流板59とを組み合わせて使用するようにしてもよい。これによれば、熱処理条件に応じて、プロセスガス21の流れを任意に変えることができる。
(変形例4)上記した熱処理炉は、縦型炉を例に説明した。縦型炉に限定されず、例えば、横型炉であってもよい。
(変形例5)上記した分散孔32の形状は、丸形状に形成されている。丸形状に限定されず、例えば、楕円形状や四角形状で形成するようにしてもよい。
11…熱処理炉としての縦型炉、12…半導体基板としてのウエハ、13…縦型炉を構成する反応管、14…縦型炉を構成するボート、15…縦型炉を構成するヒータ、16…縦型炉を構成するガス供給口、17…縦型炉を構成するガス排気口、18…整流板としての第1整流板、19…第2整流板、20…縦型炉を構成するローダ、20a…ローダを構成する支柱、21…プロセスガス(O2)、31…整流板を構成する嵌合孔、32…整流板を構成する分散孔、33…整流板を構成する基板。
Claims (5)
- 複数の半導体基板を収納するための柱状に形成された反応管と、
前記反応管内で複数の前記半導体基板を支持するボートと、
前記ボート上の前記半導体基板に膜を形成するためのプロセスガスを行き亘らせるべく、前記反応管の上面近傍に設けられた前記反応管の中に前記プロセスガスの供給を行うガス供給口と、
前記反応管の外部に排気するために、前記反応管の側面における底面近傍の位置に設けられた、前記ガス供給口から供給された前記プロセスガスを吸引によって排気を行うガス排気口と、
前記ボートと前記ガス排気口との間に設けられた整流板であって、前記ボートにおける前記底面側の領域において、前記ガス排気口によって吸引される前記プロセスガスの流れの勢い及び方向を変えることが可能な整流板と、
を有することを特徴とする熱処理炉。 - 請求項1に記載の熱処理炉であって、
前記整流板は、前記プロセスガスが流通する孔が形成されていることを特徴とする熱処理炉。 - 請求項2に記載の熱処理炉であって、
前記整流板は、前記整流板における前記ガス排気口側に近い領域と遠い領域とにおいて、前記孔の大きさ及び孔の数量のうち少なくとも一方が変えられていることにより、前記プロセスガスの流れの勢い及び方向を変更できることを特徴とする熱処理炉。 - 請求項3に記載の熱処理炉であって、
前記整流板は、前記プロセスガスの流れに応じて相互に回動可能な第1整流板と第2整流板とを有することを特徴とする熱処理炉。 - 請求項1に記載の熱処理炉であって、
前記熱処理炉は、縦型炉又は横型炉であることを特徴とする熱処理炉。
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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