JP3904497B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、複数枚の基板をボートに装填して処理室において一括処理するバッチ式半導体製造装置が使用される半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に窒化シリコン(Si3 N4 )やポリシリコン等を堆積(デポジション)させるCVD膜形成工程や、酸化や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも適用される熱処理(thermal treatment )工程に関する。
【0002】
ICの製造方法において、ウエハに窒化シリコンやポリシリコン等のCVD膜をデポジションする工程にバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置が広く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが搬入される処理室を形成するインナチューブおよびこのインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、インナチューブ内に原料ガスを導入するガス導入管と、プロセスチューブ内を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって垂直方向に整列されて保持された状態でインナチューブ内に下端の炉口から搬入され、インナチューブ内に原料ガスがガス導入管から導入されるとともに、ヒータによってプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされるように構成されている。
【0003】
近年、ICの製造方法においては、QTAT(Quick Turn Around Time。製品の仕込みから完成までの時間を短縮すること。)が要望されている。この背景としては、生産の形態が小品種大量生産から多品種少量生産への変遷してきたことにある。例えば、DRAMのような同一製品を大量に製造する場合におけるCVD装置においては、ボートへのウエハの装填枚数はボートの最大装填枚数ということになる。しかし、システムLSI等の多品種少量生産の場合には、ボートへのウエハの装填枚数をボートの最大装填枚数に維持することが困難になり、ボートの最大装填枚数の50〜70%の装填率をもって処理したり、甚だしき場合には2枚や3枚のウエハを処理する必要が発生する。
【0004】
このような場合においては、一回の処理作業(以下、バッチという。)相互間の成膜のばらつきを抑制するために、各バッチ間の処理条件を同一に制御することが、一般的に実施されている。例えば、一回のバッチで処理すべきウエハ(以下、製品ウエハという。)の枚数が減少した場合には、製品とならないウエハ(以下、フィルダミーウエハという。)を減少した枚数分の製品ウエハの代わりに補充することにより、枚数が減少したバッチの処理条件を枚数が減少しない時のバッチの処理条件と同一に制御することが、実施されている。
【0005】
このようにフィルダミーウエハを装填する理由は、次の通りである。フィルダミーウエハを補充しないで、不足したままのバッチで製品ウエハに成膜を施すと、減少したウエハ枚数分の空きスペースがインナチューブの処理室内に形成され、この空きスペースに面するウエハの膜厚が厚くなるため、これを防止する必要があるためである。空きスペースに面するウエハの膜厚が厚くなる理由は、この空きスペースにおいてウエハに消費されない未反応の原料の濃度が高くなり、これに伴って、空きスペースに近接するウエハ上の原料の濃度も高くなることによるものと理解される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、フィルダミーウエハを補充するICの製造方法においては、フィルダミーウエハの分だけ製造コストが上昇してしまうという問題点がある。
【0007】
本発明の目的は、最大装填枚数よりも少ない枚数の基板を処理する場合に製造コストの増加を抑制しつつ最大装填枚数の場合と同一の処理条件で最大装填枚数の場合と同等以上の処理結果を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
課題を解決するための第一の手段は、ボートに装填可能な最大枚数よりも少ない枚数の基板を前記ボートによって支持して処理室内において前記基板を処理する際に、前記基板の間隔を前記ボートの全長にわたって均等に装填された状態で前記基板を処理することを特徴とする。
【0009】
課題を解決するための第二の手段は、上下で一対の端板と、該両端板間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材とを備えており、該保持部材には多数の保持溝が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されているボートにおける該保持溝に装填可能な最大枚数よりも少ない枚数の基板を前記保持溝によって支持して処理室内において前記基板を処理する際に、前記ボートの長手方向全長にわたって一段置きの前記保持溝に前記基板を装填された状態で前記基板を処理することを特徴とする。
課題を解決するための第三の手段は、上下で一対の端板と、該両端板間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材とを備えており、該保持部材には多数の保持溝が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されているボートにおける該保持溝に装填可能な最大枚数よりも少ない枚数の基板を前記保持溝によって支持して処理室内において前記基板を処理する際に、前記ボートの長手方向全長にわたって三段置きの前記保持溝に前記基板を装填された状態で前記基板を処理することを特徴とする。
【0010】
前記した手段によれば、最大装填枚数よりも少ない枚数の基板はボートの全長にわたって均等に装填された状態になるため、ボートにフィルダミーウエハを装填しなくとも、ボートに大きな空きスペースが発生するのを防止することができる。したがって、ボート上の複数枚の基板は処理室に供給された処理ガスを均等に消費して行くため、複数枚の基板の処理ガスによる処理結果は影響を殆ど受けずに済む。その結果、処理する基板の枚数が減少したバッチであっても、枚数が減少しない通常のバッチと同等の処理結果を得ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0012】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ICの製造方法として構成されており、本実施の形態に係るICの製造方法は特徴工程として、ICが作り込まれるウエハに窒化シリコンを成膜する成膜工程を備えている。本実施の形態に係るICの製造方法における特徴工程である成膜工程は、図1に示されているCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)によって実施される。まず、図1に示されているCVD装置について説明する。
【0013】
図1に示されているように、CVD装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ1を備えている。プロセスチューブ1はインナチューブ2とアウタチューブ3とから構成されており、インナチューブ2は石英ガラスまたは炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ3は石英ガラスまたは炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ2は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室4を実質的に形成している。インナチューブ2の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口5を実質的に構成している。したがって、インナチューブ2の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【0014】
アウタチューブ3は内径がインナチューブ2の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ2にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ2とアウタチューブ3との間の下端部は円形リング形状に形成されたマニホールド6によって気密封止されており、マニホールド6はインナチューブ2およびアウタチューブ3についての交換等のためにインナチューブ2およびアウタチューブ3にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド6がCVD装置の機枠21に支持されることにより、プロセスチューブ1は垂直に据え付けられた状態になっている。
【0015】
マニホールド6の側壁の上部には排気管7が接続されており、排気管7は高真空排気装置(図示せず)に接続されて処理室4を所定の真空度に真空排気し得るように構成されている。排気管7はインナチューブ2とアウタチューブ3との間に形成された隙間に連通した状態になっており、インナチューブ2とアウタチューブ3との隙間によって排気路8が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。排気管7がマニホールド6に接続されているため、排気管7は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路8の最下端部に配置された状態になっている。
【0016】
マニホールド6の側壁の下部にはガス導入管9がインナチューブ2の炉口5に連通するように接続されており、ガス導入管9には原料ガス供給装置およびキャリアガス供給装置(いずれも図示せず)に接続されている。ガス導入管9によって炉口5に導入されたガスはインナチューブ2の処理室4内を流通して排気路8を通って排気管7によって排気される。また、マニホールド6の側壁の下部における他の場所には圧力計10がインナチューブ2の炉口5に連通するように接続されており、圧力計10はインナチューブ2の処理室4における上流側領域の圧力を測定するように構成されている。
【0017】
マニホールド6には下端開口を閉塞するシールキャップ17が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ17はアウタチューブ3やマニホールド6の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ1の外部に垂直に設備されたボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ17の中心線上には被処理基板としてのウエハWを保持するためのボート11が垂直に立脚されて支持されるようになっている。
【0018】
ボート11は上下で一対の端板12、13と、両端板12、13間に架設されて垂直に配設された複数本(本実施の形態においては三本。)の保持部材14とを備えており、三本の保持部材14には多数の保持溝15が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート11は三本の保持部材14の保持溝15間にウエハWの外周部を挿入されることにより、複数枚のウエハWを水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。本実施の形態において、ボート11は一バッチについて最大で172枚のウエハWを装填可能に設定されている。すなわち、ボート11の三本の保持部材14には保持溝15が172段配列されている。また、保持溝15のピッチ(間隔)は5.2mmに設定されている。
【0019】
ボート11とシールキャップ17との間には断熱キャップ部16が配置されており、断熱キャップ部16はボート11をシールキャップ17の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート11の下端を炉口5の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
【0020】
アウタチューブ3の外部にはプロセスチューブ1を加熱するヒータユニット18が同心円に設置されており、ヒータユニット18はCVD装置の機枠21に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータユニット18は断熱槽19とヒータ20とを備えている。断熱槽19はステンレス鋼等の薄板が上端が閉塞した円筒形状に形成されてなるケースの内周にガラスウール等の断熱材が内張りされて構築されており、ヒータ20は抵抗発熱体によって構成されて断熱槽19の内周面に螺旋状に敷設されている。
【0021】
次に、本実施の形態に係るICの製造方法における前記構成に係るCVD装置による成膜工程のバッチの一回を、ウエハに窒化シリコン(Si3 N4 )のCVD膜が形成される場合について説明する。
【0022】
図1に示されているように、複数枚のウエハWを整列保持したボート11はシールキャップ17の上にウエハW群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータによって差し上げられてインナチューブ2の炉口5から処理室4に搬入(ボートローディング)されて行き、シールキャップ17に支持されたままの状態で処理室4に存置される。この状態で、シールキャップ17は炉口5をシールした状態になる。
【0023】
プロセスチューブ1の内部が所定の真空度(数十Pa以下)に排気管7によって真空排気される。この際、プロセスチューブ1の内部の圧力は圧力計10によって測定され、真空度がフィードバック制御される。また、ヒータユニット18によってプロセスチューブ1の内部が所定の温度(例えば、760℃程度)に全体にわたって加熱される。
【0024】
次いで、処理ガスとしての原料ガス22がインナチューブ2の処理室4にガス導入管9によって供給される。Si3 N4 のCVD膜をデポジションする場合には原料ガス22として、SiH2 Cl2 とNH3 や、SiH4 とNH3 等が処理室4に導入される。
【0025】
導入された原料ガス22はインナチューブ2の処理室4を上昇し、上端開口からインナチューブ2とアウタチューブ3との隙間によって形成された排気路8に流出して排気管7から排気される。原料ガス22は処理室4を通過する際に、ウエハWの表面に接触する。この接触による原料ガス22のCVD反応により、ウエハWの表面にはSi3 N4 のCVD膜が堆積(デポジション)する。
【0026】
Si3 N4 のCVD膜が所望の堆積膜厚だけデポジションされる予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ17が下降されて炉口5が開口されるとともに、ボート11に保持された状態でウエハW群が炉口5からプロセスチューブ1の外部に搬出される。以上のようにして複数枚のウエハWにSi3 N4 が一回のバッチ処理によって成膜される。
【0027】
そして、本実施の形態に係るICの製造方法におけるCVD装置による成膜工程においては、図1に示されているように、ウエハWはボート11の保持溝15に一段置きに装填されており、総装填枚数は86枚になっている。すなわち、ウエハWの間隔はボート11に装填可能な最大枚数172枚の時の間隔の5.2mmの二倍である10.4mmに設定されている。つまり、本実施の形態においては、成膜の処理条件を同一にするために必要なフィルダミーウエハが省略されている。但し、後述するサイドダミーウエハがウエハ群の下部および上部にそれぞれ装填されている。なお、本実施の形態においては、製品ウエハは64枚であり、サイドダミーウエハは22枚である。
【0028】
本実施の形態によれば、成膜の処理条件を最大装填枚数の時の成膜処理条件と同一としても、ボートに装填されたウエハ群のうち中央部における製品ウエハ群については、ウエハ面内の膜厚均一性(±%)を許容の範囲内に抑制し得ることが、図2〜図4によって後述する実験によって検証された。なお、ウエハの装填枚数を減少させ、かつ、成膜の処理条件を最大装填枚数の場合と同一にしてもウエハ面内の膜厚均一性の悪化を防止することができる理由は、86枚のウエハW群がボート11に全長にわたって一枚置きに均等に分配されることにより、大きな空きスペースが処理室4に形成されないために、大きな空きスペースにおいてウエハに消費されないことによる未反応の原料の濃度が高くなる現象が発生するのを未然に防止することができ、その結果、ボート11の全長にわたってウエハW相互間の膜厚が均一になるものと、推察される。
【0029】
本実施の形態によれば、成膜の処理条件を同一にするためのフィルダミーウエハを省略することにより、フィルダミーウエハに消費されるコストを低減することができるため、ICの製造方法におけるコストを大幅に低減することができる。図5〜図7について後述するサイドダミーウエハを考慮外において検討すると、例えば、86枚のウエハを一回のバッチで処理する場合には、従来例では86枚のフィルダミーウエハが使用されることになるが、本実施の形態によれば、フィルダミーウエハは使用せずに済むため、ICの製造方法のコストを大幅に低減することができる。
【0030】
図2〜図4はウエハの装填枚数とボート上の各ウエハの膜厚分布との関係を示す折れ線グラフであり、横軸にはボート上のウエハの位置(保持溝の段番号)が取られ、縦軸には膜厚(Å)が取られている。折れ線の折れ点は膜厚が測定されたウエハの位置を示している。なお、成膜条件はいずれの場合も同一であり、次の通りである。ヒータユニット18の加熱温度分布は795.0℃〜750.0℃である。原料ガスおよび流量は、SiH2 Cl2 が70sccm(スタンダード立方センチメートル毎分)、NH3 が350sccmである。圧力は15Paである。
【0031】
図2は従来例の場合を示している。折れ線Aは150枚のウエハがボートに装填された場合を示しており、折れ線Bは100枚のウエハがボートに装填された場合を示しており、折れ線Cは50枚のウエハがボートに装填された場合を示している。いずれの場合もウエハはボートの保持溝にそれぞれ挿入されており、11段目の保持溝から装填され始めてガス流の上流側、すなわち、ボートのボトム側に詰めて装填されている。なお、このウエハ群の上流側(下部側)および下流側(上部側)には、後述するサイドダミーウエハがそれぞれ、10枚、5枚、中央部のウエハ群と隣接して連続的に装填されている。例えば、折れ線Aの場合のウエハ装填状態は、図8(a)のようになる。図2において、折れ線Aの場合にはウエハ膜厚相互間の均一性は1.5%以下に制御されている。しかし、折れ線Bの場合には約90段目の保持溝のウエハから膜厚が急激に増加しており、折れ線Cの場合には約40段目の保持溝のウエハから膜厚が急激に増加している。このように折れ線Bおよび折れ線Cの場合に下流側(上部側)のウエハの膜厚が増加する理由は、処理室の下流側(上部側)に大きな空きスペースが形成されるためと、推察される。
【0032】
なお、この折れ線Bおよび折れ線Cの場合における膜厚の増加を補正するのに、膜厚が厚くなるウエハ群の上部に対応するヒータの領域の設定温度を折れ線Aの場合の設定値よりも低く設定して補正することが、考えられる。しかしながら、温度設定を変更することは、最適な温度の特定が必要になるばかりでなく、設定変更後に膜厚分布を確認するための成膜が必要になってしまうために、結局、製造コストの増加を招くことになる。
【0033】
図3は本発明の第一の実施の形態に相当する場合を示しており、ウエハの間隔を通常の間隔である5.2mmの二倍である10.4mmとして、ウエハを一段置きに保持溝に装填した場合を示している。折れ線Aは64枚のウエハがボートに装填された場合を示しており、折れ線Bは43枚のウエハがボートに装填された場合を示しており、折れ線Cは22枚のウエハがボートに装填された場合を示している。折れ線A、折れ線Bおよび折れ線Cのすべての場合において、ウエハ群は21段目の保持溝から通常のウエハ間隔の二倍に装填されている。なお、このウエハ群の上流側(下部側)および下流側(上部側)には、後述するサイドダミーウエハがそれぞれ、10枚、5枚、中央部のウエハ群と隣接して連続的に装填されている。例えば、折れ線Aの場合のウエハ装填状態は、図8(b)のようになる。このサイドダミーウエハについても中央部のウエハ群と同様にウエハ間隔を通常の二倍としてウエハを一段置きに保持溝に保持している。図3における折れ線A、折れ線Bおよび折れ線Cのいずれの場合においても、図2の折れ線Bおよび折れ線Cの場合のような上部のウエハ群における膜厚の増加はなく、同一の処理条件で枚数を変更した場合において、膜厚が変化しないことが検証されている。
【0034】
図4は本発明の第二の実施の形態に相当する場合を示しており、ウエハの間隔を通常の間隔である5.2mmの四倍である20.8mmとして、ウエハを三段置きに保持溝に装填した場合を示している。折れ線Aは23枚のウエハがボートに装填された場合を示しており、折れ線Bは12枚のウエハがボートに装填された場合を示しており、折れ線Cは6枚のウエハがボートに装填された場合を示している。折れ線A、折れ線Bおよび折れ線Cのすべての場合において、ウエハ群は41段目の保持溝から通常の基板間隔の四倍の間隔で装填されている。なお、上記ウエハ群の上流側(下部側)、下流側(上部側)には、後述するサイドダミーウエハがそれぞれ、10枚、5枚、中央部のウエハ群と隣接して連続的に装填される。例えば、折れ線Aの場合のウエハ装填状態は、図8(c)のようになる。このサイドダミーウエハについても、上記ウエハ群と同様、ウエハ間隔を通常の四倍としてウエハを保持溝に保持している。図4における折れ線A、折れ線Bおよび折れ線Cのいずれの場合においても、図2の折れ線Bおよび折れ線Cの場合のような上部のウエハ群における膜厚の増加はなく、同一の処理条件で枚数を変更した場合において、膜厚が変化しないことが検証されている。
【0035】
ここで、図2〜図4の結果を纏めると、次の表1の通りとなる。
【表1】
【0036】
そして、図2〜図4の結果を、図1に示されている隣合うウエハの間隔L1と、ウエハの外周から処理室の内面までの間隔L2との比(L1/L2)を求めたところ、表1のL1/L2の通りになった。表1の関係により、L1/L2の値が「0.3」以上の時には、ボートの最大装填枚数の場合の処理条件を変更しなくとも同一の処理条件にてウエハ枚数の減少に対してボート最大枚数の場合と同等以上の成膜が可能であることが判明した。
【0037】
ところで、CVD装置のバッチ処理による成膜方法においては、ボートに装填されたウエハ群の下部(プロセスチューブのボトム側部分でガス流の上流側部分)およびウエハ群の上部(プロセスチューブのトップ側部分でガス流の下流側部分)におけるウエハ面内の膜厚均一性を悪化させないために、サイドダミーウエハと称されるダミーウエハがウエハ群の下部(ガス流の上流側)および上部(ガス流の下流側)に設置される。従来、このサイドダミーウエハはウエハ群の下部側(上流側)で10枚程度であり、ウエハ群の上部側(下流側)で5枚程度である。下部側のサイドダミーウエハが設置される理由は、プロセスチューブのボトム側から供給される原料ガスの流れを層流にするのに必要な助走距離を得るためである。また、上部側のサイドダミーウエハが設置される理由は、プロセスチューブのトップ側からの輻射熱を遮断するためである。
【0038】
このサイドダミーウエハは一バッチ毎に成膜されることにより発塵源になるため、サイドダミーウエハは数バッチ毎に交換する必要がある。窒化シリコンが成膜される場合には、0.8μm毎にサイドダミーウエハが交換されるのが一般的である。したがって、一回のバッチに装填されるウエハ群のうちサイドダミーウエハが占める枚数を低減することにより、ICの製造コストを低減することができる。
【0039】
図5〜図7はウエハの位置とウエハの面内膜厚均一性との関係を示すグラフであり、横軸にはウエハの位置が取られ、縦軸には面内膜厚均一性(±%)が取られている。図5〜図7において、(a)は処理室におけるガス流の上流側(プロセスチューブのボトム側)に配置されたウエハ群の場合を示しており、(b)は同じく下流側(トップ側)に配置されたウエハ群の場合を示している。なお、成膜の処理条件はいずれの場合も同一であり、図2〜図4の場合と同じである。
【0040】
図5は従来例の場合を示しており、図2の場合に対応している。すなわち、ウエハの間隔(ピッチ)はボートに装填可能な最大枚数である172枚の時の間隔つまりボート11の保持溝15のピッチである5.2mmに設定されている。図5において、目標の面内膜厚均一性を±2%に設定すると、図5(a)に示されたボトム側ウエハ群においては下端から10枚目までが目標の面内膜厚均一性を超えており、図5(b)に示されたトップ側ウエハ群においては上端から5枚目までが目標の面内膜厚均一性を超えている。したがって、この場合には、ボトム側ウエハ群においては少なくとも10枚のサイドダミーウエハが必要になり、トップ側ウエハ群においては少なくとも5枚のサイドダミーウエハが必要になるということになる。これは、前述した一般的なサイドダミーウエハの設置方法と一致している。
【0041】
図6は前述した図3の本発明の第一の実施の形態と対応しており、ウエハの間隔がボートに装填可能な最大枚数172枚の時の間隔の二倍である10.4mmに設定されている。すなわち、図1に示されているように、ウエハWはボート11の保持溝15に一段置きに装填されており、装填枚数は86枚になっている。図6において、目標の面内膜厚均一性を±2%に設定すると、図6(a)に示されたボトム側ウエハ群において±2%以下になるのは下から4枚目であり、図6(b)に示されたトップ側ウエハ群において±2%以下になるのは上から4枚目である。したがって、この場合には、ボトム側ウエハ群においては3枚のサイドダミーウエハで済み、トップ側ウエハ群においても3枚のサイドダミーウエハで済むことになる。
【0042】
図7は前述した図4の本発明の第二の実施の形態と対応しており、ウエハの間隔がボートに装填可能な最大枚数172枚の時の間隔の四倍である20.8mmに設定されている。すなわち、ウエハWはボート11の保持溝15に三段置きに装填されており、装填枚数は43枚になっている。図7において、目標の面内膜厚均一性を±2%に設定すると、図7(a)に示されたボトム側ウエハ群において±2%以下になるのは下から3枚目であり、図7(b)に示されたトップ側ウエハ群においては全てのウエハが±2%以下になっている。したがって、この場合に必要なサイドダミーウエハの枚数はボトム側ウエハ群の2枚だけということになる。以上のことから、ウエハの装填間隔を変更調整することによってサイドダミーウエハの必要枚数を低減し得ることが、究明されたわけである。そして、サイドダミーウエハの枚数を低減することにより、サイドダミーウエハに消費されるコストを低減することができるため、ICの製造方法におけるコストをより一層低減することができる。
【0043】
ここで、図5〜図7の結果を纏めると、次の表2の通りとなる。
【表2】
【0044】
そして、図5〜図7の結果を、図1に示されている隣合うウエハの間隔L1と、ウエハの外周から処理室の内面までの間隔L2との比(L1/L2)を求めたところ、表1のL1/L2の通りになった。表2の関係により、L1/L2の値が「0.3」以上の時には、サイドダミーウエハの枚数を低減することができることが判明した。また、L1/L2の値を0.7以上とすれば、トップ側サイドダミーウエハすなわち下流側のサイドダミーウエハをなくすことができることが判明した。
【0045】
以上説明したように、本実施の形態に係るICの製造方法においては、多品種少量製品やロットの編成の都合等の理由によって一回のバッチで処理する製品ウエハの枚数が減少した場合であっても、処理条件を最大装填枚数の時の処理条件と同一にさせるためのフィルダミーウエハを省略することができるため、ICの製造コストを大幅に低減することができる。しかも、サイドダミーウエハの枚数も低減することができるため、ICの製造コストをより一層低減することができる。
【0046】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0047】
成膜処理はSi3 N4 のCVD膜を形成する処理に限らず、ポリシリコンや酸化シリコン等の他のCVD膜を形成する処理であってもよいし、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも使用される拡散やアニール等の熱処理にも適用することができる。
【0048】
CVD装置はバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に限らず、横形ホットウオール形減圧CVD装置等の他のCVD装置であってもよい。
【0049】
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、最大装填枚数よりも少ない枚数の基板を処理する場合に製造コストの増加を抑制しつつ最大装填枚数の場合と同一の処理条件で最大装填枚数の場合と同等以上の処理結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるICの製造方法のCVD装置による成膜工程を示す正面断面図である。
【図2】ウエハの装填枚数とボート上の各ウエハの膜厚分布との関係を示す折れ線グラフであり、従来例の場合を示している。
【図3】本発明の第一の実施の形態を示す折れ線グラフである。
【図4】本発明の第二の実施の形態を示す折れ線グラフである。
【図5】ウエハの位置とウエハの面内膜厚均一性との関係を示すグラフであり、図2に対応している。
【図6】同じく図3に対応するグラフである。
【図7】同じく図4に対応するグラフである。
【図8】ウエハの配置図であり、(a)は従来例の場合を示し、(b)は二倍の間隔で配置した場合を示し、(c)は四倍の間隔を配置した場合を示している。
【符号の説明】
W…ウエハ(基板)、1…プロセスチューブ、2…インナチューブ、3…アウタチューブ、4…処理室、5…炉口、6…マニホールド、7…排気管、8…排気路、9…ガス導入管、10…圧力計、11…ボート、12、13…端板、14…保持部材、15…保持溝、16…断熱キャップ部、17…シールキャップ、18…ヒータユニット、19…断熱槽、20…ヒータ、21…機枠、22…原料ガス(処理ガス)。
Claims (4)
- ボートに装填可能な最大枚数よりも少ない枚数の基板を前記ボートによって支持して処理室内において前記基板を処理する際に、前記基板の間隔を前記ボートの全長にわたって均等に装填された状態で前記基板を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 上下で一対の端板と、該両端板間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材とを備えており、該保持部材には多数の保持溝が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されているボートにおける該保持溝に装填可能な最大枚数よりも少ない枚数の基板を前記保持溝によって支持して処理室内において前記基板を処理する際に、前記ボートの長手方向全長にわたって一段置きの前記保持溝に前記基板を装填された状態で前記基板を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 上下で一対の端板と、該両端板間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材とを備えており、該保持部材には多数の保持溝が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されているボートにおける該保持溝に装填可能な最大枚数よりも少ない枚数の基板を前記保持溝によって支持して処理室内において前記基板を処理する際に、前記ボートの長手方向全長にわたって三段置きの前記保持溝に前記基板を装填された状態で前記基板を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記基板は、少なくとも製品ウエハ群と、該製品ウエハ群の下部に装填されるダミーウエハとで構成されることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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