JP2006253521A - 半導体ダイオード装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体ダイオード装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006253521A JP2006253521A JP2005070318A JP2005070318A JP2006253521A JP 2006253521 A JP2006253521 A JP 2006253521A JP 2005070318 A JP2005070318 A JP 2005070318A JP 2005070318 A JP2005070318 A JP 2005070318A JP 2006253521 A JP2006253521 A JP 2006253521A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor
- sio
- sic
- schottky
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードの逆方向リーク電流を減少させる。
【解決手段】 n型SiC基板10上にプラズマCVD法によりSiO2膜を形成した後、NOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間熱処理を行うことで、SiO2膜を窒化してパッシベーション膜23とする。窒化処理により、SiCとSiO2との界面15に残っていた炭素が除去されるとともに欠陥が不活性化され、界面準位密度が大きく低下する。それによって逆電圧印加時のリーク電流を減少させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 n型SiC基板10上にプラズマCVD法によりSiO2膜を形成した後、NOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間熱処理を行うことで、SiO2膜を窒化してパッシベーション膜23とする。窒化処理により、SiCとSiO2との界面15に残っていた炭素が除去されるとともに欠陥が不活性化され、界面準位密度が大きく低下する。それによって逆電圧印加時のリーク電流を減少させることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体基板としてシリコンカーバイド(SiC)を使用したショットキーダイオードやpn接合ダイオードなどの半導体ダイオード装置及びその製造方法に関する。
SiCは非常に安定なIV-IV族半導体であり、シリコン(Si)やガリウム砒素(GaAs)等と比較して禁制帯幅が広く、絶縁破壊電界と熱伝導率が大きいという特徴を持つ。そのため、SiCを利用した半導体デバイスは、高温条件下で動作可能なデバイス、或いは高耐圧・低損失の大電力用デバイス等として注目されている。こうしたデバイスの1つであるSiCを用いたショットキーダイオードは比較的古くから研究されている。現在のところ、SiCショットキーダイオードはディスクリートデバイスとして使用されているが、将来は高集積回路の基本素子となるものと期待されている。
図5は従来の一般的なSiCショットキーダイオード1の概略断面構造を示す図である。このショットキーダイオード1では、n型半導体であるSiC基板10の下面に例えばニッケル(Ni)等から成るオーミック電極層12が形成されている。一方、SiC基板10の上面(オーミック電極層12の反対側の面)には例えばチタン(Ti)又はNi等から成るショットキー電極11が形成されている。なお、ショットキー電極11に直接ワイヤをボンディングすることが難しい場合には、ショットキー電極11の上面に薄くアルミニウム(Al)等による電極層を形成し、この金属層にワイヤをボンディングするとよい。このショットキー電極11の周囲には、SiC基板10の上面を被覆するように、例えばSiO2等であるパッシベーション膜13が形成されている。このパッシベーション膜13は、SiC基板10表面の不活性化、保護、或いは絶縁などの機能も持つ。
上記構造により、n型半導体であるSiC基板10とショットキー電極11との界面にショットキー接合面が形成され、ショットキー電極11がアノード電極、オーミック電極層12がカソード電極となる。オーミック電極層12とショットキー電極11との間に順方向バイアス電圧を印加した場合、ショットキー電極11からショットキー接合を経てSiC基板10へと電流が流れる。一方、図5に示すように、オーミック電極層12を接地しショットキー電極11に逆方向バイアス電圧Vrを印加し、この逆バイアス電圧Vrを大きくしてゆくと或る電圧までは殆ど電流が流れないが、或る電圧で以て降伏が起こり急に電流が流れ始める。このときの電圧が逆方向耐圧である。
上記のように逆方向バイアス電圧を印加した状態では、ショットキー接合面の下方に空乏層14が形成され、この空乏層14より逆方向電圧が維持される。図5に示すように空乏層14の周縁部はショットキー電極11下方からさらに横方向に広がり、SiC基板10表面に露出している。パッシベーション膜13であるSiO2は例えば熱酸化法によりSiCを酸化させることにより形成されるが、SiO2とSiCとの界面15では欠陥(トラップ)等による界面準位密度が比較的高く、空乏層14の表面において界面準位を介したキャリアが生成され易い。その結果、逆方向バイアス電圧印加時に空乏層14の表面付近で比較的大きなリーク電流が流れるという問題がある。
上記のような問題を解決するために、非特許文献1に記載のSiCショットキーダイオードでは、イオン注入によりショットキー電極の下方にストライプ状のp+層を形成している。そして、逆方向バイアス電圧印加時にこのp+層と基板との間のpn接合に形成される空乏層により耐圧を維持し、逆方向耐圧を向上させるとともに逆方向リーク電流を低減させている。
また非特許文献2に記載のSiCショットキーダイオードでは、ショットキー障壁高さの異なる2種類の、即ち、Ni及びTiをそれぞれ用いたショットキー電極を溝を隔てて並べて配置し、順方向バイアス電圧印加時には障壁高さが低くオン電圧が小さなほうのTiショットキー電極を利用する一方、逆方向バイアス電圧印加時には障壁高さが高くリーク電流が小さなほうのNiショットキー電極を利用することでリーク電流を低減している。
しかしながら、非特許文献1に記載の方法では一般的なショットキーダイオードの製造プロセスにイオン注入工程を追加しなければならず、製造プロセスが複雑になりその分だけコスト上昇要因となる。他方、非特許文献2に記載の方法では、2つのショットキー電極間にエッチング等により溝を形成する必要があり、エッチング処理時の損傷により特性が悪化する可能性がある。また、2つのショットキー電極を並設するために従来のショットキー電極に比べて微細パターンが必要になり、製造プロセスのコスト増加要因となる。また、溝形成のためのエッチング工程等、工程数が増えてコスト上昇要因となる。
ミカエル・オストリング、他2名(Mikael Ostling, et al)、「ジャンクション・バリア・ショットキー・ダイオーズ・イン・6H・SIC(Junction Barrier Schottky Diodes In 6H SIC)」、ソリッド-ステート・エレクトロニクス(Solid-State Electronics), Vol.42, NO.9, 1998, p.1757-1759
ショーエン、他4名(K.J.Schoen, et al)、「ア・デュアル-メタル-トレンチ・ショットキー・ピンチ-レクティファイア・イン・4H-SiC(A Dual-Metal-Trench Schottky Pinch-Rectifier in 4H-SiC)」、アイトリプルイー・エレクトロン・デバイス・レターズ(IEEE Electron Device Letters), Vol.19, NO.4, April 1998, p.97-99
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その主な目的は、イオン注入や溝形成用のエッチングのような面倒な工程の追加を必要とすることなく、単純な製造プロセスで以て逆方向電圧印加時のリーク電流を低減させることができる半導体ダイオード装置、及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために成された本発明は、n型又はp型半導体であるSiC基板の表面上又は表面付近の一部に、ショットキー接合面を形成するための金属層又はpn接合面を形成するための半導体層を設けるとともに、前記半導体基板の表面上にパッシベーション膜を形成して成る半導体ダイオード装置において、
前記パッシベーション膜として窒化処理の施されたSiO2膜を用いることを特徴としている。
前記パッシベーション膜として窒化処理の施されたSiO2膜を用いることを特徴としている。
ここで、この半導体ダイオード装置がショットキーダイオードである場合には、n型又はp型半導体基板の表面上の一部に金属層を形成してショットキー接合面を形成する。また、この半導体ダイオード装置がpn接合ダイオードである場合には、n型又はp型半導体基板の表面付近の一部に、その半導体とは反対のつまりp型又はn型半導体層を設けてpn接合面を形成する。
なお、上記「半導体基板」はウエハ自体であってもよいが、一般的にはこうしたウエハの上にCVD法等によりウエハと同一の伝導型(p型又はn型)のエピタキシャル単結晶層を形成し、その層の表面にショットキー接合面を形成したりその層の表面近くにpn接合面を形成したりするから、その場合には上記「半導体基板」はエピタキシャル単結晶層を含むものとする。
本発明に係る半導体ダイオード装置では、例えば熱酸化法、熱CVD法、プラズマCVD法等によりSiC基板の表面に酸化膜(SiO2膜)が形成される際に界面に炭素が残留して界面準位を増加させるが、窒化処理によってこの炭素が除去される。また、同時に窒素原子により界面準位が不活性化される。主としてこうした作用によってSiCとSiO2との界面の界面準位密度を下げることができ、界面準位を介したキャリアの生成が抑制されるためにリーク電流を減少させることができる。
上記窒化処理とは、具体的には窒素原子を含む反応性ガス雰囲気中での加熱処理とすることができる。ここで、窒素原子を含む反応性ガスとは、例えば、NO、N2O、NO2、NH3等を挙げることができる。また、加熱温度としては1050℃以上であればよいが、少なくとも1250℃までの間であれば、温度が高いほうが効率的に窒素原子が界面に導入されるため、温度は高いほど好ましい。
また、SiO2膜の形成方法としては上述したように熱酸化法、熱CVD法、プラズマCVD法等が考えられるが、熱酸化法よりもCVD法のほうがもともと界面に炭素が残りにくいため、界面準位密度が低い傾向にある。そこで、本発明に係る半導体ダイオード装置では、SiO2膜は熱CVD法又はプラズマCVD法によりSiC基板の表面に形成されたものとすることが好ましい。これにより、界面準位密度をより低減させて逆方向電圧印加時のリーク電流を一層減少させることができる。
なお、本発明はpn接合ダイオードにも適用し得るが、逆方向電圧印加時のリーク電流はショットキーダイオード、特にショットキー障壁の低い金属を用いたショットキーダイオードで問題になることが多い。そこで、本発明に係る半導体ダイオード装置は、n型半導体であるSiC基板の表面の一部に金属層を設けたショットキーダイオードである構成に特に有用である。
また、本発明に係る半導体ダイオード装置の製造方法は、熱酸化法、熱CVD法又はプラズマCVD法のいずれかによりSiC基板の表面にSiO2膜を形成し、その後に窒素原子を含む反応性ガス雰囲気中で1050℃以上の温度で窒化処理を行うことを特徴としている。
この製造方法によれば、イオン注入等や溝のエッチングなどの工程を追加する場合に比べて格段に簡便な処理を追加するだけで、SiCとSiO2との界面準位密度を下げることができる。したがって、従来の製造プロセスに対して最小限のコスト増加で以て、逆方向電圧印加時のリーク電流を減少させ、ダイオード特性を改善させることができる。
本発明に係る半導体ダイオード装置の一実施例であるSiCショットキーダイオードについて以下に説明する。
本実施例であるSiCショットキーダイオード1の概略断面構造を図1に示す。図1では、既に説明した図5の構造と同一部分については同一符号を付している。図1で明らかなように、本実施例によるSiCショットキーダイオード1の基本構造は図5に示した従来のSiCショットキーダイオードと同じであり、相違するのはパッシベーション膜23だけである。即ち、従来、パッシベーション膜としては例えば熱酸化法等によりSiCを酸化させることでSiO2膜を形成するようにしていたが、この実施例では、SiC基板10上に形成したSiO2膜に対して窒化処理を施した窒化処理済みSiO2膜をパッシベーション膜23としている。
本実施例のSiCショットキーダイオードの製造工程について図2により説明する。
まず、n型半導体であるSiC基板(ウエハ)上にn型のSiCエピタキシャル層を成長させてn型SiC基板10を作製する(ステップS1)。次に、このn型SiC基板10の表面を、化学洗浄、具体的にはいわゆるRCA洗浄することで清浄化し(ステップS2)、それからプラズマCVD法によりn型SiC基板10の表面に所定膜厚のSiO2膜をパッシベーション膜として形成する(ステップS3)。その後に、本実施例に特徴的な処理として、NOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間アニールすることで窒化処理を行い、SiO2膜中に窒素原子を導入してパッシベーション膜23とする(ステップS4)。その後に、SiC基板10の裏面(パッシベーション膜23が形成されていない面)にニッケル(Ni)等の金属層を形成してオーミック電極層12とするとともに、パッシベーション膜23の一部を除去して露出したSiC基板10上にチタン(Ti)等の金属層を形成してショットキー電極11とする(ステップS5)。
まず、n型半導体であるSiC基板(ウエハ)上にn型のSiCエピタキシャル層を成長させてn型SiC基板10を作製する(ステップS1)。次に、このn型SiC基板10の表面を、化学洗浄、具体的にはいわゆるRCA洗浄することで清浄化し(ステップS2)、それからプラズマCVD法によりn型SiC基板10の表面に所定膜厚のSiO2膜をパッシベーション膜として形成する(ステップS3)。その後に、本実施例に特徴的な処理として、NOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間アニールすることで窒化処理を行い、SiO2膜中に窒素原子を導入してパッシベーション膜23とする(ステップS4)。その後に、SiC基板10の裏面(パッシベーション膜23が形成されていない面)にニッケル(Ni)等の金属層を形成してオーミック電極層12とするとともに、パッシベーション膜23の一部を除去して露出したSiC基板10上にチタン(Ti)等の金属層を形成してショットキー電極11とする(ステップS5)。
これにより、ショットキー電極11とSiC基板10との接触面をショットキー接合面とするショットキーダイオードが形成される。ステップS4の窒化処理により、SiO2膜とSiC基板10との界面15に残る炭素が除去されるとともに、界面準位が窒素原子で不活性化される。これによってその界面準位密度は窒化処理を行わない場合に比べて大きく下がり、ショットキー電極11とオーミック電極層12との間に逆方向電圧を印加したときにも、空乏層14の表面で界面準位を介したキャリアが発生しにくくなる。それにより、リーク電流も流れにくくなる。
次に、上述したような酸化膜の処理による界面準位密度の低減効果の検証実験について説明する。
まず、窒化処理の有無及び酸化膜の形成方法依存性を検証するために、次のような4種の試料を作製した。
(試料1)n型SiCエピタキシャル基板をRCA洗浄法により洗浄した後、1250℃で1時間のドライ酸化(熱酸化)することによりSiO2の熱酸化膜を形成した。その後に窒化処理のなされない不活性なN2ガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間の熱処理を行った(熱酸化+N2)。
(試料2)試料1を更にNOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間の窒化処理を行った(熱酸化+NO)。
(試料3)上記試料1及び2とは別に、RCA洗浄後のn型SiCエピタキシャル基板に対しプラズマCVD法でSiO2膜を形成し、これをN2ガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間、熱処理した(CVD+N2)。
(試料4)プラズマCVD法でSiO2膜を形成した試料をNOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間、窒化処理した(CVD+NO)。
まず、窒化処理の有無及び酸化膜の形成方法依存性を検証するために、次のような4種の試料を作製した。
(試料1)n型SiCエピタキシャル基板をRCA洗浄法により洗浄した後、1250℃で1時間のドライ酸化(熱酸化)することによりSiO2の熱酸化膜を形成した。その後に窒化処理のなされない不活性なN2ガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間の熱処理を行った(熱酸化+N2)。
(試料2)試料1を更にNOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間の窒化処理を行った(熱酸化+NO)。
(試料3)上記試料1及び2とは別に、RCA洗浄後のn型SiCエピタキシャル基板に対しプラズマCVD法でSiO2膜を形成し、これをN2ガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間、熱処理した(CVD+N2)。
(試料4)プラズマCVD法でSiO2膜を形成した試料をNOガス雰囲気中で1250℃の温度で1時間、窒化処理した(CVD+NO)。
上記試料1〜4はいずれも、SiO2膜の膜厚が40〜50nm程度である。そして、これらの試料について、それぞれアルミニウム(Al)をゲート電極とするMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)キャパシタを作製し、このMISキャパシタの界面特性を評価した。評価方法としては、高周波及び低周波の容量−電圧特性を組み合わせたhi−lo法を用いた。これから求めた界面準位密度の分布の結果を図3に示す。
図3で分かるように、熱酸化膜、CVD酸化膜ともにNOガスによる窒化処理を施すことで、界面準位密度が大きく減少している。特にCVD酸化膜では、熱酸化膜よりもさらに小さな界面準位密度を実現できる。これは熱酸化膜では十分に酸化されずに界面に残留する炭素により界面準位密度が大きくなるのに対し、CVD膜ではSiCを消費しないので、界面に炭素が蓄積されないためであると考えられる。また、NO雰囲気中での熱処理による界面準位密度の低減は、窒化により界面近傍に窒素原子が導入されると同時に欠陥として作用する炭素が除去されるためであると考えられる。なお、NO雰囲気中での熱処理後のCVD酸化膜の界面準位密度は、Ec−E=0.2eVにおいて約1×1011[cm-2eV-1]と非常に小さい。
上記結果により熱酸化膜よりもCVD酸化膜のほうが好ましいことが確認できたが、CVD酸化膜についてより好ましい界面を形成するための条件を検討するために、NO雰囲気中での熱処理時のアニール温度依存性を調べた。その結果による界面準位密度の分布を図4に示す。これにより、アニール温度が1050℃であっても、界面準位密度の減少について或る程度の効果が得られることが分かる。しかしながら、アニール温度を1150℃、1250℃と上げることにより、一層高い効果が得られることが分かるから、可能であればアニール温度は高くするほうがよい。
なお、上記説明では、熱酸化法、熱CVD法、プラズマCVD法等によりSiCの表面に酸化膜を形成した後に、窒素原子を含む反応性ガス雰囲気中で熱処理を実行することにより、酸化膜中に窒素原子を導入するようにしていたが、酸化膜を形成する過程で、例えばNOガスを混合させたガス雰囲気中で酸化膜を形成することにより、酸化膜中に窒素原子を導入して界面準位密度を減少させることもできる。
1…ショットキーダイオード
10…n型SiC基板
11…ショットキー電極
12…オーミック電極層
14…空乏層
15…界面
23…パッシベーション膜(窒化処理済みSiO2膜)
10…n型SiC基板
11…ショットキー電極
12…オーミック電極層
14…空乏層
15…界面
23…パッシベーション膜(窒化処理済みSiO2膜)
Claims (6)
- n型又はp型半導体であるSiC基板の表面上又は表面付近の一部に、ショットキー接合面を形成するための金属層又はpn接合面を形成するための半導体層を設けるとともに、前記半導体基板の表面上にパッシベーション膜を形成して成る半導体ダイオード装置において、
前記パッシベーション膜として窒化処理の施されたSiO2膜を用いることを特徴とする半導体ダイオード装置。 - 前記窒化処理は、窒素原子を含む反応性ガス雰囲気中での加熱処理であることを特徴とする請求項1に記載の半導体ダイオード装置。
- 前記窒化処理の際の加熱温度は1050℃以上であることを特徴とする請求項2に記載の記載の半導体ダイオード装置。
- 前記SiO2膜は熱CVD法又はプラズマCVD法によりSiC基板の表面に形成されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ダイオード装置。
- n型半導体であるSiC基板の表面の一部に金属層を設けたショットキーダイオードであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ダイオード装置。
- 請求項1に記載の半導体ダイオード装置の製造方法であって、熱酸化法、熱CVD法又はプラズマCVD法のいずれかによりSiC基板の表面にSiO2膜を形成し、その後に窒素原子を含む反応性ガス雰囲気中で1050℃以上の温度で窒化処理を行うことを特徴とする半導体ダイオード装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070318A JP2006253521A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 半導体ダイオード装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070318A JP2006253521A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 半導体ダイオード装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006253521A true JP2006253521A (ja) | 2006-09-21 |
Family
ID=37093659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005070318A Pending JP2006253521A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 半導体ダイオード装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006253521A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013069728A1 (ja) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | 株式会社タムラ製作所 | ショットキーバリアダイオード |
JP2013105868A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
WO2013084620A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8684835B2 (en) | 2012-03-29 | 2014-04-01 | DeNA Co., Ltd. | Non-transitory computer-readable record medium, game system and information processing device |
US8980732B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-03-17 | Hyundai Motor Company | Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode |
JP2019169485A (ja) * | 2018-03-21 | 2019-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN110783174A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-02-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种在碳化硅材料上制造栅极氧化层的方法 |
-
2005
- 2005-03-14 JP JP2005070318A patent/JP2006253521A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8980732B2 (en) | 2011-11-07 | 2015-03-17 | Hyundai Motor Company | Method for manufacturing silicon carbide schottky barrier diode |
US9595586B2 (en) | 2011-11-09 | 2017-03-14 | Tamura Corporation | Schottky barrier diode |
WO2013069728A1 (ja) | 2011-11-09 | 2013-05-16 | 株式会社タムラ製作所 | ショットキーバリアダイオード |
US9171967B2 (en) | 2011-11-09 | 2015-10-27 | Tamura Corporation | Schottky barrier diode |
US9412882B2 (en) | 2011-11-09 | 2016-08-09 | Tamura Corporation | Schottky barrier diode |
US10600874B2 (en) | 2011-11-09 | 2020-03-24 | Tamura Corporation | Schottky barrier diode |
KR20200011561A (ko) | 2011-11-09 | 2020-02-03 | 가부시키가이샤 다무라 세이사쿠쇼 | 쇼트키 배리어 다이오드 |
KR20140095080A (ko) | 2011-11-09 | 2014-07-31 | 가부시키가이샤 다무라 세이사쿠쇼 | 쇼트키 배리어 다이오드 |
US11264466B2 (en) | 2011-11-09 | 2022-03-01 | Tamura Corporation | Schottky barrier diode |
KR20190094249A (ko) | 2011-11-09 | 2019-08-12 | 가부시키가이샤 다무라 세이사쿠쇼 | 쇼트키 배리어 다이오드 |
JP2013105868A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法 |
JP2013120822A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2013084620A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN103918081A (zh) * | 2011-12-07 | 2014-07-09 | 住友电气工业株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
US8765523B2 (en) | 2011-12-07 | 2014-07-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device including Schottky electrode |
EP2790225A4 (en) * | 2011-12-07 | 2015-07-15 | Sumitomo Electric Industries | MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR COMPONENT |
US8684835B2 (en) | 2012-03-29 | 2014-04-01 | DeNA Co., Ltd. | Non-transitory computer-readable record medium, game system and information processing device |
JP2019169485A (ja) * | 2018-03-21 | 2019-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN110783174A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-02-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种在碳化硅材料上制造栅极氧化层的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5525940B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3559971B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP5141227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5021860B2 (ja) | 炭化珪素半導体構造における積層誘電体 | |
TWI418028B (zh) | 具有台面邊界終端的垂直接面場效電晶體及其製造方法 | |
US20110147766A1 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
US20060214268A1 (en) | SiC semiconductor device | |
JPWO2007086196A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US11295951B2 (en) | Wide band gap semiconductor device and method for forming a wide band gap semiconductor device | |
JP2006253521A (ja) | 半導体ダイオード装置及びその製造方法 | |
JP2009158528A (ja) | 半導体装置 | |
JP6988140B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2017212407A (ja) | 半導体基板と、その調整方法と、半導体装置 | |
WO2010024243A1 (ja) | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 | |
Lee et al. | Schottky diode formation and characterization of titanium tungsten to n-and p-type 4H silicon carbide | |
JPH11297712A (ja) | 化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法 | |
JP2010034481A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
US20160276497A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2008130699A (ja) | ワイドバンドギャップ半導体装置およびその製造方法 | |
JP5445899B2 (ja) | ショットキーバリアダイオード | |
US20150108503A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2009212325A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US20100123140A1 (en) | SiC SUBSTRATES, SEMICONDUCTOR DEVICES BASED UPON THE SAME AND METHODS FOR THEIR MANUFACTURE | |
JP2005033030A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2017168676A (ja) | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |