JP2006209126A - フォトマスク製作に適したモリブデン層をエッチングするための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第1のレジスト層をパターニングするステップと、該第1のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第1のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。
【選択図】図1A
Description
[0001]本発明の実施形態は概して、モリブデン層をプラズマエッチングするための方法、より具体的にはフォトマスク製作中にモリブデン層をエッチングするための方法に関する。
[0002]集積回路(IC)やチップの製造において、チップの異なる層を表すパターンがチップ設計者によって作成される。一連の再使用可能なマスクやフォトマスクは、製造プロセス中に半導体基板上に各チップ層の設計を移送するために、これらのパターンから作成される。マスクパターン発生システムは、それぞれのマスク上にチップの各層の設計をイメージングするために正確なレーザーや電子ビームを使用する。その後、マスクは、半導体基板上に各層ごとの回路パターンを移送するために写真のネガのように使用される。これらの層は一連のプロセスを使用して築き上げられ、各完成したチップを備える極小トランジスタおよび電気回路になる。したがって、マスクの欠陥がチップに移送されて、性能に潜在的に悪影響を及ぼすことがある。深刻な欠陥はマスクを全く役に立たないものとすることがある。一般的に、15〜30個のマスクがチップを構築するために使用され、反復して使用可能である。
Claims (20)
- フォトマスクを製作するための方法であって、
フィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップであって、前記フィルムスタックがモリブデン層と、光遮断層とパターニングされた第1のレジスト層とを有するステップと、
前記第1のレジスト層をエッチングマスクとして使用して前記光遮断層をエッチングするステップであって、前記パターニングされた光遮断層およびパターニングされた第1のレジスト層が複合マスクを形成するステップと、
前記複合マスクをエッチングマスクとして使用して前記モリブデン層をエッチングするステップと、
を備える方法。 - 前記光遮断層がクロムまたは酸化クロムのうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記モリブデン層が、モリブデン、モリブデン(Mo)でドープされた窒化シリコン(SiN)、またはモリブデンシリコン(MoSi)のうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記モリブデン層をエッチングするステップが、
フッ素含有ガスおよび塩素含有ガスを前記プロセスチャンバに流してガス混合物を形成する工程と、
前記ガス混合物からプラズマを形成する工程と、
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記モリブデン層をエッチングするステップが更に、
不活性ガスを前記プロセスチャンバに流す工程を備える、請求項4に記載の方法。 - 前記フッ素含有ガスを流すステップが更に、
一般式CXHYFZ(xが炭素原子の1〜5の整数であり、yが水素原子の1〜8の整数であり、zがフッ素原子の1〜8の整数である)を有する少なくとも1つのフッ素含有炭化水素ガスを流す工程を備える、請求項4に記載の方法。 - フッ素含有ガスを流すステップが更に、
1〜5個の炭素原子および4〜8個のフッ素原子を有する少なくとも1つの水素フリー過フッ化炭化水素ガスを流す工程を備える、請求項4に記載の方法。 - 前記塩素含有ガスを流すステップが更に、
塩素(Cl2)と、四塩化炭素(CCl4)または塩酸(HCl)のうちの少なくとも1つとを前記プロセスチャンバに流す工程を備える、請求項4に記載の方法。 - 前記モリブデン層をエッチングするステップが、
塩素(Cl2)ガスと、トリフルオロメタン(CHF3)とアルゴンとを前記プロセスチャンバに流してガス混合物を形成する工程と、
前記ガス混合物からプラズマを形成する工程と、
を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記複合マスクの少なくとも一部を除去するステップを更に備える、請求項1に記載の方法。
- 前記光遮断層をパターニングして前記モリブデン層を暴露するステップを更に備える、請求項10に記載の方法。
- 前記光遮断層をパターニングするステップが更に、
第2のレジスト層を前記光遮断層上にパターニングする工程であって、前記モリブデン層にエッチングされた少なくとも1つの開口が、パターニング後に前記第2のレジスト層によって充填されたままである工程を備える、請求項11に記載の方法。 - 前記モリブデン層をエッチングするステップが、下地の光学的に透明なシリコンベース材料を暴露する、請求項1に記載の方法。
- 前記光学的に透明なシリコンベース材料が石英である、請求項1に記載の方法。
- 前記光遮断層をエッチングする前に前記第1のレジスト層上に保護層を堆積させるステップを更に備える、請求項1に記載の方法。
- フォトマスクを形成するための方法であって、
フィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップであって、前記フィルムスタックが、モリブデン層を有する光学的に透明なシリコンベース材料と、光遮断層と、第1のフォトレジスト層を有する複合マスクとを有するステップと、
前記モリブデン層をプラズマエッチングして、前記複合マスクを使用して前記光学的に透明なシリコンベース材料を暴露する第1の開口を形成するステップと、
第2のフォトレジスト層を前記光遮断層上に堆積させるステップと、
前記第2のフォトレジスト層を光遮断層上にパターニングするステップであって、前記第2のフォトレジスト層がパターニング後に前記第1の開口を充填するステップと、
前記第2のフォトレジスト層をエッチングマスクとして使用して前記光遮断層をプラズマエッチングして、前記モリブデン層を暴露する第2の開口を形成するステップと、
を備える方法。 - 前記モリブデン層をパターニングするステップが更に、
前記光遮断層をエッチングする前に前記複合物の前記第1のレジスト層上にコンフォーマルなポリマー層を堆積させる工程を備える、請求項16に記載の方法。 - 前記モリブデン層が、モリブデン、モリブデン(Mo)でドープされた窒化シリコン(SiN)またはモリブデンシリコン(MoSi)のうちの少なくとも1つを備えており、前記光遮断層がクロムを備えており、前記光学的に透明なシリコンベース材料が石英またはガラスを備えている、請求項16に記載の方法。
- 前記モリブデン層をパターニングした後かつ前記第2のフォトレジスト層を堆積させる前に前記第1のフォトレジスト層を除去するステップを更に備える、請求項16に記載の方法。
- フォトマスクを形成するための方法であって、
クロム層と、モリブデン層と、パターニングされた第1のフォトレジスト層と石英材料層とを有するフィルムスタックを提供するステップと、
前記パターニングされた第1のフォトレジスト層をエッチングマスクとして使用して前記クロム層をエッチングするステップと、
前記モリブデン層をエッチングして、前記第1のフォトレジスト層および前記クロム層によって画成された開口を介して前記下地石英材料を暴露するステップと、
モリブデン層またはクロム層のうちの少なくとも1つがエッチングされるプロセスチャンバのイン・シトゥーで前記第1のフォトレジスト層を除去するステップと、
第2のフォトレジスト層を前記クロム層上に堆積させるステップと、
前記第2のフォトレジスト層をパターニングするステップと、
前記第2のフォトレジスト層をエッチングマスクとして使用して前記クロム層をエッチングして、前記モリブデン層を暴露するステップと、
を備える方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/044,358 US8293430B2 (en) | 2005-01-27 | 2005-01-27 | Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006209126A true JP2006209126A (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=36130055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006016871A Pending JP2006209126A (ja) | 2005-01-27 | 2006-01-25 | フォトマスク製作に適したモリブデン層をエッチングするための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8293430B2 (ja) |
EP (1) | EP1686420A3 (ja) |
JP (1) | JP2006209126A (ja) |
KR (1) | KR100822294B1 (ja) |
TW (1) | TWI338332B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006209128A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Applied Materials Inc | 保護マスクを使用したホトマスクプラズマエッチング方法 |
TWI453529B (zh) * | 2008-04-02 | 2014-09-21 | Hoya Corp | 相偏移光罩基底及相偏移光罩之製造方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7064078B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
KR100615583B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 노드 절연막 패턴에 구속된 상전이막 패턴을 갖는 피이.램의 형성방법들 |
US7829471B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cluster tool and method for process integration in manufacturing of a photomask |
US8187483B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-05-29 | Jason Plumhoff | Method to minimize CD etch bias |
CN101501568B (zh) * | 2006-08-11 | 2013-07-10 | 奥立孔美国公司 | 最小化cd蚀刻偏差的方法 |
KR101294271B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2013-08-08 | 주식회사 에스앤에스텍 | 대면적 투과 제어 블랭크 마스크 및 이를 이용한 대면적 투과 제어 포토마스크의 제조방법 |
US7635546B2 (en) * | 2006-09-15 | 2009-12-22 | Applied Materials, Inc. | Phase shifting photomask and a method of fabricating thereof |
KR20080033589A (ko) * | 2006-10-12 | 2008-04-17 | 삼성전자주식회사 | 금속 배선의 제조 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
US7871742B2 (en) * | 2007-04-05 | 2011-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for controlling phase angle of a mask by post-treatment |
US20080286698A1 (en) * | 2007-05-18 | 2008-11-20 | Haoren Zhuang | Semiconductor device manufacturing methods |
KR100955681B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2010-05-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 자기조립분자를 이용한 포토마스크의 제조방법 |
KR101033354B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2011-05-09 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
WO2013055586A1 (en) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method for etching euv reflective multi-material layers utilized to form a photomask |
US8778574B2 (en) | 2012-11-30 | 2014-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask |
US9612521B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9417515B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-16 | Applied Materials, Inc. | Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9354508B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9632411B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor |
US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
CA2930836A1 (en) * | 2013-11-17 | 2015-05-21 | Quantum-Si Incorporated | Active-source-pixel, integrated device for rapid analysis of biological and chemical specimens |
US9660603B2 (en) * | 2015-04-09 | 2017-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Sloped termination in molybdenum layers and method of fabricating |
KR20230117764A (ko) * | 2017-01-05 | 2023-08-09 | 매직 립, 인코포레이티드 | 플라즈마 에칭에 의한 고굴절률 유리들의 패터닝 |
US10727045B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
CN113169116A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 应用材料公司 | 图案化金属层的方法 |
KR20240100436A (ko) * | 2021-11-16 | 2024-07-01 | 램 리써치 코포레이션 | 유기 클로라이드를 사용한 실리콘 에칭 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59154A (ja) * | 1982-05-26 | 1984-01-05 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 |
JPH104084A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Sony Corp | 金属系膜のエッチング方法 |
JP2000267255A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Sharp Corp | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2002351046A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその設計方法 |
JP2003248292A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに積層体 |
JP2004038154A (ja) * | 2002-05-14 | 2004-02-05 | Applied Materials Inc | フォトリソグラフィレチクルをエッチングする方法 |
Family Cites Families (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4357195A (en) | 1979-06-25 | 1982-11-02 | Tegal Corporation | Apparatus for controlling a plasma reaction |
US4263088A (en) | 1979-06-25 | 1981-04-21 | Motorola, Inc. | Method for process control of a plasma reaction |
US4310380A (en) | 1980-04-07 | 1982-01-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Plasma etching of silicon |
EP0054736B1 (en) | 1980-12-22 | 1985-05-22 | Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha | Photomask and photomask blank |
JPS59162276A (ja) | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
JPS6050923A (ja) | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Hitachi Ltd | プラズマ表面処理方法 |
US4484978A (en) | 1983-09-23 | 1984-11-27 | Fairchild Camera & Instrument Corp. | Etching method |
JPS6077429A (ja) | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Asahi Glass Co Ltd | ドライエツチング方法 |
US4855017A (en) | 1985-05-03 | 1989-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor |
US4784720A (en) | 1985-05-03 | 1988-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor |
US4741799A (en) | 1985-05-06 | 1988-05-03 | International Business Machines Corporation | Anisotropic silicon etching in fluorinated plasma |
CA1260365A (en) | 1985-05-06 | 1989-09-26 | Lee Chen | Anisotropic silicon etching in fluorinated plasma |
US4666555A (en) | 1985-08-23 | 1987-05-19 | Intel Corporation | Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures |
DE3613181C2 (de) | 1986-04-18 | 1995-09-07 | Siemens Ag | Verfahren zum Erzeugen von Gräben mit einstellbarer Steilheit der Grabenwände in aus Silizium bestehenden Halbleitersubstraten |
JPS62253785A (ja) | 1986-04-28 | 1987-11-05 | Tokyo Univ | 間欠的エツチング方法 |
US4726879A (en) | 1986-09-08 | 1988-02-23 | International Business Machines Corporation | RIE process for etching silicon isolation trenches and polycides with vertical surfaces |
US4713141A (en) | 1986-09-22 | 1987-12-15 | Intel Corporation | Anisotropic plasma etching of tungsten |
FR2616030A1 (fr) | 1987-06-01 | 1988-12-02 | Commissariat Energie Atomique | Procede de gravure ou de depot par plasma et dispositif pour la mise en oeuvre du procede |
JPS6432627A (en) | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Low-temperature dry etching method |
US5643473A (en) | 1987-07-31 | 1997-07-01 | Hitachi, Ltd. | Dry etching method |
DE3733135C1 (de) | 1987-10-01 | 1988-09-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten oder AEtzen mittels eines Plasmas |
GB2212974B (en) | 1987-11-25 | 1992-02-12 | Fuji Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus |
US5316616A (en) | 1988-02-09 | 1994-05-31 | Fujitsu Limited | Dry etching with hydrogen bromide or bromine |
JP2918892B2 (ja) | 1988-10-14 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理方法 |
KR900013595A (ko) | 1989-02-15 | 1990-09-06 | 미다 가쓰시게 | 플라즈마 에칭방법 및 장치 |
US4889588A (en) | 1989-05-01 | 1989-12-26 | Tegal Corporation | Plasma etch isotropy control |
US5429070A (en) | 1989-06-13 | 1995-07-04 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
JPH0383335A (ja) | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Hitachi Ltd | エッチング方法 |
DE3940083A1 (de) | 1989-12-04 | 1991-06-13 | Siemens Ag | Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnen in integrierten halbleiterschaltungen |
US5160408A (en) | 1990-04-27 | 1992-11-03 | Micron Technology, Inc. | Method of isotropically dry etching a polysilicon containing runner with pulsed power |
KR930004713B1 (ko) | 1990-06-18 | 1993-06-03 | 삼성전자 주식회사 | 변조방식을 이용한 플라즈마 발생장치 및 방법 |
EP0489407A3 (en) | 1990-12-03 | 1992-07-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using uhf/vhf resonant antenna source, and processes |
JPH04303929A (ja) | 1991-01-29 | 1992-10-27 | Micron Technol Inc | シリコン基板をトレンチ・エッチングするための方法 |
JPH04311033A (ja) | 1991-02-20 | 1992-11-02 | Micron Technol Inc | 半導体デバイスのエッチング後処理方法 |
US5164330A (en) | 1991-04-17 | 1992-11-17 | Intel Corporation | Etchback process for tungsten utilizing a NF3/AR chemistry |
US5358601A (en) | 1991-09-24 | 1994-10-25 | Micron Technology, Inc. | Process for isotropically etching semiconductor devices |
JP3024317B2 (ja) | 1991-10-25 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE69226253T2 (de) | 1992-01-24 | 1998-12-17 | Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif. | Plasmaätzverfahren und Reaktor zur Plasmabearbeitung |
US5242538A (en) | 1992-01-29 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etch process including hydrogen radicals |
JP2988122B2 (ja) | 1992-05-14 | 1999-12-06 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
US5716494A (en) | 1992-06-22 | 1998-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method, chemical vapor deposition method, and apparatus for processing semiconductor substrate |
US5352324A (en) | 1992-11-05 | 1994-10-04 | Hitachi, Ltd. | Etching method and etching apparatus therefor |
JP3064769B2 (ja) | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
US5674647A (en) | 1992-11-21 | 1997-10-07 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
US5486706A (en) | 1993-05-26 | 1996-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Quantization functional device utilizing a resonance tunneling effect and method for producing the same |
US5691246A (en) | 1993-05-13 | 1997-11-25 | Micron Technology, Inc. | In situ etch process for insulating and conductive materials |
US5433823A (en) | 1993-09-30 | 1995-07-18 | Cain; John L. | Selective dry-etching of bi-layer passivation films |
JP3453435B2 (ja) | 1993-10-08 | 2003-10-06 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
KR100276736B1 (ko) | 1993-10-20 | 2001-03-02 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
US5468341A (en) | 1993-12-28 | 1995-11-21 | Nec Corporation | Plasma-etching method and apparatus therefor |
US5952128A (en) | 1995-08-15 | 1999-09-14 | Ulvac Coating Corporation | Phase-shifting photomask blank and method of manufacturing the same as well as phase-shifting photomask |
JPH0892765A (ja) | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
EP0704886A1 (en) | 1994-09-29 | 1996-04-03 | Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno - CoRiMMe | Process for etching cobalt silicide layers |
EP0706070A3 (de) | 1994-10-04 | 1997-04-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Trockenätzen eines Halbleitersubstrats |
JP3799073B2 (ja) | 1994-11-04 | 2006-07-19 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング方法 |
US5683538A (en) | 1994-12-23 | 1997-11-04 | International Business Machines Corporation | Control of etch selectivity |
EP0729175A1 (en) | 1995-02-24 | 1996-08-28 | International Business Machines Corporation | Method for producing deep vertical structures in silicon substrates |
US5614060A (en) | 1995-03-23 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for etching metal in integrated circuit structure with high selectivity to photoresist and good metal etch residue removal |
JP3397933B2 (ja) | 1995-03-24 | 2003-04-21 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。 |
JPH11504028A (ja) * | 1995-04-24 | 1999-04-06 | イースム リサーチ ディベロップメント カンパニー オブ ザ ヒーブル ユニバーシティ オブ エルサレム | 油/水エマルジョンを作り出す自己乳化性配合物 |
US6693310B1 (en) | 1995-07-19 | 2004-02-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US5759921A (en) | 1995-09-21 | 1998-06-02 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit device fabrication by plasma etching |
FR2739494B1 (fr) | 1995-09-29 | 1997-11-14 | Suisse Electronique Microtech | Procede de fabrication de pieces de micromecanique ayant une partie en diamant constituee au moins d'une pointe, et pieces de micromecanique comportant au moins une pointe en diamant |
US5854136A (en) | 1996-03-25 | 1998-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Three-step nitride etching process for better critical dimension and better vertical sidewall profile |
US5843847A (en) | 1996-04-29 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric layers with high selectivity and low microloading |
KR100230981B1 (ko) | 1996-05-08 | 1999-11-15 | 김광호 | 반도체장치 제조공정의 플라즈마 식각 방법 |
US5874363A (en) | 1996-05-13 | 1999-02-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polycide etching with HCL and chlorine |
US5880033A (en) | 1996-06-17 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Method for etching metal silicide with high selectivity to polysilicon |
US5866483A (en) | 1997-04-04 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method for anisotropically etching tungsten using SF6, CHF3, and N2 |
US5965463A (en) | 1997-07-03 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Silane etching process |
DE19736370C2 (de) | 1997-08-21 | 2001-12-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium |
US6872322B1 (en) | 1997-11-12 | 2005-03-29 | Applied Materials, Inc. | Multiple stage process for cleaning process chambers |
US5933729A (en) | 1997-12-08 | 1999-08-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduction of ONO fence during self-aligned etch to eliminate poly stringers |
US6025271A (en) | 1997-12-08 | 2000-02-15 | Micron Technology, Inc. | Method of removing surface defects or other recesses during the formation of a semiconductor device |
US6143476A (en) | 1997-12-12 | 2000-11-07 | Applied Materials Inc | Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack |
JP3262529B2 (ja) | 1997-12-19 | 2002-03-04 | ホーヤ株式会社 | 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク |
US6919168B2 (en) | 1998-01-13 | 2005-07-19 | Applied Materials, Inc. | Masking methods and etching sequences for patterning electrodes of high density RAM capacitors |
US6037265A (en) | 1998-02-12 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Etchant gas and a method for etching transistor gates |
US5994235A (en) | 1998-06-24 | 1999-11-30 | Lam Research Corporation | Methods for etching an aluminum-containing layer |
JP2000114246A (ja) | 1998-08-07 | 2000-04-21 | Ulvac Seimaku Kk | ドライエッチング方法および装置、フォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 |
JP2000098582A (ja) | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク及びそれらの製造方法、並びに該ブランクスの製造装置 |
US6312616B1 (en) | 1998-12-03 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching of polysilicon using fluorinated gas mixtures |
KR100311234B1 (ko) | 1999-01-18 | 2001-11-02 | 학교법인 인하학원 | 고품위 유도결합 플라즈마 리액터 |
US6583065B1 (en) | 1999-08-03 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Sidewall polymer forming gas additives for etching processes |
US6716758B1 (en) | 1999-08-25 | 2004-04-06 | Micron Technology, Inc. | Aspect ratio controlled etch selectivity using time modulated DC bias voltage |
US6472107B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-10-29 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for photomask plasma etching |
US6682861B2 (en) | 1999-09-30 | 2004-01-27 | Photronics, Inc. | Disposable hard mask for phase shift photomask plasma etching |
US6193855B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Use of modulated inductive power and bias power to reduce overhang and improve bottom coverage |
JP2001201842A (ja) | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
US6221784B1 (en) | 1999-11-29 | 2001-04-24 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for sequentially etching a wafer using anisotropic and isotropic etching |
US6277763B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing of tungsten using a gas mixture comprising a fluorinated gas and oxygen |
US6403267B1 (en) | 2000-01-21 | 2002-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for high transmittance attenuated phase-shifting mask fabrication |
US6527968B1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Two-stage self-cleaning silicon etch process |
JP4686006B2 (ja) | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
US6391790B1 (en) | 2000-05-22 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching photomasks |
KR20020009410A (ko) | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 포만 제프리 엘 | 3원 리소그래픽 att-PSM 포토마스크 및 그 제조 방법 |
DE10100822C2 (de) | 2001-01-10 | 2003-04-10 | Infineon Technologies Ag | Plasmaätzverfahren für MoSi(ON)-Schichten |
US20020177321A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-11-28 | Li Si Yi | Plasma etching of silicon carbide |
US6670278B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching of silicon carbide |
WO2003021659A1 (en) | 2001-09-04 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for etching metal layers on substrates |
TW567394B (en) | 2001-10-22 | 2003-12-21 | Unaxis Usa Inc | Apparatus for processing a photomask, method for processing a substrate, and method of employing a plasma reactor to etch a thin film upon a substrate |
US6720132B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Bi-layer photoresist dry development and reactive ion etch method |
DE10307518B4 (de) * | 2002-02-22 | 2011-04-14 | Hoya Corp. | Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung |
KR20030071194A (ko) * | 2002-02-28 | 2003-09-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이유브이 노광 공정용 위상반전마스크 및 그 제조방법 |
US7169695B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Method for forming a dual damascene structure |
US20040086787A1 (en) | 2002-11-05 | 2004-05-06 | Waheed Nabila Lehachi | Alternating aperture phase shift photomask having plasma etched isotropic quartz features |
US20040097077A1 (en) | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a deep trench |
US7179754B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-02-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for plasma nitridation of gate dielectrics using amplitude modulated radio-frequency energy |
KR100506938B1 (ko) | 2003-07-04 | 2005-08-05 | 삼성전자주식회사 | 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법 |
KR100641952B1 (ko) * | 2004-02-06 | 2006-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
-
2005
- 2005-01-27 US US11/044,358 patent/US8293430B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-23 TW TW095102511A patent/TWI338332B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-01-25 KR KR1020060007614A patent/KR100822294B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-01-25 JP JP2006016871A patent/JP2006209126A/ja active Pending
- 2006-01-26 EP EP06250435A patent/EP1686420A3/en not_active Ceased
-
2012
- 2012-10-16 US US13/652,822 patent/US20130040231A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59154A (ja) * | 1982-05-26 | 1984-01-05 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | プラズマエツチングに耐性を有するレジストマスクを形成する方法 |
JPH104084A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Sony Corp | 金属系膜のエッチング方法 |
JP2000267255A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Sharp Corp | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP2002351046A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Nec Corp | 位相シフトマスクおよびその設計方法 |
JP2003248292A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに積層体 |
JP2004038154A (ja) * | 2002-05-14 | 2004-02-05 | Applied Materials Inc | フォトリソグラフィレチクルをエッチングする方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006209128A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Applied Materials Inc | 保護マスクを使用したホトマスクプラズマエッチング方法 |
TWI453529B (zh) * | 2008-04-02 | 2014-09-21 | Hoya Corp | 相偏移光罩基底及相偏移光罩之製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100822294B1 (ko) | 2008-04-16 |
TW200636865A (en) | 2006-10-16 |
US20130040231A1 (en) | 2013-02-14 |
TWI338332B (en) | 2011-03-01 |
US8293430B2 (en) | 2012-10-23 |
EP1686420A2 (en) | 2006-08-02 |
US20060166108A1 (en) | 2006-07-27 |
EP1686420A3 (en) | 2008-06-04 |
KR20060086864A (ko) | 2006-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100304 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110726 |