JPS59162276A - 反応性イオンエツチング方法 - Google Patents
反応性イオンエツチング方法Info
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- JPS59162276A JPS59162276A JP58036924A JP3692483A JPS59162276A JP S59162276 A JPS59162276 A JP S59162276A JP 58036924 A JP58036924 A JP 58036924A JP 3692483 A JP3692483 A JP 3692483A JP S59162276 A JPS59162276 A JP S59162276A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体集積回路の製造に際して、ゲート材料、
配線材料などをエツチングするだめの反応性イオンエツ
チング方法に係り、特にモリブデン(vLo)およびそ
のシリコン化合物(モリブデンシリサイド)の微細加工
に使用される方法に関する。
配線材料などをエツチングするだめの反応性イオンエツ
チング方法に係り、特にモリブデン(vLo)およびそ
のシリコン化合物(モリブデンシリサイド)の微細加工
に使用される方法に関する。
集積回路の高密度化に伴い、ゲート材料および配線材料
の素子尚たりの長さが長くなり、その祠料自身の持つ電
気抵抗が間融となる。即ち、回路動作の遅延が素子設計
の妨げとなる。また、現在の集積回路製造プロセスの通
用性から、材料としては1000℃前後の高温に耐え得
ることが要求される。これらの障壁を乗り越えるため、
高融点金属であるモリブデンおよびそのシリコン化合物
が近年注目されている。これらの加工には、当然、フォ
トレジスト等のマスク拐の寸法に忠実にエツチングする
反応性イオンエツチング方法が使用される。モリブデン
シリサイドをエツチングする方法で初期に報告されたの
は、CF、とo2の混合ガスを用いる方法であるが、こ
の系ではいわゆるアンダーカットが避は難く、微細加工
には向いていない。
の素子尚たりの長さが長くなり、その祠料自身の持つ電
気抵抗が間融となる。即ち、回路動作の遅延が素子設計
の妨げとなる。また、現在の集積回路製造プロセスの通
用性から、材料としては1000℃前後の高温に耐え得
ることが要求される。これらの障壁を乗り越えるため、
高融点金属であるモリブデンおよびそのシリコン化合物
が近年注目されている。これらの加工には、当然、フォ
トレジスト等のマスク拐の寸法に忠実にエツチングする
反応性イオンエツチング方法が使用される。モリブデン
シリサイドをエツチングする方法で初期に報告されたの
は、CF、とo2の混合ガスを用いる方法であるが、こ
の系ではいわゆるアンダーカットが避は難く、微細加工
には向いていない。
更に、近年、四塩化炭素(CC/V、)と02 との
1.fM合ガスを用いる系でのエツチングに関して、r
K、N15hioka、 et al ’Aniso
tropic Etchingof Mo5i2/po
ly−8i Double Layer Films
withChlorinated Gas Plasm
a’ Proceeding ofSymposium
on Dry Process 1982 51 J
により報告されている。この方法においては、反応生成
物はモリブデンの塩化物およびモリブデンの塩素および
酸素との化合物、さらにンリフン順化物である。この場
合、CC/4単体を用いたのでは、不揮発性の余分な炭
素が発生し、これがモリブデンシリサイド表面に堆積し
、エツチングを阻害する。そこで、この炭素と結びつい
て揮発性のCo、 co、を形成して炭素を取り去り、
エツチングを促鵡するために、添加酸素を用いる。しか
し、パ浚素の添加は、過剰になるとマスク材であるフォ
トレジストの灰化を招来するので、限度がある。そのた
め、従来のc’cz、、o□糸では、02添加を一定量
以下に抑えるので、モリブデンシリサイド表面への炭素
堆積はある程度避は雌く、これを除去するには試料表面
へのイオン衝撃全必要とする。反応性イオンエツチング
においては、イオン衝撃は主として圧力によシ左右され
るので、CC’ 4 + 02系では比軟的低圧でエツ
チングを行なう必要がある。しかしながら、マスク材フ
ォトレジストおよび下地ノリコン酸化tr= (Sio
2)のエツチング速度は主としてイオン衝撃により決ま
り、もし低圧にしてイオン衝iを犬とすると、5102
、レジストのエツチング速度は急速に犬となり、モリブ
デンシリサイドとの選択比が小さくなる。高密度集積回
路では、ゲート酸化膜はますます薄くなる傾向にあシ、
モリブデンシリサイドをゲート材として使用する際には
、この球な低選択比のエツチング方法では充分とは言い
雌い。
1.fM合ガスを用いる系でのエツチングに関して、r
K、N15hioka、 et al ’Aniso
tropic Etchingof Mo5i2/po
ly−8i Double Layer Films
withChlorinated Gas Plasm
a’ Proceeding ofSymposium
on Dry Process 1982 51 J
により報告されている。この方法においては、反応生成
物はモリブデンの塩化物およびモリブデンの塩素および
酸素との化合物、さらにンリフン順化物である。この場
合、CC/4単体を用いたのでは、不揮発性の余分な炭
素が発生し、これがモリブデンシリサイド表面に堆積し
、エツチングを阻害する。そこで、この炭素と結びつい
て揮発性のCo、 co、を形成して炭素を取り去り、
エツチングを促鵡するために、添加酸素を用いる。しか
し、パ浚素の添加は、過剰になるとマスク材であるフォ
トレジストの灰化を招来するので、限度がある。そのた
め、従来のc’cz、、o□糸では、02添加を一定量
以下に抑えるので、モリブデンシリサイド表面への炭素
堆積はある程度避は雌く、これを除去するには試料表面
へのイオン衝撃全必要とする。反応性イオンエツチング
においては、イオン衝撃は主として圧力によシ左右され
るので、CC’ 4 + 02系では比軟的低圧でエツ
チングを行なう必要がある。しかしながら、マスク材フ
ォトレジストおよび下地ノリコン酸化tr= (Sio
2)のエツチング速度は主としてイオン衝撃により決ま
り、もし低圧にしてイオン衝iを犬とすると、5102
、レジストのエツチング速度は急速に犬となり、モリブ
デンシリサイドとの選択比が小さくなる。高密度集積回
路では、ゲート酸化膜はますます薄くなる傾向にあシ、
モリブデンシリサイドをゲート材として使用する際には
、この球な低選択比のエツチング方法では充分とは言い
雌い。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、実用に供
し得る十分なエツチング速度を有し、しかもマスク材フ
ォトレジストおよび下地シリコン酸化膜とモリブデンシ
リサイドとの間に大きな選択比を有し、優れた加工形状
性を持つ反応性イオンエツチング方法を提供するもので
ある。
し得る十分なエツチング速度を有し、しかもマスク材フ
ォトレジストおよび下地シリコン酸化膜とモリブデンシ
リサイドとの間に大きな選択比を有し、優れた加工形状
性を持つ反応性イオンエツチング方法を提供するもので
ある。
本発明は、先ず反応性ガスとして単に塩素CI!2を用
いた場合のエツチング特性を調べ、その結果に基づいて
シリコン酸化物およびマスク材フォトレジストとのエツ
チング速度の差の起因、さらにはモリブデンおよびその
シリコン化合物の加工形状性(アンダーカット等)を考
察し、この場合の欠点を解消すべく研死を行なうことに
よってなされたものである。
いた場合のエツチング特性を調べ、その結果に基づいて
シリコン酸化物およびマスク材フォトレジストとのエツ
チング速度の差の起因、さらにはモリブデンおよびその
シリコン化合物の加工形状性(アンダーカット等)を考
察し、この場合の欠点を解消すべく研死を行なうことに
よってなされたものである。
即ち、本発明は、排気系を有する真空容器内に高周V車
力を印加し得る相対向する電極を有し、反応性ガス雰囲
気中で上記高周波小:カを印加した111]のm m上
に載置された試料をエツチングする反応性イオンエツチ
ング方法において、モリブデンおよびそのシリコン化合
物の少なくとも一方をエツチングする際、導入する反応
性ガスとして塩素と誠累との混合ガスであって酸素が塩
素と壕素との総流耽のほぼ30%以下である混合ガスを
1更用することを=FflJ!とするものである。
力を印加し得る相対向する電極を有し、反応性ガス雰囲
気中で上記高周波小:カを印加した111]のm m上
に載置された試料をエツチングする反応性イオンエツチ
ング方法において、モリブデンおよびそのシリコン化合
物の少なくとも一方をエツチングする際、導入する反応
性ガスとして塩素と誠累との混合ガスであって酸素が塩
素と壕素との総流耽のほぼ30%以下である混合ガスを
1更用することを=FflJ!とするものである。
このような方法によれば、02の添加により各材料に及
ぼすエツチング速度の影響の違いが生じ、実用に供し得
る十分なエツチング速度で且つ十分な選択比が得られ、
しかも優れた加工形状性が得られることが確認された。
ぼすエツチング速度の影響の違いが生じ、実用に供し得
る十分なエツチング速度で且つ十分な選択比が得られ、
しかも優れた加工形状性が得られることが確認された。
以下、図面を参照して本発明方法の一実施例を詳紐1に
説明する。
説明する。
舅1図は、本発明方法で使用される反応性イオンエツチ
ング装置の一例を示しており、1は排気系10を有する
真空容器であり、その内部には相対向する上部電極2あ
・よび下部電極3が設置されている。上部′It僕2は
接地され、試料4が載置される下部電極3には、インピ
ーダンス整合用のマツチングボックス5を介して高周波
(RF)電源6からRF電力が印加される。7は循還水
パイプ、8は一定温度にした熱媒を上記パイプ7を介し
て循還することにょシ前記下部電極3の温度を一定(0
”C〜200 ℃の任意の温麓)に保持するだめの温疲
脚節器である。
ング装置の一例を示しており、1は排気系10を有する
真空容器であり、その内部には相対向する上部電極2あ
・よび下部電極3が設置されている。上部′It僕2は
接地され、試料4が載置される下部電極3には、インピ
ーダンス整合用のマツチングボックス5を介して高周波
(RF)電源6からRF電力が印加される。7は循還水
パイプ、8は一定温度にした熱媒を上記パイプ7を介し
て循還することにょシ前記下部電極3の温度を一定(0
”C〜200 ℃の任意の温麓)に保持するだめの温疲
脚節器である。
9は前記真空容器1内の圧力を一定に保つための圧力両
節器であり、前記排気系10に接続されている。11は
真空容器lのガス尋人孔であり、流は調節器12.13
を介して各対応してC/2ガス源14、o2ガス諒15
がら反応性ガスの一定晴を真空容器1内に導入するだめ
のものである。
節器であり、前記排気系10に接続されている。11は
真空容器lのガス尋人孔であり、流は調節器12.13
を介して各対応してC/2ガス源14、o2ガス諒15
がら反応性ガスの一定晴を真空容器1内に導入するだめ
のものである。
上記エツチング装置においては、RF電力が印加される
下部電極3の付近に減流成分自己バイアスVdcが発生
し、下部電極3の威信Vcはプラズマ電位Vpに比べて
数十〜数百■低くなる。この自己バイアスVdcにより
プラズマ中の+(プラス)イオンが加速されて試料40
表面に衝突する。本実施例で使用するエツチング装置で
は、上部電極2電位Vaと下部電極3電泣Vc との差
を測って前記自己バイアスVdcに当てている。上部電
極2の電位’Va とプラズマ電位vpとの差は、高々
〜数士v程度であり、上記のようにVaとVcとの差を
Vdcに当てるようにしても大きな誤差は出ない。した
がって、以下の説明において’Vdcとして示されるの
は、vaとVCとの差のことである。
下部電極3の付近に減流成分自己バイアスVdcが発生
し、下部電極3の威信Vcはプラズマ電位Vpに比べて
数十〜数百■低くなる。この自己バイアスVdcにより
プラズマ中の+(プラス)イオンが加速されて試料40
表面に衝突する。本実施例で使用するエツチング装置で
は、上部電極2電位Vaと下部電極3電泣Vc との差
を測って前記自己バイアスVdcに当てている。上部電
極2の電位’Va とプラズマ電位vpとの差は、高々
〜数士v程度であり、上記のようにVaとVcとの差を
Vdcに当てるようにしても大きな誤差は出ない。した
がって、以下の説明において’Vdcとして示されるの
は、vaとVCとの差のことである。
なお、前記試料4としては、たとえば4インチ7リコン
ウ工ハー表面を400〜100OX熱「俊化したものの
上にDCマグネトロンスパッタ法によりモリブデンおよ
びモリブデン7リサイドを〜4000X付け、ポジ形の
フォトレジストによりパターニングしたものを用いた。
ウ工ハー表面を400〜100OX熱「俊化したものの
上にDCマグネトロンスパッタ法によりモリブデンおよ
びモリブデン7リサイドを〜4000X付け、ポジ形の
フォトレジストによりパターニングしたものを用いた。
次に、本発明方法を説明する前に、先ず塩素ガスによる
エツチングの基本特性を把握するために、第1図のエツ
チング装置において反応性ガスとしてC/2単体を用い
てエツチングを行なったときの各種材料のエツチング速
度と自己バイアスVdcと圧力との関係を第2図に示す
。即ち、系の圧力が高くなると自己バイアスVdcは小
さくなり、5i02 およびレジストのエツチング速に
もそれに従って小さくなる。上記5i02およびレジス
トのエツチングは、イオン衝撃によって支配されるので
、これらのエツチング速度を小さく保つためには圧力が
高い条件を使う必要がある。一方、モリブデンおよびモ
リブデンシリサイドは、エンチング速度は第2図に示す
ような傾向を示し、加工形状については共に広い圧力範
囲(0,05〜0.3 Torr ) に渡って椎直
な断面を有する異方性エツチングが実菖ルされる。この
優れた加工形状性は、次の球な理由に基づくものと考え
られる。即ち、モリブデンについては、スパッタリング
法によって形成した膜は、通常、表面に垂直な柱状結晶
の集合体となり、構造的に不安定な粒界からエツチング
されていくので、比1咬的垂直な断面形状を呈し易い。
エツチングの基本特性を把握するために、第1図のエツ
チング装置において反応性ガスとしてC/2単体を用い
てエツチングを行なったときの各種材料のエツチング速
度と自己バイアスVdcと圧力との関係を第2図に示す
。即ち、系の圧力が高くなると自己バイアスVdcは小
さくなり、5i02 およびレジストのエツチング速に
もそれに従って小さくなる。上記5i02およびレジス
トのエツチングは、イオン衝撃によって支配されるので
、これらのエツチング速度を小さく保つためには圧力が
高い条件を使う必要がある。一方、モリブデンおよびモ
リブデンシリサイドは、エンチング速度は第2図に示す
ような傾向を示し、加工形状については共に広い圧力範
囲(0,05〜0.3 Torr ) に渡って椎直
な断面を有する異方性エツチングが実菖ルされる。この
優れた加工形状性は、次の球な理由に基づくものと考え
られる。即ち、モリブデンについては、スパッタリング
法によって形成した膜は、通常、表面に垂直な柱状結晶
の集合体となり、構造的に不安定な粒界からエツチング
されていくので、比1咬的垂直な断面形状を呈し易い。
また、モリブデンシリサイドについては、シリコンの場
合では大きなアンダーカットが入り・由る圧力領域でも
十分異方性が実曳されており、これに(dモリブデンの
存在が効いていると考えられる。即ち、エツチング中、
側壁に何らかの反応生成物が付着してアンダーカットを
妨げていると考えられる(このことについては後に詳述
する)。このようなI11!l壁再付着によるアンダー
カット防止効果は、モリブデンの場合でも事1青は同じ
である。モリブデン、モリブデンシリサイドどちらの場
合でも、往々にしてエツチング途中で表面が茶色く変色
してエツチングが進行しなくなる場合が観察される。こ
の様に変色した表面をオージェ分析すると、MOとC/
のシグナルが犬きく出る。このことから、エツチングを
妨げる表面付着は、モリブデンと塩素との反応生成物M
oC’/x (X= 1〜5)と思える。
合では大きなアンダーカットが入り・由る圧力領域でも
十分異方性が実曳されており、これに(dモリブデンの
存在が効いていると考えられる。即ち、エツチング中、
側壁に何らかの反応生成物が付着してアンダーカットを
妨げていると考えられる(このことについては後に詳述
する)。このようなI11!l壁再付着によるアンダー
カット防止効果は、モリブデンの場合でも事1青は同じ
である。モリブデン、モリブデンシリサイドどちらの場
合でも、往々にしてエツチング途中で表面が茶色く変色
してエツチングが進行しなくなる場合が観察される。こ
の様に変色した表面をオージェ分析すると、MOとC/
のシグナルが犬きく出る。このことから、エツチングを
妨げる表面付着は、モリブデンと塩素との反応生成物M
oC’/x (X= 1〜5)と思える。
ここで、モリブデン塩化物は、その席料蒸気圧を調べる
と、第3図に示すようになり、SiC’/4に比べると
ずっと低く、不揮発性であることが分る。即ち、モリブ
デンと塩素の反応生成分は本来不揮発性であり、エツチ
ング中試料表面に堆積していく。しかし、この堆積速度
よりイオン衝撃によりはね飛ばされる率が高ければエツ
チングは進行する。c12でエツチングする場合に往々
にして表面が変色してエツチングが進行しない場合があ
るのは、上記堆積速度とイオン衝粧によりはね飛ばされ
る率とのバランスが崩れて堆積3水度の方が勝るためと
考えられる。そのことを支持する事実として、この再付
着は圧力か高い(♀、即ちイオン衝撃が小さい種発生し
ルア′1いことが頑察されている。時に、モリブデンの
、i、!7“1合では、第2図に示す圧力範囲では全て
若干の再付着が見られた。上記考察から容易に知コ[ト
される像に、アンダーカットを妨(叶る1則璧再付着物
も同じ反応生成物(主としてMoCl5 )と考えられ
る。この改とを示す次の様な実験結果がある。0.15
Torrの圧力条件でもモリブデンシリサイドをエツ
チングした断面形状は、第4図(a)に示すようになり
、良好な異方性を示す。
と、第3図に示すようになり、SiC’/4に比べると
ずっと低く、不揮発性であることが分る。即ち、モリブ
デンと塩素の反応生成分は本来不揮発性であり、エツチ
ング中試料表面に堆積していく。しかし、この堆積速度
よりイオン衝撃によりはね飛ばされる率が高ければエツ
チングは進行する。c12でエツチングする場合に往々
にして表面が変色してエツチングが進行しない場合があ
るのは、上記堆積速度とイオン衝粧によりはね飛ばされ
る率とのバランスが崩れて堆積3水度の方が勝るためと
考えられる。そのことを支持する事実として、この再付
着は圧力か高い(♀、即ちイオン衝撃が小さい種発生し
ルア′1いことが頑察されている。時に、モリブデンの
、i、!7“1合では、第2図に示す圧力範囲では全て
若干の再付着が見られた。上記考察から容易に知コ[ト
される像に、アンダーカットを妨(叶る1則璧再付着物
も同じ反応生成物(主としてMoCl5 )と考えられ
る。この改とを示す次の様な実験結果がある。0.15
Torrの圧力条件でもモリブデンシリサイドをエツ
チングした断面形状は、第4図(a)に示すようになり
、良好な異方性を示す。
ここで、41はシリコン基板、42は51o2.43は
モリブデンシリサイド、44はフォトレジストである。
モリブデンシリサイド、44はフォトレジストである。
これに対して、同じ条件で途中までエツチングして取り
出し、〜200℃の熱処理を加え、再度エツチングした
場合の断面形状は第4図(b)に示すようになる。この
ような形状になる理由は、第1段階のエツチング時に側
壁についた再付着物が熱処理で除去され、第2段階のエ
ツチングに際してはアンダーカットを引き起こしたため
である。
出し、〜200℃の熱処理を加え、再度エツチングした
場合の断面形状は第4図(b)に示すようになる。この
ような形状になる理由は、第1段階のエツチング時に側
壁についた再付着物が熱処理で除去され、第2段階のエ
ツチングに際してはアンダーカットを引き起こしたため
である。
上述したモリブデン、モリブデン7リサイドのC12単
体によるエツチング特性をまとめると、(11優れた異
方性を有する加工形状を示すが、これは不揮発性反応生
成物MoCl5がlI411 fflに付着してアンダ
ーカットを防いでいる。
体によるエツチング特性をまとめると、(11優れた異
方性を有する加工形状を示すが、これは不揮発性反応生
成物MoCl5がlI411 fflに付着してアンダ
ーカットを防いでいる。
(2)シばしば表面にも再付着が起さ、エツチングが進
行しないことがある。
行しないことがある。
以上のように、モリブデン、モリブデンシリサイドをC
I!2でエツチングするのは損得両面がある。そこで、
上記両面のうち得の面を余シ朋さないようにして偵の面
を改善することが望まれる。この場谷、たとえば反応生
成物としてMoFyとなるようにCF4 +02 ガ
スを1更用すると、蒸気圧は高くなり、表面再付着は発
生しないが、アンダーカットを伴ってしまう。
I!2でエツチングするのは損得両面がある。そこで、
上記両面のうち得の面を余シ朋さないようにして偵の面
を改善することが望まれる。この場谷、たとえば反応生
成物としてMoFyとなるようにCF4 +02 ガ
スを1更用すると、蒸気圧は高くなり、表面再付着は発
生しないが、アンダーカットを伴ってしまう。
そこで、本発明方法では、モリブデンの3弐と塩素の化
合物(MoC1xC/y)の蒸気圧が比較的商いことを
利用して反応生成物の一部をM00XCI!yに変える
べ(C12に02を添加し、かっC2がC12と02と
の総流階のほぼ30%以下の条件で反応性イオンエツチ
ングを行なうようにした。
合物(MoC1xC/y)の蒸気圧が比較的商いことを
利用して反応生成物の一部をM00XCI!yに変える
べ(C12に02を添加し、かっC2がC12と02と
の総流階のほぼ30%以下の条件で反応性イオンエツチ
ングを行なうようにした。
この02除加による各材料のエツチング速度およびYd
cの変化の結果を第5図に示している。
cの変化の結果を第5図に示している。
即’)、02 の少曖の添加によって、モリブデン、
モリブデンシリサイドの二ソチン・グ速度は急激に増大
する。この02 添加条件下では、表面再付着によるエ
ツチング阻害は見られない。C2の添加量をさらに増加
させると、上記とは逆にエツチング速度の(戚少が見ら
れるが、これは表面の酸化によるせいである。−万、レ
ジストのエツチング時出IWは、02 の増加と共に単
゛調に増大している。また、酸化膜(Sio2)のエツ
チング速度は、02 の増加に伴って、最初は若干低下
するが以降はほぼ一定で変らない。このことから、レジ
ストによび唆化J摸とモリブデン、モリブデンシリサイ
ドとの間で十分な選択比をとるには、02 添加量を
ほぼ30%以下にすることが必要であり、この場合に実
用に供し得るエツチング速度を有していることが第5図
から分る。
モリブデンシリサイドの二ソチン・グ速度は急激に増大
する。この02 添加条件下では、表面再付着によるエ
ツチング阻害は見られない。C2の添加量をさらに増加
させると、上記とは逆にエツチング速度の(戚少が見ら
れるが、これは表面の酸化によるせいである。−万、レ
ジストのエツチング時出IWは、02 の増加と共に単
゛調に増大している。また、酸化膜(Sio2)のエツ
チング速度は、02 の増加に伴って、最初は若干低下
するが以降はほぼ一定で変らない。このことから、レジ
ストによび唆化J摸とモリブデン、モリブデンシリサイ
ドとの間で十分な選択比をとるには、02 添加量を
ほぼ30%以下にすることが必要であり、この場合に実
用に供し得るエツチング速度を有していることが第5図
から分る。
さて、この仕に反応生成物の一部を揮発性のMo0xC
eYに変化させると、1jtjl +7の再付着物が減
り、アンダーカットを招来し易くなることが予想される
。事実、02添加熾が〜10%の条件では、異方性が実
現される圧力範囲がCI!2単体によるエツチング時に
比べて多少低圧側にずれる。余シ低圧条件下でエツチン
グすると、前述の憬K y8択比が得られなくなるっこ
のように刀n工形状の面からも02 除刀口量はほぼ3
0%以下に保つことが必要とされる。
eYに変化させると、1jtjl +7の再付着物が減
り、アンダーカットを招来し易くなることが予想される
。事実、02添加熾が〜10%の条件では、異方性が実
現される圧力範囲がCI!2単体によるエツチング時に
比べて多少低圧側にずれる。余シ低圧条件下でエツチン
グすると、前述の憬K y8択比が得られなくなるっこ
のように刀n工形状の面からも02 除刀口量はほぼ3
0%以下に保つことが必要とされる。
即ち、本発明方法では0□ 添加率がほぼ30条以下の
C12+02混合ガスでエツチングを行なっているので
、エツチングの再曳性が艮ぐ、常に再付着のない清浄な
表面が得られる。
C12+02混合ガスでエツチングを行なっているので
、エツチングの再曳性が艮ぐ、常に再付着のない清浄な
表面が得られる。
また、シリコン等のエツチングに比べて比較的商い圧力
でも優れた異方性を有する加工形状が得られるので、マ
スク材レジスト、下地酸化膜に対して大きな選択比を得
ることが可能である。
でも優れた異方性を有する加工形状が得られるので、マ
スク材レジスト、下地酸化膜に対して大きな選択比を得
ることが可能である。
〔発明の効果」
上述したように本発明の反応性イ゛オンエツチング方法
によれば、実用に供し得る十分なエツチング速度を有し
、しかもマスク拐フォトレジストおよび下地ンリコン酸
化1臭とモリブデン、モリブデンシリサイドとの間に太
き々選択比を有し、優れた加工形状性を有することがで
さ、半導体巣槓回i:!8における微d町加工に好瀬で
ある。
によれば、実用に供し得る十分なエツチング速度を有し
、しかもマスク拐フォトレジストおよび下地ンリコン酸
化1臭とモリブデン、モリブデンシリサイドとの間に太
き々選択比を有し、優れた加工形状性を有することがで
さ、半導体巣槓回i:!8における微d町加工に好瀬で
ある。
化1図は本発明に係る反応性イオンエソチンダ方法で使
用される反応性イオンエツチング装置よの−1り:」を
示す構成説明図、第2図はi、$1図の一支I直におい
て塩素カス単体を使用したとさの試料上の各種4問料の
エツチング屈曲、下部軍、極付近の自己バイアスと糸の
圧力゛との1男係を示す舶・1午図、43図は/リコン
の塩化物とモリブデンの塩化物の砲和蒸気圧を示す特性
図、第4区1(a)および第4図(b)はそれぞれモリ
ブデンシリサイドを塩素カス単体を使用して相異々る工
程でエツチングしたときに得られる断面形状を示す断面
図、第5図は本発明方法として第1図の@鋤゛において
塩素ガスに酸素ガスを添加して1史用したときの酸素カ
スの比率と試料上の各材料のエツチング速度、下部宜極
付近の自己ノくイアスとの関係を示す特性図である。 1・・・真空容器、2,3・・・電極、4・・・試料、
6・・・高周波電諒、10・・・排気系、14・・・c
e2ガス諒、15・・02ガス諒、41・・・ンリコン
總板、42・・SiO□、43・・・モリブデンシリサ
イド、44・・・レジスト。 出j娘人代哩人 弁士−士 売 江 1戊 彦第3図 200 300 400 500□5監渡
(0に) 第4図 (a) (b)
用される反応性イオンエツチング装置よの−1り:」を
示す構成説明図、第2図はi、$1図の一支I直におい
て塩素カス単体を使用したとさの試料上の各種4問料の
エツチング屈曲、下部軍、極付近の自己バイアスと糸の
圧力゛との1男係を示す舶・1午図、43図は/リコン
の塩化物とモリブデンの塩化物の砲和蒸気圧を示す特性
図、第4区1(a)および第4図(b)はそれぞれモリ
ブデンシリサイドを塩素カス単体を使用して相異々る工
程でエツチングしたときに得られる断面形状を示す断面
図、第5図は本発明方法として第1図の@鋤゛において
塩素ガスに酸素ガスを添加して1史用したときの酸素カ
スの比率と試料上の各材料のエツチング速度、下部宜極
付近の自己ノくイアスとの関係を示す特性図である。 1・・・真空容器、2,3・・・電極、4・・・試料、
6・・・高周波電諒、10・・・排気系、14・・・c
e2ガス諒、15・・02ガス諒、41・・・ンリコン
總板、42・・SiO□、43・・・モリブデンシリサ
イド、44・・・レジスト。 出j娘人代哩人 弁士−士 売 江 1戊 彦第3図 200 300 400 500□5監渡
(0に) 第4図 (a) (b)
Claims (1)
- 排気系を有する真空容器内に高周波電力を印加し得る相
対向する電極を有し、反応性ガス雰囲気中で上記高周阪
電力を印加した側の電極上に載置された試料をエツチン
グする反応性イオンエツチング方法において、モリブデ
ンおよびモリブデン化合物の少なくとも一方をエツチン
グする際、導入する反応性ガスとして塩素と酸素との混
合ガスであって酸素が塩素と酸素との総流量のほぼ30
%以下である混合ガスを使用することを特徴とする反応
性イオンエツチング方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58036924A JPS59162276A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 反応性イオンエツチング方法 |
US06/584,530 US4478678A (en) | 1983-03-07 | 1984-02-28 | Method of reactive ion etching molybdenum and molybdenum silicide |
EP84301475A EP0127268B1 (en) | 1983-03-07 | 1984-03-06 | Method of reactive ion etching molybdenum and molybdenum silicide |
DE8484301475T DE3482525D1 (de) | 1983-03-07 | 1984-03-06 | Verfahren zum reaktiven ionenaetzen von molybdaen und molybdaensilicid. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58036924A JPS59162276A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 反応性イオンエツチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59162276A true JPS59162276A (ja) | 1984-09-13 |
Family
ID=12483304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58036924A Pending JPS59162276A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | 反応性イオンエツチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4478678A (ja) |
EP (1) | EP0127268B1 (ja) |
JP (1) | JPS59162276A (ja) |
DE (1) | DE3482525D1 (ja) |
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JP2012129505A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-07-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置 |
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CN105470193A (zh) * | 2014-09-09 | 2016-04-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 金属钼材料的刻蚀方法 |
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-
1983
- 1983-03-07 JP JP58036924A patent/JPS59162276A/ja active Pending
-
1984
- 1984-02-28 US US06/584,530 patent/US4478678A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-03-06 EP EP84301475A patent/EP0127268B1/en not_active Expired
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