JP2007109808A - 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ - Google Patents
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Abstract
【課題】 ダイシング−ダイボンド用としての本来の機能を備えると共に、ダイシングフレームへの粘接着剤層の転着が起こりにくい、半導体装置の製造コストの低減に寄与する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ１１を固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレーム２２に接着する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルム１とこの上に設けられた粘接着剤層２とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び１０％において応力が１０〜４０ＭＰａ、破断伸び率が３００％以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が−１５℃以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
【選択図】 図３
【解決手段】 半導体ウエハ１１を固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレーム２２に接着する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルム１とこの上に設けられた粘接着剤層２とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び１０％において応力が１０〜４０ＭＰａ、破断伸び率が３００％以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が−１５℃以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
【選択図】 図３
Description
本発明は、半導体装置の製造にあたり、半導体ウエハを固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレームに接着する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープに関するものである。
ＩＣなどの半導体装置の組立工程では、半導体ウエハを固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレームに接着するために用いられる、基材フィルムとこの上に設けられた粘接着剤層とからなる熱硬化性半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープが種々提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
これらの粘接着テープは、ダイシング後、チップ裏面に粘接着剤層を貼り付けた状態で基材フィルムから剥離し、これをリードフレームに重ね合わせて加熱などにより硬化接着させるため、基材フィルムと粘接着剤層とは剥離容易に積層されている。
これらの粘接着テープは、ダイシング後、チップ裏面に粘接着剤層を貼り付けた状態で基材フィルムから剥離し、これをリードフレームに重ね合わせて加熱などにより硬化接着させるため、基材フィルムと粘接着剤層とは剥離容易に積層されている。
通常の粘着テープに用いられる基材フィルムでは、一般的に粘着剤層との密着性を良好なものとするために、コロナ放電、低圧水銀灯などを使用した表面処理装置を利用して、照射されるエネルギーによって生成されるオゾンにより基材表面を酸化させて基材フィルムの表面改質を行うか、あるいは基材フィルム表面にプライマーと呼ばれる粘着剤層との密着性を強固にするための材料を塗布するようにしている。
これに対し、前記の熱硬化性半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープは、ウエハ貼り合わせ部分の粘接着剤層を基材フィルムから剥離に容易するため、このような表面処理を施さないのが通例である。
これに対し、前記の熱硬化性半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープは、ウエハ貼り合わせ部分の粘接着剤層を基材フィルムから剥離に容易するため、このような表面処理を施さないのが通例である。
しかし、上記表面処理を施さない熱硬化性半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープでは、基材フィルムと粘接着剤層との密着性に劣るため、ダイシング時にウエハ固定用として使用する治具（ダイシングフレーム）に粘接着剤層が転着しやすく、治具の繰り返し使用に支障をきたす問題があった。
上記の転着を防ぐため、所定形状に加工した別の粘着テープを治具に貼り合わせるなどの方法が提案されているが（例えば、特許文献３，４参照）、これでは原料費、加工費ともにコストがかかり、半導体装置の製造コストの増大につながる。
特開平２−３２１８１号公報
特開平８−５３６５５号公報
特開平８−２１３３４９号公報
特開２００５−３３１７０号公報
上記の転着を防ぐため、所定形状に加工した別の粘着テープを治具に貼り合わせるなどの方法が提案されているが（例えば、特許文献３，４参照）、これでは原料費、加工費ともにコストがかかり、半導体装置の製造コストの増大につながる。
本発明は、このような事情に照らし、ダイシング−ダイボンド用としての本来の機能を備えると共に、ダイシング時にウエハ固定用として用いられるダイシングフレームへの粘接着剤層の転着が起こりにくく、このダイシングフレームの繰り返し使用が可能であり、もって半導体装置の製造コストの低減に寄与する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを提供することを目的としている。
本発明者らは、上記の課題の解決のため、鋭意検討した結果、基材フィルムとこの上に設けられた粘接着剤層とを具備する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープにおいて、上記の基材フィルムとして、引張試験による特定の物性を備えると共に、粘接着剤層が設けられる面に特定の表面処理を施したものを使用する一方、粘接着剤層として特定のガラス転移点を有するものを用いることにより、ダイシング−ダイボンド用としての本来の機能を備えると共に、ダイシング時にウエハ固定用として用いられるダイシングフレームへの粘接着剤層の転着が起こりにくく、ダイシングフレームの繰り返し使用が可能で、もって半導体装置の製造コストの低減に寄与する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープが得られることを見出した。
すなわち、上記特定構成の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープでは、ダイシングに際しては、基材フィルムと粘接着剤層との密着性が相対的に大きいために、半導体ウエハを良好に接着固定してダイシング作業を支障なく行え、このダイシング後、半導体チップをピックアップする際には、ウエハ貼り合わせ部分をエキスパンドすることで、基材フィルムと粘接着剤層との密着性を相対的に小さくでき、これにより基材フィルムと粘接着剤層との界面で剥離が生じて、チップ裏面に粘接着剤層が貼り付けられた半導体チップが得られ、このチップはこれを上記粘接着剤層を介してリードフレームに重ね合わせて接着することで、ダイボンド作業を行える。つまり、ダイシング−ダイボンド用としての本来の機能を十分に発揮させることができる。
一方、ダイシングに際してダイシングフレームに貼り合わされた部分は、ダイシング後のピックアップ時に上記のようなエキスパンドを受けないために、基材フィルムと粘接着剤層との密着性が相対的に大きい状態に維持されており、ダイシング−ピックアップの一連の作業後ダイシングフレームから粘接着テープを剥離する際に、粘接着剤層とダイシングフレーム界面での剥離が起こり、その結果、ダイシングフレームへの粘接着剤層の転着が起こらず、ダイシングフレームの繰り返し使用が可能となり、もって半導体装置の製造コストの低減に大きく寄与できることになる。
一方、ダイシングに際してダイシングフレームに貼り合わされた部分は、ダイシング後のピックアップ時に上記のようなエキスパンドを受けないために、基材フィルムと粘接着剤層との密着性が相対的に大きい状態に維持されており、ダイシング−ピックアップの一連の作業後ダイシングフレームから粘接着テープを剥離する際に、粘接着剤層とダイシングフレーム界面での剥離が起こり、その結果、ダイシングフレームへの粘接着剤層の転着が起こらず、ダイシングフレームの繰り返し使用が可能となり、もって半導体装置の製造コストの低減に大きく寄与できることになる。
また、本発明者らは、上記特定構成の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープにおいて、基材フィルムの背面、つまり粘接着剤層が設けられる面とは反対側の面を表面粗さＲａが０．３μｍ以上とするか、または滑剤コーティング処理することにより、エキスパンドによる基材フィルムと粘接着剤層との密着性の低下などに好結果が得られ、前記ピックアップ作業をスムースに行えること、また基材フィルムにおける粘接着剤層が設けられる面の表面処理をコロナ処理としたり、粘接着剤層を放射線硬化性としてエキスパンド後のピックアップ作業前に粘接着剤層を放射線硬化させることにより、前記本発明の効果をより良く発現できることも見出した。
本発明は、これらの知見に基づきなされたものであり、下記（１）〜（４）の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープに係るものである。
（１） 半導体ウエハを固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレームに接着する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルムとこの上に設けられた粘接着剤層とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び１０％において応力が１０〜４０ＭＰａ、破断伸び率が３００％以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が−１５℃以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（２） 基材フィルムは、背面（粘接着剤層が設けられる面とは反対側の面）が表面粗さＲａが０．３μｍ以上とされているか、または滑剤コーティング処理されている（１）に記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（３） 基材フィルムは、粘接着剤層が設けられる面の表面処理がコロナ処理である（１）または（２）に記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（４） 粘接着剤層は、放射線硬化性である（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（１） 半導体ウエハを固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレームに接着する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルムとこの上に設けられた粘接着剤層とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び１０％において応力が１０〜４０ＭＰａ、破断伸び率が３００％以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が−１５℃以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（２） 基材フィルムは、背面（粘接着剤層が設けられる面とは反対側の面）が表面粗さＲａが０．３μｍ以上とされているか、または滑剤コーティング処理されている（１）に記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（３） 基材フィルムは、粘接着剤層が設けられる面の表面処理がコロナ処理である（１）または（２）に記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
（４） 粘接着剤層は、放射線硬化性である（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
本発明の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープは、これを半導体ウエハに貼り合わせて上記ウエハをダイシングしたのちピックアップする際には、基材フィルムと粘接着剤層との剥離が起こって、粘接着剤層付半導体チップを容易に得ることができ、この半導体チップ（半導体素子）は、その粘接着剤層を利用してリードフレームに対して直接ダイボンドする、つまりダイレクトボンディングが可能となる。一方、上記ピックアップ後の粘接着テープをダイシングフレームから剥離する際には、上記フレームへ糊残りすることなく剥離できるので、ダイシングフレームの繰り返し使用が可能で、これにより半導体装置の製造コストの低減に大きく寄与できる。
本発明の好ましい実施態様について、図１を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０がリング状のダイシングフレーム１２に貼り付けられて、このリングフレーム１２の内側に位置する粘接着テープ１０に半導体ウエハ１１が貼り合わされた状態を示している。
本発明の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０は、基材フィルム１とこの上に設けられた粘接着剤層２とから構成されており、この粘接着剤層２により上記の半導体ウエハ１１が貼り合わされている。
図１は、本発明の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０がリング状のダイシングフレーム１２に貼り付けられて、このリングフレーム１２の内側に位置する粘接着テープ１０に半導体ウエハ１１が貼り合わされた状態を示している。
本発明の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０は、基材フィルム１とこの上に設けられた粘接着剤層２とから構成されており、この粘接着剤層２により上記の半導体ウエハ１１が貼り合わされている。
半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０は、使用工程や装置にあわせて、あらかじめ所定形状に切断（プリカット）されていてもよく、特に半導体ウエハ１枚分ごとに切断されていてもよく、これを長尺にしたロール状であってもよい。
また、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０は、半導体ウエハが貼り合わされる前の状態において、その粘接着剤層２を保護するために、粘接着剤層２上にさらにカバーフィルムが設けられていてもよい。
以下に、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０を構成する基材フィルム１と粘接着剤層２とについて、順に説明する。
また、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０は、半導体ウエハが貼り合わされる前の状態において、その粘接着剤層２を保護するために、粘接着剤層２上にさらにカバーフィルムが設けられていてもよい。
以下に、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０を構成する基材フィルム１と粘接着剤層２とについて、順に説明する。
基材フィルム１は、単層でもよいし、複層で構成されていてもよい。基材フィルムの厚さは、特に限定はなく、適宜に選択してよい。通常は、単層、複層のいずれにおいても、合計厚さとして、３０〜２００μｍであるのが好ましい。
基材フィルム１は、破断伸び率が３００％以上、より好ましくは４００％以上であるのがよく、これによりピックアップの際に粘接着テープをエキスパンドして粘接着剤層付半導体チップを基材フィルムから容易に剥離できる。
基材フィルム１は、破断伸び率が３００％以上、より好ましくは４００％以上であるのがよく、これによりピックアップの際に粘接着テープをエキスパンドして粘接着剤層付半導体チップを基材フィルムから容易に剥離できる。
また、基材フィルム１は、伸び１０％において応力が１０〜４０ＭＰａ、より好ましくは１５〜３０ＭＰａであるのがよく、これによりピックアップ終了後エキスパンドを解除した際に粘接着テープが一定の復元性を示すものとなる。
さらに、基材フィルム１は、その粘接着剤層が設けられる側の表面に、粘接着剤層との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設けるなどの適宜の表面処理が施される。特に好ましくはコロナ処理を施すのがよい。
さらに、基材フィルム１は、その粘接着剤層が設けられる側の表面に、粘接着剤層との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設けるなどの適宜の表面処理が施される。特に好ましくはコロナ処理を施すのがよい。
基材フィルム１を構成する材料は、上記物性値の範囲内であれば特に限定されず、従来公知の各種のプラスチック、ゴムなどを使用できる。
粘接着剤層として放射線照射により硬化して粘接着力の制御を行うタイプのものを使用する場合、基材フィルムは放射線透過性であるのが好ましく、粘接着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択するのが好ましい。
粘接着剤層として放射線照射により硬化して粘接着力の制御を行うタイプのものを使用する場合、基材フィルムは放射線透過性であるのが好ましく、粘接着剤が硬化する波長での放射線透過性の良いものを選択するのが好ましい。
このような材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンまたはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体などの熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。基材フィルム１は、これの材料を用いて、必要により複層の構成にしたものであってもよい。
なお、基材フィルム１は、ダイシング後、エキスパンドを行い粘接着剤層付半導体チップをピックアップするにあたり、粘接着剤層付半導体チップ間の間隙を大きくするため、ネッキング（基材フィルムを放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましい。
このような基材フィルムとしては、例えば、ポリウレタンのほか、スチレン−エチレン−ブテンまたはペンテン系共重合体などを例示することができる。モノマー成分としてスチレンを有する共重合体を使用する場合には、分子量やスチレン含有量を適宜選択するのが好ましい。また、ダイシング時の伸びやたわみを防止するには、架橋した基材フィルムを選択使用するのが望ましい。
このような基材フィルムとしては、例えば、ポリウレタンのほか、スチレン−エチレン−ブテンまたはペンテン系共重合体などを例示することができる。モノマー成分としてスチレンを有する共重合体を使用する場合には、分子量やスチレン含有量を適宜選択するのが好ましい。また、ダイシング時の伸びやたわみを防止するには、架橋した基材フィルムを選択使用するのが望ましい。
また、基材フィルム１は、粘接着剤層が設けられる面とは反対側の面、つまり基材背面がシボ加工などにより表面粗さＲａが０．３μｍ以上とされているか、または滑剤コーティング処理されているのが望ましい。これにより、粘接着テープ同士のブロッキングを防止することができ、また粘接着テープのエキスパンド時の治具（突上げ治具）との摩擦を減少することによる粘接着テープの拡張性向上の効果が得られ、半導体ウエハの貼り合わせ部分を良好にエキスパンドすることができる。
ただし、エキスパンド時に突上げ治具自体が滑剤処理などされているときは、基材背面のシボ加工や滑剤コーティング処理が必要でない場合もある。
ただし、エキスパンド時に突上げ治具自体が滑剤処理などされているときは、基材背面のシボ加工や滑剤コーティング処理が必要でない場合もある。
つぎに、粘接着剤層２は、厚さに関して特に限定はなく、適宜選択してよいが、通常は３〜１００μｍが好ましく、１０〜６０μｍがより好ましい。
粘接着剤層２は、ガラス転移点〔Ｔｇ〕が−１５℃以上であるのがよく、これにより粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理を行った基材フィルムに対する密着性を適切に制御できる。半導体ウエハやダイシング用リングフレームへの貼り合わせを室温で行うには、ガラス転移点が−１５℃〜０℃であるのがより好ましい。
粘接着剤層２は、ガラス転移点〔Ｔｇ〕が−１５℃以上であるのがよく、これにより粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理を行った基材フィルムに対する密着性を適切に制御できる。半導体ウエハやダイシング用リングフレームへの貼り合わせを室温で行うには、ガラス転移点が−１５℃〜０℃であるのがより好ましい。
また、粘接着剤層２は、放射線硬化性であるのが望ましい。半導体チップのピックアップ時に放射線を照射して硬化させると、エキスパンドによる基材フィルムと粘接着剤層との密着性の低下をより大きくすることができる。また、ピックアップ後、粘接着テープをダイシングフレームから剥離する際には、粘接着剤層とダイシングフレームとの密着性が低下して、上記フレームへの糊残りをより低減できる。
粘接着剤層２の成分としては、上記放射線硬化性のものに限定されず、公知の各種のものを使用できる。例えば、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／無機フィラーのブレンド系粘接着剤などが挙げられる
粘接着剤層２の成分としては、上記放射線硬化性のものに限定されず、公知の各種のものを使用できる。例えば、アクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂／無機フィラーのブレンド系粘接着剤などが挙げられる
中でも、アクリル系粘接着剤や、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ラウリルアクリレートのうちの１種または複数種と、アクリル酸またはメタクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレートを主成分とした共重合体と、エポキシ樹脂の混合物などからなる粘接着剤が好ましく用いられる。
さらに好ましくは、エチルアクリレート、メタクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレートがモル比で８０：５：１５からなる重量平均分子量２３万のアクリル系共重合体に２−イソシアネートエチルメタクリレートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対してモル比で６０％付加反応させた紫外線硬化性アクリル系共重合体１００質量部と、エチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートがモル比で８０：１０：１０からなる重量平均分子量１４万のアクリル系共重合体に２−イソシアネートエチルメタクリレートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対してモル比で６０％付加反応させた紫外線硬化性アクリル系共重合体１００質量部とを混合したアクリル系粘接着剤などを挙げることができる。
さらに好ましくは、エチルアクリレート、メタクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレートがモル比で８０：５：１５からなる重量平均分子量２３万のアクリル系共重合体に２−イソシアネートエチルメタクリレートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対してモル比で６０％付加反応させた紫外線硬化性アクリル系共重合体１００質量部と、エチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートがモル比で８０：１０：１０からなる重量平均分子量１４万のアクリル系共重合体に２−イソシアネートエチルメタクリレートを２−ヒドロキシエチルアクリレートに対してモル比で６０％付加反応させた紫外線硬化性アクリル系共重合体１００質量部とを混合したアクリル系粘接着剤などを挙げることができる。
放射線硬化性の粘接着剤において、放射線として紫外線を照射して硬化させる場合は、必要に応じて、光重合開始剤、例えば、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパンなどを使用することができる。
これら光重合開始剤の配合量は、ベースポリマーとしてアクリル系共重合体を使用したアクリル系粘接着剤の場合、アクリル系共重合体１００質量部に対して、通常、０．０１〜５質量部とするのが好ましい。
これら光重合開始剤の配合量は、ベースポリマーとしてアクリル系共重合体を使用したアクリル系粘接着剤の場合、アクリル系共重合体１００質量部に対して、通常、０．０１〜５質量部とするのが好ましい。
粘接着剤層２を構成する上記各種の粘接着剤には、必要に応じて、ダイボンド後の導電性や熱伝導性の付与を目的として、金属製微粉末やその他導電性または熱伝導性に優れる材料を添加することも可能である。
また、上記の粘接着剤には、熱安定性の向上を目的として、金属酸化物やガラスなどのの微粉末を添加することも可能である。さらに、必要により、着色剤、老化防止剤、酸化防止剤などの公知の各種の添加剤を含ませることもできる。
また、上記の粘接着剤には、熱安定性の向上を目的として、金属酸化物やガラスなどのの微粉末を添加することも可能である。さらに、必要により、着色剤、老化防止剤、酸化防止剤などの公知の各種の添加剤を含ませることもできる。
このような半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０は、その製造に関し、なんら限定はない。例えば、基材フィルム１上に、上記した粘接着剤を直接塗布し、乾燥することにより、またこの乾燥と同時にまたはその後の加熱処理により適宜の硬化処理を施すことにより、粘接着剤層を形成すればよい。
また、上記と同様の方法により、剥離性支持体上に粘接着剤層を形成したのち、この粘接着剤層を基材フィルム上に転写する方法を採用してもよい。その他、公知の各種方法により、製造できるものである。
また、上記と同様の方法により、剥離性支持体上に粘接着剤層を形成したのち、この粘接着剤層を基材フィルム上に転写する方法を採用してもよい。その他、公知の各種方法により、製造できるものである。
図２は、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ１０を図１に示すようにダイシングフレーム１２に貼り付けその内側に半導体ウエハ１１を貼り合わせた状態で、このウエハ１１を半導体チップ（半導体素子）にダイシングし、さらにこのダイシング後粘接着テープ１０をエキスバンドする工程を示したものである。
図中、１４は粘接着テープ１０をエキスバンドするための突上げ治具、１５は上記ダイシングおよびエキスバンドを行うための固定用のステージ、１６は突上げ治具１４による粘接着テープ１０の突き上げ高さである。また、３は粘接着テープ１０における半導体ウエハ１１の貼り合わせ部分であり、その他の符号は図１と同じである。
図中、１４は粘接着テープ１０をエキスバンドするための突上げ治具、１５は上記ダイシングおよびエキスバンドを行うための固定用のステージ、１６は突上げ治具１４による粘接着テープ１０の突き上げ高さである。また、３は粘接着テープ１０における半導体ウエハ１１の貼り合わせ部分であり、その他の符号は図１と同じである。
ダイシング時には、図２に示すように半導体ウエハ１１を所望の大きさの半導体チップに裁断すると同時に、粘接着テープ１０を構成する粘接着剤層２にもその厚さ方向の全体に切れ目を入れ、また基材フィルム１の一部にも切れ目を入れる。その際、半導体ウエハ１１は粘接着テープ１０により強固に接着固定されているため、上記のダイシング作業になんら支障をきたすことはとくにない。
このようにダイシングしたのち、突上げ治具１４により粘接着テープ１０を突上げることにより、この粘接着テープ１０の半導体ウエハ１１の貼り合わせ部分３をエキスバンドして、ダイシングされた半導体チップの間隙を、突き上げ高さ１０に応じて任意に広げ、これによりその後のピックアップを容易にする。
なお、上記突上げによるエキスバンドは、半導体ウエハ１１の貼り合わせ部分３に対して行うものであり、ダイシングフレーム１２に貼り付けられた部分の粘接着テープ１０はエキスバンドされず、元の状態を維持している。
このようにダイシングしたのち、突上げ治具１４により粘接着テープ１０を突上げることにより、この粘接着テープ１０の半導体ウエハ１１の貼り合わせ部分３をエキスバンドして、ダイシングされた半導体チップの間隙を、突き上げ高さ１０に応じて任意に広げ、これによりその後のピックアップを容易にする。
なお、上記突上げによるエキスバンドは、半導体ウエハ１１の貼り合わせ部分３に対して行うものであり、ダイシングフレーム１２に貼り付けられた部分の粘接着テープ１０はエキスバンドされず、元の状態を維持している。
図３は、上記のエキスバンド後に、各半導体チップをピックアップする工程を示したものである。図中、２０はピックアップのための吸着コレット、２１はピックアップを容易にする突上げピンであり、その他の符号は図１および図２と同じである。
図３に示すように、粘接着テープ１０の背面側から半導体チップに対応する所定部分を突上げピン２１により突上げながら、吸着コレット２０により半導体チップを吸着して、この半導体チップをピックアップする。
図３に示すように、粘接着テープ１０の背面側から半導体チップに対応する所定部分を突上げピン２１により突上げながら、吸着コレット２０により半導体チップを吸着して、この半導体チップをピックアップする。
その際、前記のエキスバンドにより、粘接着テープ１０における基材フィルム１と粘接着剤層２との密着性が低下しているため、粘接着剤層２が基材フィルム１から剥離され、半導体チップに貼り合わされた状態で容易にピックアップされる。
なお、粘接着剤層２が放射線硬化性であるときは、前記のエキスバンドを行う前に、基材フィルム１側から放射線を照射することにより、例えば、紫外線ランプを用いた通常の紫外線照射を行うことにより、基材フィルム１と粘接着剤層２との密着性の低下がより大きくなり、上記ピックアップがさらに容易となる。
なお、粘接着剤層２が放射線硬化性であるときは、前記のエキスバンドを行う前に、基材フィルム１側から放射線を照射することにより、例えば、紫外線ランプを用いた通常の紫外線照射を行うことにより、基材フィルム１と粘接着剤層２との密着性の低下がより大きくなり、上記ピックアップがさらに容易となる。
このようにピックアップされた粘接着剤層付半導体チップは、図３に示すように、その粘接着剤層を利用し、加熱などによる適宜の硬化処理を施すことにより、リードフレーム２２に対して直接ダイボンドすることができる。
一方、半導体チップをピックアップしたのちの粘接着テープ１０は、突上げ治具１４による突き上げを解除すると、基材フィルム１の復元性により容易に元の状態に戻り、その後ステージ１５およびダイシングフレーム１２から離脱させる。
その際、ダイシングフレーム１２に貼り付けられた部分の粘接着テープ１０は、既述のとおりエキスバンドされず、基材フィルム１と粘接着剤層２との密着性が良いため、粘接着剤層と上記フレームとの界面での剥離が可能であり、糊残りしてフレームを汚染させるおそれがなく、作業性良く剥離できる。したがって、ダイシングフレームの繰り返し使用が可能で、半導体装置の製造コストの低減に寄与できる。
一方、半導体チップをピックアップしたのちの粘接着テープ１０は、突上げ治具１４による突き上げを解除すると、基材フィルム１の復元性により容易に元の状態に戻り、その後ステージ１５およびダイシングフレーム１２から離脱させる。
その際、ダイシングフレーム１２に貼り付けられた部分の粘接着テープ１０は、既述のとおりエキスバンドされず、基材フィルム１と粘接着剤層２との密着性が良いため、粘接着剤層と上記フレームとの界面での剥離が可能であり、糊残りしてフレームを汚染させるおそれがなく、作業性良く剥離できる。したがって、ダイシングフレームの繰り返し使用が可能で、半導体装置の製造コストの低減に寄与できる。
つぎに、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。
なお、以下の実施例および比較例で使用した「基材フィルム１Ａ〜１Ｆ」は、下記のように作製したものである。また、以下の実施例および比較例で使用した「粘接着剤組成物２Ａ〜２Ｅ」は、下記のように調製したものである。
なお、以下の実施例および比較例で使用した「基材フィルム１Ａ〜１Ｆ」は、下記のように作製したものである。また、以下の実施例および比較例で使用した「粘接着剤組成物２Ａ〜２Ｅ」は、下記のように調製したものである。
＜基材フィルム１Ａ＞
エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製、商品名、ハイミラン１７０６）を両側からエチレン−メタクリル酸共重合体（三井デュポン・ケミカル製、商品名、ニュクレル０９０３ＨＣ）の層で挟んだ３層構成のフィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ａとした。
エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製、商品名、ハイミラン１７０６）を両側からエチレン−メタクリル酸共重合体（三井デュポン・ケミカル製、商品名、ニュクレル０９０３ＨＣ）の層で挟んだ３層構成のフィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ａとした。
＜基材フィルム１Ｂ＞
エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製、商品名、ハイミラン１７０６）の単層フィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｂをした。
エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製、商品名、ハイミラン１７０６）の単層フィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｂをした。
＜基材フィルム１Ｃ＞
ポリプロピレン（日本ポリケム社製、商品名、ＦＷ３Ｅ）と水素添加してなるスチレン・ブタジエン共重合体（ＪＳＲ社製、商品名、ダイナロン１３２０Ｐ）を７：３の割合で混合してなる単層フィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｃとした。
ポリプロピレン（日本ポリケム社製、商品名、ＦＷ３Ｅ）と水素添加してなるスチレン・ブタジエン共重合体（ＪＳＲ社製、商品名、ダイナロン１３２０Ｐ）を７：３の割合で混合してなる単層フィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｃとした。
＜基材フィルム１Ｄ＞
エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含量２０質量％）の単層フィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｄとした。
エチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含量２０質量％）の単層フィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｄとした。
＜基材フィルム１Ｅ＞
ポリブチレンテレフタレートフィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｅとした。
ポリブチレンテレフタレートフィルムの片面にシボ加工を施して、基材フィルム１Ｅとした。
＜基材フィルム１Ｆ＞
エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製、商品名、ハイミラン１７０６）を両側からエチレン−メタクリル酸共重合体（三井デュポン・ケミカル製、商品名、ニュクレル０９０３ＨＣ）の層で挟んだ３層構成のフィルムを、その片面にシボ加工を施すことなく、そのまま基材フィルム１Ｆとした。
エチレン−アイオノマー共重合体（三井デュポン・ケミカル社製、商品名、ハイミラン１７０６）を両側からエチレン−メタクリル酸共重合体（三井デュポン・ケミカル製、商品名、ニュクレル０９０３ＨＣ）の層で挟んだ３層構成のフィルムを、その片面にシボ加工を施すことなく、そのまま基材フィルム１Ｆとした。
＜粘接着剤組成物２Ａ＞
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）２０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（液状、エポキシ当量１８０）３０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ａを得た。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）２０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（液状、エポキシ当量１８０）３０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ａを得た。
＜粘接着剤組成物２Ｂ＞
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）２０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（液状、エポキシ当量１８０）３０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、光重合性炭素―炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート１０質量部、光開始重合剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、放射線硬化型の粘接着剤組成物２Ｂを得た。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）２０質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（液状、エポキシ当量１８０）３０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、光重合性炭素―炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート１０質量部、光開始重合剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、放射線硬化型の粘接着剤組成物２Ｂを得た。
＜粘接着剤組成物２Ｃ＞
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）４０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ｃを得た。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）４０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ｃを得た。
＜粘接着剤組成物２Ｄ＞
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）４０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー６０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量４０万、ガラス転移温度０℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ｄを得た。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）４０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー６０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量４０万、ガラス転移温度０℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ｄを得た。
＜粘接着剤組成物２Ｅ＞
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）５質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（液状、エポキシ当量１８０）４０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー１０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量６０万、ガラス転移温度−５０℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ｅを得た。
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１，２００、軟化点７０℃）５質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（液状、エポキシ当量１８０）４０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー１０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分間混練した。
これに、アクリル樹脂（質量平均分子量６０万、ガラス転移温度−５０℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ〔四国化成（株）製、商品名、２−フェニルイミダゾール〕２．５質量部を加えて攪拌混合し、真空脱気して、粘接着剤組成物２Ｅを得た。
実施例１
厚さが２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムの上に、粘接着剤組成物２Ａを塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍの塗膜からなる粘接着剤層を形成した。この粘接着剤層を基材フィルム１Ａに常温（２３℃）で転写して、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
なお、上記の基材フィルム１Ａは、シボ加工を施していない粘接着剤層の転写面に、あらかじめ、コロナ処理により表面処理を施して、使用した。
厚さが２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムの上に、粘接着剤組成物２Ａを塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍの塗膜からなる粘接着剤層を形成した。この粘接着剤層を基材フィルム１Ａに常温（２３℃）で転写して、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
なお、上記の基材フィルム１Ａは、シボ加工を施していない粘接着剤層の転写面に、あらかじめ、コロナ処理により表面処理を施して、使用した。
実施例２
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｂを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｂを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
実施例３
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｃを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。ただし、粘接着剤層の転写時の温度は、常温（２３℃）から７０℃に変更した。
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｃを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。ただし、粘接着剤層の転写時の温度は、常温（２３℃）から７０℃に変更した。
実施例４
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｄを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。ただし、粘接着剤層の転写時の温度は、常温（２３℃）から７０℃に変更した。
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｄを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。ただし、粘接着剤層の転写時の温度は、常温（２３℃）から７０℃に変更した。
実施例５
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｂを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｂを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
実施例６
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｃを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｃを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
比較例１
基材フィルム１Ａとして、粘接着剤層の転写面にコロナ処理による表面処理を施さなかったものを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
基材フィルム１Ａとして、粘接着剤層の転写面にコロナ処理による表面処理を施さなかったものを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
比較例２
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｅを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
粘接着剤組成物２Ａに代えて、粘接着剤組成物２Ｅを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
比較例３
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｄを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｄを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
比較例４
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｅを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｅを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
比較例５
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｆを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
基材フィルム１Ａに代えて、基材フィルム１Ｆを使用した以外は、実施例１と全く同様にして、半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを作製した。
上記の実施例１〜６および比較例１〜５の各半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープに関して、使用したフィルム基材の伸び率１０％での引っ張り応力、破断伸び率、基材背面の粗さＲａ、粘接着剤層のガラス転移点を、下記の方法により、測定した。結果は、表１および表２に示されるとおりであった。
なお、表１および表２には、参考のため、フィルム基材の種類、厚さおよび粘接着剤層転写面への表面処理の有無と、さらに粘接着剤層の種類および厚さを、併記した。
なお、表１および表２には、参考のため、フィルム基材の種類、厚さおよび粘接着剤層転写面への表面処理の有無と、さらに粘接着剤層の種類および厚さを、併記した。
＜１０％伸びでの応力および破断伸び率＞
２３±２℃の温度、５０±５％の湿度、幅２５ｍｍ、標線間距離およびつかみ間距離１００ｍｍ、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、機械加工方向（ＭＤ）における１０％伸びでの応力および破断伸び率をＮ＝５で測定し、平均値を求めた。
２３±２℃の温度、５０±５％の湿度、幅２５ｍｍ、標線間距離およびつかみ間距離１００ｍｍ、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行い、機械加工方向（ＭＤ）における１０％伸びでの応力および破断伸び率をＮ＝５で測定し、平均値を求めた。
＜基材背面粗さＲａ＞
粘接着テープを平滑なミラーウエハに貼合することで固定し、基材フィルム背面側の算術表面粗さＲａを表面粗さ測定器（ミツトヨ社製、商品名：サーフテストＳＪ−３０１）を使用して、フィルム押し出し方向（ＭＤ方向）にＮ＝５で測定し、平均値を求めた。
粘接着テープを平滑なミラーウエハに貼合することで固定し、基材フィルム背面側の算術表面粗さＲａを表面粗さ測定器（ミツトヨ社製、商品名：サーフテストＳＪ−３０１）を使用して、フィルム押し出し方向（ＭＤ方向）にＮ＝５で測定し、平均値を求めた。
＜粘接着剤層のガラス転移点（Ｔｇ）＞
粘接着テープの作製後、紫外線照射を行っていない粘接着剤層を十分に硬化させて１０枚積層し、動的粘弾性測定装置（レオメトリック社製ＡＲＥＳ）で、測定周波数１Ｈｚで動的粘弾性を測定し、ｔａｎδのピーク温度を求め、ガラス転移点（Ｔｇ）とした。
粘接着テープの作製後、紫外線照射を行っていない粘接着剤層を十分に硬化させて１０枚積層し、動的粘弾性測定装置（レオメトリック社製ＡＲＥＳ）で、測定周波数１Ｈｚで動的粘弾性を測定し、ｔａｎδのピーク温度を求め、ガラス転移点（Ｔｇ）とした。
つぎに、上記の実施例１〜６および比較例１〜５の各半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープについて、ピックアップ試験、カセットへの収納（復元性）、剥離の状態（対フレーム面）を、下記の方法により、測定した。
これらの結果は、表３に示されるとおりであった。
これらの結果は、表３に示されるとおりであった。
＜ピックアップ試験＞
粘接着テープを厚さ８０μｍ、直径１５０ｍｍのシリコンウエハに貼り合わせたのち、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＡＤ３４０）を用いて、回転数４０，０００ｒｐｍ、カットスピード１００ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングした。
その後、紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）にて２００ｍＪ／ｃｍ2 照射したのち、または照射することなく、エキスパンド装置により、ダイシングフレームを固定し粘接着テープをエキスパンドした。このときのエキスパンド条件は、エキスパンド速度が３０ｍｍ／ｓ、エキスパンド量が１５ｍｍであった。使用したエキスパンド装置の治具には特に滑剤処理はされていないものを使用した。
エキスパンドした粘接着テープを、ダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製、商品名ＣＰＳ−１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピックアップが２０チップ連続して成功する突上げピンの最小突上げ高さ（ｍｍ）を求めた。
その際、ピックアップされた半導体チップの裏面に粘接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとした。
粘接着テープを厚さ８０μｍ、直径１５０ｍｍのシリコンウエハに貼り合わせたのち、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＡＤ３４０）を用いて、回転数４０，０００ｒｐｍ、カットスピード１００ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングした。
その後、紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）にて２００ｍＪ／ｃｍ2 照射したのち、または照射することなく、エキスパンド装置により、ダイシングフレームを固定し粘接着テープをエキスパンドした。このときのエキスパンド条件は、エキスパンド速度が３０ｍｍ／ｓ、エキスパンド量が１５ｍｍであった。使用したエキスパンド装置の治具には特に滑剤処理はされていないものを使用した。
エキスパンドした粘接着テープを、ダイボンダー装置（ＮＥＣマシナリー製、商品名ＣＰＳ−１００ＦＭ）によるピックアップ試験を行い、ピックアップが２０チップ連続して成功する突上げピンの最小突上げ高さ（ｍｍ）を求めた。
その際、ピックアップされた半導体チップの裏面に粘接着剤層が保持されているものをピックアップが成功したものとした。
＜カセットへの収納（復元性）＞
粘接着テープを厚さ８０μｍ、直径１５０ｍｍのシリコンウエハに貼り合わせたのち、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＡＤ３４０）を用いて、回転数４０，０００ｒｐｍ、カットスピード１００ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングした。
その後、紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）にて２００ｍＪ／ｃｍ2 照射したのち、または照射することなく、エキスパンド装置により、ダイシングフレームを固定し粘接着テープをエキスパンドした。このときのエキスパンド条件は、エキスパンド速度が３０ｍｍ／ｓ、エキスパンド量が１５ｍｍであった。使用したエキスパンド装置の治具には特に滑剤処理はされていないものを使用した。
その後、上記のエキスパンドを解除して、カセット〔Ｋｕｌｉｃｋｅ ＆ Ｓｏｆｔａ（Ｊａｐａｎ）Ｌｔｄ．製、フィルムフレームカセット（６インチ用）（商品名）〕に収納し、粘接着テープ（の基材フィルム）の復元性に基づく収納の可否を評価した。
粘接着テープを厚さ８０μｍ、直径１５０ｍｍのシリコンウエハに貼り合わせたのち、ダイシング装置（ディスコ社製、商品名：ＤＡＤ３４０）を用いて、回転数４０，０００ｒｐｍ、カットスピード１００ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍにダイシングした。
その後、紫外線を空冷式高圧水銀灯（８０Ｗ／ｃｍ、照射距離１０ｃｍ）にて２００ｍＪ／ｃｍ2 照射したのち、または照射することなく、エキスパンド装置により、ダイシングフレームを固定し粘接着テープをエキスパンドした。このときのエキスパンド条件は、エキスパンド速度が３０ｍｍ／ｓ、エキスパンド量が１５ｍｍであった。使用したエキスパンド装置の治具には特に滑剤処理はされていないものを使用した。
その後、上記のエキスパンドを解除して、カセット〔Ｋｕｌｉｃｋｅ ＆ Ｓｏｆｔａ（Ｊａｐａｎ）Ｌｔｄ．製、フィルムフレームカセット（６インチ用）（商品名）〕に収納し、粘接着テープ（の基材フィルム）の復元性に基づく収納の可否を評価した。
＜剥離の状態（対フレーム面）＞
粘接着テープをダイシングフレーム（ディスコ製、ＤＴＦ２−６−１）に貼り合わせ、上記のピックアップ試験と同様の処理を施し、１時間後にダイシングフレームを剥離し、このフレームへの粘接着剤の糊残りの有無について目視で確認を行った。
その際に、ダイシングフレームに粘接着剤層の糊残りがあったものを（×）、ダイシングフレームに粘接着剤層の糊残りが無いものを（○）と判定して、粘接着テープの剥離の状態（対フレーム面）を評価した。
粘接着テープをダイシングフレーム（ディスコ製、ＤＴＦ２−６−１）に貼り合わせ、上記のピックアップ試験と同様の処理を施し、１時間後にダイシングフレームを剥離し、このフレームへの粘接着剤の糊残りの有無について目視で確認を行った。
その際に、ダイシングフレームに粘接着剤層の糊残りがあったものを（×）、ダイシングフレームに粘接着剤層の糊残りが無いものを（○）と判定して、粘接着テープの剥離の状態（対フレーム面）を評価した。
上記の表３の結果から明らかなように、実施例１〜６の各半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープは、半導体ウエハのダイシング後のピックアップ試験を満足し、エキスパンド後のカセットへの収納（復元性）も良好であり、またピックアップ後のダイシングフレームからの剥離性も満足できるものであった。
なお、実施例１〜６の各半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを用い、上記のピックアップ試験に準じてピックアップした５ｍｍ×５ｍｍの大きさのダイボンドシート付ＩＣチップ（裏面粘接着剤層付半導体チップ）は、ダイボンダーを用いてリードフレーム上にダイレクトマウントしたのち、１７０℃、２時間の条件で加熱を行いリードフレームとＩＣチップとを強固に接着できることも確認された。
なお、実施例１〜６の各半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープを用い、上記のピックアップ試験に準じてピックアップした５ｍｍ×５ｍｍの大きさのダイボンドシート付ＩＣチップ（裏面粘接着剤層付半導体チップ）は、ダイボンダーを用いてリードフレーム上にダイレクトマウントしたのち、１７０℃、２時間の条件で加熱を行いリードフレームとＩＣチップとを強固に接着できることも確認された。
以上のように、本発明の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープは、ダイシング−ダイボンド用としての本来の特性を備えて、ダイシングの際にはダイシングテープとして好適に使用でき、マウントの際には接着剤として好適に使用できるものであり、しかもダイシング後ダイシングフレームから剥離する際には、上記フレームにあらかじめ転着防止層を設けなくても上記フレームに糊残りを生じさせることがなく、作業性良好に剥離でき、ダイシングフレームの繰り返し使用が容易である。
１ 基材フィルム
２ 粘接着剤層
３ 半導体ウエハの貼り合わせ部分
１０ 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ
１１ 半導体ウエハ
１２ ダイシングフレーム
１４ 突上げ治具
１５ ステージ
１６ 突上げ高さ（エキスパンド量）
２０ 吸着コレット
２１ 突上げピン
２２ リードフレーム
２ 粘接着剤層
３ 半導体ウエハの貼り合わせ部分
１０ 半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ
１１ 半導体ウエハ
１２ ダイシングフレーム
１４ 突上げ治具
１５ ステージ
１６ 突上げ高さ（エキスパンド量）
２０ 吸着コレット
２１ 突上げピン
２２ リードフレーム
Claims (4)
- 半導体ウエハを固定してダイシングし、さらにダイシングされた半導体チップをリードフレームに接着する半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープであって、基材フィルムとこの上に設けられた粘接着剤層とを具備し、上記の基材フィルムは、伸び１０％において応力が１０〜４０ＭＰａ、破断伸び率が３００％以上であり、かつ粘接着剤層が設けられる面に基材フィルムと粘接着剤層との密着性を上げるための表面処理が施されていると共に、上記の粘接着剤層はガラス転移点が−１５℃以上であることを特徴とする半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
- 基材フィルムは、背面（粘接着剤層が設けられる面とは反対側の面）が表面粗さＲａが０．３μｍ以上とされているか、または滑剤コーティング処理されている請求項１に記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
- 基材フィルムは、粘接着剤層が設けられる面の表面処理がコロナ処理である請求項１または２に記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
- 粘接着剤層は、放射線硬化性である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウエハダイシング−ダイボンド用粘接着テープ。
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|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072742A2 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Lg Chem, Ltd. | Dicing die bonding film and dicing method |
| JP2009164556A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
| JP2009200076A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
| KR101144415B1 (ko) | 2010-04-16 | 2012-05-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 열경화형 다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP5163741B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-03-13 | 日立化成株式会社 | 接着材テープ及び接着材テープ巻重体 |
| JP2013100455A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ |
| JP2014157909A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| KR101454069B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2014-10-24 | 주식회사 엘지화학 | 다이싱 다이본딩 필름 |
| JP2015216320A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルム |
| TWI675901B (zh) * | 2014-06-10 | 2019-11-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 切割片 |
| TWI675900B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-11-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 保護膜形成用複合片 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002226803A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Achilles Corp | ダイシング用基体フィルム |
| JP2003109916A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体加工用シート、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2003171475A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-20 | Nitto Denko Corp | 複合フィルム及び半導体製品保持シート |
| JP2004039928A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート |
| JP2004228420A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハー固定用粘着テープ |
| JP2004281561A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
| JP2004281751A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2004289037A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2004349441A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダイシング・ダイボンド用接着テープ |
| WO2005004216A1 (ja) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Lintec Corporation | ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2005033170A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
| JP2005085287A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録再生装置、記録再生方法および記録再生制御プログラム |
| JP2005085827A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
| JP2005239889A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nitto Denko Corp | ロール状ウエハ加工用粘着シート |
-
2005
- 2005-10-12 JP JP2005297944A patent/JP2007109808A/ja active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002226803A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-14 | Achilles Corp | ダイシング用基体フィルム |
| JP2003109916A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体加工用シート、並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2003171475A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-20 | Nitto Denko Corp | 複合フィルム及び半導体製品保持シート |
| JP2004039928A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート |
| JP2004228420A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハー固定用粘着テープ |
| JP2004281561A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
| JP2004281751A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2004289037A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用フィルム状接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2004349441A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダイシング・ダイボンド用接着テープ |
| JP2005033170A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
| WO2005004216A1 (ja) * | 2003-07-08 | 2005-01-13 | Lintec Corporation | ダイシング・ダイボンド用粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2005085287A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録再生装置、記録再生方法および記録再生制御プログラム |
| JP2005085827A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 粘接着テープ |
| JP2005239889A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nitto Denko Corp | ロール状ウエハ加工用粘着シート |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072742A2 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Lg Chem, Ltd. | Dicing die bonding film and dicing method |
| WO2009072742A3 (en) * | 2007-12-03 | 2009-07-23 | Lg Chemical Ltd | Dicing die bonding film and dicing method |
| JP2011505706A (ja) * | 2007-12-03 | 2011-02-24 | エルジー・ケム・リミテッド | ダイシング・ダイボンディングフィルム及びダイシング方法 |
| US8541289B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-09-24 | Lg Chem, Ltd. | Dicing die bonding film and dicing method |
| KR101191121B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2012-10-15 | 주식회사 엘지화학 | 다이싱 다이본딩 필름 및 다이싱 방법 |
| JP2009164556A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
| CN101883830A (zh) * | 2007-12-11 | 2010-11-10 | 古河电气工业株式会社 | 晶片加工用带 |
| JP2009200076A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープ |
| JP5163741B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-03-13 | 日立化成株式会社 | 接着材テープ及び接着材テープ巻重体 |
| TWI450942B (zh) * | 2008-04-17 | 2014-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Then the material tape and then the material tape wound body |
| KR101144415B1 (ko) | 2010-04-16 | 2012-05-10 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 열경화형 다이 본드 필름, 다이싱ㆍ다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2013100455A (ja) * | 2011-10-17 | 2013-05-23 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ用フィルムおよび粘着テープ |
| KR101454069B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2014-10-24 | 주식회사 엘지화학 | 다이싱 다이본딩 필름 |
| JP2014157909A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015216320A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングフィルム用基材フィルムおよびダイシングフィルム |
| TWI675900B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-11-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 保護膜形成用複合片 |
| TWI675901B (zh) * | 2014-06-10 | 2019-11-01 | 日商琳得科股份有限公司 | 切割片 |
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