JP2006140187A - 半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
半導体ウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006140187A JP2006140187A JP2004326156A JP2004326156A JP2006140187A JP 2006140187 A JP2006140187 A JP 2006140187A JP 2004326156 A JP2004326156 A JP 2004326156A JP 2004326156 A JP2004326156 A JP 2004326156A JP 2006140187 A JP2006140187 A JP 2006140187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wafer
- heat treatment
- temperature
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 77
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 22
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 7
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002065 inelastic X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/915—Separating from substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSi1−XGeX層(0<X≦1)をエピタキシャル成長させ、該Si1−XGeX層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記Si1−XGeX層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離する剥離処理を行い、少なくとも前記剥離処理を行う際の温度以上の温度で前記貼り合わせ面を結合させる結合熱処理を行なった後、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去する半導体ウェーハの製造方法。
【選択図】図1
Description
このように、剥離層のSi層の厚さをSi1−XGeX層の厚さの5倍以上とすれば、Si1−XGeX層はSi層の格子に強く拘束され、歪みを十分に維持できる。
このように、結合熱処理を500℃以上で行なえば、結合熱処理が効果を奏するものとなるし、1100℃以下で行なえば、剥離したSi層へのGeの拡散が抑制され、Si1−XGeX層のGe濃度の低下が抑えられるので歪みが減少せず、またSiGe層/Si層界面が崩れずに明確に保たれ、その後のSi層の除去を好適に行なえる。
このように、さらに結合熱処理が600℃以上であれば、結合熱処理の効果がより確実となり、また、950℃以下であれば、Geが高濃度であってもGeの溶解・再結晶化による局在が起こらず、結晶性が高く均一なSi1−XGeX層とできる。
このように、結合熱処理を高速加熱・高速冷却が可能なRTA(Rapid Thermal Anneal)装置で行なえば、Geの拡散を確実に防止でき、Si1−XGeX層の歪みが減少せず、またSiGe層/Si層界面が崩れず明確に保たれ、その後のSi層の除去を好適に行なえる。
このように、剥離層のSi層の除去をエッチングにより行なえば、均一でかつ表面粗れのない除去が容易にできる。
しかし、本発明者らは、Ge濃度を高くしても、SiGe層の格子緩和が起こってしまうと歪みが小さくなってしまうことに着目した。このように格子緩和が起こってしまうと、大きい歪みを得るためにGe濃度を高くしてもそれに応じた所望の歪みが得られなくなる。
図1は、本発明の実施形態に従った半導体ウェーハの製造工程の一例を示す図である。
まず、図1(a)のように、気相成長法により、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハ1の表面にSi1−XGeX層2(0<X≦1)をエピタキシャル成長させる。Si1−XGeX層2の厚さはGe濃度等に応じて適宜調整することができるが、例えば1nm〜20nmとできる。この時、Si1−XGeX層2には格子歪み(圧縮歪み)が発生する。Xについては格子歪みが発生する値であればよいが、十分な歪みを発生させるために、Xは0.2以上とすることが好ましい。
この除去は、研磨、エッチング、又はこれらの組み合わせにより行なうことができる。研磨により除去する場合は、例えば従来のCMPを用いることができる。また、エッチングの場合は、Si1−XGeX層が薄くても、均一でかつ表面粗れのない除去ができるので好ましい。またこの場合、エッチング液としてはSi1−XGeXよりもSiがよりエッチングされるものであれば限定されないが、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)をエッチング液として用いることができる。TMAH液によれば、Si層6が除去されTMAH液がSi1−XGeX層2に達したときにはTMAH液の選択性によりエッチングが停止する、すなわちエッチストップが起こる。このようなエッチストップ法によりSi層6が確実に除去され、またSi1−XGeX層2の表面が滑らかなものとなるので好ましい。特に、本発明においては結合熱処理においてGeが拡散しないように熱処理を行なえるので、SiGe層/Si層界面が崩れずに明確に保たれるので、エッチストップがより容易になる。
なお、格子緩和率の測定は、例えばX線回折法やラマン分光法により行なうことができる。
(実施例1)
直径200mmのシリコン単結晶ウェーハの表面に、原料ガスをGeH4、成長温度を600℃としてCVD法によりGe濃度100%のGe層を10nmだけエピタキシャル成長させ、このGe層を通して水素イオン(H+)を注入エネルギー30keV、ドーズ量6×1016ions/cm2の条件でイオン注入し、シリコン単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成した。水素イオン注入後、Ge層表面をSC−1洗浄液で洗浄した。この洗浄は、Ge層の表面粗れを防止するため、通常より温度を下げて50℃以下で行なった。この表面と、145nmの熱酸化膜付きのシリコン単結晶ベースウェーハとを室温で密着させて貼り合わせ、アルゴン雰囲気下で500℃、30分の剥離熱処理を行い、貼り合わせ界面から310nmの深さに形成したイオン注入層で剥離し、Ge層とシリコン単結晶ウェーハの一部(Si層)をベースウェーハ側に移設させた。すなわち、この場合Si層の厚さは300nmであり、Ge層の30倍の厚さであった。
直径200mmのシリコン単結晶ウェーハの表面に、原料ガスをGeH4及びSiH4、成長温度を600℃としてCVD法によりGe濃度50%のSi0.5Ge0.5層を15nmだけエピタキシャル成長させ、このSi0.5Ge0.5層を通して水素イオンを注入エネルギー30keV、ドーズ量6×1016ions/cm2の条件でイオン注入し、シリコン単結晶ウェーハの内部にイオン注入層を形成した。水素イオン注入後、Si0.5Ge0.5層表面を50℃以下のSC−1洗浄液で洗浄した。この表面と、145nmの熱酸化膜付きのシリコン単結晶ベースウェーハとを室温で密着させて貼り合わせ、アルゴン雰囲気下で500℃、30分の剥離熱処理を行い、貼り合わせ界面から310nmの深さに形成したイオン注入層で剥離し、Si0.5Ge0.5層とシリコン単結晶ウェーハの一部(Si層)をベースウェーハ側に移設させた。すなわち、この場合Si層の厚さは295nmであり、Si0.5Ge0.5層の約19.7倍の厚さであった。
実施例1と同様の方法で直径200mmのシリコン単結晶ウェーハの表面にGe濃度100%のGe層を10nmだけエピタキシャル成長させ、実施例1と同様の条件でイオン注入剥離法を行い、Ge層と厚さ300nmのSi層とをベースウェーハ側に移設させた。このGe層の格子緩和率をラマン分光法で測定したところ、格子緩和率は実施例1と同様に2%であり、格子緩和はほどんど起こっていなかった。
次に、TMAH液を用いたエッチストップ法によりエッチングを行いSi層を除去した後、RTA装置にて実施例1と同様の条件で結合熱処理を行なった。
3…イオン注入層、 4…ベースウェーハ、
5…シリコン酸化膜、 6…Si層。
Claims (6)
- 半導体ウェーハの製造方法であって、少なくとも、ボンドウェーハとなるシリコン単結晶ウェーハの表面にSi1−XGeX層(0<X≦1)をエピタキシャル成長させ、該Si1−XGeX層を通して水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入することにより前記ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記Si1−XGeX層の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して密着させて貼り合わせ、その後前記イオン注入層で剥離する剥離処理を行い、少なくとも前記剥離処理を行う際の温度以上の温度で前記貼り合わせ面を結合させる結合熱処理を行なった後、前記剥離によりベースウェーハ側に移設した剥離層のSi層を除去することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 前記剥離層のSi層の厚さを、前記Si1−XGeX層の厚さの5倍以上とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記結合熱処理を500℃〜1100℃の温度で行なうことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記結合熱処理を600℃〜950℃の温度で行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記結合熱処理をRTA装置を用いて行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法。
- 前記剥離層のSi層の除去をエッチングにより行なうことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326156A JP2006140187A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 半導体ウェーハの製造方法 |
PCT/JP2005/020185 WO2006051730A1 (ja) | 2004-11-10 | 2005-11-02 | 半導体ウェーハの製造方法 |
EP05800057A EP1811543A4 (en) | 2004-11-10 | 2005-11-02 | METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR WAFERS |
KR1020077010462A KR20070084075A (ko) | 2004-11-10 | 2005-11-02 | 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
US11/665,977 US7959731B2 (en) | 2004-11-10 | 2005-11-02 | Method for producing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326156A JP2006140187A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006140187A true JP2006140187A (ja) | 2006-06-01 |
Family
ID=36336412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004326156A Pending JP2006140187A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 半導体ウェーハの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7959731B2 (ja) |
EP (1) | EP1811543A4 (ja) |
JP (1) | JP2006140187A (ja) |
KR (1) | KR20070084075A (ja) |
WO (1) | WO2006051730A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020511777A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-04-16 | ソイテックSoitec | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200802544A (en) * | 2006-04-25 | 2008-01-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Composite substrate and method for making the same |
JP4943820B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-05-30 | 信越化学工業株式会社 | GOI(GeonInsulator)基板の製造方法 |
JP4577382B2 (ja) * | 2008-03-06 | 2010-11-10 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP4790786B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型ケイ素含有膜の剥離方法 |
CN102738060B (zh) * | 2012-07-02 | 2014-04-23 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种goi晶片结构的制备方法 |
US8877608B2 (en) * | 2012-07-02 | 2014-11-04 | Shanghai Institute Of Microsystem And Information Technology, Chinese Academy Of Sciences | Method for preparing GOI chip structure |
CN103594411A (zh) * | 2012-08-13 | 2014-02-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 绝缘体上锗硅的形成方法 |
US10176991B1 (en) | 2017-07-06 | 2019-01-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | High-quality, single-crystalline silicon-germanium films |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121377A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-04-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス |
JP2001284558A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Fujitsu Ltd | 積層半導体基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
WO2002043153A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de fabrication de plaquette de semi-conducteur |
JP2003017705A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法 |
WO2003046992A1 (fr) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production d'une tranche de soi |
WO2003046993A1 (fr) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production de plaquettes soi |
WO2004006327A2 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer |
JP2004063730A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
WO2004077553A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Relaxation of a thin layer at a high temperature after its transfer |
JP2004265975A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Trecenti Technologies Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3557957B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2004-08-25 | 株式会社大林組 | 既設廃棄物処分場の補修方法 |
US6690043B1 (en) | 1999-11-26 | 2004-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP3607194B2 (ja) | 1999-11-26 | 2005-01-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体基板 |
US7018910B2 (en) | 2002-07-09 | 2006-03-28 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer |
-
2004
- 2004-11-10 JP JP2004326156A patent/JP2006140187A/ja active Pending
-
2005
- 2005-11-02 WO PCT/JP2005/020185 patent/WO2006051730A1/ja active Application Filing
- 2005-11-02 US US11/665,977 patent/US7959731B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-02 EP EP05800057A patent/EP1811543A4/en not_active Withdrawn
- 2005-11-02 KR KR1020077010462A patent/KR20070084075A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11121377A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-04-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス |
JP2001284558A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Fujitsu Ltd | 積層半導体基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
WO2002043153A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de fabrication de plaquette de semi-conducteur |
JP2003017705A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法 |
WO2003046992A1 (fr) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production d'une tranche de soi |
WO2003046993A1 (fr) * | 2001-11-29 | 2003-06-05 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de production de plaquettes soi |
JP2003168789A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
WO2004006327A2 (en) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies | Transfer of a thin layer from a wafer comprising a buffer layer |
JP2004063730A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法 |
WO2004077553A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Relaxation of a thin layer at a high temperature after its transfer |
JP2004265975A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Trecenti Technologies Inc | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020511777A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-04-16 | ソイテックSoitec | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 |
JP7332158B2 (ja) | 2017-03-21 | 2023-08-23 | ソイテック | 特に、正面側型撮像装置のための、セミコンダクタオンインシュレータ型構造、及びこのような構造を製作する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7959731B2 (en) | 2011-06-14 |
EP1811543A1 (en) | 2007-07-25 |
US20080138959A1 (en) | 2008-06-12 |
WO2006051730A1 (ja) | 2006-05-18 |
KR20070084075A (ko) | 2007-08-24 |
EP1811543A4 (en) | 2011-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4906727B2 (ja) | ウェハ接合技術を用いて欠陥のない高Ge含有量のSiGeオン・インシュレータ(SGOI)基板を製造する方法 | |
JP4617820B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP5128761B2 (ja) | Soiウエーハの製造方法 | |
US7959731B2 (en) | Method for producing semiconductor wafer | |
JP2002164520A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
TWI492275B (zh) | The method of manufacturing the bonded substrate | |
TW201036066A (en) | Method for manufacturing silicon thin-film transfer insulating wafer | |
JP2009506533A (ja) | 歪みシリコン・オン・インシュレータ構造の製造方法 | |
US20070117350A1 (en) | Strained silicon on insulator (ssoi) with layer transfer from oxidized donor | |
JP2006524426A (ja) | 基板上に歪層を製造する方法と層構造 | |
CN107615445B (zh) | 绝缘体上硅晶圆的制造方法 | |
JP4654710B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2009130289A (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 | |
JP2010098167A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP2006202989A (ja) | Soiウエーハの製造方法及びsoiウェーハ | |
JP5411438B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP5019852B2 (ja) | 歪シリコン基板の製造方法 | |
JP4613656B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
JP2008159692A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP5339785B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
WO2007007537A1 (ja) | ボンドウエーハの再生方法及びボンドウエーハ並びにssoiウエーハの製造方法 | |
JP2007214199A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
JP4649918B2 (ja) | 貼り合せウェーハの製造方法 | |
JP4626133B2 (ja) | 貼り合せウェーハの製造方法 | |
JP2008177530A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120207 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120904 |