JP2006051803A - 光学的情報記録媒体、光学的情報記録方法、及び光学的情報記録装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る光学的情報記録媒体の記録膜13は、(αTe)xβTe3を主成分として含む(xは正の実数)。ここで、αは、Ge1−aSna及びGe1−aPbaのいずれかである(0≦a≦1)。βは、Sb2−yIny,Sb2−y−zInyBiz,及びBi2−yInyのいずれかである(0<y,z<2;0<y+z<2)。
【選択図】 図3
Description
((Ge1−aSna)Te)xSb2−yInyTe3
((Ge1−aPba)Te)xSb2−yInyTe3
((Ge1−aSna)Te)xSb2−y−zInyBizTe3
((Ge1−aPba)Te)xSb2−y−zInyBizTe3
((Ge1−aSna)Te)xBi2−yInyTe3
((Ge1−aPba)Te)xBi2−yInyTe3
第1実施例に係る光学的情報記録媒体(光ディスク)1において、基板11は、厚さ0.6mmのPC(ポリカーボネート)基板である。そのPC基板には、ピッチ0.68μm、深さ45nmの案内溝が形成される。情報の記録は、案内溝間(ランド)および案内溝内(グルーブ)の両方に行われる。保護膜12は、ZnS−SiO2/SiO2/ZnS−SiO2がこの順に積層された多層膜である。保護膜14は、ZnS−SiO2膜である。反射膜15は、厚さ100nmのAg膜である。記録膜13は、((Ge1−aSna)Te)xSb2−yInyTe3を主成分として含む。この記録膜13の厚さは12nmである。また、保護膜12と記録膜13の間、および、記録膜13と保護膜14の間に、厚さ5nmのGeN界面層が付加される。
第2実施例において、光ディスクの構成や基板は第1実施例と同一である。線速及びクロック周波数も、第1実施例と同一である。そして、記録膜13の組成に関わるパラメータa、x、及びyが様々な値に設定され、各ディスクに対して書き換え可能な繰り返し回数が測定される。具体的には、8Tマークが繰り返しオーバライトされ、その8TマークのC/N比(キャリアレベルとノイズレベルの比)の書き換え回数への依存性が調べられた。ここでは、記録回数1回の時のC/N比に対して、C/N比が3dB劣化する書き換え回数が「書き換え可能回数」とされる。表4は、その書き換え可能回数と記録膜組成との関係を示している。
第3実施例において、光ディスクの構成や基板は第1実施例と同一である。線速及びクロック周波数も、第1実施例と同一である。そして、記録膜13の組成に関わるパラメータa、x、及びyが様々な値に設定され、各ディスクに対して最適記録パワが測定される。具体的には、記録パワPw1を変化させて8Tマークが記録され、その8TマークのC/N比、及び2次高調波歪み(2ndH/C)が測定される。そして、その2ndH/Cが最小となる記録パワPw1が最適記録パワとされる。表5は、最適記録パワと記録膜組成との関係、及びその最適記録パワにおけるC/N比と記録膜組成との関係を示している。
(1)記録膜13中のGe含有量は“(1−a)x”で算出される。記録パワおよびC/N比の観点から、パラメータaに拘わらず、パラメータxは、4≦x≦8の範囲にあることが好適である(第3実施例)。
(2)記録膜13中のSn含有量は“ax”で算出される。Snが多いほど結晶化速度が速くなり、高線速での消去率が高くなる傾向にある。パラメータxが好適範囲の下限値4である場合(x=4)、26dB以上の消去率を実現するためには、パラメータaは0.2以上であることが好適である(表1参照)。一方、Snが必要以上に多くなると、書き換え可能回数が減少することになる。パラメータxが好適範囲の上限値8である場合(x=8)、良好な繰り返し特性を確保するには、パラメータaは0.6以下であることが好適である。従って、パラメータaは、0.2≦a≦0.6の範囲にあることが好適である(第1実施例、第2実施例)。
(3)記録膜13中のIn含有量は“y”で算出される。パラメータyが0.15以上の場合、クロス消去を低減することが可能である(表2、表3参照)。つまり、Sbの一部をInで置換することにより、クロス消去特性を改善することが可能である。Sb含有量は“2−y”で算出され、パラメータyは2以上にはなり得ない。従って、パラメータyは、0.15≦y<2の範囲にあることが好適である(第1実施例)。
結晶化速度を向上させる手法は、Geの一部をSnで置換する手法に限られない。例えば、結晶化速度を向上させるために、Geの一部がPbで置換されてもよい。クロス消去を抑制するためには、Sbの一部がInで置換される。この場合、記録膜13は、((Ge1−aPba)Te)xSb2−yInyTe3を主成分として含む。パラメータa、x及びyの好適な範囲は、上述の実施例と同様である。
また、結晶化速度を向上させるために、更にSbの一部がBiで置換されてもよい。クロス消去を抑制するためには、Sbの一部がInで置換される。この場合、記録膜13の主成分は次のいずれかである。
((Ge1−aPba)Te)xSb2−y−zInyBizTe3
第6実施例において、Sbの全てがBi及びInで置換される。この場合、記録膜13の主成分は次のいずれかである。
((Ge1−aPba)Te)xBi2−yInyTe3
第7実施例において、線速を変化させながら情報の記録が行われ、エラーレートが測定された。光ディスクの構成や基板は第1実施例と同一である。記録膜13は、((Ge1−aSna)Te)xSb2−yInyTe3を主成分として含み、パラメータa、x、yはそれぞれ0.4、6、0.3である。線速が5.6m/sの場合、クロック周波数は64.8MHzに設定される。線速が11.2m/sの場合、クロック周波数は129.6MHzに設定される。線速が14m/sの場合、クロック周波数は162MHzに設定される。表8は、記録条件及びエラーレートの関係を示している。
2 光ヘッド
3 レーザ駆動装置
4 CPU
5 データ識別器
6 ホスト
11 基板
12 保護膜
13 記録膜
14 保護膜
15 反射膜
16 UV樹脂層
17 基板
Claims (18)
- レーザ光の照射により情報の記録が行われる光学的情報記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に形成され、前記レーザ光の照射により性質が変化する記録膜と
を具備し、
前記記録膜は、(αTe)xβTe3を主成分として含み(xは正の実数)、
前記αは、Ge1−aSna及びGe1−aPbaのいずれかであり(0≦a≦1)、
前記βは、Sb2−yIny,Sb2−y−zInyBiz,及びBi2−yInyのいずれかである(0<y,z<2;0<y+z<2)
光学的情報記録媒体。 - 請求項1に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記βは、Sb2−yInyである
光学的情報記録媒体。 - 請求項2に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数yは、0.15≦y<2の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項1に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記βは、Sb2−y−zInyBizである
光学的情報記録媒体。 - 請求項4に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数y及び前記実数zは、0.15≦y+z<2、0≦z<1.85の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項2乃至5のいずれかに記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数aは、0.2≦a≦0.6の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項6に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記記録膜の膜厚は8nm以下であり、
前記実数aは、0.3≦a≦0.6の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項2乃至7のいずれかに記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数xは、4≦x≦8の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項1に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記βは、Bi2−yInyである
光学的情報記録媒体。 - 請求項9に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数aは0であり、
前記記録膜は、(GeTe)xBi2−yInyTe3を主成分として含む
光学的情報記録媒体。 - 請求項9に記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数aは、0<a≦0.3の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項9乃至11のいずれかに記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数xは、4≦x≦12の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項9乃至12のいずれかに記載の光学的情報記録媒体であって、
前記実数yは、0.05≦y≦0.4の条件を満たす
光学的情報記録媒体。 - 請求項1乃至13のいずれかに記載の光学的情報記録媒体であって、
前記記録膜における前記主成分の含有率は、95%以上である
光学的情報記録媒体。 - (A)レーザ光の照射により性質が変化する記録膜を有する光学的情報記録媒体を提供するステップと、
(B)前記レーザ光のパルスであって消去パワより大きい記録パワを有する少なくとも1つの記録パルスを、前記記録膜に照射するステップと、
(C)前記少なくとも1つの記録パルスの各々に続いて、前記レーザ光のパルスであって前記消去パワより小さいボトムパワを有するボトムパルスを、前記記録膜に照射するステップと
を具備し、
前記記録膜は、(αTe)xβTe3を主成分として含み(xは正の実数)、
前記αは、Ge1−aSna及びGe1−aPbaのいずれかであり(0≦a≦1)、
前記βは、Sb2−yIny,Sb2−y−zInyBiz,及びBi2−yInyのいずれかであり(0<y,z<2;0<y+z<2)、
前記(C)ステップにおいて、前記ボトムパワは、前記レーザ光が照射される前記光学的情報記録媒体の記録トラックの線速に応じて可変に設定される
光学的情報記録方法。 - 請求項15に記載の光学的情報記録方法であって、
前記光学的情報記録媒体はCAV(Constant Angular Velocity)方式で駆動される
光学的情報記録方法。 - 光学的情報記録媒体にレーザ光を照射することによって情報の記録を行う光学的情報記録装置であって、
前記光学的情報記録媒体に前記レーザ光を照射するレーザ照射部と、
前記レーザ照射部による照射を制御するコントローラと
を具備し、
前記光学的情報記録媒体は、前記レーザ光の照射により性質が変化する記録膜を有し、
前記記録膜は、(αTe)xβTe3を主成分として含み(xは正の実数)、
前記αは、Ge1−aSna及びGe1−aPbaのいずれかであり(0≦a≦1)、
前記βは、Sb2−yIny,Sb2−y−zInyBiz,及びBi2−yInyのいずれかであり(0<y,z<2;0<y+z<2)、
前記コントローラによる制御に基づいて、前記レーザ照射部は、消去パワより大きい記録パワを有する少なくとも1つの記録パルスを前記記録膜に照射し、また、前記少なくとも1つの記録パルスの各々に続いて、前記消去パワより小さいボトムパワを有するボトムパルスを前記記録膜に照射し、
前記コントローラは、前記ボトムパワを、前記レーザ光が照射される前記光学的情報記録媒体の記録トラックの線速に応じて可変に設定する
光学的情報記録装置。 - 請求項17に記載の光学的情報記録装置であって、
前記コントローラは、前記光学的情報記録媒体をCAV(Constant Angular Velocity)方式で駆動する
光学的情報記録装置。
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