JPH0342276A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0342276A JPH0342276A JP1178866A JP17886689A JPH0342276A JP H0342276 A JPH0342276 A JP H0342276A JP 1178866 A JP1178866 A JP 1178866A JP 17886689 A JP17886689 A JP 17886689A JP H0342276 A JPH0342276 A JP H0342276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- erasing
- composition
- layer
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000037430 deletion Effects 0.000 abstract 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002899 Bi2Te3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は情報記録媒体に関するもので、特にレーザ光や
電子線などのエネルギービームの照射により、情報の記
録を行う光カードや光ディスクの装置などに使用される
情報記録媒体に関する。
電子線などのエネルギービームの照射により、情報の記
録を行う光カードや光ディスクの装置などに使用される
情報記録媒体に関する。
[従来の技術]
光情報記録媒体の記録方式で、結晶と非晶のような媒体
の相変化に伴う光学特性の差を記録に利用する方式は、
媒体自体の変形、蒸発による汚染などの問題がなく、保
護膜により耐久性を向上させることも可能であり、In
−8e系薄膜、Te低酸化物薄膜、5b−Te系薄膜、
Te−Ge系薄膜など種々の材料が提案されている。例
えば、Te−Ge−3n薄膜(Appl、 Ph7s、
Left、 、 46 (8)p15 (1985)
、特開昭61−3324など)、Teを主成分とする
T e gos b +oS e 、o記録薄膜(特開
昭61−145738.5PIE vo1529. p
2など)、5b2Seなどの組成の5b−8e膜(特開
昭60−155495、Appl、f’Js、 Let
t、 、 48 (9)、 p12 (1986)など
)、Teを主成分とするTe−Ge−5b合金記録膜(
特開昭62−209742など)、またTe−8bの2
元合金記録膜(86年応用物理学会講演集 29a−Z
E−3,4)などが提案されている。
の相変化に伴う光学特性の差を記録に利用する方式は、
媒体自体の変形、蒸発による汚染などの問題がなく、保
護膜により耐久性を向上させることも可能であり、In
−8e系薄膜、Te低酸化物薄膜、5b−Te系薄膜、
Te−Ge系薄膜など種々の材料が提案されている。例
えば、Te−Ge−3n薄膜(Appl、 Ph7s、
Left、 、 46 (8)p15 (1985)
、特開昭61−3324など)、Teを主成分とする
T e gos b +oS e 、o記録薄膜(特開
昭61−145738.5PIE vo1529. p
2など)、5b2Seなどの組成の5b−8e膜(特開
昭60−155495、Appl、f’Js、 Let
t、 、 48 (9)、 p12 (1986)など
)、Teを主成分とするTe−Ge−5b合金記録膜(
特開昭62−209742など)、またTe−8bの2
元合金記録膜(86年応用物理学会講演集 29a−Z
E−3,4)などが提案されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記従来技術による記録媒体には次のよ
うな問題点があった。
うな問題点があった。
すなわち、Te−Ge−3nを記録膜としたものでは、
適切な消去特性と実用的な記録感度を両立させることが
困難で実用性に乏しく、またTe5os b IQs
e 10記録薄膜、5b2Seなどの組成の5b−8e
合金膜などでは、実用的な消去速度範囲で満足できる消
去特性を実現することが容易でなかったり、記録と消去
の繰返しに伴ってノイズが増加し記録の信号品質が低下
する等の問題があった。またSb2Te3合金を記録膜
に用いたものは、結晶化温度が低く記録の保存性に問題
があるなど実用性に乏しいものであった。さらにTe−
Ge−8b膜では、結晶化速度を早くして消去速度を数
百n秒以下とすることが可能であるが、高速消去可能な
組成では、記録時の非晶化がそれほど容易ではなく、高
速の消去特性と実用的な記録感度を両立させることが困
難で組成の微妙な調整を必要とした。
適切な消去特性と実用的な記録感度を両立させることが
困難で実用性に乏しく、またTe5os b IQs
e 10記録薄膜、5b2Seなどの組成の5b−8e
合金膜などでは、実用的な消去速度範囲で満足できる消
去特性を実現することが容易でなかったり、記録と消去
の繰返しに伴ってノイズが増加し記録の信号品質が低下
する等の問題があった。またSb2Te3合金を記録膜
に用いたものは、結晶化温度が低く記録の保存性に問題
があるなど実用性に乏しいものであった。さらにTe−
Ge−8b膜では、結晶化速度を早くして消去速度を数
百n秒以下とすることが可能であるが、高速消去可能な
組成では、記録時の非晶化がそれほど容易ではなく、高
速の消去特性と実用的な記録感度を両立させることが困
難で組成の微妙な調整を必要とした。
本発明はかかる問題点を改善し、高速かつ高感度に記録
消去が可能であり、かつ良好な記録消去特性を備え、繰
返しによる劣化も少なく信頼性の高い、熱安定性の優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。
消去が可能であり、かつ良好な記録消去特性を備え、繰
返しによる劣化も少なく信頼性の高い、熱安定性の優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録薄膜に
エネルギービームを照射し、直接又は間接に発生する熱
により、上記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記
録を行う情報記録媒体において、該記録薄膜がビスマス
(Bi)、アンチモン(sb)、ゲルマニウム(Ge)
およびテルル(Te)の4元素から主としてなり、かつ
その組成が、次の一般式で表されることを特徴とする情
報記録媒体。
エネルギービームを照射し、直接又は間接に発生する熱
により、上記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記
録を行う情報記録媒体において、該記録薄膜がビスマス
(Bi)、アンチモン(sb)、ゲルマニウム(Ge)
およびテルル(Te)の4元素から主としてなり、かつ
その組成が、次の一般式で表されることを特徴とする情
報記録媒体。
(Te、 Bt、 5bl−、−y ) r−−(Te
o、Geu5) zただし、 0、25≦x<0. 6 0.05≦y<Q、 4 0、2≦z≦0. に こで、XNYおよび2はそれぞれ原子数比を表わす。
o、Geu5) zただし、 0、25≦x<0. 6 0.05≦y<Q、 4 0、2≦z≦0. に こで、XNYおよび2はそれぞれ原子数比を表わす。
により達成される。
すなわち、本発明において使用される記録薄膜は、ビス
マス(Bi)、アンチモン(Sb)、ゲルマニウム(G
e)およびテルル(Te)の4元素から主としてなり、
かつその組成が、一般式%式%) と表した場合、x、 y、 zの範囲がそれぞれ0
.25≦x<0. 6 0.05≦y<0.4 0.2≦z≦0.6 を満足してなるものである。ここで、XsVおよび2は
それぞれ原子数比を表わす。
マス(Bi)、アンチモン(Sb)、ゲルマニウム(G
e)およびテルル(Te)の4元素から主としてなり、
かつその組成が、一般式%式%) と表した場合、x、 y、 zの範囲がそれぞれ0
.25≦x<0. 6 0.05≦y<0.4 0.2≦z≦0.6 を満足してなるものである。ここで、XsVおよび2は
それぞれ原子数比を表わす。
かかる組成を満足することにより、結晶構造的に記録・
消去の繰返しに伴なう不可逆的な相分離、偏析が起りに
くく繰返しによる記録、消去特性の劣化が軽減できると
もに、高感度かつ容易に非晶化が可能であり、結晶化速
度も早く容易に500n秒以下とすることができる。ま
た非晶状態を安定化可能であるとともに、非晶と結晶で
の光学特性の差である信号コントラストの改善および消
去速度を改善することができる。
消去の繰返しに伴なう不可逆的な相分離、偏析が起りに
くく繰返しによる記録、消去特性の劣化が軽減できると
もに、高感度かつ容易に非晶化が可能であり、結晶化速
度も早く容易に500n秒以下とすることができる。ま
た非晶状態を安定化可能であるとともに、非晶と結晶で
の光学特性の差である信号コントラストの改善および消
去速度を改善することができる。
本発明の媒体組成は後述するような薄膜形成法により容
易に均一な構造として得ることができ、不可逆的な相分
離や偏析が起こりにくい構造となす;とができる。
易に均一な構造として得ることができ、不可逆的な相分
離や偏析が起こりにくい構造となす;とができる。
前記一般式において、Xが少ない場合には過剰なりiや
sbの析出や結晶相の粗大化が生じやすくなるなど好ま
しくなく、多い場合には非晶結晶化温度が低下し記録安
定性が劣化するなどして好ましくない。yが少ない場合
には高速消去性が低下するなどして好ましくなく、多過
ぎると過剰なりiの析出や非晶安定性が低下するなど好
ましくない。また2については、多い場合には非晶化や
高速消去性が低下したり、少ない場合には結晶化温度が
低くなり記録の安定性が低下するなど好ましくない。
sbの析出や結晶相の粗大化が生じやすくなるなど好ま
しくなく、多い場合には非晶結晶化温度が低下し記録安
定性が劣化するなどして好ましくない。yが少ない場合
には高速消去性が低下するなどして好ましくなく、多過
ぎると過剰なりiの析出や非晶安定性が低下するなど好
ましくない。また2については、多い場合には非晶化や
高速消去性が低下したり、少ない場合には結晶化温度が
低くなり記録の安定性が低下するなど好ましくない。
本発明力効果をより好ましく発現させるには、Xやy、
zはそれぞれ0.3≦X≦0. 55. 0゜1≦y≦
0.35,0.25≦z≦0655の範囲であることが
より好ましく、yはさらには0゜15≦y≦0.35が
より好ましい。
zはそれぞれ0.3≦X≦0. 55. 0゜1≦y≦
0.35,0.25≦z≦0655の範囲であることが
より好ましく、yはさらには0゜15≦y≦0.35が
より好ましい。
記録薄膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば記録膜
の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する場合には、7
0〜120nmの範囲に設定できる。また、記録膜に隣
接して、例えばその裏面側に反射層としての役割も持つ
冷却層を設ける場合には、約半分の膜厚にして同様な効
果を期待できる。
の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する場合には、7
0〜120nmの範囲に設定できる。また、記録膜に隣
接して、例えばその裏面側に反射層としての役割も持つ
冷却層を設ける場合には、約半分の膜厚にして同様な効
果を期待できる。
記録薄膜に隣接して、好ましくはその裏面側に冷却層を
設けることができる。
設けることができる。
この冷却層は、記録層から生じる熱の拡散を容易にし、
記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非晶マークの形成
を容易にするのに有効である。さらには、金属や金属合
金などの光学的に高い反射率を有する材料を用いれば、
反射層としての役割も付与することが可能であり、記録
層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高めるなどの効
果も期待できる。冷却層の膜厚は特に限定されないが、
10〜80nmが実用的にも好ましい。冷却層の材料と
しては、Sb、Bi、Sn、Au、AI。
記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非晶マークの形成
を容易にするのに有効である。さらには、金属や金属合
金などの光学的に高い反射率を有する材料を用いれば、
反射層としての役割も付与することが可能であり、記録
層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高めるなどの効
果も期待できる。冷却層の膜厚は特に限定されないが、
10〜80nmが実用的にも好ましい。冷却層の材料と
しては、Sb、Bi、Sn、Au、AI。
Ti、Ni、Cr、Pb、Hf等の金属又はそれらの合
金、あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物、カルコゲ
ン化物等のいずれかと金属との混合物などが使用できる
。特にAu、At、Hf、Ni、Crやそれらの合金等
は、膜の形成が容易であり、材料選択により熱伝導度を
広範囲に調整可能であるため、本発明の光記録媒体を種
々の目的に沿って設計する場合にその本来の優れた特性
を発現させるのに有効である。
金、あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物、カルコゲ
ン化物等のいずれかと金属との混合物などが使用できる
。特にAu、At、Hf、Ni、Crやそれらの合金等
は、膜の形成が容易であり、材料選択により熱伝導度を
広範囲に調整可能であるため、本発明の光記録媒体を種
々の目的に沿って設計する場合にその本来の優れた特性
を発現させるのに有効である。
本発明に用いられる基板としてはポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラス板、あ°る
いはA1等の金属板が挙げられる。
ート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラス板、あ°る
いはA1等の金属板が挙げられる。
本発明の記録媒体は本来の特性を効果的に発現させるた
め、基板と記録層の間や媒体の表面等に保護層や、記録
層と冷却層の間に拡散防止層が形成できる。
め、基板と記録層の間や媒体の表面等に保護層や、記録
層と冷却層の間に拡散防止層が形成できる。
保護層は、5in2、ZrC,ITO,ZnS。
MgF2等の無機膜やそれらの混合膜、紫外線硬化膜等
を、蒸着、スパッタ、スピンコード等の方法を用いて形
成したり、エポキシやポリカーボネイトなどの樹脂、フ
ィルム、ガラスなどを張合わせたり、ラミネートしても
良い。拡散防止層は耐湿熱性や耐酸化性などの効果のみ
ならず、記録層と反射層の間での元素拡散を抑制し特性
劣化を押さえる効果があり、保護層と同様な材料が使用
できる。
を、蒸着、スパッタ、スピンコード等の方法を用いて形
成したり、エポキシやポリカーボネイトなどの樹脂、フ
ィルム、ガラスなどを張合わせたり、ラミネートしても
良い。拡散防止層は耐湿熱性や耐酸化性などの効果のみ
ならず、記録層と反射層の間での元素拡散を抑制し特性
劣化を押さえる効果があり、保護層と同様な材料が使用
できる。
このような保護層および拡散防止層としては、例えば、
Z n S (!= M g F 2の混合膜は、耐熱
性が良好で、湿熱下での耐久性が優れており、さらには
記録と消去の繰返しによる記録層の劣化を抑制し、消去
特性を改善するなどの効果があり好ましいものである。
Z n S (!= M g F 2の混合膜は、耐熱
性が良好で、湿熱下での耐久性が優れており、さらには
記録と消去の繰返しによる記録層の劣化を抑制し、消去
特性を改善するなどの効果があり好ましいものである。
また、Zr、Ta、Ti及びWから選ばれた少なくとも
一種の金属と、ケイ素、酸素及び炭素を含む成分で構成
される膜は、各成分の好ましい含有量を上記金属が3〜
40原子%。
一種の金属と、ケイ素、酸素及び炭素を含む成分で構成
される膜は、各成分の好ましい含有量を上記金属が3〜
40原子%。
Siが5〜30原子%、0が5〜70原子%、Cが3〜
40原子%の範囲となすことにより、記録層の膜質劣化
や性能劣化を抑制できると共に記録層との接着力を高め
る効果が期待でき好ましい。
40原子%の範囲となすことにより、記録層の膜質劣化
や性能劣化を抑制できると共に記録層との接着力を高め
る効果が期待でき好ましい。
これらの保護層および拡散防止層により、耐久性や耐吸
湿性の向上、記録層の保護コート、基板からの剥離や盛
り上がり等の変形防止、融解、蒸発、拡散等による媒体
の消失防止、等の効果や更には非晶と結晶の可逆変化を
利用する場合の繰返し性の向上等の効果が期待できる。
湿性の向上、記録層の保護コート、基板からの剥離や盛
り上がり等の変形防止、融解、蒸発、拡散等による媒体
の消失防止、等の効果や更には非晶と結晶の可逆変化を
利用する場合の繰返し性の向上等の効果が期待できる。
[製造方法1
本発明の記録媒体の作製法には種々の方法が挙げられる
が、ここでは−例としてマグネトロンスパッタ法につい
て説明する。
が、ここでは−例としてマグネトロンスパッタ法につい
て説明する。
本発明の記録媒体は、1.2mm厚のパイレックスガラ
ス、又は1.2mm厚、13cm直径、1.6μmピッ
チのスパイラルグループ付きのポリカーボネイト(PC
)製の基板を10〜150rpmで回転させ、組成や膜
厚の均一化を図りながら、例えば、保護層、記録層、拡
散防止層あるいは冷却層を各々目的に応じて順次積層形
成する。
ス、又は1.2mm厚、13cm直径、1.6μmピッ
チのスパイラルグループ付きのポリカーボネイト(PC
)製の基板を10〜150rpmで回転させ、組成や膜
厚の均一化を図りながら、例えば、保護層、記録層、拡
散防止層あるいは冷却層を各々目的に応じて順次積層形
成する。
スパッタ条件は、スパッタガスにアルゴンガスを用い、
RF出力数十〜1kW、真空度8X10−’Pa〜lX
l0−1Pa程度の条件範囲で行なった。
RF出力数十〜1kW、真空度8X10−’Pa〜lX
l0−1Pa程度の条件範囲で行なった。
保護層や拡散防止層は、5in2、ZrC,ITo、Z
nSSMgF2や、それらの混合組成のターゲットを用
いて、水晶振動子膜厚計でモニターしながら、単独また
は同時スパッタして形成すれば良い。
nSSMgF2や、それらの混合組成のターゲットを用
いて、水晶振動子膜厚計でモニターしながら、単独また
は同時スパッタして形成すれば良い。
記録層はBi、Sb、Te及びB 1−Te合金、5b
−Te合金、Te−Ge合金などを水晶膜厚計でモニタ
ーしながら同時スパッタして所定組成の記録膜とするこ
とができる。1例として後述の実施例の場合には、真空
度5X10−’Paで、20mmφのBi2Te3合金
ペレットやsbペレットなどを適宜配置したSb2Te
ターゲットとTeGeターゲット(1:1組成)をRF
出力50〜120W程度で同時スパッタし、各ターゲッ
トの各々に取り付けた水晶振動子膜厚計より得られたス
パッタ量とIPC分析で求めた組成比とを対応させ、目
的とする薄膜の組成を制御した。ターゲット部材には、
他に所定薄膜組成となるように勘案した(Bi、Sb、
Te、Ge)の4元素ターゲットを用いても良い。
−Te合金、Te−Ge合金などを水晶膜厚計でモニタ
ーしながら同時スパッタして所定組成の記録膜とするこ
とができる。1例として後述の実施例の場合には、真空
度5X10−’Paで、20mmφのBi2Te3合金
ペレットやsbペレットなどを適宜配置したSb2Te
ターゲットとTeGeターゲット(1:1組成)をRF
出力50〜120W程度で同時スパッタし、各ターゲッ
トの各々に取り付けた水晶振動子膜厚計より得られたス
パッタ量とIPC分析で求めた組成比とを対応させ、目
的とする薄膜の組成を制御した。ターゲット部材には、
他に所定薄膜組成となるように勘案した(Bi、Sb、
Te、Ge)の4元素ターゲットを用いても良い。
冷却層はAu、 Sb、 Sn、 Bi、 P
b、 AI。
b、 AI。
Ti、Ni、Cr、Hf等の金属やそれらの合金を記録
薄膜と同様に形成すれば良い。
薄膜と同様に形成すれば良い。
これらのスパッタ条件は当然ながら装置により一定では
なく上記以外の条件で作製しても良いことは言うまでも
なく、作製方法としても、例えば真空蒸着法や電子ビー
ム蒸着法などの薄膜作製技術を用いて良いことは言うま
でもない。
なく上記以外の条件で作製しても良いことは言うまでも
なく、作製方法としても、例えば真空蒸着法や電子ビー
ム蒸着法などの薄膜作製技術を用いて良いことは言うま
でもない。
[用途]
このようにして得られた本発明の記録媒体は、特に光デ
ィスク、光カード、光テープ、光フロッピー、マイクロ
フィッシュ、レーザC0M等の情報記録媒体として好ま
しい特性を備えたものであり、これ以外にも光学特性の
差を記録に利用するあらゆる用途に適用可能なものであ
る。
ィスク、光カード、光テープ、光フロッピー、マイクロ
フィッシュ、レーザC0M等の情報記録媒体として好ま
しい特性を備えたものであり、これ以外にも光学特性の
差を記録に利用するあらゆる用途に適用可能なものであ
る。
[測定法]
■ 転移温度
ガラス基板上に作製した記録薄膜上に一対の電極を設け
、その一端に30にΩの抵抗を直列に接続する。残る電
極と抵抗の両端に5vの一定電圧を印加し、電圧計で抵
抗の両端電圧を測定し、これより薄膜の印加電圧と電流
を求め抵抗値を算出する。次に加熱炉を用い、温度制御
器で約り0℃/分の速度で基板全体を均一に加熱昇温し
ながら抵抗を測定し、高抵抗から低抵抗へ変化する温度
を求め転移温度とする。
、その一端に30にΩの抵抗を直列に接続する。残る電
極と抵抗の両端に5vの一定電圧を印加し、電圧計で抵
抗の両端電圧を測定し、これより薄膜の印加電圧と電流
を求め抵抗値を算出する。次に加熱炉を用い、温度制御
器で約り0℃/分の速度で基板全体を均一に加熱昇温し
ながら抵抗を測定し、高抵抗から低抵抗へ変化する温度
を求め転移温度とする。
■ 組成
ガラス基板上に作製した記録薄膜を王水、硝酸等で溶解
させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合プ
ラズマ(ICP)発光分光分析法(セイコー電子(株)
SPS−1100型)により、各元素の含有量を求め、
組成比を算出した。
させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合プ
ラズマ(ICP)発光分光分析法(セイコー電子(株)
SPS−1100型)により、各元素の含有量を求め、
組成比を算出した。
■ 動的記録・消去特性
PC製のグループ付基板上に記録薄膜を形成したものを
試料とした。評価装置は波長830nmの半導体レーザ
を組み込んだ光ヘッドとディスク回転装置及びそれらの
制御回路で主に構成されている。光ヘッドは回転するデ
ィスク基板を通して記録膜上に開口数0.5の対物レン
ズでレーザ光を集光し、基板に刻まれたグループに沿っ
てトラッキングするよう制御されている。記録は1〜1
5mWの記録パワーで、周波数が0.2〜6MH2,信
号のデユーティを10〜90%とし、消去パワーは1〜
15mWの範囲で測定した。線速度は0.5〜20m/
秒とした。CNRは、記録信号を0.7mWで再生し、
30kHzのバンド幅としたスペクトラルアナライザを
用いRF倍信号ら求めた。消去率は記録と消去後のキャ
リア信号の差から求めた。またキャリア周波数位置での
ノイズはその前後のノイズ値より補間で求めた。
試料とした。評価装置は波長830nmの半導体レーザ
を組み込んだ光ヘッドとディスク回転装置及びそれらの
制御回路で主に構成されている。光ヘッドは回転するデ
ィスク基板を通して記録膜上に開口数0.5の対物レン
ズでレーザ光を集光し、基板に刻まれたグループに沿っ
てトラッキングするよう制御されている。記録は1〜1
5mWの記録パワーで、周波数が0.2〜6MH2,信
号のデユーティを10〜90%とし、消去パワーは1〜
15mWの範囲で測定した。線速度は0.5〜20m/
秒とした。CNRは、記録信号を0.7mWで再生し、
30kHzのバンド幅としたスペクトラルアナライザを
用いRF倍信号ら求めた。消去率は記録と消去後のキャ
リア信号の差から求めた。またキャリア周波数位置での
ノイズはその前後のノイズ値より補間で求めた。
■ 活性化エネルギー
“テフロン″ (デュポン社製ポリテトラフルオロエチ
レン)基板上に記録膜を形成した後、ナイフで膜を剥離
させ粉末状試料を調製した。この粉末の結晶化ピーク温
度を示差熱分析計(島津製DSC−50)により昇温速
度を変えながら測定した。このデータをキラシンジャー
プロットして、その勾配から活性化エネルギーEaを算
出した。
レン)基板上に記録膜を形成した後、ナイフで膜を剥離
させ粉末状試料を調製した。この粉末の結晶化ピーク温
度を示差熱分析計(島津製DSC−50)により昇温速
度を変えながら測定した。このデータをキラシンジャー
プロットして、その勾配から活性化エネルギーEaを算
出した。
昇温速度は5〜80°C/分の範囲で変えた。
光メモリシンポジウム′85論文集のNo、3(21頁
)報告等から、Ea〜1.8eVで60℃放置で約10
年以上の保存性と推定される。
)報告等から、Ea〜1.8eVで60℃放置で約10
年以上の保存性と推定される。
[実施例]
本発明を更に実施例に基づいて説明する。
実施例1
製造方法で述べたスパッタ法により、パイレックスガラ
ス基板及びプリグループ付きPC基板の夫々に保護層、
記録層、拡散防止層、冷却層を順に形成した。基板は毎
分40回転させて組成と膜厚の均一化を図った。
ス基板及びプリグループ付きPC基板の夫々に保護層、
記録層、拡散防止層、冷却層を順に形成した。基板は毎
分40回転させて組成と膜厚の均一化を図った。
真空度5X10−’Paで、基板上にSiO2を20m
o1%混合したZnS保護層を約170nm形成した。
o1%混合したZnS保護層を約170nm形成した。
この上に20mmφのBi、Te3合金ペー・ットを2
個配置したSb、TeターゲットとTeGeターゲット
(1:1組成)を水晶振動子膜厚計の値で約2:1の割
合となるよう同時スパッタし記録層を約73nm形成し
た。この記録層のIPC分析で求めた組成比は(T e
0.32B 1 +。
個配置したSb、TeターゲットとTeGeターゲット
(1:1組成)を水晶振動子膜厚計の値で約2:1の割
合となるよう同時スパッタし記録層を約73nm形成し
た。この記録層のIPC分析で求めた組成比は(T e
0.32B 1 +。
26Sb11.42) 0.64 (Tea、s Ge
05) 0.36であった。次いで約230 nmの5
in2拡散防止層、約41nmのHf冷却層を順次形成
した。この記録媒体の結晶化温度を測定法■の方法で測
ったところ、約150℃であり常温での記録媒体の熱安
定性は十分であると推定できる。また活性化エネルギー
を測定したところ1.82eV以上であり、媒体の保存
安定性として60℃で10年以上が推定できる。
05) 0.36であった。次いで約230 nmの5
in2拡散防止層、約41nmのHf冷却層を順次形成
した。この記録媒体の結晶化温度を測定法■の方法で測
ったところ、約150℃であり常温での記録媒体の熱安
定性は十分であると推定できる。また活性化エネルギー
を測定したところ1.82eV以上であり、媒体の保存
安定性として60℃で10年以上が推定できる。
PC基板に形成した光記録媒体を、線速度15m/秒で
10.5mW、線速度11m/秒で15mW、線速度1
5m/秒で10.5mWの順にレーザ光を連続照射しな
がらトラック上を3回走査し記録層を結晶化(初期化)
した。この初期化により記録媒体の反射率は上昇し、ノ
イズの少ない均一な結晶化が確認された。
10.5mW、線速度11m/秒で15mW、線速度1
5m/秒で10.5mWの順にレーザ光を連続照射しな
がらトラック上を3回走査し記録層を結晶化(初期化)
した。この初期化により記録媒体の反射率は上昇し、ノ
イズの少ない均一な結晶化が確認された。
その後、線速度15m/秒で5.5MHz、デユーティ
50%、15mWの条件で信号を記録したところ、0.
7mWの再生光強度でCNRが51dBと良好なディジ
タル記録が可能な値が得られた。ノイズも一66dBm
以下と良好で記録によるノイズの増加は見られなかった
。更に記録部分を線速度15m/秒、10.5mWで走
査したところ記録は消去され、消去率は一30dBと良
好であった。前記の記録・消去条件で2000回繰返し
た所、800回目で記録のCNRは49dB1消去率は
30dBであり、2000回目でもCNRは49dB、
消去率は30dBとほとんど劣化が見られず良好であっ
た。
50%、15mWの条件で信号を記録したところ、0.
7mWの再生光強度でCNRが51dBと良好なディジ
タル記録が可能な値が得られた。ノイズも一66dBm
以下と良好で記録によるノイズの増加は見られなかった
。更に記録部分を線速度15m/秒、10.5mWで走
査したところ記録は消去され、消去率は一30dBと良
好であった。前記の記録・消去条件で2000回繰返し
た所、800回目で記録のCNRは49dB1消去率は
30dBであり、2000回目でもCNRは49dB、
消去率は30dBとほとんど劣化が見られず良好であっ
た。
前述のごとく同一の線速度で高速に記録と消去を行える
ことより、記録パルスを消去レベルのパワーに重畳して
1度の走査で信号の書替えを行う1ビームオーバライド
が可能であると推定できる。
ことより、記録パルスを消去レベルのパワーに重畳して
1度の走査で信号の書替えを行う1ビームオーバライド
が可能であると推定できる。
実施例2
記録層を組成が(T e O,35B 10.22S
b Q、 43)o、74(Tea5Geo5)0.2
6で膜厚を50nmとし、保護層、拡散防止層の膜厚を
それぞれ160nm、210nmとし、冷却層をNi−
Cr合金(80:20)で約45nmとした以外は、実
施例1と同様の方法で異なる層構成の媒体を形成し、本
実施例の媒体とした。
b Q、 43)o、74(Tea5Geo5)0.2
6で膜厚を50nmとし、保護層、拡散防止層の膜厚を
それぞれ160nm、210nmとし、冷却層をNi−
Cr合金(80:20)で約45nmとした以外は、実
施例1と同様の方法で異なる層構成の媒体を形成し、本
実施例の媒体とした。
この記録媒体の結晶化温度を測定したところ、約140
℃であり実施例1と同様に常温での記録媒体の熱安定性
は十分であると推定できる。
℃であり実施例1と同様に常温での記録媒体の熱安定性
は十分であると推定できる。
初期化条件を15m/秒、10.5mWとしてトラック
を2回走査したところ、実施例1と同様な良好な初期化
ができた。
を2回走査したところ、実施例1と同様な良好な初期化
ができた。
この初期化したトラックに、線速度15m/秒の高速度
条件で記録条件を5.5MHz、デユーティ50%、1
5mWとし、消去パワーをllmWとして160回記録
・消去を繰返した。その結果、0.7mWの再生光強度
で記録後のCNRは50dBと良好であり、消去後の消
去率は31dBが得られ、更に繰返しても同様の特性が
安定して再現できた。
条件で記録条件を5.5MHz、デユーティ50%、1
5mWとし、消去パワーをllmWとして160回記録
・消去を繰返した。その結果、0.7mWの再生光強度
で記録後のCNRは50dBと良好であり、消去後の消
去率は31dBが得られ、更に繰返しても同様の特性が
安定して再現できた。
実施例3
記録層を(イ)は(Teo4+B io2tsbo3g
)0.5g (Teg、+s Geo、s ) 0.4
1% (0)は(TeO,33B 1o、i+5bo
36)o6 (Tea、s Geo、)0.4Xとした
以外は実施例2と同じ構成と組成の試料を作製し測定法
■の動的記録・消去特性を評価した。
)0.5g (Teg、+s Geo、s ) 0.4
1% (0)は(TeO,33B 1o、i+5bo
36)o6 (Tea、s Geo、)0.4Xとした
以外は実施例2と同じ構成と組成の試料を作製し測定法
■の動的記録・消去特性を評価した。
初期化として線速度9m/秒、9mWのパワーでトラッ
クに沿って2回走査した後、0.7mWで再生した所、
試料(イ)と(ロ)いずれもRF信号レベルは明らかに
高反射率に変化し、良好な結晶化(初期化)ができた。
クに沿って2回走査した後、0.7mWで再生した所、
試料(イ)と(ロ)いずれもRF信号レベルは明らかに
高反射率に変化し、良好な結晶化(初期化)ができた。
ノイズの増加は数dB以下でほとんどなかった。次いで
線速度9m/秒で記録を13mW、4MHz、デユーテ
ィ50%とし、消去を9mWで行なったところ、記録の
CNRは試料(イ)では51dB、(ロ)では49dB
と良好であり、消去率はいずれも25dB以上が得られ
た。更に同一トラックに記録・消去を繰返したところ安
定な繰返しが可能であることが確認できた。
線速度9m/秒で記録を13mW、4MHz、デユーテ
ィ50%とし、消去を9mWで行なったところ、記録の
CNRは試料(イ)では51dB、(ロ)では49dB
と良好であり、消去率はいずれも25dB以上が得られ
た。更に同一トラックに記録・消去を繰返したところ安
定な繰返しが可能であることが確認できた。
比較例1
記録層を(ハ)は(Teo、3 B to5Sbo2)
o、71 (Teo5Geo5)0.29、(ニ)は(
Tea、b B 1o4)0.27 (Tea5Geo
、)0.73とした以外は実施例1と同様な構成でパイ
レックスガラス基板とPCのディスク基板にそれぞれ媒
体を形成した。パイレックスガラス基板で測定したこの
媒体の結晶化温度は試料(ハ)、(ニ)いずれも110
℃以下と大きく低下しており、記録媒体の熱安定性は大
巾に低下していると推定される。
o、71 (Teo5Geo5)0.29、(ニ)は(
Tea、b B 1o4)0.27 (Tea5Geo
、)0.73とした以外は実施例1と同様な構成でパイ
レックスガラス基板とPCのディスク基板にそれぞれ媒
体を形成した。パイレックスガラス基板で測定したこの
媒体の結晶化温度は試料(ハ)、(ニ)いずれも110
℃以下と大きく低下しており、記録媒体の熱安定性は大
巾に低下していると推定される。
次に線速度9m/秒で記録を13mW、4MHz、デユ
ーティ50%とし、消去を9mWとして繰返したところ
記録が非常に困難となっており、試料(ハ)、(ニ)い
ずれも記録のCNRは35dB以下で、消去率は20d
B以下であり、繰返しによる改善も見られなかった。
ーティ50%とし、消去を9mWとして繰返したところ
記録が非常に困難となっており、試料(ハ)、(ニ)い
ずれも記録のCNRは35dB以下で、消去率は20d
B以下であり、繰返しによる改善も見られなかった。
実施例4
保護層、拡散防止層および中間層にMgF2を10mo
1%混合したZnS無機膜を用い、記録層の組成を(T
eg3□Bio26sbo4゜)0.65 (Te。、
5Geo、)。3.として、保護層、記録層、および拡
散防止層の順にそれぞれおよそ170nm。
1%混合したZnS無機膜を用い、記録層の組成を(T
eg3□Bio26sbo4゜)0.65 (Te。、
5Geo、)。3.として、保護層、記録層、および拡
散防止層の順にそれぞれおよそ170nm。
51nm、および216 nmの厚みで積層した。
次いでNi−Cr合金(80:20)を約26nm1中
間層を約21nm、更にNi−Cr合金を約26nm形
成し本実施例の媒体とした。
間層を約21nm、更にNi−Cr合金を約26nm形
成し本実施例の媒体とした。
初期化条件を8m/秒、8.5mWとしてトラックを走
査したところ、実施例1と同様な良好な初期化ができた
。
査したところ、実施例1と同様な良好な初期化ができた
。
線速度8m/秒で、記録を4 M Hz 、デユーティ
40%、14mWとし消去を8.5mWの条件で120
回繰返した結果、1mWの再生光強度でCNRが49
d B、消去率が27dBが得られ、良好な記録・消去
の繰返しが可能であった。更に消去率の消去速度の依存
性を見るために、記録を12m/秒、3.69MHz、
デユーティ50%、15mWとし消去を15m/秒、1
0.5mWの条件として120回゛繰返した後、記録条
件を一定として、消去線速度を5〜20m/秒の範囲で
変えて消去率を測定した。消去のパワーは各線速度で消
去率が最良となるよう最適化した。その結果、例えば線
速度18m/秒で消去パワー13mWの場合に消去率が
27dB得られ、同様に5〜20m/秒いずれの線速度
でも26〜30dBの消去率が実現できた。この場合、
再生光強度は0. 7mWとし、記録のCNRは消去線
速度によらず約48dBが得られた。
40%、14mWとし消去を8.5mWの条件で120
回繰返した結果、1mWの再生光強度でCNRが49
d B、消去率が27dBが得られ、良好な記録・消去
の繰返しが可能であった。更に消去率の消去速度の依存
性を見るために、記録を12m/秒、3.69MHz、
デユーティ50%、15mWとし消去を15m/秒、1
0.5mWの条件として120回゛繰返した後、記録条
件を一定として、消去線速度を5〜20m/秒の範囲で
変えて消去率を測定した。消去のパワーは各線速度で消
去率が最良となるよう最適化した。その結果、例えば線
速度18m/秒で消去パワー13mWの場合に消去率が
27dB得られ、同様に5〜20m/秒いずれの線速度
でも26〜30dBの消去率が実現できた。この場合、
再生光強度は0. 7mWとし、記録のCNRは消去線
速度によらず約48dBが得られた。
[発明の効果]
本発明による記録媒体は以下に述べるような優れた効果
を奏するものである。
を奏するものである。
■ 消去速度が早く、高速での記録・消去が可能な光記
録媒体が得られる。
録媒体が得られる。
■ 低線速度から高線速度まで、記録のCNR。
消去率が良好かつ安定な光記録媒体が得られる。
■ 転移温度が良好で活性化エネルギーも高く、熱及び
保存安定性に優れた光記録媒体が得られる。
保存安定性に優れた光記録媒体が得られる。
■ 実用的な半導体レーザ出力で記録・消去が可能であ
り、感度の良好な光記録媒体が得られる。
り、感度の良好な光記録媒体が得られる。
■ 多数回の記録・消去の繰返しでも動作が安定してお
り、記録感度、記録・消去特性、ノイズの増大などの劣
化が少ない良好な光記録媒体が得られる。
り、記録感度、記録・消去特性、ノイズの増大などの劣
化が少ない良好な光記録媒体が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成された記録薄膜にエネルギービームを照射
し、直接又は間接に発生する熱により、上記薄膜の光学
特性を変化せしめて、情報の記録を行う情報記録媒体に
おいて、該記録薄膜がビスマス(Bi)、アンチモン(
Sb)、ゲルマニウム(Ge)およびテルル(Te)の
4元素から主としてなり、かつその組成が、次の一般式
で表されることを特徴とする情報記録媒体。 (Te_xBi_ySb_1_−_x_−_y)_1_
−_z(Te_0_._5Ge_0_._5)_xただ
し0.25≦x<0.6 0.05≦y<0.4 0.2≦z≦0.6 ここで、x、yおよびzはそれぞれ原子数比を表わす。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178866A JPH0342276A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1178866A JPH0342276A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0342276A true JPH0342276A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=16056056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1178866A Pending JPH0342276A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342276A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
WO2000054982A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
KR100411336B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2003-12-18 | 에스케이씨 주식회사 | 되쓰기형 광기록매체용 상변화형 광기록재료 |
US7498069B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-03-03 | Nec Corporation | Optical recording medium, optical recording method, and optical recording apparatus |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1178866A patent/JPH0342276A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
WO2000054982A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
US6858277B1 (en) | 1999-03-15 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for manufacturing the same |
CN1294030C (zh) * | 1999-03-15 | 2007-01-10 | 松下电器产业株式会社 | 信息记录媒体及其制造方法 |
KR100411336B1 (ko) * | 2001-03-29 | 2003-12-18 | 에스케이씨 주식회사 | 되쓰기형 광기록매체용 상변화형 광기록재료 |
US7498069B2 (en) | 2004-07-15 | 2009-03-03 | Nec Corporation | Optical recording medium, optical recording method, and optical recording apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5221588A (en) | Method for recording and erasing information | |
JP2574325B2 (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
JP2937351B2 (ja) | 第三元素を含有するアンチモン‐錫合金からなる光学記録材料 | |
KR100453540B1 (ko) | 재기록가능한 상변화형 광기록 조성물 및 재기록가능한상변화형 광디스크 | |
JPS6273438A (ja) | 光学情報記録部材 | |
JPH0342276A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2830022B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2629746B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPS63142542A (ja) | 情報記録薄膜形成用スパツタリングタ−ゲツト | |
JPH02112987A (ja) | 光記録媒体 | |
JP3010513B2 (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
JP2658224B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2867407B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JP3286501B2 (ja) | 情報記録媒体の初期化方法 | |
JP2893737B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2629717B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JPH04316887A (ja) | 光記録媒体及びスパッタリングターゲット並びにそれらの製造方法 | |
JP2629749B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2000339750A (ja) | 光記録媒体 | |
JP2798247B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPS63167440A (ja) | 情報を記録もしくは記録及び消去する方法 | |
JPH01180387A (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2903970B2 (ja) | 光学的記録用媒体およびこれを用いた記録再生方法 | |
JPH0322231A (ja) | 情報記録媒体の初期化方法 | |
JP3246244B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 |