JPH0342276A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は情報記録媒体に関するもので、特にレーザ光や
電子線などのエネルギービームの照射により、情報の記
録を行う光カードや光ディスクの装置などに使用される
情報記録媒体に関する。

［従来の技術］ 光情報記録媒体の記録方式で、結晶と非晶のような媒体
の相変化に伴う光学特性の差を記録に利用する方式は、
媒体自体の変形、蒸発による汚染などの問題がなく、保
護膜により耐久性を向上させることも可能であり、Ｉｎ
−８ｅ系薄膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、５ｂ−Ｔｅ系薄膜、
Ｔｅ−Ｇｅ系薄膜など種々の材料が提案されている。例
えば、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎ薄膜（Ａｐｐｌ、　Ｐｈ７ｓ、
　Ｌｅｆｔ、　、　４６　（８）ｐ１５　（１９８５）
　、特開昭６１−３３２４など）、Ｔｅを主成分とする
Ｔ　ｅ　ｇｏｓ　ｂ　＋ｏＳ　ｅ　、ｏ記録薄膜（特開
昭６１−１４５７３８．５ＰＩＥ　ｖｏ１５２９．　ｐ
２など）、５ｂ２Ｓｅなどの組成の５ｂ−８ｅ膜（特開
昭６０−１５５４９５、Ａｐｐｌ、ｆ’Ｊｓ、　Ｌｅｔ
ｔ、　、　４８　（９）、　ｐ１２　（１９８６）など
）、Ｔｅを主成分とするＴｅ−Ｇｅ−５ｂ合金記録膜（
特開昭６２−２０９７４２など）、またＴｅ−８ｂの２
元合金記録膜（８６年応用物理学会講演集　２９ａ−Ｚ
Ｅ−３，４）などが提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記従来技術による記録媒体には次のよ
うな問題点があった。

すなわち、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎを記録膜としたものでは、
適切な消去特性と実用的な記録感度を両立させることが
困難で実用性に乏しく、またＴｅ５ｏｓ　ｂ　ＩＱｓ　
ｅ　１０記録薄膜、５ｂ２Ｓｅなどの組成の５ｂ−８ｅ
合金膜などでは、実用的な消去速度範囲で満足できる消
去特性を実現することが容易でなかったり、記録と消去
の繰返しに伴ってノイズが増加し記録の信号品質が低下
する等の問題があった。またＳｂ２Ｔｅ３合金を記録膜
に用いたものは、結晶化温度が低く記録の保存性に問題
があるなど実用性に乏しいものであった。さらにＴｅ−
Ｇｅ−８ｂ膜では、結晶化速度を早くして消去速度を数
百ｎ秒以下とすることが可能であるが、高速消去可能な
組成では、記録時の非晶化がそれほど容易ではなく、高
速の消去特性と実用的な記録感度を両立させることが困
難で組成の微妙な調整を必要とした。

本発明はかかる問題点を改善し、高速かつ高感度に記録
消去が可能であり、かつ良好な記録消去特性を備え、繰
返しによる劣化も少なく信頼性の高い、熱安定性の優れ
た光記録媒体を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録薄膜に
エネルギービームを照射し、直接又は間接に発生する熱
により、上記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記
録を行う情報記録媒体において、該記録薄膜がビスマス
（Ｂｉ）、アンチモン（ｓｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）
およびテルル（Ｔｅ）の４元素から主としてなり、かつ
その組成が、次の一般式で表されることを特徴とする情
報記録媒体。

（Ｔｅ、　Ｂｔ、　５ｂｌ−、−ｙ　）　ｒ−−（Ｔｅ
ｏ、Ｇｅｕ５）　ｚただし、 ０、２５≦ｘ＜０．　６ ０．０５≦ｙ＜Ｑ、　　４ ０、２≦ｚ≦０．　　に こで、ＸＮＹおよび２はそれぞれ原子数比を表わす。

により達成される。

すなわち、本発明において使用される記録薄膜は、ビス
マス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ゲルマニウム（Ｇ
ｅ）およびテルル（Ｔｅ）の４元素から主としてなり、
かつその組成が、一般式％式％） と表した場合、ｘ、　　ｙ、　　ｚの範囲がそれぞれ０
．２５≦ｘ＜０．　６ ０．０５≦ｙ＜０．４ ０．２≦ｚ≦０．６ を満足してなるものである。ここで、ＸｓＶおよび２は
それぞれ原子数比を表わす。

かかる組成を満足することにより、結晶構造的に記録・
消去の繰返しに伴なう不可逆的な相分離、偏析が起りに
くく繰返しによる記録、消去特性の劣化が軽減できると
もに、高感度かつ容易に非晶化が可能であり、結晶化速
度も早く容易に５００ｎ秒以下とすることができる。ま
た非晶状態を安定化可能であるとともに、非晶と結晶で
の光学特性の差である信号コントラストの改善および消
去速度を改善することができる。

本発明の媒体組成は後述するような薄膜形成法により容
易に均一な構造として得ることができ、不可逆的な相分
離や偏析が起こりにくい構造となす；とができる。

前記一般式において、Ｘが少ない場合には過剰なりｉや
ｓｂの析出や結晶相の粗大化が生じやすくなるなど好ま
しくなく、多い場合には非晶結晶化温度が低下し記録安
定性が劣化するなどして好ましくない。ｙが少ない場合
には高速消去性が低下するなどして好ましくなく、多過
ぎると過剰なりｉの析出や非晶安定性が低下するなど好
ましくない。また２については、多い場合には非晶化や
高速消去性が低下したり、少ない場合には結晶化温度が
低くなり記録の安定性が低下するなど好ましくない。

本発明力効果をより好ましく発現させるには、Ｘやｙ、
ｚはそれぞれ０．３≦Ｘ≦０．　５５．　０゜１≦ｙ≦
０．３５，０．２５≦ｚ≦０６５５の範囲であることが
より好ましく、ｙはさらには０゜１５≦ｙ≦０．３５が
より好ましい。

記録薄膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば記録膜
の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する場合には、７
０〜１２０ｎｍの範囲に設定できる。また、記録膜に隣
接して、例えばその裏面側に反射層としての役割も持つ
冷却層を設ける場合には、約半分の膜厚にして同様な効
果を期待できる。

記録薄膜に隣接して、好ましくはその裏面側に冷却層を
設けることができる。

この冷却層は、記録層から生じる熱の拡散を容易にし、
記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非晶マークの形成
を容易にするのに有効である。さらには、金属や金属合
金などの光学的に高い反射率を有する材料を用いれば、
反射層としての役割も付与することが可能であり、記録
層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高めるなどの効
果も期待できる。冷却層の膜厚は特に限定されないが、
１０〜８０ｎｍが実用的にも好ましい。冷却層の材料と
しては、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ａｕ、ＡＩ。

Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｂ、Ｈｆ等の金属又はそれらの合
金、あるいは金属の酸化物、炭化物、窒化物、カルコゲ
ン化物等のいずれかと金属との混合物などが使用できる
。特にＡｕ、Ａｔ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｃｒやそれらの合金等
は、膜の形成が容易であり、材料選択により熱伝導度を
広範囲に調整可能であるため、本発明の光記録媒体を種
々の目的に沿って設計する場合にその本来の優れた特性
を発現させるのに有効である。

本発明に用いられる基板としてはポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラス板、あ°る
いはＡ１等の金属板が挙げられる。

本発明の記録媒体は本来の特性を効果的に発現させるた
め、基板と記録層の間や媒体の表面等に保護層や、記録
層と冷却層の間に拡散防止層が形成できる。

保護層は、５ｉｎ２、ＺｒＣ，ＩＴＯ，ＺｎＳ。

ＭｇＦ２等の無機膜やそれらの混合膜、紫外線硬化膜等
を、蒸着、スパッタ、スピンコード等の方法を用いて形
成したり、エポキシやポリカーボネイトなどの樹脂、フ
ィルム、ガラスなどを張合わせたり、ラミネートしても
良い。拡散防止層は耐湿熱性や耐酸化性などの効果のみ
ならず、記録層と反射層の間での元素拡散を抑制し特性
劣化を押さえる効果があり、保護層と同様な材料が使用
できる。

このような保護層および拡散防止層としては、例えば、
Ｚ　ｎ　Ｓ　（！＝　Ｍ　ｇ　Ｆ　２の混合膜は、耐熱
性が良好で、湿熱下での耐久性が優れており、さらには
記録と消去の繰返しによる記録層の劣化を抑制し、消去
特性を改善するなどの効果があり好ましいものである。

また、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ及びＷから選ばれた少なくとも
一種の金属と、ケイ素、酸素及び炭素を含む成分で構成
される膜は、各成分の好ましい含有量を上記金属が３〜
４０原子％。

Ｓｉが５〜３０原子％、０が５〜７０原子％、Ｃが３〜
４０原子％の範囲となすことにより、記録層の膜質劣化
や性能劣化を抑制できると共に記録層との接着力を高め
る効果が期待でき好ましい。

これらの保護層および拡散防止層により、耐久性や耐吸
湿性の向上、記録層の保護コート、基板からの剥離や盛
り上がり等の変形防止、融解、蒸発、拡散等による媒体
の消失防止、等の効果や更には非晶と結晶の可逆変化を
利用する場合の繰返し性の向上等の効果が期待できる。

［製造方法１ 本発明の記録媒体の作製法には種々の方法が挙げられる
が、ここでは−例としてマグネトロンスパッタ法につい
て説明する。

本発明の記録媒体は、１．２ｍｍ厚のパイレックスガラ
ス、又は１．２ｍｍ厚、１３ｃｍ直径、１．６μｍピッ
チのスパイラルグループ付きのポリカーボネイト（ＰＣ
）製の基板を１０〜１５０ｒｐｍで回転させ、組成や膜
厚の均一化を図りながら、例えば、保護層、記録層、拡
散防止層あるいは冷却層を各々目的に応じて順次積層形
成する。

スパッタ条件は、スパッタガスにアルゴンガスを用い、
ＲＦ出力数十〜１ｋＷ、真空度８Ｘ１０−’Ｐａ〜ｌＸ
ｌ０−１Ｐａ程度の条件範囲で行なった。

保護層や拡散防止層は、５ｉｎ２、ＺｒＣ，ＩＴｏ、Ｚ
ｎＳＳＭｇＦ２や、それらの混合組成のターゲットを用
いて、水晶振動子膜厚計でモニターしながら、単独また
は同時スパッタして形成すれば良い。

記録層はＢｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢ　１−Ｔｅ合金、５ｂ
−Ｔｅ合金、Ｔｅ−Ｇｅ合金などを水晶膜厚計でモニタ
ーしながら同時スパッタして所定組成の記録膜とするこ
とができる。１例として後述の実施例の場合には、真空
度５Ｘ１０−’Ｐａで、２０ｍｍφのＢｉ２Ｔｅ３合金
ペレットやｓｂペレットなどを適宜配置したＳｂ２Ｔｅ
ターゲットとＴｅＧｅターゲット（１：１組成）をＲＦ
出力５０〜１２０Ｗ程度で同時スパッタし、各ターゲッ
トの各々に取り付けた水晶振動子膜厚計より得られたス
パッタ量とＩＰＣ分析で求めた組成比とを対応させ、目
的とする薄膜の組成を制御した。ターゲット部材には、
他に所定薄膜組成となるように勘案した（Ｂｉ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｇｅ）の４元素ターゲットを用いても良い。

冷却層はＡｕ、　　Ｓｂ、　　Ｓｎ、　　Ｂｉ、　　Ｐ
ｂ、　ＡＩ。

Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｈｆ等の金属やそれらの合金を記録
薄膜と同様に形成すれば良い。

これらのスパッタ条件は当然ながら装置により一定では
なく上記以外の条件で作製しても良いことは言うまでも
なく、作製方法としても、例えば真空蒸着法や電子ビー
ム蒸着法などの薄膜作製技術を用いて良いことは言うま
でもない。

［用途］ このようにして得られた本発明の記録媒体は、特に光デ
ィスク、光カード、光テープ、光フロッピー、マイクロ
フィッシュ、レーザＣ０Ｍ等の情報記録媒体として好ま
しい特性を備えたものであり、これ以外にも光学特性の
差を記録に利用するあらゆる用途に適用可能なものであ
る。

［測定法］ ■　転移温度 ガラス基板上に作製した記録薄膜上に一対の電極を設け
、その一端に３０にΩの抵抗を直列に接続する。残る電
極と抵抗の両端に５ｖの一定電圧を印加し、電圧計で抵
抗の両端電圧を測定し、これより薄膜の印加電圧と電流
を求め抵抗値を算出する。次に加熱炉を用い、温度制御
器で約り０℃／分の速度で基板全体を均一に加熱昇温し
ながら抵抗を測定し、高抵抗から低抵抗へ変化する温度
を求め転移温度とする。

■　組成 ガラス基板上に作製した記録薄膜を王水、硝酸等で溶解
させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合プ
ラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法（セイコー電子（株）
ＳＰＳ−１１００型）により、各元素の含有量を求め、
組成比を算出した。

■　動的記録・消去特性 ＰＣ製のグループ付基板上に記録薄膜を形成したものを
試料とした。評価装置は波長８３０ｎｍの半導体レーザ
を組み込んだ光ヘッドとディスク回転装置及びそれらの
制御回路で主に構成されている。光ヘッドは回転するデ
ィスク基板を通して記録膜上に開口数０．５の対物レン
ズでレーザ光を集光し、基板に刻まれたグループに沿っ
てトラッキングするよう制御されている。記録は１〜１
５ｍＷの記録パワーで、周波数が０．２〜６ＭＨ２，信
号のデユーティを１０〜９０％とし、消去パワーは１〜
１５ｍＷの範囲で測定した。線速度は０．５〜２０ｍ／
秒とした。ＣＮＲは、記録信号を０．７ｍＷで再生し、
３０ｋＨｚのバンド幅としたスペクトラルアナライザを
用いＲＦ倍信号ら求めた。消去率は記録と消去後のキャ
リア信号の差から求めた。またキャリア周波数位置での
ノイズはその前後のノイズ値より補間で求めた。

■　活性化エネルギー “テフロン″　（デュポン社製ポリテトラフルオロエチ
レン）基板上に記録膜を形成した後、ナイフで膜を剥離
させ粉末状試料を調製した。この粉末の結晶化ピーク温
度を示差熱分析計（島津製ＤＳＣ−５０）により昇温速
度を変えながら測定した。このデータをキラシンジャー
プロットして、その勾配から活性化エネルギーＥａを算
出した。

昇温速度は５〜８０°Ｃ／分の範囲で変えた。

光メモリシンポジウム′８５論文集のＮｏ、３（２１頁
）報告等から、Ｅａ〜１．８ｅＶで６０℃放置で約１０
年以上の保存性と推定される。

［実施例］ 本発明を更に実施例に基づいて説明する。

実施例１ 製造方法で述べたスパッタ法により、パイレックスガラ
ス基板及びプリグループ付きＰＣ基板の夫々に保護層、
記録層、拡散防止層、冷却層を順に形成した。基板は毎
分４０回転させて組成と膜厚の均一化を図った。

真空度５Ｘ１０−’Ｐａで、基板上にＳｉＯ２を２０ｍ
ｏ１％混合したＺｎＳ保護層を約１７０ｎｍ形成した。

この上に２０ｍｍφのＢｉ、Ｔｅ３合金ペー・ットを２
個配置したＳｂ、ＴｅターゲットとＴｅＧｅターゲット
（１：１組成）を水晶振動子膜厚計の値で約２：１の割
合となるよう同時スパッタし記録層を約７３ｎｍ形成し
た。この記録層のＩＰＣ分析で求めた組成比は（Ｔ　ｅ
　０．３２Ｂ　１　＋。

２６Ｓｂ１１．４２）　０．６４　（Ｔｅａ、ｓ　Ｇｅ
０５）　０．３６であった。次いで約２３０　ｎｍの５
ｉｎ２拡散防止層、約４１ｎｍのＨｆ冷却層を順次形成
した。この記録媒体の結晶化温度を測定法■の方法で測
ったところ、約１５０℃であり常温での記録媒体の熱安
定性は十分であると推定できる。また活性化エネルギー
を測定したところ１．８２ｅＶ以上であり、媒体の保存
安定性として６０℃で１０年以上が推定できる。

ＰＣ基板に形成した光記録媒体を、線速度１５ｍ／秒で
１０．５ｍＷ、線速度１１ｍ／秒で１５ｍＷ、線速度１
５ｍ／秒で１０．５ｍＷの順にレーザ光を連続照射しな
がらトラック上を３回走査し記録層を結晶化（初期化）
した。この初期化により記録媒体の反射率は上昇し、ノ
イズの少ない均一な結晶化が確認された。

その後、線速度１５ｍ／秒で５．５ＭＨｚ、デユーティ
５０％、１５ｍＷの条件で信号を記録したところ、０．
７ｍＷの再生光強度でＣＮＲが５１ｄＢと良好なディジ
タル記録が可能な値が得られた。ノイズも一６６ｄＢｍ
以下と良好で記録によるノイズの増加は見られなかった
。更に記録部分を線速度１５ｍ／秒、１０．５ｍＷで走
査したところ記録は消去され、消去率は一３０ｄＢと良
好であった。前記の記録・消去条件で２０００回繰返し
た所、８００回目で記録のＣＮＲは４９ｄＢ１消去率は
３０ｄＢであり、２０００回目でもＣＮＲは４９ｄＢ、
消去率は３０ｄＢとほとんど劣化が見られず良好であっ
た。

前述のごとく同一の線速度で高速に記録と消去を行える
ことより、記録パルスを消去レベルのパワーに重畳して
１度の走査で信号の書替えを行う１ビームオーバライド
が可能であると推定できる。

実施例２ 記録層を組成が（Ｔ　ｅ　Ｏ，３５Ｂ　１０．２２Ｓ　
ｂ　Ｑ、　４３）ｏ、７４（Ｔｅａ５Ｇｅｏ５）０．２
６で膜厚を５０ｎｍとし、保護層、拡散防止層の膜厚を
それぞれ１６０ｎｍ、２１０ｎｍとし、冷却層をＮｉ−
Ｃｒ合金（８０：２０）で約４５ｎｍとした以外は、実
施例１と同様の方法で異なる層構成の媒体を形成し、本
実施例の媒体とした。

この記録媒体の結晶化温度を測定したところ、約１４０
℃であり実施例１と同様に常温での記録媒体の熱安定性
は十分であると推定できる。

初期化条件を１５ｍ／秒、１０．５ｍＷとしてトラック
を２回走査したところ、実施例１と同様な良好な初期化
ができた。

この初期化したトラックに、線速度１５ｍ／秒の高速度
条件で記録条件を５．５ＭＨｚ、デユーティ５０％、１
５ｍＷとし、消去パワーをｌｌｍＷとして１６０回記録
・消去を繰返した。その結果、０．７ｍＷの再生光強度
で記録後のＣＮＲは５０ｄＢと良好であり、消去後の消
去率は３１ｄＢが得られ、更に繰返しても同様の特性が
安定して再現できた。

実施例３ 記録層を（イ）は（Ｔｅｏ４＋Ｂ　ｉｏ２ｔｓｂｏ３ｇ
）０．５ｇ　（Ｔｅｇ、＋ｓ　Ｇｅｏ、ｓ　）　０．４
１％　　（０）は（ＴｅＯ，３３Ｂ　１ｏ、ｉ＋５ｂｏ
３６）ｏ６　（Ｔｅａ、ｓ　Ｇｅｏ、）０．４Ｘとした
以外は実施例２と同じ構成と組成の試料を作製し測定法
■の動的記録・消去特性を評価した。

初期化として線速度９ｍ／秒、９ｍＷのパワーでトラッ
クに沿って２回走査した後、０．７ｍＷで再生した所、
試料（イ）と（ロ）いずれもＲＦ信号レベルは明らかに
高反射率に変化し、良好な結晶化（初期化）ができた。

ノイズの増加は数ｄＢ以下でほとんどなかった。次いで
線速度９ｍ／秒で記録を１３ｍＷ、４ＭＨｚ、デユーテ
ィ５０％とし、消去を９ｍＷで行なったところ、記録の
ＣＮＲは試料（イ）では５１ｄＢ、（ロ）では４９ｄＢ
と良好であり、消去率はいずれも２５ｄＢ以上が得られ
た。更に同一トラックに記録・消去を繰返したところ安
定な繰返しが可能であることが確認できた。

比較例１ 記録層を（ハ）は（Ｔｅｏ、３　Ｂ　ｔｏ５Ｓｂｏ２）
ｏ、７１　（Ｔｅｏ５Ｇｅｏ５）０．２９、（ニ）は（
Ｔｅａ、ｂ　Ｂ　１ｏ４）０．２７　（Ｔｅａ５Ｇｅｏ
、）０．７３とした以外は実施例１と同様な構成でパイ
レックスガラス基板とＰＣのディスク基板にそれぞれ媒
体を形成した。パイレックスガラス基板で測定したこの
媒体の結晶化温度は試料（ハ）、（ニ）いずれも１１０
℃以下と大きく低下しており、記録媒体の熱安定性は大
巾に低下していると推定される。

次に線速度９ｍ／秒で記録を１３ｍＷ、４ＭＨｚ、デユ
ーティ５０％とし、消去を９ｍＷとして繰返したところ
記録が非常に困難となっており、試料（ハ）、（ニ）い
ずれも記録のＣＮＲは３５ｄＢ以下で、消去率は２０ｄ
Ｂ以下であり、繰返しによる改善も見られなかった。

実施例４ 保護層、拡散防止層および中間層にＭｇＦ２を１０ｍｏ
１％混合したＺｎＳ無機膜を用い、記録層の組成を（Ｔ
ｅｇ３□Ｂｉｏ２６ｓｂｏ４゜）０．６５　（Ｔｅ。、
５Ｇｅｏ、）。３．として、保護層、記録層、および拡
散防止層の順にそれぞれおよそ１７０ｎｍ。

５１ｎｍ、および２１６　ｎｍの厚みで積層した。

次いでＮｉ−Ｃｒ合金（８０：２０）を約２６ｎｍ１中
間層を約２１ｎｍ、更にＮｉ−Ｃｒ合金を約２６ｎｍ形
成し本実施例の媒体とした。

初期化条件を８ｍ／秒、８．５ｍＷとしてトラックを走
査したところ、実施例１と同様な良好な初期化ができた
。

線速度８ｍ／秒で、記録を４　Ｍ　Ｈｚ　、デユーティ
４０％、１４ｍＷとし消去を８．５ｍＷの条件で１２０
回繰返した結果、１ｍＷの再生光強度でＣＮＲが４９　
ｄ　Ｂ、消去率が２７ｄＢが得られ、良好な記録・消去
の繰返しが可能であった。更に消去率の消去速度の依存
性を見るために、記録を１２ｍ／秒、３．６９ＭＨｚ、
デユーティ５０％、１５ｍＷとし消去を１５ｍ／秒、１
０．５ｍＷの条件として１２０回゛繰返した後、記録条
件を一定として、消去線速度を５〜２０ｍ／秒の範囲で
変えて消去率を測定した。消去のパワーは各線速度で消
去率が最良となるよう最適化した。その結果、例えば線
速度１８ｍ／秒で消去パワー１３ｍＷの場合に消去率が
２７ｄＢ得られ、同様に５〜２０ｍ／秒いずれの線速度
でも２６〜３０ｄＢの消去率が実現できた。この場合、
再生光強度は０．　７ｍＷとし、記録のＣＮＲは消去線
速度によらず約４８ｄＢが得られた。

［発明の効果］ 本発明による記録媒体は以下に述べるような優れた効果
を奏するものである。

■　消去速度が早く、高速での記録・消去が可能な光記
録媒体が得られる。

■　低線速度から高線速度まで、記録のＣＮＲ。

消去率が良好かつ安定な光記録媒体が得られる。

■　転移温度が良好で活性化エネルギーも高く、熱及び
保存安定性に優れた光記録媒体が得られる。

■　実用的な半導体レーザ出力で記録・消去が可能であ
り、感度の良好な光記録媒体が得られる。

■　多数回の記録・消去の繰返しでも動作が安定してお
り、記録感度、記録・消去特性、ノイズの増大などの劣
化が少ない良好な光記録媒体が得られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に形成された記録薄膜にエネルギービームを照射
   し、直接又は間接に発生する熱により、上記薄膜の光学
   特性を変化せしめて、情報の記録を行う情報記録媒体に
   おいて、該記録薄膜がビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（
   Ｓｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびテルル（Ｔｅ）の
   ４元素から主としてなり、かつその組成が、次の一般式
   で表されることを特徴とする情報記録媒体。 （Ｔｅ＿ｘＢｉ＿ｙＳｂ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙ）＿１＿
   −＿ｚ（Ｔｅ＿０＿．＿５Ｇｅ＿０＿．＿５）＿ｘただ
   し０．２５≦ｘ＜０．６ ０．０５≦ｙ＜０．４ ０．２≦ｚ≦０．６ ここで、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ原子数比を表わす。