JP2006050543A - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1入出力ポートと第2入出力ポートとの間に配置した第1インダクタンス素子と、第2入出力ポートとアースとの間に配置した第2インダクタンス素子と、第1インダクタンス素子と第1並列共振回路を構成する第1キャパシタンス素子と、第2インダクタンス素子と第2並列共振回路を構成する第2キャパシタンス素子と、第1並列共振回路に並列接続した抵抗素子と、第1入出力ポートと第1インダクタンス素子との間に配置したインピーダンス調整手段とを備えた。
【選択図】 図1
Description
アイソレータは、例えば移動体通信機器の送信段において電力増幅器とアンテナとの間に配置され、電力増幅器への不要信号の逆流を防ぎ、また電力増幅器の負荷側のインピーダンスを安定させる等の目的で用いられ、挿入損失特性、反射損失特性、アイソレーション特性に優れることが要求される。
この2端子対アイソレータは、第1入出力ポートP1と第2入出力ポートP2との間に、電気的に接続された第1中心電極L1(第1インダクタンス素子)と、前記第1中心電極L1と電気的絶縁状態で交差して配置され、第2入出力ポートP2とアース電位との間に電気的に接続された第2中心電極L2(第2インダクタンス素子)と、前記第1入出力ポートP1と前記第2入出力ポートP2の間に電気的に接続され、前記第1中心電極L1と第1並列共振回路を構成する第1キャパシタンス素子C1と、抵抗素子Rと、前記第2入出力ポートP2とアース電位の間に電気的に接続され、前記第2中心電極L2と第2並列共振回路を構成する第2キャパシタンス素子C2とを有する。
第1並列共振回路でアイソレーション特性(逆方向減衰特性)が最大となる周波数が設定され、第2並列共振回路で挿入損失特性が最小となる周波数が設定される。第1入出力ポートP1から第2入出力ポートP2に高周波信号が伝搬する際には、第1入出力ポートP1と第2入出力ポートP2間の第1並列共振回路は共振しないが、第2並列共振回路が共振するため、伝送損失が少なく挿入損失特性に優れたものとなる。
また、第1入出力ポートP1と第2入出力ポートP2の間に接続された抵抗素子Rにより、第2入出力ポートP2から第1入出力ポートP1へと逆流してくる電流が吸収される。
第1中心導体21,第2中心導体22は、それぞれ二本の線路で構成され、その両端部21a,21b、22a,22bは、マイクロ波フェライト20の下面に延在し、それぞれの端部21a〜22bは相互に分離されている。
積層基板30は、前記中心導体の端部と接続する接続電極51〜54を裏面に設けたシート46aと、コンデンサ電極55,56や抵抗27を裏面に設けた誘電体シート41と、コンデンサ電極57を裏面に設けた誘電体シート42と、グランド電極58を裏面に設けた誘電体シート43と、入力外部電極14や出力外部電極15やアース外部電極16を設けた誘電体シート45などで構成されている。
中心導体接続電極51は、前記等価回路の第1入出力ポートP1となり、中心導体接続電極53,54は第2入出力ポートP2となり、中心導体接続電極52は第3ポートP3となる。
第1中心導体21の一端部21aは、第1入出力ポートP1(中心導体接続電極51)を介して入力外部電極14に電気的に接続されている。第1中心導体21の他端部21bは、第2入出力ポートP2(中心導体接続電極54)を介して出力外部電極15に電気的に接続されている。
第2中心導体22の一端部22aは、第2入出力ポートP2(中心導体接続電極53)を介して出力外部電極15に電気的に接続されている。第2中心導体22の他端部22bは、第3ポートP3(中心導体接続電極52)を介してアース外部電極16に電気的に接続されている。第1キャパシタンス素子C1(25)は第1入出力ポートP1と第2入出力ポートP2の間に電気的に接続され、第1中心導体L1(21)とともに第1並列共振回路を形成する。第2キャパシタンス素子C2(26)は、第2入出力ポートP2と第3ポートP3の間に電気的に接続され、第2中心導体L2(22)とともに第2並列共振回路を形成する。
前記2端子対アイソレータでは、不要なリアクタンス成分が、前記第1、第2並列共振回路に接続する場合があり、その結果、2端子対アイソレータの入力インピーダンスが所望の値からずれ、2端子対アイソレータと接続する他の回路とのインピーダンス不整合を生じ、その結果、挿入損失特性、アイソレーション特性を劣化させる問題があった。
そこで本発明は、入力インピーダンスの調整が容易で、かつ挿入損失特性、アイソレーション特性に優れた非可逆回路素子を提供することを目的とする。
また、前記インピーダンス調整手段用のインダクタンス素子及び/又はキャパシタンス素子が、前記積層基板の電極パターンにより形成されているか、又は前記積層基板への搭載素子により構成されているのが好ましい。
図1は、本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の等価回路である。
この非可逆回路素子は、第1入出力ポートP1、第2入出力ポートP2を備えた2端子対アイソレータであって、ポートPTとポートPC間に接続された第1インダクタンス素子L1と、ポートPCとポートPEとの間に接続された第2インダクタンス素子L2と、前記ポートPTと前記ポートPC間に接続され、前記第1インダクタンス素子L1と第1並列共振回路を構成する第1キャパシタンス素子Ciと、前記ポートPCと前記ポートPEとの間に接続され、前記第2インダクタンス素子L2と、第2並列共振回路を構成する第2キャパシタンス素子Cfと、前記ポートPTと前記ポートPC間に接続された抵抗素子Rと、前記第1入出力ポートP1と前記ポートPTとの間に接続されたインピーダンス調整手段90とを備える。そしてポートPEはアース電位と接続されている。なお、図2の等価回路に示すように、前記第1インダクタンス素子L1、第2インダクタンス素子L2は、フェリ磁性体に配置された第1中心導体21と第2中心導体22によって形成されている。
前記インダクタンス素子やキャパシタンス素子は、取り扱いが容易で、定数の変更が比較的容易であるチップ部品で構成するのが好ましい。また、インダクタンス素子は分布定数線路で構成しても良い。
なお位相θを大きく移動させたい場合には、分布定数線路の線路長を長くすればよいが、電気的特性も劣化してしまう。インピーダンス調整手段90だけでは、十分に位相θを調整できない場合には、図17に示すように、ポートPEとアース電位との間にインダクタンス素子を接続するのが好ましい。前記インダクタンス素子はチップインダクタや分布定数線路で形成すればよい。ポートPEにインダクタンス素子を接続することで、インピーダンス調整手段90の分布定数線路の線路長を長くする場合と同様に、位相θは時計周りに移動する。
以下、本発明に係る非可逆回路素子の構造について説明する。
図6は本発明の一実施例に係る非可逆回路素子の等価回路である。本実施例においては、インピーダンス整合手段90として、第1入出力ポートP1と第1インダクタンス素子L1との間に配置され、シャント接続されるキャパシタンス素子Czを用いた。他の回路構成は、図1に示した等価回路と同じなのでその説明を省略する。
前記中心導体20は、第1中心導体21および第2中心導体22が、共通部23から二方向に各々延在するL字状の銅板で構成される。前記銅板は、例えば厚みが30μmの薄板を用い、更にその表面には半光沢の銀メッキを1〜4μm施すのが好ましい。このように構成することで、高周波における表皮効果によって損失を低減している。
第1中心導体21は3本の並列導体(線路)からなる電極指211〜213で形成され、前記第2中心導体22は1本の導体(線路)からなる電極指221で形成されている。このように構成することで、第1中心導体21で形成されるインダクタンスを、第2中心導体22で形成されるインダクタンスよりも小さくしている。
本実施例の中心導体20は、マイクロ波フェライトフ10を第1中心導体21及び第2中心導体22で周回するように包み込む様にしていることで、単にマイクロ波フェライトの一主面に中心導体を配置する場合よりも、大きなインダクタンスを形成することが出来る。このことは、非可逆回路素子の小型化に伴い、マイクロ波フェライト10の面積、厚さの両方とも小型化せざるを得ない状況において大きな効果がある。
本実施例ではマイクロ波フェライトは、矩形状のものを用いているが特に限定されるものではなく、引用文献1に開示されたような円板状でも良い。なお矩形状のマイクロ波フェライト10を用いると、その体積を円板状のものよりも増加させることができるので、マイクロ波フェライト10に巻かれる第1、第2中心導体21,22の長さを、円板状のものよりも長く取ることが出来、第1、第2中心導体21,22のインダクタンスを大きくすることができる。
永久磁石40は、中心導体組立30に直流磁界を印加するものであり、略箱型状の上ケース70の内壁面に接着剤などにより固定される。
永久磁石40としてはフェライト磁石(SrO・nFe2O3)が最も安価であり、且つマイクロ波フェライト10との温度特性の相性も良い。より好ましくは、Sr及び/またはBaの一部をR元素(R元素は、Yを含む希土類元素の少なくとも1種)で置換し、Feの一部をM元素(M元素は、Co、Mn、Ni及びZnからなる群から選ばれた少なくとも1種)で置換したマグネトプランバイト型結晶構造を有し、前記R元素及び/又はM元素が化合物の状態で仮焼後の粉砕工程で添加されているフェライト磁石が良い。従来のフェライト磁石(SrO・nFe2O3)に比較し高い磁束密度を有するので、非可逆回路素子の小型、薄型化を可能にする。好ましくは残留磁束密度Brが420mT以上であり、保持力iHcが300kA/m以上の磁気特性を有するフェライト磁石である。
図10に積層基板50の分解斜視図を示す。積層基板50は6層の誘電体シートS1〜S6の積層して構成される。誘電体シートS1〜S6に用いるセラミックの材料組成は、Agなどの導体ペーストと同時焼成できる低温焼結セラミックス材料、所謂LTCCセラミックなら何でも使用できる。
なお、環境対策上の観点から、前記低温焼結セラミックス材料は鉛を含まない組成系が好ましい。このような低温焼結セラミックス材料としては、主成分であるAl,Si,Sr,TiをそれぞれAl2O3、SiO2、SrO、TiO2に換算したとき、Al2O3換算で10〜60質量%、SiO2換算で25〜60質量%、SrO換算で7.5〜50質量%、TiO2換算で20質量%以下(0を含む)で、主成分100質量%に対して、好ましくは副成分として、Bi、Na、K、Coの群のうち少なくとも1種をBi2O3換算で0.1〜10質量%、Na2O換算で0.1〜5質量%、K2O換算で0.1〜5質量%、CoO換算で0.1〜5質量%含有し、更に、Cu、Mn、Agの群のうち少なくとも1種をCuO換算で0.01〜5質量%、MnO2換算で0.01〜5質量%、Agを0.01〜5質量%含有し、その他不可避不純物を含有するものがある。
積層基板50は、低温焼結セラミックス材料を用いることで、AgやCu、Auなどの高い導電率を有する金属材料を内部電極として使用できる。その結果、高いQ値を有する誘電体材料を用い、しかも電気抵抗による損失を抑えた内部電極を用いることで、極めて損失の小さい非可逆回路素子を構成できる。
多層基板50の表面に形成された電極パターンには、Niメッキを下地としてAuメッキの施されることが多い。Auメッキは半田濡れ性を良くすると共に、導電率が高いので非可逆回路素子を低損失にできる効果がある。Niメッキは中間層として、Ag,Cu,Ag−Pdなどの下地層とAuメッキの上地層との間の固着強度を向上する為のものである。電極パターンの厚みは、通常2〜20μm程度であり、表皮効果の表皮厚さの2倍以上に設定される。
なお、積層基板50の寸法は約4mmか、それ以下の小型なものとなる。そこで積層基板50を多数集合してなるマザー積層基板を準備し、予め形成された分割溝に沿って折ることにより、積層基板50を多数製造するのが好ましい。あるいは、マザー積層基板の状態で製造した後、ダイサーやレーザ加工により切断して製造することも出来る。
誘電体シートS1〜S6の各層間は、導電性ペーストを充填したビアホールVHg1〜VHg6,VHi1〜VHi9,VHo1〜VHo9で電気的に接続される。ビアホールVHg1〜VHg6は、各層の電極パターン504、505,510をグランド電極GNDに電気的に接続する。ビアホールVHi1〜VHi9は、電極パターン502を電極パターン508を介して入力端子INに電気的に接続する。ビアホールVHo1〜VHo9は、各層の電極パターン520、507、509を出力端子OUTに電気的に接続する。電極パターン503、506、507、508、509で第1キャパシタンス素子Ciを構成し、電極パターン520、505、507及び電極パターン509,510で第2キャパシタンス素子Cfを構成している。
本実施例においては、第1、第2キャパシタンス素子Ci,Cfを構成する電極パターンを、複数の層に配置し、これをビアホールで並列接続している。このようにして、積層基板50の面積を最大限に有効利用し、一層当りの電極パターンの形成面積を広面積として、30pF程度の静電容量を形成した。
また、本発明に係る非可逆回路素子のインピーダンス整合手段は、インダクタンス素子、あるいはインダクタンス素子とキャパシタンス素子を組み合わせも構成することが出来る。前記インダクタンス素子は、チップインダクタを用いて形成しても良いし、誘電体シートの上に導電性ペーストを印刷して形成された電極パターン(ラインパターン)で形成しても良い。
インピーダンス整合手段として用いるインダクタンス素子やキャパシタンス素子を、電極パターンで積層基板に形成する場合は、トリミング加工により調整する以外は、調整が困難なのに対して、チップコンデンサやチップインダクタを用いることで、細かくコンデンサ値、インダクタンス値を設定出来、インピーダンス整合が良好に取れるように自在に調整できる。
上ケース70は略箱型形状で、磁気回路を形成するため、例えば、軟鉄などの強磁性体からなる材料で形成され、その表面にAgやCuがメッキされる。上ケース70は、樹脂ケース80にインサート成形された金属板であるフレーム側壁81a,81cとともに、それぞれの合わせ面を接合することにより、磁気ヨークとしても機能する。つまり、永久磁石40と中心導体組立30と積層基板50を囲む磁路を形成する。また、上ケース70は材質が金属であるから、磁気回路を形成するとともに他の構成部材を収納保持する外部ケースとしての機能も有する。
図12に樹脂ケース80の平面図を示す。この樹脂ケース80は、0.1mm程度の導体薄板を有し、この導体薄板を用いた入力端子82a(IN−等価回路の第1入出力ポートP1)、出力端子83a(OUT−等価回路の第2入出力ポートP2)、及びフレーム81をインサート成形で備えたものである。本実施例では、入力端子82a(IN)及び出力端子83a(OUT)を、それぞれ前記フレーム81と一体の金属材料から、打ち抜き等の板金加工や、エッチングなどにより成形している。フレーム81は、フレーム底部81bと、その両側へ立設された2つのフレーム側壁81a,81cとが一体の板金などにより加工されたものである。フレーム端子部81d〜81gもフレーム81の一部として一体であり、グランド端子として使用される。フレームの金属材料は、例えばSPCCで厚み0.15mm程度のものが使用される。さらにその表面にCuメッキ1〜3μmを施し、その上に厚み2〜4μmのAgメッキが施している。このようにめっき処理することで高周波特性を改善している。
フレーム底部81bは、入力端子IN及び出力端子OUTとから電気的に絶縁してグランドとして機能させる為に、入力端子INの一部82b、及び出力端子OUTの一部83bとから0.3mm程度の空間で隔てて絶縁距離を確保している。フレーム側壁81a,81cを前記上ケース70の側壁と向かい合うように嵌め合わせることで、永久磁石70の磁束を中心導体組立30に均一分布で供給できるようにしている。
本発明の他の実施例に係る非可逆回路素子について、図18〜図21を基に説明する。
図18は、本実施例に係る非可逆回路素子の等価回路である。実施例1と相違する点は、インピーダンス整合回路90を、キャパシタンス素子Czと、第1入出力ポートP1とポートPTの間に直列接続したインダクタンス素子Lz1で構成する点である。インダクタンス素子Lz1は、例えば、図19に示した積層基板分解斜視図において、誘電体シートS6に形成された電極パターン512により構成された分布定数線路である。図20は、インダクタンス素子Lz1を接続しない場合のS11スミスチャートであり、図21は、本実施例のS11スミスチャートである。スミスチャートにおいて、マーカ1〜3はそれぞれ835MHz、1.68GHz、2.52GHzの周波数を示している。インダクタンス素子Lz1を接続することによって、基本波(835MHz)の整合条件をほとんど変化させずに、高調波成分(1.68GHz−2倍波、2.52GHz−3倍波)の位相θを移動させることが出来るのが分かる。このため、電力増幅器と2端子対アイソレータの整合が共役整合となるのを防ぎ、電力増幅器の発振を抑制することが出来る。
本発明の他の実施例に係る非可逆回路素子について、図22及び図23を基に説明する。
図23は、本実施例に係る非可逆回路素子の等価回路である。実施例1と相違する点は、ポートPEとアース電位との間にインダクタンス素子LWとキャパシタンス素子CWの並列共振回路を接続する点である。本実施例の非可逆回路素子によれば、他の実施利例のものと比べて通過帯域を広帯域化することが可能となる。
このインダクタンス素子LW、キャパシタンス素子CWは、例えば、図23に示した積層基板分解斜視図において、誘電体シートS6に形成された電極パターン513により構成された分布定数線路や、誘電体シートS8に形成された電極パターン514と、誘電体シートS7に形成された電極パターン510、裏面に形成された電極パターンGNDとで構成されるコンデンサである。このように、このインダクタンス素子LW、キャパシタンス素子CWは、積層基板に内蔵させることができる。これにより、搭載部品を増加させることなく、小型に構成できる。しかし、このインダクタンス素子LW、キャパシタンス素子CWは、積層基板に搭載する素子により構成することも可能である。これは、インピーダンス調整手段の場合と同様に、種々の構成を選択することができる。
本実施例の非可逆回路素子では、基本波の周波数帯が比較的広い場合であっても、その対応が容易となる。
また、本発明によると非可逆回路素子の入力インピーダンスを容易に調整できるため、移動体通信機器の送信部において電力増幅器とアンテナの間に配置したとき、電力増幅器への不要信号の逆流を防ぐのみならず、電力増幅器の負荷側のインピーダンスを安定させるため、携帯電話などの電池寿命を伸ばすこともできる。
20 中心導体
21 第1中心導体
22 第2中心導体
23 中心導体の共通部
30 中心導体組立
40 永久磁石
50 積層基板
61 チップコンデンサ
63 チップ抵抗
70 上ケース
90 インピーダンス整合回路
Claims (8)
- 第1入出力ポートと第2入出力ポートとの間に配置された第1インダクタンス素子と、
第2入出力ポートとアースとの間に配置された第2インダクタンス素子と、
前記第1インダクタンス素子と第1並列共振回路を構成する第1キャパシタンス素子と、
前記第2インダクタンス素子と第2並列共振回路を構成する第2キャパシタンス素子と、
前記第1並列共振回路に並列接続された抵抗素子と、
前記第1入出力ポートと前記第1インダクタンス素子との間に配置されたインピーダンス調整手段とを備えたことを特徴とする非可逆回路素子。 - 前記インピーダンス調整手段が、インダクタンス素子及び/又はキャパシタンス素子で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記インピーダンス調整手段が、ローパスフィルタ又はハイパスフィルタであることを特徴とする請求項1又は2に記載の非可逆回路素子。
- 前記第2並列共振回路とアースとの間に、インダクタンス素子を接続することを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記第2並列共振回路とアースとの間に接続されるインダクタンス素子と並列にキャパシタンス素子を接続することを特徴とする請求項4に記載の非可逆回路素子。
- 前記第1インダクタンス素子及び前記第2インダクタンス素子は、フェリ磁性体に配置された第1中心導体と第2中心導体で形成されることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記第1又は2のキャパシタンス素子の少なくとも一部が、積層基板の電極パターンにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の非可逆回路素子。
- 前記インピーダンス調整手段用のインダクタンス素子及び/又はキャパシタンス素子が、前記積層基板の電極パターンにより形成されているか、又は前記積層基板への搭載素子により構成されていることを特徴とする請求項7に記載の非可逆回路素子。
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